JP2574434B2 - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JP2574434B2 JP2574434B2 JP63288389A JP28838988A JP2574434B2 JP 2574434 B2 JP2574434 B2 JP 2574434B2 JP 63288389 A JP63288389 A JP 63288389A JP 28838988 A JP28838988 A JP 28838988A JP 2574434 B2 JP2574434 B2 JP 2574434B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- epoxy resin
- resin
- semiconductor device
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、高温高湿雰囲気中においても優れた信頼
性を保持する半導体装置に関するものである。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device that maintains excellent reliability even in a high-temperature and high-humidity atmosphere.
トランジスタ,IC,LSI等の半導体素子は、一般にエポ
キシ樹脂組成物を用い、トランスフアー成形等によつて
樹脂封止され半導体装置化されている。しかしながら、
半導体分野の技術革新によつて集積度の向上とともに、
例えば表面実装型パツケージも小形化，薄形化する傾向
にあり、これに伴つて封止樹脂であるエポキシ樹脂組成
物により以上の信頼性、特に耐湿信頼性および高温での
保存信頼性が要求されるようになつてきた。Semiconductor elements such as transistors, ICs, and LSIs are generally made of an epoxy resin composition, and are resin-sealed by transfer molding or the like to form semiconductor devices. However,
With the improvement of integration through technological innovation in the semiconductor field,
For example, surface-mount packages also tend to be smaller and thinner, and the epoxy resin composition, which is a sealing resin, requires higher reliability, especially humidity resistance and storage reliability at high temperatures. It has come to be.
すなわち、半導体装置は高温高湿雰囲気下で使用また
は保存される場合があり、そのような条件下においても
高品質が保証されなければならない。そのため、例えば
耐湿性の信頼性評価試験として、121℃または135℃とい
つた高温下ならびに100％または85％といつた高湿下に
樹脂封止された半導体装置を放置して、その特性劣化を
評価する加速試験（プレツシヤークツカーテスト）が行
われたり、さらに上記条件に電圧を印加して加速性を高
めた試験（プレツシヤークツカーバイアステスト）が行
われている。That is, the semiconductor device may be used or stored in a high-temperature and high-humidity atmosphere, and high quality must be ensured even under such conditions. Therefore, for example, as a reliability evaluation test of moisture resistance, a semiconductor device encapsulated with a resin is left at a high temperature of 121 ° C. or 135 ° C. and at a high humidity of 100% or 85% to deteriorate its characteristics. An accelerated test (pre-shock car test) is performed to evaluate the condition, and a test (pre-shock car bias test) in which a voltage is applied under the above-mentioned conditions to enhance the accelerating property is performed.
このような高温高湿雰囲気下に半導体装置を放置した
場合、水分が外部雰囲気から封止樹脂層を通つて、ある
いは封止樹脂とリードフレームとの界面を通つて内部に
侵入し、半導体素子表面にまで到達することがある。そ
して、上記侵入した水分と封止樹脂中に存在する各種不
純物の作用により、半導体素子表面のアルミニウム電極
や配線が腐食し不良品を生じたり、上記のように電圧を
印加した場合、さらにその電気化学的作用により腐食が
促進され不良品が発生するという問題を有している。こ
のような上記腐食を誘発する不純物としては、特に塩素
イオン，臭素イオン等のハロゲンイオンがあげられる。
上記ハロゲンイオンは、エポキシ樹脂の製造工程上特に
含有され易いものであることから、これを低減させる方
法が検討されており、最近では不純物の含有割合の低い
ものが得られるようになつてきている。しかしながら、
不純物が全く含有されていないものを作製することは不
可能である。一方、先に述べたように半導体の集積度が
向上し、パツケージの小形化，薄形化が増加する傾向に
あることから、それに伴つて半導体装置の電極や配線が
増加することになり、水分の内部侵入の経路が短くなる
ため、不良品の発生する可能性が高くなる。このため、
高温高湿雰囲気中においても、高い信頼性を奏する半導
体装置の開発が望まれている。When the semiconductor device is left in such a high-temperature and high-humidity atmosphere, moisture penetrates into the inside from the external atmosphere through the sealing resin layer or through the interface between the sealing resin and the lead frame. May be reached. Then, due to the action of the infiltrated moisture and various impurities present in the sealing resin, the aluminum electrodes and wirings on the surface of the semiconductor element are corroded to cause defective products, and when the voltage is applied as described above, There is a problem that corrosion is promoted by a chemical action and a defective product is generated. Examples of such an impurity that induces corrosion include halogen ions such as chlorine ions and bromine ions.
Since the halogen ion is particularly easily contained in the production process of the epoxy resin, a method for reducing the halogen ion has been studied, and recently, a material having a low impurity content has been obtained. . However,
It is impossible to produce a product containing no impurities. On the other hand, as described above, the degree of integration of the semiconductor is improved, and the size and thickness of the package tend to increase. As a result, the number of electrodes and wiring of the semiconductor device increases, and the water content increases. Therefore, the possibility of occurrence of defective products increases because the path of intrusion into the inside becomes short. For this reason,
There is a demand for the development of a semiconductor device exhibiting high reliability even in a high temperature and high humidity atmosphere.
この発明は、このような事情に鑑みなされたもので、
耐湿信頼性および高温雰囲気中に長時間放置しても優れ
た耐湿信頼性を有する半導体装置の提供を目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor device having excellent moisture resistance reliability and excellent moisture resistance reliability even when left in a high-temperature atmosphere for a long time.
上記の目的を達成するため、この発明の半導体装置
は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含み、Ｃ成分とＤ成分
の重量基準の混合割合C/Dが95/5〜40/60になるように設
定され、かつＣ成分とＤ成分の配合量（Ｃ＋Ｄ）がＢ成
分100重量部に対して0.5〜10重量部の配合割合になるよ
うに設定されているエポキシ樹脂組成物を用いて半導体
素子を封止するという構成をとる。In order to achieve the above object, a semiconductor device of the present invention includes the following components (A) to (D), and has a mixing ratio C / D of 95/5 to 40/60 based on the weight of the C component and the D component. And an epoxy resin composition wherein the blending amount of the C component and the D component (C + D) is set to be 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the B component. In this case, the semiconductor element is sealed.
（Ａ）エポキシ樹脂。(A) Epoxy resin.
（Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。(B) Novolak type phenolic resin.
（Ｃ）有機ホスフイン化合物。(C) an organic phosphine compound.
（Ｄ）硼酸。(D) boric acid.
すなわち、本発明者らは、高温高湿雰囲気中に長時間
放置しても優れた耐湿信頼性を有する封止樹脂を得るた
めに一連の研究を重ねた結果、有機ホスフイン化合物で
ある有機リン化合物と硼酸とを組み合わせ、これを硬化
促進剤として用いると、高温高湿雰囲気中に長時間放置
しても、水分が封止樹脂層等を通つて半導体装置の内部
に侵入しなくなり、高温高湿下での放置においても優れ
た信頼性が得られるようになることを見出しこの発明に
到達した。That is, the present inventors have conducted a series of studies in order to obtain a sealing resin having excellent moisture resistance reliability even when left for a long time in a high-temperature, high-humidity atmosphere. As a result, an organic phosphorus compound which is an organic phosphine compound is obtained. When boric acid is used as a curing accelerator, moisture does not enter the semiconductor device through the sealing resin layer and the like even when left in a high-temperature and high-humidity atmosphere for a long time. The present inventors have found that excellent reliability can be obtained even when left unattended, and have reached the present invention.
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂（Ａ成分）と、ノボラツク型フエノール樹脂（Ｂ
成分）と、有機ホスフイン化合物（Ｃ成分）と、硼酸
（Ｄ成分）とを用いて得られるものであつて、通常、粉
末状もしくはそれを打錠したタブレツト状になつてい
る。The epoxy resin composition used in the present invention comprises an epoxy resin (A component) and a novolak type phenol resin (B
Component), an organic phosphine compound (component (C)) and boric acid (component (D)), and is usually in the form of a powder or tablet.
上記Ａ成分となるエポキシ樹脂は、１分子中に２個以
上のエポキシ基を有する化合物であれば特に制限するも
のではなく、例えばビスフエノールＡ型エポキシ樹脂，
各種フエノール類からなるノボラツク型エポキシ樹脂等
のグリシジルエーテル型エポキシ樹脂，グリシジルエス
テル型エポキシ樹脂，グリシジルアミン型エポキシ樹
脂，線状脂肪族エポキシ樹脂，環状脂肪族エポキシ樹
脂，あるいは上記エポキシ樹脂に塩素，臭素等のハロゲ
ンを導入したハロゲン化エポキシ樹脂等があげられ、単
独でもしくは併せて用いられる。なかでも、ノボラツク
型エポキシ樹脂を用いることが好ましく、特にエポキシ
当量が170〜300,軟化点が60〜110℃のものが好適に用い
られる。The epoxy resin as the component A is not particularly limited as long as it is a compound having two or more epoxy groups in one molecule. For example, a bisphenol A type epoxy resin,
Glycidyl ether type epoxy resin such as novolak type epoxy resin composed of various phenols, glycidyl ester type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, or chlorine or bromine in the above epoxy resin And the like, and halogenated epoxy resins into which halogens are introduced, and the like, which are used alone or in combination. Above all, it is preferable to use a novolak type epoxy resin, and particularly those having an epoxy equivalent of 170 to 300 and a softening point of 60 to 110 ° C are suitably used.
また、上記Ａ成分のエポキシ樹脂としては、イオン性
不純物や分解等によりイオン性不純物を発生し易い成分
の含有割合の低いものを用いるのが好ましく、例えばこ
れらのエポキシ樹脂における遊離のNaイオンやClイオン
の含有割合は10ppm以下、加水分解性ハロゲンイオンの
含有割合は0.1重量％以下に設定することが好ましい。
すなわち、ハロゲンイオンの含有量が上記の範囲を外れ
ると、腐食による素子の不良が発生し易くなる傾向がみ
られるからである。Further, as the epoxy resin of the component A, it is preferable to use a resin having a low content ratio of a component which easily generates ionic impurities due to ionic impurities or decomposition, for example, free Na ions or Cl in these epoxy resins. The content of ions is preferably set to 10 ppm or less, and the content of hydrolyzable halogen ions is preferably set to 0.1 wt% or less.
That is, when the content of the halogen ion is out of the above range, a failure of the element due to corrosion tends to occur.
上記Ｂ成分のノボラツク型フエノール樹脂は、 上記Ａ成分のエポキシ樹脂の硬化剤として作用するも
のであり、フエノール，クレゾール，ビスフエノールA,
レゾルシノール等のフエノール系化合物とホルムアルデ
ヒド等とを酸性触媒下で縮合させて得られる樹脂であ
り、水酸基当量が100〜150,軟化点が60〜110℃程度のも
のを用いることが好ましい。また、上記のようにして得
られるノボラツク型フエノール樹脂としては、樹脂中の
未縮合のフエノール系化合物の含有割合がノボラツク型
フエノール樹脂中１重量％（以下「％」と略す）以下の
ものを用いることが好ましい。さらに、Naイオン,Clイ
オン，その他のイオン性不純物の含有割合の少ないもの
を用いることが信頼性向上効果の点で好ましい。The component B novolak-type phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin of the component A, and includes phenol, cresol, bisphenol A,
It is preferable to use a resin obtained by condensing a phenolic compound such as resorcinol with formaldehyde or the like under an acidic catalyst and having a hydroxyl equivalent of 100 to 150 and a softening point of about 60 to 110 ° C. Further, as the novolak-type phenol resin obtained as described above, a resin in which the content of an uncondensed phenolic compound in the resin is 1% by weight (hereinafter abbreviated as "%") in the novolak-type phenol resin is used. Is preferred. Further, it is preferable to use one having a low content of Na ions, Cl ions and other ionic impurities in view of the effect of improving reliability.
上記Ａ成分のエポキシ樹脂に対するＢ成分のノボラツ
ク型フエノール樹脂の配合割合は、上記エポキシ樹脂中
のエポキシ基１当量当たりフエノール樹脂中の水酸基が
0.5〜2.0当量、好ましくは0.8〜1.2当量となるように配
合することが好適である。The mixing ratio of the novolak type phenol resin of the component B to the epoxy resin of the component A is such that the hydroxyl group in the phenol resin per equivalent of epoxy group in the epoxy resin is
It is preferable to mix them in an amount of 0.5 to 2.0 equivalents, preferably 0.8 to 1.2 equivalents.
上記Ｃ成分の有機ホスフイン化合物としては、第一，
第二および第三ホスフイン化合物があげられ、なかでも
第三ホスフイン化合物を用いるのが好ましい。上記第三
ホスフイン化合物としては、トリフエニルホスフインに
代表されるトリアリルホスフイン化合物がその安定性が
良好であることから好適に用いられる。As the organic phosphine compound of the component C,
The second and third phosphine compounds are mentioned, and among them, the third phosphine compound is preferably used. As the third phosphine compound, a triallyl phosphine compound represented by triphenylphosphine is preferably used because of its good stability.
上記Ｄ成分の硼酸としては、通常、オルトホウ酸，メ
タホウ酸および四ホウ酸等があげられる。Examples of the boric acid of the component D include orthoboric acid, metaboric acid and tetraboric acid.
上記Ｃ成分の有機ホスフイン化合物とＤ成分の硼酸
は、硬化促進剤として作用するものであり、上記二成分
を予め混合して用いるのが好ましい。この場合のＣ成分
の有機ホスフイン化合物（Ｘ）とＤ成分の硼酸（Ｙ）の
混合比（重量基準）は、X/Y＝95/5〜40/60になるように
設定する必要がある。すなわち、上記範囲外であると、
耐湿性の向上効果がみられなかつたり、封止樹脂の硬化
性が低下したりするからである。The organic phosphine compound of the component C and the boric acid of the component D act as a curing accelerator, and it is preferable to use the two components in advance by mixing them. In this case, the mixing ratio (by weight) of the organic phosphine compound (X) as the component C and the boric acid (Y) as the component D needs to be set so that X / Y = 95/5 to 40/60. That is, if it is outside the above range,
This is because the effect of improving the moisture resistance is not observed, and the curability of the sealing resin is reduced.
そして、上記硬化促進剤として用いられるＣ成分の有
機ホスフイン化合物とＤ成分の硼酸の混合物の配合量
は、硬化剤であるＢ成分のノボラツク型フエノール樹脂
100重量部（以下「部」と略す）に対して0.5〜10部の配
合割合に設定する必要があり、好適には1.0〜4.0部であ
る。すなわち、上記Ｃ成分およびＤ成分の混合物の配合
量が、0.5部を下回ると封止樹脂の硬化速度が遅くな
り、その結果成形作業性や硬化物特性が低下してしま
い、逆に10部を超えると封止樹脂の硬化速度が速くなり
過ぎて樹脂封止の際に未充填部分が発生し、それが原因
で成形不良が生じたり、樹脂封止時に封止樹脂の一部が
ゲル化する等の問題を生じるからである。The compounding amount of the mixture of the organic phosphine compound of the component C and the boric acid of the component D used as the curing accelerator is determined based on the novolak type phenol resin of the component B as the curing agent.
It is necessary to set the blending ratio of 0.5 to 10 parts with respect to 100 parts by weight (hereinafter abbreviated as "part"), preferably 1.0 to 4.0 parts. That is, if the blending amount of the mixture of the component C and the component D is less than 0.5 part, the curing speed of the sealing resin is reduced, and as a result, the molding workability and the properties of the cured product are reduced. If it exceeds, the curing speed of the sealing resin becomes too fast, and an unfilled portion occurs at the time of resin sealing, which causes molding failure or a part of the sealing resin gels at the time of resin sealing. This causes problems such as the following.
また、この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物に
は、上記（Ａ）〜（Ｄ）成分以外にも、必要に応じて従
来より用いられているその他の添加剤を適宜配合するこ
とができる。In addition to the components (A) to (D), other additives conventionally used can be appropriately added to the epoxy resin composition used in the present invention, if necessary.
上記その他の添加剤としては、例えば無機質充填剤，
難燃剤，シランカツプリング剤のような無機質充填剤の
表面処理剤，離型剤，顔料等があげられる。Examples of the other additives include inorganic fillers,
Surface treatment agents for inorganic fillers such as flame retardants and silane coupling agents, release agents, pigments and the like.
上記無機質充填剤としては、シリカ，アルミナ，タル
ク，クレー，ガラス繊維等があげられる。なかでも、溶
融性もしくは結晶性のシリカを用いることが好ましく、
なかでも、特に粒径が150μｍ以下,50〜150μｍのもの
を無機質充填剤中10％以下の割合で含有されたものが好
適に用いられ、エポキシ樹脂組成物全体に対する無機質
充填剤の配合割合は、30〜80％の範囲内に設定するのが
好ましい。Examples of the inorganic filler include silica, alumina, talc, clay, and glass fiber. Among them, it is preferable to use fusible or crystalline silica,
Among them, especially those having a particle size of 150 μm or less, and those containing 50 to 150 μm at a ratio of 10% or less in the inorganic filler are suitably used, and the blending ratio of the inorganic filler with respect to the entire epoxy resin composition is: It is preferable to set within the range of 30 to 80%.
上記難燃剤としては、酸化アンチモン，ハロゲン化
物，リン化合物等があげられる。Examples of the flame retardant include antimony oxide, halides, phosphorus compounds and the like.
この発明に用いられるエポキシ樹脂組成物は、例えば
つぎのようにして製造することができる。すなわち、上
記Ａ〜Ｄ成分原料ならびに上記その他の添加剤を適宜配
合し、これをミキサー等により充分混合し、この混合物
を熱ロール機等によつて溶融混練したり、また連続的に
押出機に掛けて加熱混合押し出し方法を行い、これを室
温に冷却した後公知の手段により粉砕し、必要に応じて
打錠するという一連の工程により、目的とするエポキシ
樹脂組成物を製造することができる。なお、上記配合に
先立つて、予めＤ成分の硼酸をメタノール等の溶剤に溶
解させ加熱溶融したノボラツク型フエノール樹脂に混合
した後溶剤を除去したり、あるいはノボラツク型フエノ
ール樹脂を加熱しながら充分に時間をかけて硼酸を溶解
させるのが好ましい。すなわち、エポキシ樹脂組成物を
均一に硬化させるためには、硬化促進剤が均一に混合さ
れている必要があるが、Ｄ成分の硼酸は樹脂に対する溶
解性が低く、上記成分原料の溶融混練時には、充分に溶
解混合するのが困難であり、さらに長時間混合を行つた
場合、ゲル化が生じるからである。また、Ｃ成分の有機
ホスフイン化合物は、樹脂に対する溶解性が高いため、
上記硼酸の場合のように予め有機ホスフイン化合物をＢ
成分のノボラツク型フエノール樹脂に溶解させても、さ
せなくてもどちらでもよい。The epoxy resin composition used in the present invention can be produced, for example, as follows. That is, the above-mentioned A to D component raw materials and the above-mentioned other additives are appropriately blended, sufficiently mixed by a mixer or the like, and the mixture is melt-kneaded by a hot roll machine or the like, or continuously into an extruder. The mixture is cooled and cooled to room temperature, then pulverized by a known means, and, if necessary, tableted, whereby a target epoxy resin composition can be produced. Prior to the above blending, the boric acid of component D is dissolved in a solvent such as methanol in advance and mixed with a heated and melted novolak phenol resin, and then the solvent is removed. To dissolve the boric acid. That is, in order to uniformly cure the epoxy resin composition, it is necessary that the curing accelerator is uniformly mixed, but the boric acid of the D component has low solubility in the resin, and during the melt-kneading of the component materials, This is because it is difficult to sufficiently dissolve and mix, and if the mixing is further performed for a long time, gelation occurs. In addition, since the organic phosphine compound of the component C has high solubility in a resin,
The organic phosphine compound is previously converted to B as in the case of boric acid.
The component may or may not be dissolved in the novolak type phenol resin.
このようなエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子
の封止は、特に制限するものではなく、通常のトランス
フアー成形等の公知のモールド方法により行うことがで
きる。The sealing of the semiconductor element using such an epoxy resin composition is not particularly limited, and can be performed by a known molding method such as ordinary transfer molding.
このようにして得られる半導体装置は、高温高湿放置
時における耐湿信頼性に優れている。The semiconductor device obtained in this way has excellent moisture resistance reliability when left at high temperature and high humidity.
以上のように、この発明の半導体装置は、硬化促進剤
として有機ホスフイン化合物（Ｃ成分）と、硼酸（Ｄ成
分）とを含む特殊なエポキシ樹脂組成物を用いて封止さ
れており、その封止樹脂が上記Ｃ成分およびＤ成分の作
用によつて、高温高湿雰囲気中に長時間放置しても水分
の侵入が防止されるため、高温高湿放置時における優れ
た耐湿信頼性を有している。As described above, the semiconductor device of the present invention is sealed using the special epoxy resin composition containing the organic phosphine compound (C component) and the boric acid (D component) as curing accelerators. Due to the action of the component C and the component D, the intrusion of moisture is prevented even when the resin is left in a high-temperature and high-humidity atmosphere for a long time, so that the resin has excellent moisture resistance reliability when left at high temperature and high humidity. ing.
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。 Next, examples will be described together with comparative examples.
〔実施例１〜４、比較例１〜４〕 後記の第１表に示すような原料を準備し、まず、硬化
促進剤として用いられるトリフエニルホスフインおよび
硼酸を予め150〜160℃に加熱溶融されたノボラツク型フ
エノール樹脂に同表に示す割合で配合し充分溶解して冷
却した後粉砕した。この粉砕物と残りの原料を同表に示
す割合で配合し、加熱ロール機で混練して冷却した後粉
砕し目的とする粉末状のエポキシ樹脂組成物を得た。な
お、第１表中のシランカツプリング剤としては、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシランを用いた。[Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4] Raw materials as shown in Table 1 below are prepared, and first, triphenylphosphine and boric acid used as a curing accelerator are previously heated and melted at 150 to 160 ° C. The obtained novolak type phenolic resin was blended in the ratio shown in the same table, sufficiently dissolved, cooled, and then pulverized. The pulverized product and the remaining raw materials were blended in the proportions shown in the same table, kneaded by a heating roll machine, cooled, and then pulverized to obtain a desired powdery epoxy resin composition. In addition, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane was used as the silane coupling agent in Table 1.
つぎに、上記のようにして得られた粉末状エポキシ樹
脂組成物を用いて、170℃×２分間の条件により、表面
にアルミニウム配線を蒸着したシリコンチツプからなる
半導体素子をトランスフアー成形により封止し、16ピン
DIP型の半導体装置を得た。さらに、得られた半導体装
置を170℃×５時間の条件でアフターキユアーした。こ
の半導体装置を、130℃,85％RH槽中で20Vの電圧を印加
して、アルミニウムの腐食による断線不良を調べる耐湿
信頼性試験＜プレツシヤークツカーバイアステスト（PC
BTテスト）＞を行いその結果を下記の第２表に示した。 Next, using the powdered epoxy resin composition obtained as described above, under a condition of 170 ° C. × 2 minutes, a semiconductor element made of a silicon chip having aluminum wiring deposited on its surface is sealed by transfer molding. And 16 pins
DIP type semiconductor devices were obtained. Further, the obtained semiconductor device was after-cure at 170 ° C. × 5 hours. The semiconductor device is applied with a voltage of 20 V in a bath at 130 ° C. and 85% RH to check the disconnection failure due to aluminum corrosion.
BT test)> and the results are shown in Table 2 below.
上記第２表の結果から、実施例品は比較例品に比べ
て、長時間におけるPCBTテストの結果が優れていること
から高温高湿雰囲気下における耐湿信頼性が著しく向上
していることがわかる。 From the results in Table 2 above, it can be seen that the example product is superior to the comparative product in the results of the long-term PCBT test, and thus has significantly improved humidity resistance in a high-temperature and high-humidity atmosphere. .
Claims (3)
とＤ成分の重量基準の混合割合C/Dが95/5〜40/60になる
ように設定され、かつＣ成分とＤ成分の配合量（Ｃ＋
Ｄ）がＢ成分100重量部に対して0.5〜10重量部の配合割
合になるように設定されているエポキシ樹脂組成物を用
いて半導体素子を封止してなる半導体装置。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）有機ホスフイン化合物。 （Ｄ）硼酸。1. A composition comprising the following components (A) to (D), wherein the mixing ratio C / D based on the weight of the C component and the D component is set to 95/5 to 40/60, and the C component And D component (C +
A semiconductor device in which a semiconductor element is sealed with an epoxy resin composition in which D) is set in a proportion of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of a B component. (A) Epoxy resin. (B) Novolak type phenolic resin. (C) an organic phosphine compound. (D) boric acid.
分の硼酸とが、予め上記Ｂ成分のノボラツク型フエノー
ル樹脂に溶解している請求項（１）記載の半導体装置。2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the organic phosphine compound of the component C and the boric acid of the component D are dissolved in the novolak phenol resin of the component B in advance.
とＤ成分の重量基準の混合割合C/Dが95/5〜40/60になる
ように設定され、かつＣ成分とＤ成分の配合量（Ｃ＋
Ｄ）がＢ成分100重量部に対して0.5〜10重量部の配合割
合になるように設定されている半導体封止用エポキシ樹
脂組成物。 （Ａ）エポキシ樹脂。 （Ｂ）ノボラツク型フエノール樹脂。 （Ｃ）有機ホスフイン化合物。 （Ｄ）硼酸。3. A composition comprising the following components (A) to (D), wherein the mixing ratio C / D based on the weight of the C component and the D component is set to 95/5 to 40/60, and the C component: And D component (C +
An epoxy resin composition for semiconductor encapsulation wherein D) is set to be in a proportion of 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the B component. (A) Epoxy resin. (B) Novolak type phenolic resin. (C) an organic phosphine compound. (D) boric acid.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288389A JP2574434B2 (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63288389A JP2574434B2 (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02133946A JPH02133946A (en) | 1990-05-23 |
| JP2574434B2 true JP2574434B2 (en) | 1997-01-22 |
Family
ID=17729571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63288389A Expired - Fee Related JP2574434B2 (en) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2574434B2 (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5875857A (en) * | 1981-10-30 | 1983-05-07 | Toshiba Corp | Resin-sealed semiconductor device |
-
1988
- 1988-11-14 JP JP63288389A patent/JP2574434B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02133946A (en) | 1990-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0445982B2 (en) | ||
| JPS627212B2 (en) | ||
| JPH09241483A (en) | Epoxy resin composition | |
| JP2574434B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2843244B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| JPH0379370B2 (en) | ||
| JPH11269352A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JP2002012654A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JP2954415B2 (en) | Epoxy resin composition | |
| JPH11269349A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the composition | |
| JPH0657744B2 (en) | Resin-sealed semiconductor device | |
| JPS6219070B2 (en) | ||
| JP2003327792A (en) | Sealing resin composition and sealed semiconductor device | |
| JP2654376B2 (en) | Epoxy resin composition for encapsulation and resin-encapsulated semiconductor device using the same | |
| JP2002053732A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2534330B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2938811B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
| JPH11269348A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the composition | |
| JPH05315473A (en) | Semiconductor device | |
| JP2501819B2 (en) | Semiconductor device | |
| JPH11269347A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor and semiconductor device using the composition | |
| JP2938173B2 (en) | Resin composition | |
| JPH10147628A (en) | Epoxy resin composition for sealing semiconductor | |
| JP3129477B2 (en) | Resin composition | |
| JPH11158351A (en) | Epoxy resin composition and semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |