JPH05291438A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH05291438A JPH05291438A JP12145392A JP12145392A JPH05291438A JP H05291438 A JPH05291438 A JP H05291438A JP 12145392 A JP12145392 A JP 12145392A JP 12145392 A JP12145392 A JP 12145392A JP H05291438 A JPH05291438 A JP H05291438A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、リードフレームおよ
びシリコンチップに対する接着性，耐湿信頼性に優れる
半導体装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device having excellent adhesiveness to a lead frame and a silicon chip and excellent moisture resistance reliability.
【０００２】[0002]
【従来の技術】最近の半導体装置としては、従来のセラ
ミック、キャン封止型のものと比較した場合大量生産性
に優れ、しかも低価格な製品が得られる樹脂封止方式の
ものが多くなりつつある。この封止樹脂としては、電気
特性、機械物性等に優れるエポキシ樹脂の使用が増大し
ている。しかしながら、エポキシ樹脂に代表される樹脂
で封止を行なうことより得られる半導体装置は、セラミ
ック、キャン封止型のものと比較して吸湿性を有し、ま
た封止樹脂とフレームとの界面を通しての水の進入も多
いという問題を有する。また、封止樹脂中には加水分解
性のクロルイオンをはじめとするイオン性不純物が残存
しており、これらは水との相互作用により半導体装置の
リーク電流を増大させたり、アルミニウム電極の腐食等
を引き起こし信頼性低下の大きな原因となっている。2. Description of the Related Art Recently, as semiconductor devices, those of resin encapsulation type, which are superior in mass productivity and obtain low-priced products as compared with conventional ceramic and can encapsulation type devices, are increasing. is there. As this sealing resin, the use of epoxy resin, which is excellent in electrical characteristics and mechanical properties, is increasing. However, a semiconductor device obtained by sealing with a resin typified by an epoxy resin has hygroscopicity as compared with a ceramic or can-sealing type, and through the interface between the sealing resin and the frame. There is a problem that there is a lot of water intrusion. In addition, ionic impurities such as hydrolyzable chlorine ions remain in the encapsulating resin, and these increase the leak current of the semiconductor device due to the interaction with water, corrosion of the aluminum electrode, etc. This is a major cause of deterioration in reliability.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】そこで、エポキシ樹脂
で封止した半導体装置の上述した耐湿性の不足に起因す
る不良を防止する目的で種々改良が試みられている。例
えば、封止材料中のイオン性不純物を除去したり、イオ
ン性物質をトラップするような添加剤を添加すること等
が提案されている。しかし、このような方法によっても
イオン性物質を完全かつ確実に除去あるいはトラップす
ることは実質的に不可能であり、所期の目的を達成する
ことができないという不利がある。Therefore, various improvements have been attempted for the purpose of preventing defects due to the above-mentioned insufficient moisture resistance of the semiconductor device sealed with the epoxy resin. For example, it has been proposed to remove ionic impurities in the encapsulating material or add an additive that traps an ionic substance. However, even with such a method, it is practically impossible to completely or surely remove or trap the ionic substance, and there is a disadvantage that the intended purpose cannot be achieved.
【０００４】一方、封止材料の耐湿性を改良するために
はシランカップリング剤を配合することも知られてお
り、半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に配合される
シランカップリング剤としては、エポキシ系シラン，メ
ルカプト系シラン，アミン系シランあるいは不飽和炭化
水素系シラン等が用いられている。そして、このような
シランカップリング剤において、エポキシ系シラン，ア
ミン系シランは、接着性，耐湿性において不充分である
という問題を有している。On the other hand, it is also known to blend a silane coupling agent in order to improve the moisture resistance of the sealing material, and as a silane coupling agent blended in the epoxy resin composition for sealing a semiconductor device, , Epoxy silane, mercapto silane, amine silane, unsaturated hydrocarbon silane, etc. are used. In such a silane coupling agent, epoxy-based silane and amine-based silane have a problem that they are insufficient in adhesiveness and moisture resistance.
