JP2507855B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体装置に関し、
特に、半導体チップの上面の中央部位に十字形に複数の
ボンディングパッドを配列形成することによって、デバ
イスの信頼性を向上させ、また、その特性を改善した半
導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体素子は小型化、多機能化、
高集積化が進められている。従って、これを搭載するリ
ードフレームはさらに多ピン化が要求されている。そし
て、一般に半導体チップパッケージ技術によれば、リー
ドフレームのダイパッドにエポキシなどの接着剤物質を
塗布した後、半導体チップを搭載するようにしている。
しかし、半導体チップパッケージをさらに小型化するた
めダイパッドを除去し、チップ上にリードを直接接続す
ることのできる、即ちダイパッドを使用しないチップオ
ンリード（Chip on Lead；以下ＣＯＬという）方式やリ
ードオンチップ（Lead on Chip；以下ＬＯＣという）方
式のリードフレームが使用されている。例えば、ダイパ
ッドによる半導体の信頼性の問題やパッケージデザイン
上の制約から、ＣＯＬあるいはＬＯＣ方式のリードフレ
ームが使用されている。特に、ＬＯＣ方式は半導体チッ
プパッケージの多様な種類に対応して予定された位置に
対する半導体チップのパッド位置を変更する必要がない
という利点がある。
【０００３】このようなＬＯＣ方式のリードフレームを
用いた従来の半導体装置は、図２に示すように、周辺に
回路及び多数個の外部端子が形成された四角形状の半導
体チップ１０と、一側が突出した中間部分と幅の狭い部
分とを有する複数の内部リード１２及びこの内部リード
から延長形成された複数の外部リード１４を持つリード
フレーム１６であって、複数の内部リードが互いに広く
間隔を開けて配列されているリードフレーム１６と、リ
ードフレーム１６の周囲に形成されたバスバー２４と、
半導体チップ１０と内部リード１２との間に配置してこ
れらを電気的に絶縁するための少なくとも１個の絶縁体
１８と、外部端子と内部リードを電気的に接続するため
の金属ワイヤ２０と、内部リード１２を支持する支持台
２６とから構成され、半導体チップ１０の中央部位には
内部リード１４の先端部近傍の位置に直線上に二列に複
数のボンディングパッド２２が配列形成されている。
【０００４】しかしこのように構成された従来の半導体
装置は、ロウピンカウントパッケージに適用する時には
問題はないが、多ピンカウント（High pin count）パッ
ケージに適用する時はチップの大きさを相対的に大きく
しなければならないという問題があった。従って、チッ
プの大きさが大きくなってコストがかかるとともにデバ
イスの特性が不良になるという問題があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明の目的は、上
記従来技術の問題点を克服するため、半導体チップの上
面の中央部位に十字形に複数のボンディングパッドを配
列形成することによって、デバイスの信頼性を向上さ
せ、また、その特性を改善した半導体装置を提供するこ
とにある。
【０００６】また、この発明の他の目的は、リードフレ
ームの設計及びボンディングパッドの配列自由度を増大
させることのできる半導体装置を提供することにある。
【０００７】さらに、この発明の他の目的は、複数のバ
スバーを自由に設計配置することのできる半導体装置を
提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に基づく半導体装置は、所定の回路が形成さ
れた半導体チップと、複数の内部リード及び前記内部リ
ードから延長形成された複数の外部リードを有するリー
ドフレームと、前記半導体チップと前記リードフレーム
との間に介在して両者を電気的に絶縁する少なくとも１
つの絶縁体とを具備する半導体装置において、前記半導
体チップの上面の中央部位に十字形に複数のボンディン
グパッドが配列形成され、前記リードフレームの内部リ
ードの先端部は前記ボンディングパッドの近傍にまで延
設され、前記ボンディングパッドと前記内部リードの先
端部を金属ワイヤで接続し、前記絶縁体の一方の面に内
部リードの先端部が接着すると共に、前記ボンディング
パッドが形成されていない前記半導体チップの上面領域
の少なくとも一部領域に前記絶縁体の他方の面が接着し
ていることを特徴とする。
【０００９】前記半導体チップは四角形状のものであ
り、前記内部リードが交差する前記半導体チップの一側
辺に対して前記内部リードが３０°〜６０°の角度で傾
斜して延びることが好ましい。
【００１０】
【実施例】この発明の半導体装置を添付の図面を参照し
ながら詳細に説明する。
【００１１】図１はこの発明による半導体装置６０の平
面図である。図１の半導体装置６０において、四角形状
の半導体チップ４０の上面の中央部位には十字形に複数
のボンディングパッド５２が配列形成されており、多く
のピンが配列可能となっている。ボンディングパッド５
２は一定の間隔で配置してよく、使用者の使用目的に応
じて所望の間隔に変更することができる。また、リード
フレーム４６は、複数の内部リード４２と、内部リード
から延長形成された複数の外部リード４４と、内部リー
ドの先端部から突出すると共に他の内部リードの先端部
を取り囲むように形成されたバスバー５４とを有する。
半導体チップ４０とリードフレーム４６との間には、両
者を電気的に絶縁する少なくとも１つの絶縁体４８が配
置されている。絶縁体４８の一方の面に内部リード４２
の先端部が接着しており、ボンディングパッド５２が形
成されていない半導体チップ４０の上面領域の少なくと
も一部領域に絶縁体４８の他方の面が接着している。内
部リードが交差する四角形の半導体チップの一側辺に対
して内部リードが３０°〜６０°の角度で傾斜して十字
形に配列されたボンディングパッド５２近傍の位置まで
延設されている。さらに、抵抗を削減する効果を大きく
するために使用されるバスバー５４を使用者の目的に応
じて２個から４個程度まで自由に設計配置することがで
きる。
【００１２】このように構成された半導体装置６０によ
れば、内部リード４２の先端部と十字形に配列形成され
たボンディングパッド５２を電気的に接続するため、金
属ワイヤ５０でワイヤボンディングすることができる。
また、内部リード４２の周囲に形成されたバスバー５４
と十字形に配列形成されたボンディングパッド５２を電
気的に接続するワイヤボンディングをすることができ
る。
【００１３】従って、半導体チップ４０と内部リード４
２のワイヤボンディング部位が増加するので、ワイヤボ
ンディング部位を自由に選択できるようになり、パッケ
ージの高集積化及び高容量化を実現することができる。
この発明による半導体装置によれば、上述のように最近
の高集積化された半導体素子に対応して多ピンの半導体
装置を容易に形成することができる。
【００１４】
【発明の効果】この発明は、同一のチップの大きさで多
ピン化のＬＯＣが可能となり、ボンディングパッドの配
列の自由度が増大し、ボンディングパッドまでの配線の
長さを短くすることができるので、デバイスのノイズ減
少及び特性を改善することができる。また、バスバーを
２個から４個まで設置することができるので、バスバー
設計の自由度が増大する。さらに、半導体装置の動作特
性に関してさらに信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明による半導体装置の望ましい一実施例
を図示した平面図である。
【図２】従来の半導体装置の平面図である。
【符号の説明】
４０ 半導体チップ ４２ 内部リード ４４ 外部リード ４６ リードフレーム ４８ 絶縁体 ５０ 金属ワイヤ ５２ ボンディングパッド ５４ バスバー ６０ 半導体装置

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 所定の回路が形成された半導体チップ
    と、複数の内部リード及び前記内部リードから延長形成
    された複数の外部リードを有するリードフレームと、前
    記半導体チップと前記リードフレームとの間に介在して
    両者を電気的に絶縁する少なくとも１つの絶縁体とを具
    備する半導体装置において、前記半導体チップの上面の
    中央部位に十字形に複数のボンディングパッドが配列形
    成され、前記リードフレームの内部リードの先端部は前
    記ボンディングパッドの近傍にまで延設され、前記ボン
    ディングパッドと前記内部リードの先端部を金属ワイヤ
    で接続し、前記絶縁体の一方の面に内部リードの先端部
    が接着すると共に、前記ボンディングパッドが形成され
    ていない前記半導体チップの上面領域の少なくとも一部
    領域に前記絶縁体の他方の面が接着していることを特徴
    とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記半導体チップは四角形状のものであ
    り、前記内部リードが交差する前記半導体チップの一側
    辺に対して前記内部リードが３０°〜６０°の角度で傾
    斜して延びることを特徴とする請求項１記載の半導体装
    置。
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