JPH04134853A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPH04134853A JPH04134853A JP25779490A JP25779490A JPH04134853A JP H04134853 A JPH04134853 A JP H04134853A JP 25779490 A JP25779490 A JP 25779490A JP 25779490 A JP25779490 A JP 25779490A JP H04134853 A JPH04134853 A JP H04134853A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置用リードフレームに関し、特に樹脂
封止型半導体装置用リードフレームの構造に関する。
封止型半導体装置用リードフレームの構造に関する。
従来この種のリードフレームは第４図（ａ）（ｂ）に示
すように、吊りリードに保持され半導体素子６を搭載す
るアイランド１と、このアイランド１の周囲に設けられ
外部リード３と一体的に形成された内部リード４とから
主に構成されていた。そして、このアイランド１上に半
導体素子６を搭載後、この半導体素子６のポンディング
パッドと内部リード４とを導電性のワイヤー５にて接続
したのち、絶縁性のの樹脂にて封止するのが一般的であ
る。
すように、吊りリードに保持され半導体素子６を搭載す
るアイランド１と、このアイランド１の周囲に設けられ
外部リード３と一体的に形成された内部リード４とから
主に構成されていた。そして、このアイランド１上に半
導体素子６を搭載後、この半導体素子６のポンディング
パッドと内部リード４とを導電性のワイヤー５にて接続
したのち、絶縁性のの樹脂にて封止するのが一般的であ
る。
しかしながら近年素子が高集積化し、この為半導体素子
が小さくなるので半導体素子と内部り−ド４を接続する
ワイヤー５は長くなる傾向にあった。その反面外部接続
用のリードの数は年々増加する傾向にあるが、内部リー
ド４の先端はワイヤー５の接続の為に最低限の幅を必要
とする為、半導体素子６の１辺当りの長さと、その辺に
対向してワイヤーが接続される内部リード４の先端の総
数の幅は、かなり広くなる傾向にあった。その為増々ア
イランド１と内部リード４の先端との間隔が大きくなる
ので、結果的にはワイヤー５の長さが長くなる傾向にあ
った。
が小さくなるので半導体素子と内部り−ド４を接続する
ワイヤー５は長くなる傾向にあった。その反面外部接続
用のリードの数は年々増加する傾向にあるが、内部リー
ド４の先端はワイヤー５の接続の為に最低限の幅を必要
とする為、半導体素子６の１辺当りの長さと、その辺に
対向してワイヤーが接続される内部リード４の先端の総
数の幅は、かなり広くなる傾向にあった。その為増々ア
イランド１と内部リード４の先端との間隔が大きくなる
ので、結果的にはワイヤー５の長さが長くなる傾向にあ
った。
また、半導体素子６と内部リード４をワイヤー５にて接
続した場合、半導体素子のコーナ一部に位置するワイヤ
ーは半導体素子のコーナ一部を挟むようになるので、他
の位置のワイヤに比ベワイヤー間隔が広くなる。半導体
素子を樹脂封止した場合は、アイランドの上部の樹脂が
早く充填されるため、樹脂はワイヤー５、内部リード４
及びアイランド１のすき間より矢印のように下部に流れ
る。この時、ワイヤー間隔が広い程ワイヤー間に流れこ
む樹脂量が太くなる為、ワイヤーは変形しやすくなる。
続した場合、半導体素子のコーナ一部に位置するワイヤ
ーは半導体素子のコーナ一部を挟むようになるので、他
の位置のワイヤに比ベワイヤー間隔が広くなる。半導体
素子を樹脂封止した場合は、アイランドの上部の樹脂が
早く充填されるため、樹脂はワイヤー５、内部リード４
及びアイランド１のすき間より矢印のように下部に流れ
る。この時、ワイヤー間隔が広い程ワイヤー間に流れこ
む樹脂量が太くなる為、ワイヤーは変形しやすくなる。
従ってワイヤー間隔が広い半導体素子６のコーナ一部に
位置するワイヤー５は変形しやすい傾向にあった。
位置するワイヤー５は変形しやすい傾向にあった。
このように近年の高集積化と外部リードの多リード化に
よりワイヤー長は長くなり、またワイヤー間隔と樹脂流
動によるワイヤー変形の関係から、半導体素子のコーナ
一部のワイヤーは変形しやすく、電気的にショートが発
生しやすいという傾向にあった。
よりワイヤー長は長くなり、またワイヤー間隔と樹脂流
動によるワイヤー変形の関係から、半導体素子のコーナ
一部のワイヤーは変形しやすく、電気的にショートが発
生しやすいという傾向にあった。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したように従来の半導体装置用のリードフレームは
、半導体素子の高集積化と外部リード本数の多数ピン化
により、接続されたワイヤーが長くなると共に、ワイヤ
ー間隔と樹脂の流動によるワイヤー変形の関係から、半
