JP3181895B2 - 半導体用キャリアの洗浄装置および洗浄方法 - Google Patents

半導体用キャリアの洗浄装置および洗浄方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体用キャリア
の洗浄装置および洗浄方法に係り、特に、半導体製造時
にウェハの収納、運搬、或いは保管等のために用いられ
る半導体用キャリアの洗浄装置および洗浄方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】近年では、半導体ウェハの大口径化に伴
い、ウェハの収納、運搬、または保管などをするための
半導体用キャリアも大型化、複雑化している。図5は、
従来の半導体用キャリアとして公知の横ドア開閉一体型
ウェハキャリア(Front Opening Unified Pod: 以下
「FOUP」と称す)の構成図である。より具体的に
は、図5(a)はウェハを収納する本体7を、また、図
5(b)は本体に収納されたウェハをクリーンルーム雰
囲気から隔離するためのドア8を示した図である。
【0003】ウェハは、半導体製造装置の移載機構によ
りウェハサポート27に横置き状態で収納される。ウェ
ハがウェハサポート27に収納されると、SEMI Std. E6
2に規定されたFIMS(Front Opening Mechanical Interf
ace Standard)、およびSEMIStd. E63に規定されたBOLTS
(Box Opener/Loader Tool Standard)機構を有するポッ
ドオープナーによりドア8が本体7に押し付けられる。
FIMS機構はドア8のラッチ機構30を、ドア間隙31を
通して図5(b)に示す矢印の方向に動作させる。その
結果、ラッチ機構30が本体7の窪み29にはまり、ド
ア8と本体7とが固定される。
【0004】ドア8と本体7とが固定されると、本体7
の内部に収納されているウェハは、シール32によって
クリーンルーム雰囲気から隔離される。ウェハがこのよ
うな状態で搬送される場合、クリーンルームの清浄度が
低くても高い歩留まりを維持することができる。このた
め、上記のFOUPを使用すれば、デバイスの歩留まり
を下げることなく、クリーンルームの建設コストやラン
ニングコストを下げる目的でクリーンルームの清浄度を
下げることも可能である。
【0005】上述した機能を有するFOUPが実工程で
繰り返し使用されると、ドア8や本体7の内面にパーテ
ィクルや化学的な汚染物質が付着することがある。それ
らの汚染物質が本体7に収納されているウェハに再付着
すると、結果としてデバイスの歩留まりが劣化する。こ
のため、何度かの使用が繰り返されたら、FOUPを洗
浄して清浄な状態に復帰させることが必要である。
【0006】図6は、従来のFOUP洗浄方法の1例を
説明するための図を示す。より具体的には、図6(a)
は従来のFOUPの洗浄に伴う純水の流れを、また、図
6(b)はその洗浄に伴うエアの流れを示す。図6に示
す如く、従来の洗浄方法では、FOUP本体7がドア8
と共にラック6上に載置される。ラック6の上下には回
転するスプレーのずる17が配置されている。本体7お
よびドア8は、ポンプ20によって汲み上げられた純水
18がスプレーノズル17から吹き付けられることによ
り洗浄される。
【0007】純水18は、洗浄効率を高めるために50
〜70℃に加熱された状態で供給される。また、場合に
よっては、純水18には界面活性剤が添加される。この
場合、純水18は装置の内部を循環するように用いられ
る。洗浄工程の後、純水リンスが行われる。この際、純
水18はフィルタ19を通ることにより清浄度を維持し
ながら循環して本体7およびドア8に供給される。これ
らの工程が終了すると、次に乾燥工程が開始される。
【0008】乾燥工程は、エアヒータ22により50℃
〜70℃程度に加熱された温風21と、局所的に残存す
る水滴の除去を主目的とするクリーンドライエア26と
を用いて行われる。温風21は、ブロワー24により9
0%以上が再循環に回され、残りの10%弱は排気口2
5から廃棄される。ブロワー24から送出されるエアは
エアヒータ22により再加熱され、フィルタ23により
清浄化された後、再びFOUPの乾燥に供される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】FOUPの本体7およ
びドア8において、例えば樹脂と樹脂との間に挟まれた
部分などには乾燥工程で用いられる温風が到達し難い。
具体的には、本体7においては図6(a)中に符合28
を付して示す部分等に、また、ドア8においては図6
(b)中に符合33を付して示す部分等に温風が到達し
難い。上述した従来の技術を用いてFOUPを洗浄した
場合、それらの部分8,33に水滴が残留し易い。この
ため、従来の方法で半導体用キャリア、特にFOUPを
洗浄する際には、可能な限り温風を高温とし、かつ、長
い乾燥時間を確保することが必要であった。
【0010】半導体用キャリアは通常樹脂製であるた
め、変形の危険性を考慮すると、温風の温度は70℃程
度が上限となる。温風温度が70℃程度であると1〜2
時間の乾燥時間画必要となり、スループットが著しく低
くなる。このため、従来の方法では、量産工場におい
て、生産計画から決定される必要なキャリア再生個数を
満たすことが困難になるという問題があった。
【0011】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたもので、短時間で効率よく半導体用キャリ
アを洗浄し、また乾燥させることのできる半導体用キャ
リアの洗浄装置および洗浄方法を提供することを目的と
する。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、半導体ウェハを収納する半
導体用キャリアの洗浄装置であって、半導体用キャリア
を格納する密閉チャンバーと、前記密閉チャンバー内に
有機溶剤を供給する溶剤供給機構と、前記半導体用キャ
リアの洗浄後に、前記密閉チャンバー内の有機溶剤を排
出する廃液機構と、前記密閉チャンバー内に不活性ガス
を供給する不活性ガス供給機構と、前記密閉チャンバー
内のガスを流出させる排気機構とを備え、 前記不活性ガ
ス供給機構と前記排気機構とは、前記密閉チャンバー内
の有機溶剤が排出された後、所定期間に渡って、当該排
気機構から前記不活性ガスを流出させながら、前記密閉
チャンバー内に前記不活性ガスを供給することを特徴と
する。
【0013】また、請求項記載の発明は、半導体ウェ
ハを収納する本体と、前記本体の開口部を閉塞するドア
とを備える半導体用キャリアの洗浄装置であって、前記
本体を前記ドアと別個に洗浄し、また乾燥させる第1洗
浄手段と、前記ドアを前記本体と別個に洗浄し、また乾
燥させる第2洗浄手段とを備え、前記第1洗浄手段が前
記本体の洗浄に費やす時間は、前記第2洗浄手段が前記
ドアの洗浄に費やす時間に比して長く、かつ、 前記第2
洗浄手段が前記ドアの乾燥に費やす時間は、前記第1洗
浄手段が前記本体の乾燥に費やす時間に比して長いこと
を特徴とする。
【0014】また、請求項記載の発明は、請求項1
たは2記載の半導体用キャリアの洗浄装置であって、純
水を洗浄液として前記半導体用キャリアを洗浄した後
に、前記半導体用キャリアに付着している純水を有機溶
剤に置換する置換手段を備えることを特徴とする。
【0015】また、請求項記載の発明は、半導体ウェ
ハを収納する半導体用キャリアの洗浄方法であって、半
導体用キャリアを密閉チャンバー内に格納するステップ
と、前記密閉チャンバー内に有機溶剤を供給するステッ
プと、前記半導体用キャリアの洗浄後に、前記密閉チャ
ンバー内の有機溶剤を排出するステップと、前記密閉チ
ャンバー内の有機溶剤が排出された後、所定期間に渡っ
て、当該排気機構から前記不活性ガスを流出させなが
ら、前記密閉チャンバー内に前記不活性ガスを供給する
ステップと、 を備えることを特徴とする
【0016】また、請求項記載の発明は、半導体ウェ
ハを収納する本体と、前記本体の開口部を閉塞するドア
とを備える半導体用キャリアの洗浄方法であって、前記
本体を前記ドアと別個に洗浄するステップと、前記本体
を前記ドアと別個に乾燥させるステップと、前記ドアを
前記本体と別個に洗浄するステップと、前記ドアを前記
本体と別個に乾燥させるステップと、を備え、前記本体
の洗浄に費やされる時間は、前記ドアの洗浄に費やされ
る時間に比して長く、 前記ドアの乾燥に費やされる時間
は、前記本体の乾燥に費やされる時間に比して長いこと
を特徴とする。
【0017】また、請求項記載の発明は、請求項4ま
たは5記載の半導体用キャリアの洗浄方法であって、前
記半導体用キャリアを純水で洗浄するステップと、前記
洗浄の後に、前記半導体用キャリアに付着している純水
を有機溶剤に置換するステップと、を備えることを特徴
とするものである。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
実施の形態について説明する。尚、各図において共通す
る要素には、同一の符号を付して重複する説明を省略す
る。
【0019】実施の形態1. 図1は、本発明の実施の形態1の洗浄方法を説明するた
めの概念図を示す。本実施形態の洗浄方法において、F
OUPの本体7およびドア8は、図1に示す密閉チャン
バー1の内部で洗浄される。密閉チャンバー1には、溶
剤供給バルブ2、廃液バルブ3、不活性ガス供給バルブ
9、および排気バルブ10が設けられている。
【0020】本実施形態において、FOUPの本体7お
よびドア8は、密閉チャンバー1の内部で、ラック6の
上に載置される。洗浄工程が開始されると、先ず溶剤供
給バルブ2が開いて洗浄用の有機溶剤4(例えば、IP
Aなど)が密閉チャンバー1の内部に供給される(図1
(a))。本体7およびドア8が十分に浸漬されるまで
有機溶剤4が供給されると、溶剤供給バルブ2が開いた
まま廃液バルブ3が開弁される。その後、有機溶剤4を
流通させながら、本体7およびドア8の洗浄が行われ
る。
【0021】上述した洗浄工程が終了すると、溶剤供給
バルブ2が閉弁される。廃液バルブ3は、密閉チャンバ
ー1内の有機溶剤4が排出されるまで開弁状態に維持さ
れる。有機溶剤4が排出されると、廃液バルブ3が閉じ
られた後、不活性ガス供給バルブ9が開弁すると同時に
排気バルブ10が開弁する。その結果、密閉チャンバー
1内の雰囲気が窒素に置換される。
【0022】本実施形態の洗浄方法では、密閉チャンバ
ー1内の雰囲気が完全に窒素に置き換えられた後、所定
時間が経過するまで窒素の流通が継続される。有機溶剤
4は、純水に比して高い揮発性を有しているため、FO
UPの表面に残留している有機溶剤4は、温風の力を借
りなくても、比較的容易に蒸発させることができる。ま
た、密閉チャンバー1の内部が窒素雰囲気に置換される
と、雰囲気中の有機溶剤4の濃度が低下してその蒸発が
更に促進される。
【0023】このため、本実施形態の洗浄方法では、例
えば、窒素流量30m3/分、窒素温度室温、乾燥時間
10分の条件で、FOUPの乾燥し難い部分、すなわ
ち、図5に示す本体7やドア8の部分28,33の有機
溶剤を完全に除去することができる。このように、本実
施形態の洗浄方法によれば、高温の温風を用いることな
く、複雑な構造を有するFOUPを短時間で完全に乾燥
させることができる。
【0024】ところで、上記の実施形態においては、乾
燥工程において密閉チャンバー1内の雰囲気を窒素ガス
に置換することとしているが、本発明はこれに限定され
るものではなく、乾燥工程で用いられるガスは不活性ガ
スであればよい。
【0025】尚、上記の実施形態においては、溶剤供給
バルブ2を介して有機溶剤を供給する機構が前記請求項
1記載の「溶剤供給機構」に、廃液バルブ3から有機溶
剤を排出させる機構が前記請求項1記載の「廃液機構」
に、不活性ガス供給バルブ9を介して窒素ガスを供給す
る機構が前記請求項1記載の「不活性ガス供給機構」
に、排気バルブ10から窒素ガスを排出させる機構が前
記請求項1記載の「排気機構」に、それぞれ相当してい
る。
【0026】実施の形態2. 次に、図2を参照して、本発明の実施の形態2について
説明する。図2は、本発明の実施の形態2の洗浄方法を
説明するための概念図を示す。図2に示す如く、本実施
形態において、真空チャンバー1には、溶剤供給バルブ
2、廃液バルブ3、および真空排気バルブ12が設けら
れている。本実施形態の洗浄方法では、実施の形態1の
場合と同様の手順で洗浄(図2(a))および廃液(図
2(b))が行われるが、洗浄液5として有機溶剤4の
代わりに純水を用いることも可能である。
【0027】本実施形態の洗浄方法の特徴は、乾燥工程
(図2(c))が、実施の形態1の場合と異なり真空雰
囲気中で行われることである。すなわち、本実施形態の
洗浄方法では、乾燥工程が開始すると、真空排気バルブ
12が開弁して、真空ポンプ等により、密閉チャンバー
1内が例えば数10torr程度となるまで排気が行われ
る。
【0028】乾燥工程が常圧で行われる場合に比べて、
乾燥雰囲気が真空である場合は水分の蒸発が促進され
る。このため、本実施形態の洗浄方法では、例えば、室
温の乾燥温度、チャンバー内圧力10torr、乾燥時間1
0分の条件で、FOUPの乾燥し難い部分、すなわち、
図5に示す本体7やドア8の部分28,33の水滴を完
全に除去することができる。このように、本実施形態の
洗浄方法によれば、高温の温風を用いることなく、複雑
な構造を有するFOUPを短時間で完全に乾燥させるこ
とができる。
【0029】実施の形態3. 次に、図3を参照して、本発明の実施の形態2について
説明する。図3は、本発明の実施の形態3の洗浄方法を
説明するための概念図を示す。より具体的には、図3
(a)はFOUPの本体7を上面から表した図(平面
図)であり、図3(b)はドア8を正面から表した図
(正面図)である。
【0030】本実施形態の洗浄方法は、洗浄装置の形式
を問わずに適用することができ、例えば、図6に示す従
来の洗浄装置にも適用することができる。本実施形態の
洗浄方法の特徴は、乾燥工程において、FOUPの本体
7およびドア8を回転させるスピン乾燥が行われること
である。
【0031】図3において、符合13を付して表す矢印
は本体7の回転方向を、また、符合14を付して表す矢
印はドア8の回転方向を、それぞれ表している。尚、図
3(b)における符合15は、スピン乾燥の際にドア8
を固定する冶具を示す。ドア8については、その内部に
残留している水滴をラッチ間隙31から排出させるため
に、矢印14の回転方向でスピン乾燥させた。
【0032】スピン乾燥によれば、乾燥し難い部分2
8,33に残留する水滴を遠心力により除去することが
できる。このため、本実施形態の洗浄方法によれば、例
えば、30m3/分の流量で70℃の温風を循環させな
がら1000rpmの回転数でスピン乾燥を行うことによ
り、10分の乾燥時間で本体7やドア8を完全に乾燥さ
せることができる。このように、本実施形態の洗浄方法
によれば、温風温度を70℃程度に抑制しつつ、複雑な
構造を有するFOUPを短時間で完全に乾燥させること
ができる。
【0033】実施の形態4. 次に、本発明の実施の形態4について説明する。実施の
形態1乃至3の洗浄方法では、洗浄液として有機溶剤を
用いることができる。それらの洗浄方法において有機溶
剤が用いられる場合は、有機溶剤による洗浄、有機
溶剤の廃液、有機溶剤除去のための乾燥、が順次行わ
れる。
【0034】これに対して、本実施形態の洗浄方法は、
洗浄液として純水を用い、洗浄に用いた純水を全て廃液
してから有機溶剤を流してFOUPに付着している純水
を有機溶剤に置換し、その後乾燥工程に入るというもの
である。上述した手順によれば、有機溶剤の使用量を大
幅に低減させつつ、洗浄液として有機溶剤が用いられた
場合と同程度に乾燥時間を短縮することができる。この
ため、本実施形態の洗浄方法によれば、実施の形態1乃
至3において有機溶剤が単独で使用される場合に比して
大幅に薬液コストを下げながら、それらの場合と同様の
スループットを実現することができる。
【0035】尚、上記の実施形態においては、FOUP
が純水で洗浄された後に、本体7またはドア8に付着し
ている水滴を有機溶剤に置換する機構が、前記請求項
記載の置換手段に相当している。
【0036】実施の形態5. 次に、図4を参照して、本発明の実施の形態5について
説明する。図4は、本実施形態の洗浄方法を説明するた
めの概念図を示す。実施の形態1乃至4の洗浄方法で
は、FOUPの本体7とドア8とが同じ洗浄工程および
同じ乾燥工程で処理される。これに対して、本実施形態
の洗浄方法は、図4に示す如く、本体7およびドア8を
それぞれ別の洗浄工程16,17で洗浄し、また、別の
乾燥工程18,19で乾燥させた後に、両者を組み合わ
せて洗浄装置から搬出するというものである。
【0037】本実施形態において、本体7の洗浄工程1
6では、有機溶剤を洗浄液として、ブラシ洗浄や超音波
洗浄等の手法で本体7の洗浄が行われる。一方、ドア8
の洗浄工程17では、有機溶剤を洗浄液として、実施の
形態1または2の場合と同様に、ドア8を洗浄液に浸漬
させる方法で洗浄が行われる。本体7の汚れはドア8の
汚れに比して除去が困難であるが、上記の洗浄工程16
によれば、本体7を短時間で十分に清浄化させることが
できる。また、ドア8は本体7に比して構造が複雑であ
るため破損が生じ易いが、上記の洗浄工程17によれ
ば、破損を生じさせることなくドア8を十分に清浄化さ
せることができる。
【0038】ところで、本体7の洗浄には、ドア8の洗
浄に比して多量の洗浄液を必要とする。このため、本体
7の洗浄工程16では、ドア8の洗浄工程に比して、洗
浄液の充填および排出に長時間を要する。また、本体7
の洗浄は、上記の如くドア8の洗浄に比して困難である
ため、洗浄時間自体も、本体7の洗浄に要する時間がド
ア8の洗浄に要する時間に比して長時間である。このた
め、本体7の洗浄工程16では、ドア8の洗浄工程17
に比して長い時間が必要とされる。
【0039】これに対して、本体7の構造はドア8の構
造に比して簡単であるため、本体7の乾燥工程18に要
する時間は、ドア8の乾燥工程19に要する時間に比し
て短時間である。従って、本実施形態の洗浄方法によれ
ば、洗浄工程16,17に要する時間の差を、乾燥工程
18,19で短縮することができる。
【0040】ところで、上述した実施の形態1または2
で用いられた乾燥工程、すなわち、密閉チャンバー1の
内部を窒素雰囲気とする工程、またはその内部を真空と
する工程は、実施の形態3で用いられる乾燥工程、すな
わち、スピン乾燥を用いる工程に比して、ドア8を短時
間で乾燥させるのに適した工程である。また、実施の形
態3の乾燥工程は、実施の形態1または2の乾燥工程に
比して、本体7を短時間で乾燥させるのに適した工程で
ある。
【0041】本実施形態において、本体7の乾燥工程1
8では実施の形態3の乾燥工程(スピン乾燥)が、ま
た、ドア8の乾燥工程19では実施の形態1または2の
乾燥工程が、それぞれ用いられる。本体7とドア8と
を、上記の如く別の工程で乾燥させることによれば、本
体7およびドア8を、それぞれ効率よく短時間で乾燥さ
せることができる。従って、本実施形態の洗浄方法によ
れば、本体7およびドア8を同じ工程で乾燥させる場合
に比して、乾燥時間を短縮することができる。
【0042】上述した洗浄工程16,17および乾燥工
程18,19の組み合わせによれば、個々の工程の時間
差を相殺して、本体7の洗浄・乾燥に要するタクトタイ
ムと、ドア8の洗浄・乾燥に要するタクトタイムとを合
わせることができる。このため、本実施形態の洗浄方法
によれば、本体7とドア8の双方を、偏りなく短時間で
効率的に洗浄することができる。
【0043】上記の実施形態では、本体7およびドア8
を有機溶剤で洗浄することとしているが、ドア8の洗浄
は純水で行うこととしてもよい。また、本体7の乾燥工
程18において実施の形態2の方法が用いられる場合
は、本体7の洗浄も純水で行うこととしても良い。更
に、本体7およびドア8を純水で洗浄した後、乾燥工程
18,19の前にそれらに付着している水滴を有機溶剤
で置換することとしてもよい。
【0044】尚、上記の実施形態においては、洗浄工程
16および乾燥工程18を実現する機構が前記請求項
記載の「第1洗浄手段」に、また、洗浄工程17および
乾燥工程19を実現する機構が前記請求項記載の「第
2洗浄手段」に、それぞれ相当している。
【0045】
【発明の効果】請求項1または記載の発明によれば、
洗浄液として有機溶剤が用いられるため、密閉チャンバ
ー内の雰囲気を不活性ガスに置換することで、高温の温
風を用いることなく、短時間で効率的に半導体用キャリ
アを乾燥させることができる。
【0046】請求項または記載の発明によれば、半
導体用キャリアを構成する本体とドアとを、それぞれ別
個に洗浄し、また乾燥させることができる。本体の洗浄
にはドアの洗浄に比して長い時間が必要とされる。一
方、本体は、ドアに比して短い乾燥時間で乾燥させるこ
とができる。従って、本発明によれば、過剰な処理時間
を生じさせることなく、本体の洗浄・乾燥に要する合計
時間と、ドアの洗浄・乾燥に要する合計時間とを合わせ
ることができる。また、本発明においては、本体の乾燥
工程およびドアの乾燥工程において、それぞれを短時間
で乾燥させるのに適した方法が用いられる。このため、
本発明によれば、本体およびドアを、偏りなく均等に短
時間で効率良く洗浄することができる。
【0047】請求項または記載の発明によれば、半
導体用キャリアを純水で洗浄した後に、半導体用キャリ
アに付着している水滴を有機溶剤で置換した後に乾燥工
程を開始することができる。このため、本発明によれ
ば、有機溶剤の使用量を抑制しつつ効率的な乾燥工程を
実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1の洗浄方法を説明する
ための図である。
【図2】 本発明の実施の形態2の洗浄方法を説明する
ための図である。
【図3】 本発明の実施の形態3の洗浄方法を説明する
ための図である。
【図4】 本発明の実施の形態5の洗浄方法を説明する
ための図である。
【図5】 半導体用キャリアの本体とドアとを示す図で
ある。
【図6】 従来の洗浄方法を説明するための図である。
【符号の説明】
1 真空チャンバー 2 溶剤供給バルブ 3 廃液バルブ 4 有機溶剤 5 洗浄液 7 本体 8 ドア 9 不活性ガス供給バルブ 10 排気バルブ 12 真空排気バルブ 16,17 洗浄工程 18,19 乾燥工程
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 徳永 謙二 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株式会社半導体先端テクノロジーズ内 (56)参考文献 特開 平7−108233(JP,A) 特開 平6−342780(JP,A) 特開 平9−283478(JP,A) 特開 平11−162923(JP,A) 特開 平9−260324(JP,A) 特開 平6−120186(JP,A) 特開 平4−142058(JP,A) 特開 平1−111338(JP,A) 実開 平5−41137(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B08B 1/00 - 7/04 H01L 21/304 648

Claims (6)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体ウェハを収納する半導体用キャリ
    アの洗浄装置であって、 半導体用キャリアを格納する密閉チャンバーと、 前記密閉チャンバー内に有機溶剤を供給する溶剤供給機
    構と、 前記半導体用キャリアの洗浄後に、前記密閉チャンバー
    内の有機溶剤を排出する廃液機構と、 前記密閉チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガ
    ス供給機構と、前記密閉チャンバー内のガスを流出させる排気機構とを
    備え、 前記不活性ガス供給機構と前記排気機構とは、前記密閉
    チャンバー内の有機溶剤が排出された後、所定期間に渡
    って、当該排気機構から前記不活性ガスを流出させなが
    ら、前記密閉チャンバー内に前記不活性ガスを供給する
    ことを特徴とする半導体用キャリアの洗浄装置。
  2. 【請求項2】 半導体ウェハを収納する本体と、前記本
    体の開口部を閉塞するドアとを備える半導体用キャリア
    の洗浄装置であって、 前記本体を前記ドアと別個に洗浄し、また乾燥させる第
    1洗浄手段と、 前記ドアを前記本体と別個に洗浄し、また乾燥させる第
    2洗浄手段とを備え、 前記第1洗浄手段が前記本体の洗浄に費やす時間は、前
    記第2洗浄手段が前記ドアの洗浄に費やす時間に比して
    長く、かつ、 前記第2洗浄手段が前記ドアの乾燥に費やす時間は、前
    記第1洗浄手段が前記本体の乾燥に費やす時間に比して
    長いことを特徴とする半導体用キャリアの洗浄装置。
  3. 【請求項3】 純水を洗浄液として前記半導体用キャリ
    アを洗浄した後に、前記半導体用キャリアに付着してい
    る純水を有機溶剤に置換する置換手段を備えることを特
    徴とする請求項1または2記載の半導体用キャリアの洗
    浄装置。
  4. 【請求項4】 半導体ウェハを収納する半導体用キャリ
    アの洗浄方法であって、 半導体用キャリアを密閉チャンバー内に格納するステッ
    プと、 前記密閉チャンバー内に有機溶剤を供給するステップ
    と、 前記半導体用キャリアの洗浄後に、前記密閉チャンバー
    内の有機溶剤を排出するステップと、 前記密閉チャンバー内の有機溶剤が排出された後、所定
    期間に渡って、当該排気機構から前記不活性ガスを流出
    させながら、前記密閉チャンバー内に前記不活性ガスを
    供給するステップと、 を備えることを特徴とする半導体用キャリアの洗浄方
    法。
  5. 【請求項5】 半導体ウェハを収納する本体と、前記本
    体の開口部を閉塞するドアとを備える半導体用キャリア
    の洗浄方法であって、 前記本体を前記ドアと別個に洗浄するステップと、 前記本体を前記ドアと別個に乾燥させるステップと、 前記ドアを前記本体と別個に洗浄するステップと、 前記ドアを前記本体と別個に乾燥させるステップと、を
    備え、 前記本体の洗浄に費やされる時間は、前記ドアの洗浄に
    費やされる時間に比して長く、 前記ドアの乾燥に費やされる時間は、前記本体の乾燥に
    費やされる時間に比して長いことを特徴とする半導体用
    キャリアの洗浄方法。
  6. 【請求項6】 前記半導体用キャリアを純水で洗浄する
    ステップと、 前記洗浄の後に、前記半導体用キャリアに付着している
    純水を有機溶剤に置換するステップと、 を備えることを特徴とする請求項4または5記載の半導
    体用キャリアの洗浄方法。
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