JPH05267269A - 真空乾燥方法および装置 - Google Patents
真空乾燥方法および装置Info
- Publication number
- JPH05267269A JPH05267269A JP6173892A JP6173892A JPH05267269A JP H05267269 A JPH05267269 A JP H05267269A JP 6173892 A JP6173892 A JP 6173892A JP 6173892 A JP6173892 A JP 6173892A JP H05267269 A JPH05267269 A JP H05267269A
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- Japan
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- semiconductor wafer
- drying
- work
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- iced
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 真空乾燥装置において、半導体ウエハを高清
浄に乾燥し、従来、問題となっていた乾燥の際の異物の
付着をなくし、安全性を向上させる。 【構成】 真空乾燥装置において、洗浄により半導体ウ
エハ１１を清浄に保った状態で半導体ウエハ１１に付着
した水滴１３を急冷却して氷化させ、この氷化した半導
体ウエハ１１の雰囲気を真空状態にして氷化した氷１４
を昇華させて半導体ウエハ１１を乾燥する構造とした。
浄に乾燥し、従来、問題となっていた乾燥の際の異物の
付着をなくし、安全性を向上させる。 【構成】 真空乾燥装置において、洗浄により半導体ウ
エハ１１を清浄に保った状態で半導体ウエハ１１に付着
した水滴１３を急冷却して氷化させ、この氷化した半導
体ウエハ１１の雰囲気を真空状態にして氷化した氷１４
を昇華させて半導体ウエハ１１を乾燥する構造とした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、乾燥技術に関し、特
に、たとえば半導体集積回路装置の製造工程で用いられ
るウエハ乾燥技術に適用して有効な技術に関する。
に、たとえば半導体集積回路装置の製造工程で用いられ
るウエハ乾燥技術に適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の乾燥装置としては、たとえば、ス
ピン乾燥装置およびベーパ乾燥装置が使用されている。
ピン乾燥装置およびベーパ乾燥装置が使用されている。
【０００３】前記スピン乾燥装置は、半導体ウエハを高
速回転させ、半導体ウエハに付着した水滴を遠心力で除
去する構造となっている。
速回転させ、半導体ウエハに付着した水滴を遠心力で除
去する構造となっている。
【０００４】また、前記ベーパ乾燥装置は、半導体ウエ
ハに付着した水滴をイソプロピルアルコールの蒸気で置
換して乾燥する構造となっている。
ハに付着した水滴をイソプロピルアルコールの蒸気で置
換して乾燥する構造となっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前記した従来
のスピン乾燥装置の構造では、半導体ウエハを高速回転
させるため、回転機構部のシールの劣化や静電気の発生
により、半導体ウエハに異物が付着し易いという問題が
あった。
のスピン乾燥装置の構造では、半導体ウエハを高速回転
させるため、回転機構部のシールの劣化や静電気の発生
により、半導体ウエハに異物が付着し易いという問題が
あった。
【０００６】また、前記した従来のベーパ乾燥装置の構
造では、半導体ウエハを高清浄化できる点で優れている
が、可燃性のイソプロピルアルコールの蒸気を使用する
ため、火災を発生し易く、危険性が高いという問題があ
った。
造では、半導体ウエハを高清浄化できる点で優れている
が、可燃性のイソプロピルアルコールの蒸気を使用する
ため、火災を発生し易く、危険性が高いという問題があ
った。
【０００７】本発明の目的は、ワークを高清浄に乾燥す
ることのできる乾燥技術を提供することにある。
ることのできる乾燥技術を提供することにある。
【０００８】本発明の他の目的は、従来、問題となって
いた乾燥の際の異物の付着をなくし、安全性を向上させ
ることのできる乾燥技術を提供することにある。
いた乾燥の際の異物の付着をなくし、安全性を向上させ
ることのできる乾燥技術を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００１１】本発明における真空乾燥装置は、ワークに
付着した水滴もしくは水分を急冷却して氷化させる冷却
手段と、前記氷化したワークの雰囲気を真空状態にする
真空手段とを備えた構造としたものである。
付着した水滴もしくは水分を急冷却して氷化させる冷却
手段と、前記氷化したワークの雰囲気を真空状態にする
真空手段とを備えた構造としたものである。
【００１２】
【作用】洗浄済のワークを乾燥させる場合、まず、洗浄
によりワークを清浄に保った状態でワークに付着した水
滴もしくは水分を急冷却して氷化させ、次いで、ワーク
の雰囲気を真空状態にして氷化した氷を昇華させてワー
クを乾燥する。
によりワークを清浄に保った状態でワークに付着した水
滴もしくは水分を急冷却して氷化させ、次いで、ワーク
の雰囲気を真空状態にして氷化した氷を昇華させてワー
クを乾燥する。
【００１３】このように、洗浄によりワークに付着した
水滴を急冷却して氷化させ、この氷化した氷を昇華させ
ることにより、ワークの表面にウォーターマークと呼ば
れるシミ等を残さずにワークを高清浄に乾燥することが
できる。
水滴を急冷却して氷化させ、この氷化した氷を昇華させ
ることにより、ワークの表面にウォーターマークと呼ば
れるシミ等を残さずにワークを高清浄に乾燥することが
できる。
【００１４】したがって、従来、問題となっていた乾燥
の際の異物の付着をなくし、可燃性のイソプロピルアル
コールの使用を不要にし、安全性を向上させることがで
きる。
の際の異物の付着をなくし、可燃性のイソプロピルアル
コールの使用を不要にし、安全性を向上させることがで
きる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明の一実施例である真空乾燥装置
を備えた洗浄乾燥システムを示す断面図である。
を備えた洗浄乾燥システムを示す断面図である。
【００１６】半導体ウエハの洗浄乾燥を行う洗浄乾燥シ
ステムは、ケーシングＣの内部に順次隣接して配置され
るローダ部１と、洗浄部２と、乾燥部３と、アンローダ
部４とから構成されている。
ステムは、ケーシングＣの内部に順次隣接して配置され
るローダ部１と、洗浄部２と、乾燥部３と、アンローダ
部４とから構成されている。
【００１７】前記ローダ部１は搬送機構または作業者に
より搬送される半導体ウエハ１１を１枚以上収納する収
納治具１０ａがアッパフロア１６上にセットされる構造
となっている。
より搬送される半導体ウエハ１１を１枚以上収納する収
納治具１０ａがアッパフロア１６上にセットされる構造
となっている。
【００１８】前記洗浄部２は、超純水５をオーバーフロ
ーさせる洗浄槽６がロアフロア１７上に配置され、この
洗浄槽６内の超純水５に搬送機構により半導体ウエハ１
１を浸積させて洗浄を行う構造となっている。
ーさせる洗浄槽６がロアフロア１７上に配置され、この
洗浄槽６内の超純水５に搬送機構により半導体ウエハ１
１を浸積させて洗浄を行う構造となっている。
【００１９】前記アンローダ部４は、搬送機構または作
業者により搬送される高清浄なウエハ収納治具１０ｂが
アッパフロア１６上にセットされており、乾燥が終了し
た高清浄な半導体ウエハ１１は搬送機構により高清浄な
ウエハ収納治具１０ｂに収納される構造となっている。
業者により搬送される高清浄なウエハ収納治具１０ｂが
アッパフロア１６上にセットされており、乾燥が終了し
た高清浄な半導体ウエハ１１は搬送機構により高清浄な
ウエハ収納治具１０ｂに収納される構造となっている。
【００２０】本実施例における真空乾燥装置は、前記洗
浄部２に隣接した設けられた乾燥部３に適用したもので
ある。
浄部２に隣接した設けられた乾燥部３に適用したもので
ある。
【００２１】すなわち、この乾燥部３は、ロアフロア１
７に配置される乾燥チャンバ３ａを備え、この乾燥チャ
ンバ３ａの開口端部は蓋で覆われ、乾燥中は密閉される
構造となっている。
７に配置される乾燥チャンバ３ａを備え、この乾燥チャ
ンバ３ａの開口端部は蓋で覆われ、乾燥中は密閉される
構造となっている。
【００２２】また、乾燥チャンバ３ａには、液化Ｎ2 や
液化Ｈｅ等の不活性ガス１２を供給する液化不活性ガス
供給部７および真空ポンプ８が配管１５を介して接続さ
れ、洗浄により半導体ウエハ１１を清浄に保った状態で
半導体ウエハ１１に付着した水滴１３を急冷却して氷化
させ、半導体ウエハ１１の雰囲気を真空状態にして氷化
した氷１４を昇華させて半導体ウエハ１１を乾燥する構
造となっている。
液化Ｈｅ等の不活性ガス１２を供給する液化不活性ガス
供給部７および真空ポンプ８が配管１５を介して接続さ
れ、洗浄により半導体ウエハ１１を清浄に保った状態で
半導体ウエハ１１に付着した水滴１３を急冷却して氷化
させ、半導体ウエハ１１の雰囲気を真空状態にして氷化
した氷１４を昇華させて半導体ウエハ１１を乾燥する構
造となっている。
【００２３】次に、本実施例の作用について説明する。
【００２４】半導体ウエハ１１の洗浄乾燥処理を行う場
合、半導体ウエハ１１を１枚以上収納したウエハ収納治
具１０ａが搬送機構によりローダ部１にセットされると
前記ウエハ収納治具１０ａから半導体ウエハ１１のみが
搬送機構により取り出され、洗浄部２に搬送される。
合、半導体ウエハ１１を１枚以上収納したウエハ収納治
具１０ａが搬送機構によりローダ部１にセットされると
前記ウエハ収納治具１０ａから半導体ウエハ１１のみが
搬送機構により取り出され、洗浄部２に搬送される。
【００２５】洗浄部２では、半導体ウエハ１１は超純水
５をオーバーフローさせた洗浄槽６で洗浄され、表面が
清浄化される。洗浄済の半導体ウエハ１１は搬送機構に
より乾燥部３に搬送される。
５をオーバーフローさせた洗浄槽６で洗浄され、表面が
清浄化される。洗浄済の半導体ウエハ１１は搬送機構に
より乾燥部３に搬送される。
【００２６】乾燥部３では、乾燥チャンバ３ａに洗浄済
の半導体ウエハ１１が収納され、蓋９で密閉される。半
導体ウエハ１１に付着した水滴１３は、液化不活性ガス
供給部７から供給される不活性ガス１２によって急冷却
され、氷１４となる。
の半導体ウエハ１１が収納され、蓋９で密閉される。半
導体ウエハ１１に付着した水滴１３は、液化不活性ガス
供給部７から供給される不活性ガス１２によって急冷却
され、氷１４となる。
【００２７】その後、半導体ウエハ１１の雰囲気は真空
ポンプ８によって真空状態にされ、半導体ウエハ１１に
付着した氷１４は昇華され、半導体ウエハ１は乾燥さ
れ、搬送機構によりアンローダ部４に搬送される。
ポンプ８によって真空状態にされ、半導体ウエハ１１に
付着した氷１４は昇華され、半導体ウエハ１は乾燥さ
れ、搬送機構によりアンローダ部４に搬送される。
【００２８】アンローダ部４では、乾燥を終了した高清
浄な半導体ウエハ１１は搬送機構により高清浄なウエハ
収納治具１０ｂに収納され、洗浄乾燥処理を終了する。
浄な半導体ウエハ１１は搬送機構により高清浄なウエハ
収納治具１０ｂに収納され、洗浄乾燥処理を終了する。
【００２９】このように、半導体ウエハ１１を清浄に保
った状態で半導体ウエハ１１に付着した水滴１３を急冷
却して氷１４とし、半導体ウエハ１１の雰囲気を真空状
態にして半導体ウエハ１１に付着した氷１４を昇華させ
ることにより、半導体ウエハ１１の表面にウォーターマ
ークと呼ばれるシミ等を残さずに半導体ウエハ１１を高
清浄に乾燥することができる。
った状態で半導体ウエハ１１に付着した水滴１３を急冷
却して氷１４とし、半導体ウエハ１１の雰囲気を真空状
態にして半導体ウエハ１１に付着した氷１４を昇華させ
ることにより、半導体ウエハ１１の表面にウォーターマ
ークと呼ばれるシミ等を残さずに半導体ウエハ１１を高
清浄に乾燥することができる。
【００３０】したがって、従来、問題となっていた乾燥
の際の異物の付着をなくし、可燃性のイソプロピルアル
コールの使用を不要にし、安全性を向上させることがで
きる。
の際の異物の付着をなくし、可燃性のイソプロピルアル
コールの使用を不要にし、安全性を向上させることがで
きる。
【００３１】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３２】たとえば、前記実施例では、洗浄部に超純
水をオーバーフローさせる洗浄槽を設けた場合について
説明したが、これに限らず、純水を蒸気化させ、半導体
ウエハを蒸気洗浄する蒸気洗浄ユニットを設けることも
できる。
水をオーバーフローさせる洗浄槽を設けた場合について
説明したが、これに限らず、純水を蒸気化させ、半導体
ウエハを蒸気洗浄する蒸気洗浄ユニットを設けることも
できる。
【００３３】また、真空ポンプとして、荒引きポンプと
ターボ分子ポンプなどのドライポンプとの組み合わせた
ものを使用し、オイルミストの混入を防止することもで
きる。
ターボ分子ポンプなどのドライポンプとの組み合わせた
ものを使用し、オイルミストの混入を防止することもで
きる。
【００３４】また、半導体ウエハとウエハ収納治具とを
一緒に洗浄乾燥しても良い。
一緒に洗浄乾燥しても良い。
【００３５】また、ローダ部と洗浄部との間に無機薬品
や有機溶剤による薬品洗浄部を設け、半導体ウエハの洗
浄乾燥を一貫処理することもできる。
や有機溶剤による薬品洗浄部を設け、半導体ウエハの洗
浄乾燥を一貫処理することもできる。
【００３６】以上の説明では、主として本発明者によっ
てなされた発明をその背景となった利用分野である、半
導体ウエハの真空乾燥方法および装置で説明したが、他
の電子部品の真空乾燥方法および装置にも適用できる。
てなされた発明をその背景となった利用分野である、半
導体ウエハの真空乾燥方法および装置で説明したが、他
の電子部品の真空乾燥方法および装置にも適用できる。
【００３７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００３８】(1).ワークに付着した水滴もしくは水分を
急冷却して氷化させ、ワークの雰囲気を真空状態にして
氷化した氷を昇華させてワークを乾燥する真空乾燥方法
および装置としたので、ワークの表面にウォーターマー
クと呼ばれるシミ等を残さずにワークを高清浄に乾燥す
ることができる。
急冷却して氷化させ、ワークの雰囲気を真空状態にして
氷化した氷を昇華させてワークを乾燥する真空乾燥方法
および装置としたので、ワークの表面にウォーターマー
クと呼ばれるシミ等を残さずにワークを高清浄に乾燥す
ることができる。
【００３９】(2).前記(1) の効果により、従来、問題と
なっていた乾燥の際の異物の付着をなくし、可燃性のイ
ソプロピルアルコールの使用を不要にし、安全性を向上
させることができる。
なっていた乾燥の際の異物の付着をなくし、可燃性のイ
ソプロピルアルコールの使用を不要にし、安全性を向上
させることができる。
【図１】本発明の一実施例である乾燥装置を備えた洗浄
乾燥システムを示す断面図である。
乾燥システムを示す断面図である。