導体素子のコーナー部のワイヤーは変形しやすく、ワイ
ヤーが切断したり、電気的にショートしたりして歩留り
が低下するという問題があった。また、ワイヤー変形に
よりワイヤー間隔が極端に狭くなった場合、半導体装置
を使用中にワイヤーが電気的にショートすることもあり
、信頼性上問題があった。
、半導体素子の高集積化と外部リード本数の多数ピン化
により、接続されたワイヤーが長くなると共に、ワイヤ
ー間隔と樹脂の流動によるワイヤー変形の関係から、半
導体素子のコーナー部のワイヤーは変形しやすく、ワイ
ヤーが切断したり、電気的にショートしたりして歩留り
が低下するという問題があった。また、ワイヤー変形に
よりワイヤー間隔が極端に狭くなった場合、半導体装置
を使用中にワイヤーが電気的にショートすることもあり
、信頼性上問題があった。
本発明の半導体装置用リードフレームは、半導体チップ
を搭載するアイランドと、このアイランドを保持する吊
りリードと、前記アイランドの周辺に設けられ外部リー
ドと一体的に形成された内部リードとを有する半導体装
置用リードフレームにおいて、前記内部リードの先端部
からアイランド間の前記吊りリードの幅は他の部分より
広く形成されているものである。
を搭載するアイランドと、このアイランドを保持する吊
りリードと、前記アイランドの周辺に設けられ外部リー
ドと一体的に形成された内部リードとを有する半導体装
置用リードフレームにおいて、前記内部リードの先端部
からアイランド間の前記吊りリードの幅は他の部分より
広く形成されているものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図である。
第１図においてリードフレームは、半導体チップを搭載
するアイランド１と、このアイランド１を保持する吊り
リード２と、アイランド１の周辺に設けられ外部リード
３と一体的に形成された内部４とから主に構成されてい
るが、特に内部り一ド４の先端部からアイランド１間の
吊りリードのうち、樹脂注入方向を横切る吊りリードを
他の部分より幅の広い吊りリード２人としである。
するアイランド１と、このアイランド１を保持する吊り
リード２と、アイランド１の周辺に設けられ外部リード
３と一体的に形成された内部４とから主に構成されてい
るが、特に内部り一ド４の先端部からアイランド１間の
吊りリードのうち、樹脂注入方向を横切る吊りリードを
他の部分より幅の広い吊りリード２人としである。
このように構成された第１の実施例によれば、第２図に
示すように、アイランド１に半導体素子６を搭載し、そ
の後導電性のワイヤー５にて半導体素子６と内部リード
４を接続した場合、半導体素子６のコーナ一部に位置す
る２本のワイヤーａｂおよびｃ、ｄの間隙を覆うように
幅の広い吊りリード２Ａが位置するので、樹脂封止した
場合にこの２本のワイヤー間に流動する樹脂量を低減さ
せることができる。従ってワイヤーの変形が防止される
。
示すように、アイランド１に半導体素子６を搭載し、そ
の後導電性のワイヤー５にて半導体素子６と内部リード
４を接続した場合、半導体素子６のコーナ一部に位置す
る２本のワイヤーａｂおよびｃ、ｄの間隙を覆うように
幅の広い吊りリード２Ａが位置するので、樹脂封止した
場合にこの２本のワイヤー間に流動する樹脂量を低減さ
せることができる。従ってワイヤーの変形が防止される
。
第３図は本発明の第２実施例の平面図である。
第３図に示したように第２の実施例では、４方向の吊り
リードについて内部リード４の先端より内側に位置する
部分の吊りリード２の幅を広くしたものである。本箱２
の実施例によれば、半導体素子の４つのコーナ一部に位
置するワイヤーの変形を抑制できるという利点がある。
リードについて内部リード４の先端より内側に位置する
部分の吊りリード２の幅を広くしたものである。本箱２
の実施例によれば、半導体素子の４つのコーナ一部に位
置するワイヤーの変形を抑制できるという利点がある。
以上説明したように本発明は、内部リードより内側の吊
りリードの幅を広くすることにより、樹脂封止した場合
半導体素子のコーナ一部のワイヤー間に流動する樹脂量
を低減させることができるので、樹脂の流動によるワイ
ヤー変形を従来より低減できるという効果がある。この
ため半導体装置の信頼性及び歩留りを向上させることが
できる。
りリードの幅を広くすることにより、樹脂封止した場合
半導体素子のコーナ一部のワイヤー間に流動する樹脂量
を低減させることができるので、樹脂の流動によるワイ
ヤー変形を従来より低減できるという効果がある。この
ため半導体装置の信頼性及び歩留りを向上させることが
できる。
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例の平面図及び
半導体素子を搭載した場合の平面図、第３図は本発明の
第２の実施例の平面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来の
半導体装置用リードフレームに半導体素子を搭載した場