【０００５】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、接着性および耐湿性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物で封止され、諸特性に優れた半導体装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides a semiconductor device which is encapsulated with an epoxy resin composition for semiconductor encapsulation which is excellent in adhesiveness and moisture resistance and which is excellent in various characteristics. With the goal.
【０００６】[0006]
価の有機基、Ｙはメトキシ基，エトキシ基，プロペノキ
シ基，メチル基，メチル基またはエチル基であり、互い
に同じであっても異なっていてもよいが、少なくとも１
つはメトキシ基，エトキシ基またはプロペノキシ基であ
る。また、ｍ，ｎはそれぞれ１〜３の整数であり、ｍ＋
ｎ＝４である。〕[In the general formula (1), X is a monovalent organic group containing an amino group, Y is a methoxy group, an ethoxy group, a propenoxy group, a methyl group, a methyl group or an ethyl group, and they are the same as each other. May be different, but at least 1
One is a methoxy group, an ethoxy group or a propenoxy group. Further, m and n are each an integer of 1 to 3, and m +
n = 4. ]
【０００７】[0007]
【作用】すなわち、本発明者らは、上記目的を達成する
ため鋭意検討を重ねた結果、前記（Ａ）〜（Ｃ）成分を
含有するエポキシ樹脂組成物を封止用樹脂組成物として
用いた場合、このエポキシ樹脂組成物はＤＩＰ型，ＱＦ
Ｐ型，ＳＯＪ型，ＳＯＰ型，ＰＬＣＣ型のいずれの型の
半導体装置の封止にも有効で、封止された半導体装置は
接着性，耐湿性（特に吸湿後の半田工程の耐湿性）に著
しく優れていることを見い出しこの発明に到達した。That is, the inventors of the present invention have conducted extensive studies to achieve the above object, and as a result, used an epoxy resin composition containing the components (A) to (C) as a sealing resin composition. In this case, the epoxy resin composition is DIP type, QF
It is effective for encapsulating any of P type, SOJ type, SOP type, and PLCC type semiconductor devices, and the encapsulated semiconductor device has adhesiveness and moisture resistance (particularly moisture resistance in the soldering process after moisture absorption). They have found that they are remarkably excellent and have reached the present invention.
【０００８】つぎに、この発明について詳しく説明す
る。Next, the present invention will be described in detail.
【０００９】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、硬化剤（Ｂ成分）と、
シラン反応生成物（Ｃ成分）とを用いて得られるもので
あって、通常、粉末状もしくはそれを打錠したタブレッ
ト状になっている。The epoxy resin composition used in the present invention comprises an epoxy resin (component A), a curing agent (component B),
It is obtained by using a silane reaction product (component C), and is usually in the form of powder or tablets obtained by compressing it.
【００１０】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特
に限定するものではなく通常用いられるものがあげら
れ、例えばグリシジルエーテル系，グリシジルエステル
系，クレゾールノボラック系，フェノールノボラック
系，脂環系，線状樹脂族系等のエポキシ樹脂があげられ
る。これらは、単独もしくは併せて用いられる。そし
て、特に種類を限定するものではないが、機械的強度、
電気的特性および耐熱性に着目すればフェノールノボラ
ック系またはクレゾールノボラック系のエポキシ樹脂を
用いることが好ましく、この場合のエポキシ当量は１０
０〜４００の範囲のものを使用することが好ましい。The above-mentioned epoxy resin (component A) is not particularly limited and includes those which are usually used. For example, glycidyl ether type, glycidyl ester type, cresol novolac type, phenol novolac type, alicyclic type, linear type. An epoxy resin such as a resin family resin can be used. These may be used alone or in combination. And, although not particularly limited to the type, mechanical strength,
From the viewpoint of electrical characteristics and heat resistance, it is preferable to use a phenol novolac-based or cresol novolac-based epoxy resin, and the epoxy equivalent in this case is 10
It is preferable to use one having a range of 0 to 400.
【００１１】上記硬化剤（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹
脂の硬化剤として作用するものであり、例えばフェノー
ルノボラック，クレゾールノボラック等のフェノール樹
脂等があげられ、特にノボラック型フェノール樹脂を用
いるのが好ましい。そしてこれらフェノール樹脂として
は、軟化点が２０〜１１０℃水酸基当量７０〜１５０の
ものを用いることが好ましい。The above-mentioned curing agent (component B) acts as a curing agent for the above-mentioned epoxy resin, and examples thereof include phenol resins such as phenol novolac and cresol novolac, and it is particularly preferable to use novolac type phenol resin. .. And as these phenolic resins, those having a softening point of 20 to 110 ° C. and a hydroxyl equivalent of 70 to 150 are preferably used.
【００１２】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ
成分）の配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当
量に対して硬化剤中の水酸基が０．８〜１．２当量とな
るよう配合することが好ましい。The epoxy resin (component A) and the curing agent (B
The mixing ratio of the component) is preferably such that the hydroxyl group in the curing agent is 0.8 to 1.2 equivalents relative to 1 equivalent of epoxy groups in the epoxy resin.
【００１３】上記エポキシ樹脂（Ａ成分）および硬化剤
（Ｂ成分）とともに用いられるシラン反応生成物は、γ
−グリシドキシプロピルトリメトキシシランおよびβ−
（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシ
シランの双方または片方１００重量部（以下「部」と略
す）に対し、水１〜１０部と、下記の一般式（１）で表
されるシラン化合物０．１〜２０部を配合し反応させる
ことにより得られる。The silane reaction product used together with the epoxy resin (component A) and the curing agent (component B) is γ
-Glycidoxypropyltrimethoxysilane and β-
(3,4 epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane 100 parts by weight of one or both (hereinafter abbreviated as "part"), 1 to 10 parts of water, and a silane compound represented by the following general formula (1) 0 It is obtained by mixing 1 to 20 parts and reacting.
【００１４】（Ｘ）ｍＳｉ（Ｙ）ｎ …（１） 〔上記一般式（１）において、Ｘはアミノ基を含する一
価の有機基、Ｙはメトキシ基，エトキシ基，プロペノキ
シ基，メチル基，メチル基またはエチル基であり、互い
に同じであっても異なっていてもよいが、少なくとも１
つはメトキシ基，エトキシ基またはプロペノキシ基であ
る。また、ｍ，ｎはそれぞれ１〜３の整数であり、ｍ＋
ｎ＝４である。〕(X) mSi (Y) n (1) [In the general formula (1), X is a monovalent organic group containing an amino group, and Y is a methoxy group, an ethoxy group, a propenoxy group, a methyl group. , Methyl group or ethyl group, which may be the same or different from each other, but at least 1
One is a methoxy group, an ethoxy group or a propenoxy group. Further, m and n are each an integer of 1 to 3, and m +
n = 4. ]
【００１５】すなわち、従来のようにγ−グリシドキシ
プロピノレトリメトキシシランおよびβ−（３，４−エ
ポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシランの双
方または片方を単にエポキシ樹脂組成物に使用するのみ
では、耐湿性に優れた封止用樹脂組成物が得られるが、
フレームおよびシリコンチップに対する接着力が不充分
であるという問題が生じる。これに対して、本発明者ら
は、γ−グリシドキシプロピノレトリメトキシシランお
よびβ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシランの双方または片方に、その作用を促進
する水と、上記一般式（１）で示されるシラン化合物を
上記の割合で配合すると、これらの相乗作用によって樹
脂組成物の硬化時のリードフレームにおける接着力が著
しく向上するとともに優れた耐湿性が維持されることを
見い出し、この発明に到達した。そして、上記シラン反
応生成物を作製する際に用いられる水は、特に限定する
ものではないが、一般に公知のイオン交換水，蒸留水，
超純水等が好ましい。That is, simply by using both or one of γ-glycidoxypropynoletrimethoxysilane and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane in an epoxy resin composition as in the conventional case, Although a sealing resin composition having excellent moisture resistance can be obtained,
There is a problem of insufficient adhesion to the frame and the silicon chip. On the other hand, the present inventors have found that both or one of γ-glycidoxypropynoletrimethoxysilane and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane has water that promotes its action, and When the silane compound represented by the general formula (1) is blended in the above proportion, the synergistic effect of these components remarkably improves the adhesive force in the lead frame at the time of curing the resin composition and maintains excellent moisture resistance. And found the present invention. The water used for producing the silane reaction product is not particularly limited, but generally known ion-exchanged water, distilled water,
Ultrapure water or the like is preferable.
