JPH05283592A - 半導体リードフレーム - Google Patents

半導体リードフレーム

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JPH05283592A
JPH05283592A JP4306906A JP30690692A JPH05283592A JP H05283592 A JPH05283592 A JP H05283592A JP 4306906 A JP4306906 A JP 4306906A JP 30690692 A JP30690692 A JP 30690692A JP H05283592 A JPH05283592 A JP H05283592A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 この発明は、デバイスの信頼性向上及び特性
を改善することができる半導体リードフレームを提供す
ることを目的とする。 【構成】 この発明は、半導体チップ40と、内部リー
ド部42と外部リード44からなる複数のリード46
と、リード46の周囲に形成されたバスバー54と、半
導体チップ40と内部リード部42を絶縁する絶縁体4
8と、金属ワイヤ50を含むリードフレームにおいて、
外部リード44と内部リードを電気的に接続するため
に、多数個のチップボンディングパッド52を十字形に
配列形成してなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体リードフレー
ムに関し、特に十字形に配列形成されたチップのボンデ
ィングパッドを利用して、デバイスの信頼性向上及び特
性を改善することのできる半導体リードフレームに関す
る。
【0002】
【従来の技術】現在、半導体素子は小形化、多機能化、
高集積化が進められている。従って、これを搭載するリ
ードフレームはさらに多ピン化が要求されている。そし
て、一般に半導体パッケージング技術は、リードフレー
ムのダイパッドにエポキシなどの接着剤物質を塗布した
後、半導体チップを搭載する方法が利用されている。
【0003】しかし、半導体パッケージをさらに小形化
するためダイパッドを除去し、チップ上にリードを直接
接続することのできる、即ちダイパッドを使用しないチ
ップオンリード(Chip on Lead;以下COLという)や
リードオンチップ(Lead onChip;以下LOCという)
用リードフレームを使用している。例えば、ダイパッド
による半導体信頼性問題及びパッケージデザインの制約
で、COLあるいはLOC用リードフレームを使用して
いる。上記LOCは半導体パッケージの多様な種類に対
応して予定された位置に対するチップのパッド位置を変
更する必要がない利点がある。
【0004】このようなLOC用リードフレームにおい
て、従来チップボンディングパッドが一字形に配列され
たLOC用リードフレームは、図2に示したごとく、周
辺に回路及び多数個の外部端子が形成された四角形状の
半導体チップ10と、中間部分が突出された形態であ
り、幅が狭く間隔の幅が広く形成された内部リード12
と、上記内部リード12と接続されており内部リード1
2から外側へ延長された外部リード14とからなる多数
個のリード16と、上記リード16の周囲に形成された
バスバー24と、上記半導体チップ10と内部リード1
2間に配置して電気的に絶縁するための少なくとも1個
の絶縁体18と、上記外部端子と内部リードを電気的に
接続するための金属ワイヤ20と、内部リード14の終
端に位置するように半導体チップ10の中央部に一字形
に配列形成されたチップのボンディングパッド22と、
内部リード12を支持する支持台26とから構成されて
いた。
【0005】しかしこのように構成された半導体リード
フレームは、ロウピンカウントパッケージに適用する時
には問題点はないが、多ピンカウント(High pin coun
t)パッケージに適用する時はチップの大きさを相対的
に大きくしなければならないという問題点があった。従
って、チップの大きさの増大によるコスト及びデバイス
の特性が良いなくなるという問題点があった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、上
記従来技術の問題点を克服するため、十字形に配列形成
されたチップボンディングパッドを利用することによ
り、半導体組立工程の信頼性向上及びデバイスの特性を
改善させることのできる半導体リードフレームを提供す
るものである。
【0007】また、この発明の他の目的は、リードフレ
ームの設計及びチップボンディングパッドの配列自由度
を増大させることのできる半導体リードフレームを提供
するものである。
【0008】さらに、この発明の他の目的は、バスバー
を多数個まで自由に設計することのできる半導体リード
フレームを提供するものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明による半導体リ
ードフレームは、周辺に回路及び複数の外部端子が形成
された四角形状の半導体チップと、内部リード部と上記
内部リード部と接続されており内部リードから延長形成
された外部リード部とからなる多数個のリードと、上記
リードの周囲に形成されたバスバーと、上記半導体チッ
プと内部リード間に配置して電気的に絶縁するための少
なくとも1個の絶縁体と、上記外部端子と内部リードを
電気的に接続するための金属ワイヤを含む半導体リード
フレームであって、上記外部端子と内部リードを電気的
に接続するため多数個のチップボンディングパッドを十
字形に配列形成した十字形態のチップボンディングパッ
ドを備えて構成される。
【0010】
【実施例】この発明の半導体リードフレームを添付され
た図面により詳細に説明する。
【0011】図1はこの発明による半導体リードフレー
ムの平面図である。図1において、半導体リードフレー
ム60は、多くのピンが配列可能となるように十字形態
のチップボンディングパッド52を備えている。上記チ
ップボンディングパッド52は一定の間隔で配置されて
使用者の使用目的に応じて予定された間隔で配列するこ
とができる。また、半導体リードフレーム60は30°
〜60°程度に傾斜するように形成された内部リード部
42を備えている。さらに、半導体リードフレーム60
は使用者の意図により抵抗が削減される効果を大きくす
るため、使用されるバスバー54を2個から4個程度ま
で自由に設計することができる。
【0012】このように構成された半導体リードフレー
ム60は、内部リード部42の終端と十字形に配列形成
されたチップボンディングパッド52を電気的に接続す
るため、金属ワイヤ50でワイヤボンディングすること
ができる。また、リード46の周囲に形成されたバスバ
ー54と十字形に配列形成されたチップボンディングパ
ッド52を電気的に接続するワイヤボンディングをする
ことができる。
【0013】従って、半導体チップ40とリード46の
ワイヤボンディング部位が増加するようになることによ
り、ワイヤボンディング部の選択が自由になる。かつ、
パッケージの高集積化及び高容量化を実現することがで
きる。この発明による半導体リードフレームによれば、
上述のように最近の高集積化されている半導体素子に対
応して多ピンの半導体装置を容易に形成するものであ
る。
【0014】
【発明の効果】この発明は、同一なチップの大きさで多
ピン化のLOCが可能となり、ボンディングパッドの配
列自由度が増大され、パッドまでの配線の長さを短くす
ることができるので、デバイスのノイズ減少及び特性を
改善することのできる効果がある。かつ、バスバーを2
個から4個まで設置することができるので、バスバー設
計の自由度が増大される効果がある。さらに、半導体装
置の動作特性に関してさらに信頼性を高めることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明によるLOC用リードフレームの望ま
しい一実施例を図示した平面図である。
【図2】従来のLOC用リードフレームの平面図であ
る。
【符号の説明】
40 半導体チップ 42 内部リード部 44 外部リード 46 リード 48 絶縁体 50 金属ワイヤ 52 チップボンディングパッド 54 バスバー 60 半導体リードフレーム

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 周辺に回路及び複数の外部端子が設けら
    れた四角形状の半導体チップと、 内部リード及び内部リードから延長形成された外部リー
    ドを持つ複数個のリードと、 上記複数個のリードの周囲に形成されたバスバーと、 電気的に絶縁するために半導体チップと内部リード間に
    配置された最小1つの絶縁体と、 上記外部リードと内部リードを電気的に接続するための
    金属ワイヤを含む半導体リードフレームであって、 上記外部リードと内部リードを電気的に接続するため多
    数個のチップボンディングパッドを十字形に配列形成し
    た十字形態のチップボンディングパッドを備えたことを
    特徴とする半導体リードフレーム。
  2. 【請求項2】 上記内部リードは、30°〜60°の範
    囲で傾斜するように形成されたことを特徴とする請求項
    1記載の半導体リードフレーム。
  3. 【請求項3】 上記バスバーは、最小2個から4個程度
    設けることを特徴とする請求項1記載の半導体リードフ
    レーム。
  4. 【請求項4】 上記ボンディングパッドは、チップの大
    きさを最小化するために予定されたチップに対応して適
    切な大きさを持つようにしたことを特徴とする請求項1
    記載の半導体リードフレーム。
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