合の平面図及びＡ−Ａ線断面図である。 １・・・アイランド、２・・・吊りリード、２Ａ・・・
幅の広い吊りリード、３・・・外部リード、４・・・内
部リード、５・・ワイヤー、６・・・半導体素子。
半導体素子を搭載した場合の平面図、第３図は本発明の
第２の実施例の平面図、第４図（ａ）、（ｂ）は従来の
半導体装置用リードフレームに半導体素子を搭載した場
合の平面図及びＡ−Ａ線断面図である。 １・・・アイランド、２・・・吊りリード、２Ａ・・・
幅の広い吊りリード、３・・・外部リード、４・・・内
部リード、５・・ワイヤー、６・・・半導体素子。
Claims (1)
- 半導体チップを搭載するアイランドと、このアイラン
ドを保持する吊りリードと、前記アイランドの周辺に設
けられ外部リードと一体的に形成された内部リードとを
有する半導体装置用リードフレームにおいて、前記内部
リードの先端部からアイランド間の前記吊りリードの幅
は他の部分より広く形成されていることを特徴とする半
導体装置用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257794A JP2576678B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2257794A JP2576678B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04134853A true JPH04134853A (ja) | 1992-05-08 |
| JP2576678B2 JP2576678B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=17311202
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2257794A Expired - Fee Related JP2576678B2 (ja) | 1990-09-27 | 1990-09-27 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2576678B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19732807B4 (de) * | 1997-01-24 | 2004-11-25 | National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara | Integriertes Schaltungsbauelement |
| US8791555B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-07-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and lead frame |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176260A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPH02142545U (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 |
-
1990
- 1990-09-27 JP JP2257794A patent/JP2576678B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60176260A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-10 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPH02142545U (ja) * | 1989-05-02 | 1990-12-04 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19732807B4 (de) * | 1997-01-24 | 2004-11-25 | National Semiconductor Corp.(N.D.Ges.D.Staates Delaware), Santa Clara | Integriertes Schaltungsbauelement |
| US8791555B2 (en) | 2010-03-29 | 2014-07-29 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and lead frame |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2576678B2 (ja) | 1997-01-29 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |