JP2013201302A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013201302A JP2013201302A JP2012068944A JP2012068944A JP2013201302A JP 2013201302 A JP2013201302 A JP 2013201302A JP 2012068944 A JP2012068944 A JP 2012068944A JP 2012068944 A JP2012068944 A JP 2012068944A JP 2013201302 A JP2013201302 A JP 2013201302A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- liquid
- carbon dioxide
- processing chamber
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 250
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 124
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims abstract description 79
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims abstract description 79
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims abstract description 27
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 30
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 9
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 194
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 130
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 abstract description 97
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 abstract description 97
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 80
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 50
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 38
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 13
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 60
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 43
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 17
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 7
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 6
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 6
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 4
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000010587 phase diagram Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
【解決手段】基板Wの表面に付着したIPA液を液体二酸化炭素LCに置換した後、当該液体二酸化炭素LCを固体二酸化炭素SCへ相転移させ(凝固工程)、さらに固体二酸化炭素を二酸化炭素ガスへ昇華させている。このため、パターン間に毛管力が作用することはなく、基板表面のパターンの倒壊を防止しながら基板Wを乾燥させることができる。また、この凝固工程中において、二酸化炭素の三重点の圧力以上の分圧を有する常温窒素ガスGNnを乾燥処理チャンバ31内に供給して加圧している。このため、基板W上の液体二酸化炭素LCを凝固させる際の相変化を安定化させることができ、昇華乾燥の信頼性を高めることができる。
【選択図】図6
Description
図1は本発明にかかる基板処理装置の第1実施形態を装備する基板処理システムのレイアウトを示す平面図である。また、図2は本発明にかかる基板処理装置の第1実施形態である基板乾燥装置の断面構造を示す図である。さらに、図3は、図2に示す基板乾燥装置の電気的構成を示すブロック図である。この基板処理システム1は、半導体デバイスの材料として使用される半導体基板Wの現像処理過程において使用されるシステムであり、基板ステーション5、基板搬送装置20、基板現像装置10および基板乾燥装置30を主に装備している。なお、以下において、基板処理システム1は、基板Wを枚葉式に処理する形態であるが、このような形態に限られるものではなく、バッチ式に処理が行われる形態であっても構わない。
1)三重点の温度−56.6[℃]、圧力5.1気圧よりも高温高圧であり、
2)温度31.1[℃]未満で圧力72.8気圧(7.38[MPa])未満である
という範囲であり、これは超臨界領域には入っておらず、非超臨界状態に維持されている。そして、この非超臨界状態のままバルブ353が開成されるとともに、回転機構372が載置台39を回転駆動する。これによって、基板W表面に存在していたIPA液(図5では不図示)および液体二酸化炭素LCは、基板Wの回転の遠心力によって、基板Wの外周に向かって流れる。そして、IPA液および液体二酸化炭素LCは乾燥処理チャンバ31内の底面(下壁316の上面)に流れ落ちて、排出管351を介して乾燥処理チャンバ31外に排出される。このように、本実施形態では、基板Wを回転させることによって、効率的にIPA液から液体二酸化炭素LCへの置換が行われる。
図10は本発明にかかる基板処理方法の第2実施形態における昇華材の相変化経路を示す図である。この第2実施形態は第1実施形態と同様に図2に示す基板乾燥装置30によりIPA液で濡れた基板Wを昇華乾燥させるものであり、第1実施形態と大きく異なる点は、凝固工程後の温度と、除去工程の内容とである。なお、その他の構成は基本的に第1実施形態と同様である。以下、図10を参照しつつ、第2実施形態について説明する。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したものに対して種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、現像処理された基板を昇華乾燥させる基板処理技術に本発明を適用しているが、適用範囲はこれに限定されるものではない。すなわち、湿式処理が行われた基板Wを乾燥させる基板処理技術全般に対して本発明を適用することが可能である。
31…乾燥処理チャンバ(処理室)
32…二酸化炭素供給機構(置換手段)
33…第1窒素ガス供給機構(加圧手段)
34…液体窒素供給機構(凝固手段)
35…排出機構(除去手段)
GNn…窒素ガス
LC…液体二酸化炭素(液状の昇華材)
W…基板
Claims (8)
- 液体が付着した基板を収容する処理室に昇華材を供給して前記基板上の前記液体を液状の前記昇華材に置換する置換工程と、
前記処理室を前記昇華材の三重点よりも高い圧力に加圧しながら前記基板上の液状の前記昇華材を凝固させる凝固工程と、
凝固した前記昇華材を昇華させて前記基板上から除去する除去工程と
を備えることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項1に記載の基板処理方法であって、
前記凝固工程は、前記昇華材の三重点以上の分圧を有する気体を前記処理室に供給して加圧しつつ、前記基板上の液状の前記昇華材を冷却して凝固させる基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法であって、
前記凝固工程は、前記昇華材の三重点以下の温度に冷却して前記昇華材を凝固させる基板処理方法。 - 請求項1ないし3のいずれか一項に記載の基板処理方法であって、
前記除去工程は、前記処理室を前記昇華材の三重点よりも低い圧力に減圧した後で前記処理室を昇温して前記昇華材を昇華させる基板処理方法。 - 請求項4に記載の基板処理方法であって、
前記除去工程での前記昇華材の三重点よりも低い圧力とは、大気圧である基板処理方法。 - 請求項3に記載の基板処理方法であって、
前記凝固工程は大気圧における前記昇華材の昇華点以上の温度に冷却して前記昇華材を凝固させる基板処理方法。 - 請求項6に記載の基板処理方法であって、
前記除去工程は前記処理室を大気圧に減圧して前記昇華材を昇華させる基板処理方法。 - 液体が付着した基板を収容する処理室と、
前記処理室に昇華材を供給して前記基板上の前記液体を液状の前記昇華材に置換する置換手段と、
前記基板上の液状の前記昇華材を凝固させる凝固手段と、
凝固した前記昇華材を昇華させて前記基板上から除去する除去手段と、
前記凝固手段による前記処理室内での前記昇華材の凝固時に、前記処理室を前記昇華材の三重点よりも高い圧力に加圧する加圧手段と
を備えることを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068944A JP5859888B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012068944A JP5859888B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013201302A true JP2013201302A (ja) | 2013-10-03 |
JP5859888B2 JP5859888B2 (ja) | 2016-02-16 |
Family
ID=49521290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012068944A Active JP5859888B2 (ja) | 2012-03-26 | 2012-03-26 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5859888B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019046943A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
CN111540694A (zh) * | 2019-02-06 | 2020-08-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
JP2021019185A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | キオクシア株式会社 | エッチング方法、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
KR20210126694A (ko) | 2019-03-26 | 2021-10-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0210832A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JPH04242930A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 被処理物の乾燥方法 |
JPH04331956A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Fuji Electric Co Ltd | 基板乾燥方法 |
JPH05267269A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 真空乾燥方法および装置 |
JPH06224116A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Nec Corp | レジスト現像方法 |
JPH07142333A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-06-02 | Kawasaki Steel Corp | レジストの現像・リンス方法及びその装置 |
JPH10135180A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Tdk Corp | 乾燥処理用リンス液、該乾燥処理用リンス液を用いた乾燥処理方法および該乾燥処理方法を用いた微小構造体の製造方法 |
JPH11294948A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nissan Motor Co Ltd | 微小装置の製造方法 |
JPH11354486A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005064269A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理方法 |
JP2008072118A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Semes Co Ltd | 超臨界流体を用いる基板乾燥装置及びこれを備える基板処理設備並びに基板処理方法 |
JP2008130952A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009038282A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤 |
JP2010199261A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP2012015450A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Three M Innovative Properties Co | 表面構造体の乾燥方法 |
JP2012503883A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-02-09 | ラム リサーチ コーポレーション | マイクロ電子トポグラフィ製造中のフィーチャ崩壊を防ぐための方法およびシステム |
JP2014523636A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板凍結乾燥装置及び方法 |
JP5647845B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-01-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
-
2012
- 2012-03-26 JP JP2012068944A patent/JP5859888B2/ja active Active
Patent Citations (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0210832A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Matsushita Electron Corp | 半導体基板の洗浄方法 |
JPH04242930A (ja) * | 1990-12-29 | 1992-08-31 | Tokyo Electron Ltd | 被処理物の乾燥方法 |
JPH04331956A (ja) * | 1991-05-07 | 1992-11-19 | Fuji Electric Co Ltd | 基板乾燥方法 |
JPH05267269A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-15 | Hitachi Ltd | 真空乾燥方法および装置 |