１ ローダ部 ２ 洗浄部 ３ 乾燥部 ３ａ 乾燥チャンバ ４ アンローダ部 ５ 超純水 ６ 洗浄槽 ７ 液化不活性ガス供給部 ８ 真空ポンプ ９ 蓋 １０ａ ウエハ収納治具 １０ｂ ウエハ収納治具 １１ 半導体ウエハ １２ 不活性ガス １３ 水滴 １４ 氷 １５ 配管 １６ アッパフロア １７ ロアフロア Ｃ ケーシング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 野口 雄二 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所武蔵工場内
Claims (3)
- 【請求項１】 ワークに付着した水滴もしくは水分を急
冷却して氷化させ、ワークの雰囲気を真空状態にして氷
化した氷を昇華させてワークを乾燥することを特徴とす
る真空乾燥方法。 - 【請求項２】 ワークに付着した水滴もしくは水分を急
冷却して氷化させる冷却手段と、前記氷化したワークの
雰囲気を真空状態にする真空手段とを備えたことを特徴
とする真空乾燥装置。 - 【請求項３】 前記冷却手段に液化不活性ガスを用いた
ことを特徴とする請求項２の真空乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173892A JPH05267269A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 真空乾燥方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6173892A JPH05267269A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 真空乾燥方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267269A true JPH05267269A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=13179837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6173892A Pending JPH05267269A (ja) | 1992-03-18 | 1992-03-18 | 真空乾燥方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267269A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111269A1 (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | 液化物を用いた氷含有物質の氷除去方法 |
| JP2012015450A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Three M Innovative Properties Co | 表面構造体の乾燥方法 |
| JP2012074564A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2013201302A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1992
- 1992-03-18 JP JP6173892A patent/JPH05267269A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007111269A1 (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Central Research Institute Of Electric Power Industry | 液化物を用いた氷含有物質の氷除去方法 |
| JP4734406B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2011-07-27 | 財団法人電力中央研究所 | 液化物を用いた氷含有物質の氷除去方法 |
| JP2012015450A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Three M Innovative Properties Co | 表面構造体の乾燥方法 |
| JP2012074564A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| US9922848B2 (en) | 2010-09-29 | 2018-03-20 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Apparatus for and method of processing substrate |
| JP2013201302A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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