【００１６】上記のようにシラン反応生成物（Ｃ成分）
を得るためには、γ−グリシドキシプロピルトリメトキ
シシランおよびβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）
エチルトリメトキシシランの双方または片方１００部に
対して、水を１〜１０部、上記一般式（１）で表される
シラン化合物を０．１〜２０部の割合で配合する必要が
ある。さらに、このようにして得られるシラン反応生成
物（Ｃ成分）の配合割合は、エポキシ樹脂組成物全体の
０．０５〜１．００重量％（以下「％」と略す）に設定
する必要がある。すなわち、シラン反応生成物（Ｃ成
分）の配合割合が０．０５％未満では耐湿性およびリー
ドフレーム・チップに対する接着力が不充分であり、
１．００％を超えると耐湿信頼性が悪くなる傾向がみら
れるからである。As described above, the silane reaction product (C component)
To obtain γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and β- (3,4 epoxycyclohexyl)
It is necessary to mix 1 to 10 parts of water and 0.1 to 20 parts of the silane compound represented by the general formula (1) with 100 parts of one or both of ethyltrimethoxysilane. Furthermore, the compounding ratio of the silane reaction product (component C) thus obtained must be set to 0.05 to 1.00% by weight (hereinafter abbreviated as "%") of the entire epoxy resin composition. .. That is, if the mixing ratio of the silane reaction product (component C) is less than 0.05%, the moisture resistance and the adhesive force to the lead frame / chip are insufficient.
This is because if it exceeds 1.00%, the moisture resistance reliability tends to deteriorate.
【００１７】なお、この発明に用いられるエポキシ樹脂
組成物には、通常、エポキシ樹脂（Ａ成分），硬化剤
（Ｂ成分）およびシラン反応生成物（Ｃ成分）とともに
一般に無機質充填剤が用いられる。上記無機質充填剤と
しては、シリカ粉末があげられる。上記シリカ粉末以外
に結晶性および溶融性フィラー，アルミナ粉末，炭化珪
素粉末等を用いることもできる。この無機質充填剤の含
有量は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物全体の５０〜
９０重量％の範囲内に設定することが望ましい。In the epoxy resin composition used in the present invention, an inorganic filler is generally used together with the epoxy resin (component A), the curing agent (component B) and the silane reaction product (component C). Examples of the inorganic filler include silica powder. In addition to the silica powder, crystalline and fusible fillers, alumina powder, silicon carbide powder and the like can be used. The content of the inorganic filler is 50 to 50% of the whole epoxy resin composition for semiconductor encapsulation.
It is desirable to set it within the range of 90% by weight.
【００１８】さらに、この発明に用いられるエポキシ樹
脂組成物には上記各成分以外に硬化促進剤，難燃剤，ワ
ックス等の他の添加剤が必要に応じて適宜配合される。Further, the epoxy resin composition used in the present invention may be appropriately blended with other additives such as a curing accelerator, a flame retardant, and a wax in addition to the above components.
【００１９】上記硬化促進剤としては、特に限定するも
のではなく従来公知のものが用いられる。例えばアミン
系，リン系，ホウ素系等があげられ、単独でもしくは併
せて用いられる。The curing accelerator is not particularly limited, and conventionally known ones can be used. Examples thereof include amine-based, phosphorus-based, boron-based, etc., which may be used alone or in combination.
【００２０】上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム
化エポキシ樹脂，ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ
樹脂等のブロム化エポキシ樹脂，三酸化アンチモン，五
酸化アンチモン等の酸化アンチモン等があげられ、これ
らは単独でもしくは併せて用いられる。Examples of the flame retardant include novolac type brominated epoxy resin, brominated epoxy resin such as brominated bisphenol A type epoxy resin, antimony trioxide, antimony oxide such as antimony pentoxide, etc., which are used alone. Or used together.
【００２１】上記ワックスとしては、特に限定するもの
はなく従来公知のものが用いられ、例えば高級脂肪酸，
高級脂肪酸エステル，高級脂肪酸カルシウム等があげら
れ、単独でもしくは併せて用いられる。The above wax is not particularly limited, and conventionally known waxes such as higher fatty acids,
Examples of the higher fatty acid ester, higher fatty acid calcium and the like may be used alone or in combination.
【００２２】この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物
は、Ｃ成分を予備混合して作製し、ついで前記Ａ〜Ｃ成
分，無機質充填剤および他の添加剤を用いて例えばつぎ
のようにして製造することができる。すなわち、上記各
成分を適宜に配合し予備混合した後、ミキシングロール
機等の混練機にかけて加熱状態で溶融混合する。そし
て、この混合物を室温に冷却した後、公知の手段により
粉砕し必要に応じて打錠するという一連の工程により製
造することができる。The epoxy resin composition used in the present invention is prepared by premixing the components C, and is then produced by using the components A to C, the inorganic filler and other additives as follows. be able to. That is, the above components are appropriately blended and premixed, and then the mixture is melted and mixed in a heated state by a kneader such as a mixing roll machine. Then, the mixture can be manufactured by a series of steps in which the mixture is cooled to room temperature, pulverized by a known means, and tableted if necessary.
【００２３】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
半導体素子の封止は特に限定するものではなく、通常の
トランスファー成形等の公知のモールド法により行うこ
とができる。The encapsulation of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
【００２４】このようにして得られる半導体装置は、エ
ポキシ樹脂（Ａ成分）と硬化剤（Ｂ成分）およびシラン
反応生成物（Ｃ成分）作用により、接着性・耐湿性に優
れたものが得られる。The semiconductor device thus obtained has excellent adhesiveness and moisture resistance due to the actions of the epoxy resin (A component), the curing agent (B component) and the silane reaction product (C component). ..
【００２５】[0025]
【発明の効果】以上のように、この発明の半導体装置
は、前記のシラン反応生成物（Ｃ成分）を含む特殊なエ
ポキシ樹脂組成物を用いて封止されているためフレーム
・シリコンチップに対する接着性および耐湿性が向上
し、信頼性に優れたものである。As described above, since the semiconductor device of the present invention is sealed with the special epoxy resin composition containing the silane reaction product (component C), it is adhered to the frame / silicon chip. And moisture resistance are improved and reliability is excellent.
【００２６】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。Next, examples will be described together with comparative examples.
【００２７】まず、実施例に先立ってシラン反応生成物
を下記のようにして製造した。First, prior to the examples, a silane reaction product was produced as follows.
【００２８】〔シラン反応生成物の作製〕下記の表１お
よび表２に示す各成分を同表に示す割合で常温配合する
ことによりシラン反応生成物を作製した。[Preparation of Silane Reaction Product] Silane reaction products were prepared by mixing the components shown in Tables 1 and 2 below at room temperature in the proportions shown in the table.
【００２９】[0029]
【表１】 [Table 1]
【００３０】[0030]
【実施例１〜１２、比較例１〜３】下記表３〜表５に示
す各成分を同表に示す割合で配合し、この配合物を８０
〜１３０℃に加熱した混練機にかけて溶融混合した。つ
いで、この溶融混合物を冷却した後粉砕し、さらに打錠
することによりタブレット状のエポキシ樹脂組成物を得
た。Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 to 3 The components shown in the following Tables 3 to 5 were blended in the proportions shown in the same table, and this blend was blended to 80
The mixture was melted and mixed in a kneader heated to ˜130 ° C. Then, the molten mixture was cooled, pulverized, and then tableted to obtain a tablet-shaped epoxy resin composition.
【００３１】[0031]
【表２】 [Table 2]
【００３２】[0032]
【表３】 [Table 3]
【００３３】このようにして得られた各タブレット状の
エポキシ樹脂組成を用いて接着性および耐湿性を評価し
た。そして、その結果を後記の表６および表７に示し
た。なお、接着性および耐湿性は下記のようにして測定
することにより評価した。Each tablet-shaped epoxy resin composition thus obtained was used to evaluate the adhesiveness and moisture resistance. The results are shown in Tables 6 and 7 below. The adhesiveness and moisture resistance were evaluated by measuring as follows.
【００３４】〔接着性〕半導体素子を上記タブレット状
のエポキシ樹脂組成物を用いて成形条件１７５℃×２分
でモールド成形した円錐型パッケージを、１７５℃×５
時間の条件でポストキュアーした後、フレーム（材質：
４２アロイ）のせん断接着力を測定した。[Adhesiveness] A conical package obtained by molding a semiconductor element using the above-mentioned tablet-shaped epoxy resin composition under molding conditions of 175 ° C. × 2 minutes is 175 ° C. × 5.
After post-curing under the condition of time, the frame (material:
42 alloy) was measured for shear adhesion.
【００３５】〔耐熱性〕上記タブレット状のエポキシ樹
脂組成物を用い、モデルチップに金線をワイヤーボンド
した半導体素子をトランスファーモールドにて成形し、
半導体装置を作製した。ついで、作製された半導体装置
を下記のプレッシャークッカーテストにかけた。[Heat Resistance] Using the above tablet-shaped epoxy resin composition, a semiconductor element in which a gold wire is wire-bonded to a model chip is molded by transfer molding,
A semiconductor device was produced. Then, the manufactured semiconductor device was subjected to the following pressure cooker test.
【００３６】〔プレッシャークッカーテスト〕プレッシ
ャー釜（１２１℃×２ａｔｍ×１００％ＲＨ）による１
０００時間の信頼性テストをサンプル２０個について行
い、導通不良となった個数を表６および表７に示した。[Pressure Cooker Test] 1 with a pressure cooker (121 ° C. × 2 atm × 100% RH)
A reliability test of 000 hours was performed on 20 samples, and the numbers of defective conduction are shown in Tables 6 and 7.
【００３７】[0037]
【表４】 [Table 4]
【００３８】[0038]
【表５】 [Table 5]
【００３９】上記表６および表７の結果から、実施例品
は比較例品に比べて接着力が高い。また、実施例では導
通不良となったものは発生しなかった。このことから、
実施例品は、フレームに対する接着性に優れ、しかも耐
湿信頼性に優れていることがわかる。From the results shown in Tables 6 and 7, the products of Examples have higher adhesive strength than the products of Comparative Examples. In addition, in the examples, no defective conduction was generated. From this,
It can be seen that the example products have excellent adhesiveness to the frame and also excellent moisture resistance reliability.
【表６】 [Table 6]
【表７】 [Table 7]
Claims (2)
ポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半
導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびβ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシランの少なくとも一方１００重量部に対
し、水１〜１０重量部と、下記の一般式（１）で表され
るシラン化合物０．１〜２０重量部を配合し反応させる
ことにより得られるシラン反応生成物。 （Ｘ）ｍＳｉ（Ｙ）ｎ …（１） 〔上記一般式（１）において、Ｘはアミノ基を含する一
価の有機基、Ｙはメトキシ基，エトキシ基，プロペノキ
シ基，メチル基，メチル基またはエチル基であり、互い
に同じであっても異なっていてもよいが、少なくとも１
つはメトキシ基，エトキシ基またはプロペノキシ基であ
る。また、ｍ，ｎはそれぞれ１〜３の整数であり、ｍ＋
ｎ＝４である。〕1. A semiconductor device obtained by encapsulating a semiconductor element with an epoxy resin composition containing the following components (A) to (C). (A) Epoxy resin. (B) Hardener. (C) 1 to 10 parts by weight of water based on 100 parts by weight of at least one of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the following general formula (1) The silane reaction product obtained by mix | blending 0.1-20 weight part of silane compounds represented by these, and making it react. (X) mSi (Y) n (1) [In the general formula (1), X is a monovalent organic group containing an amino group, and Y is a methoxy group, an ethoxy group, a propenoxy group, a methyl group, a methyl group. Or an ethyl group, which may be the same or different from each other, but at least 1
One is a methoxy group, an ethoxy group or a propenoxy group. Further, m and n are each an integer of 1 to 3, and m +
n = 4. ]
導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）硬化剤。 （Ｃ）γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランお
よびβ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルト
リメトキシシランの少なくとも一方１００重量部に対
し、水１〜１０重量部と、下記の一般式（１）で表され
るシラン化合物０．１〜２０重量部を配合し反応させる
ことにより得られるシラン反応生成物。 （Ｘ）ｍＳｉ（Ｙ）ｎ …（１） 〔上記一般式（１）において、Ｘはアミノ基を含する一
価の有機基、Ｙはメトキシ基，エトキシ基，プロペノキ
シ基，メチル基，メチル基またはエチル基であり、互い
に同じであっても異なっていてもよいが、少なくとも１
つはメトキシ基，エトキシ基またはプロペノキシ基であ
る。また、ｍ，ｎはそれぞれ１〜３の整数であり、ｍ＋
ｎ＝４である。〕2. An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation containing the following components (A) to (C). (A) Epoxy resin. (B) Hardener. (C) 1 to 10 parts by weight of water based on 100 parts by weight of at least one of γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane and β- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, and the following general formula (1) The silane reaction product obtained by mix | blending 0.1-20 weight part of silane compounds represented by these, and making it react. (X) mSi (Y) n (1) [In the general formula (1), X is a monovalent organic group containing an amino group, and Y is a methoxy group, an ethoxy group, a propenoxy group, a methyl group, a methyl group. Or an ethyl group, which may be the same or different from each other, but at least 1
One is a methoxy group, an ethoxy group or a propenoxy group. Further, m and n are each an integer of 1 to 3, and m +
n = 4. ]
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12145392A JPH05291438A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12145392A JPH05291438A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291438A true JPH05291438A (en) | 1993-11-05 |
Family
ID=14811512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12145392A Pending JPH05291438A (en) | 1992-04-14 | 1992-04-14 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291438A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821657B1 (en) | 2000-01-28 | 2004-11-23 | Hitachi, Ltd. | Solvent-free thermosetting resin composition, process for producing the same, and product therefrom |
-
1992
- 1992-04-14 JP JP12145392A patent/JPH05291438A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6821657B1 (en) | 2000-01-28 | 2004-11-23 | Hitachi, Ltd. | Solvent-free thermosetting resin composition, process for producing the same, and product therefrom |
| US6946198B2 (en) | 2000-01-28 | 2005-09-20 | Hitachi, Ltd. | Solvent-free thermosetting resin composition, process for producing the same, and product therefrom |
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