JPH06224116A (ja) * | 1993-01-28 | 1994-08-12 | Nec Corp | レジスト現像方法 |
JPH07142333A (ja) * | 1993-06-29 | 1995-06-02 | Kawasaki Steel Corp | レジストの現像・リンス方法及びその装置 |
JPH10135180A (ja) * | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Tdk Corp | 乾燥処理用リンス液、該乾燥処理用リンス液を用いた乾燥処理方法および該乾燥処理方法を用いた微小構造体の製造方法 |
JPH11294948A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Nissan Motor Co Ltd | 微小装置の製造方法 |
JPH11354486A (ja) * | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2005064269A (ja) * | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理方法 |
JP2008072118A (ja) * | 2006-09-12 | 2008-03-27 | Semes Co Ltd | 超臨界流体を用いる基板乾燥装置及びこれを備える基板処理設備並びに基板処理方法 |
JP2008130952A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009038282A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、基板処理装置、プログラム、記録媒体および置換剤 |
JP2012503883A (ja) * | 2008-09-24 | 2012-02-09 | ラム リサーチ コーポレーション | マイクロ電子トポグラフィ製造中のフィーチャ崩壊を防ぐための方法およびシステム |
JP2010199261A (ja) * | 2009-02-25 | 2010-09-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 |
JP2012015450A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Three M Innovative Properties Co | 表面構造体の乾燥方法 |
JP5647845B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2015-01-07 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 |
JP2014523636A (ja) * | 2011-05-31 | 2014-09-11 | ラム リサーチ コーポレーション | 基板凍結乾燥装置及び方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2019046943A (ja) * | 2017-08-31 | 2019-03-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
JP7010629B2 (ja) | 2017-08-31 | 2022-01-26 | 株式会社Screenホールディングス | 基板乾燥方法および基板処理装置 |
CN111540694A (zh) * | 2019-02-06 | 2020-08-14 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
CN111540694B (zh) * | 2019-02-06 | 2024-06-07 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
KR20210126694A (ko) | 2019-03-26 | 2021-10-20 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
JP2021019185A (ja) * | 2019-07-18 | 2021-02-15 | キオクシア株式会社 | エッチング方法、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
JP7413093B2 (ja) | 2019-07-18 | 2024-01-15 | キオクシア株式会社 | エッチング方法、半導体製造装置、および半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5859888B2 (ja) | 2016-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5647845B2 (ja) | 基板乾燥装置及び基板乾燥方法 | |
JP6022829B2 (ja) | 基板乾燥方法および基板乾燥装置 | |
TWI686244B (zh) | 基板處理裝置 | |
JP5297959B2 (ja) | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 | |
KR102273984B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5859888B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TW201941330A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
TW201934211A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
KR102387423B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP7265879B2 (ja) | 基板乾燥方法および基板処理装置 | |
KR102062444B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP5232514B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2006294966A (ja) | 基板乾燥方法および基板乾燥装置および記録媒体 | |
WO2020195474A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7232583B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2019044129A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7217778B2 (ja) | 基板処理装置、および基板処理方法 | |
JP7504850B2 (ja) | 基板乾燥装置、基板処理装置及び基板乾燥方法 | |
JP7300272B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2022202527A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2020039835A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
TW202345223A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
WO2018173566A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
CN116741621A (zh) | 基板处理方法和基板处理*** |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150708 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150929 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5859888 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |