JPH05226752A - ダイオード励起固体レーザ装置および光磁気ディスク装置のピックアップ - Google Patents

ダイオード励起固体レーザ装置および光磁気ディスク装置のピックアップ

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JPH05226752A
JPH05226752A JP2410992A JP2410992A JPH05226752A JP H05226752 A JPH05226752 A JP H05226752A JP 2410992 A JP2410992 A JP 2410992A JP 2410992 A JP2410992 A JP 2410992A JP H05226752 A JPH05226752 A JP H05226752A
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JP
Japan
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state laser
solid
crystal
diode
diffraction grating
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Application number
JP2410992A
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Akihiro Matsumoto
晃広 松本
Masanori Watanabe
昌規 渡辺
Osamu Yamamoto
修 山本
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 装置構成のより一層の小型化および薄型軽量
化が図れるダイオード励起固体レーザ装置を実現する。 【構成】 波長807nmで発振する単一横モード型の
LDであるAlGaAsLD30の出射端面から50μ
m離れた位置に、Ndを添加した固体レーザ用結晶YV
431を配置する。該固体レーザ用結晶YVO431の
近傍であって、AlGaAsLD30と反対方向の位置
に、SHG結晶KTP32を配置する。更に、SHG結
晶KTP32から適長離した位置に、外部出力用ミラー
として機能するガラス基板33を配置し、該ガラス基板
33のSHG結晶KTP32に対向する面に、表面側よ
り回折格子34および多層反射膜35をそれぞれ形成
し、これらでレーザ光の波面変換光学素子として機能す
る回折格子型ミラーを形成する。該回折格子34は、具
体的には電子ビーム描画法で作製される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、固体レーザ用結晶、高
調波発生用の非線形光学結晶及び励起用の半導体レーザ
により構成されるダイオード励起固体レーザ装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】最近では、光ディスク装置やレーザプリ
ンタ装置の光源として、半導体レーザ(LD;Lase
r Diode)が盛んに利用されている。その場合、
光ディスクの高密度化およびレーザプリンタの高密度化
による高速化を進めるためには、LDの短波長化が要望
されている。
【0003】しかし、実用化されている最短波長のIn
GaAlP系の赤色LDにおいても、短波長化を図る上
で、波長600nmが限界であり、それ以下の緑色L
D、あるいは青色LDを実現することは非常に困難であ
る。
【0004】その一方、波長800nm前後のAlGa
As系のLDの高出力化が進み、W級の光出力が得られ
ている。この高出力LDを固体レーザの励起光源に用
い、非線形光学結晶により第2高調波を発生させる構成
によれば、緑色レーザあるいは青色レーザが実現され
る。以下、このような非線形光学結晶をSHG;Sec
ond Harmonic Generation 結
晶という。
【0005】該LD励起固体レーザは、これまでのラン
プ励起固体レーザに比べて、小型化および軽量化が図
れ、かつ低消費電力を実現できるという利点がある。
【0006】図11はこのようなLD励起固体レーザの
一例を示す。以下にその構成を動作と共に説明する。L
D10から放射状に出射されるレーザ光16は、集光用
レンズ11により固体レーザ用結晶12に集光される。
該固体レーザ用結晶12としては、Ndを添加したYA
G(Y3All512)が用いられている。集光されたレ
ーザ光16により固体レーザ光が励起され、続いてSH
G結晶KTP(KTiOPO4)13で第2高調波の緑
色レーザ光17が発生される。該緑色レーザ光17は、
多層反射膜15を有する凹面鏡の外部出力用ミラー14
から外部に向けて出射される。
【0007】ところで、最近では、これまでのYAGを
用いた固体レーザに対して、YAGよりも吸収係数の大
きな固体レーザ用結晶YVO4を用いた固体レーザの開
発が進められている。このような固体レーザは、レーザ
の媒質長を1mm以下にできるため、マイクロチップ固
体レーザと呼ばれ、該固体レーザによれば、装置の超小
型化が可能となる。
【0008】1991年第38回春季応用物理学会予稿
集に記載された角谷等の報告によれば、マイクロチップ
レーザによりLD出力50mWで2.5mWの緑色レー
ザ光が得られるとある。
【0009】図12はこの種のマイクロチップレーザの
一例を示す。該マイクロチップレーザにおいては、上記
のものとは異なり、集光レンズを用いず、LD20を固
体レーザ用結晶YVO421の端面に直接近接させる構
成をとる。このマイクロチップレーザは、LD光25に
より固体レーザ光を励起し、SHG結晶KTP22で第
2高調波の緑色レーザ光26を発生する。該緑色レーザ
光26は多層反射膜24を有する凹面鏡の外部出力用ミ
ラー23から外部に向けて出射される。
【0010】ここで、固体レーザ用結晶YVO421の
LD20側の端面と外部出力用ミラー23で形成される
固体レーザの共振器長は9mmであり、超小型の緑色レ
ーザ光源が実現されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
マイクロチップレーザにおいては、外部出力用のミラー
として凹面鏡が配置され、該凹面鏡は機械的手法により
作製されるため、以下に示すような課題がある。すなわ
ち、機械的手法により凹面鏡を作製する場合は、ある一
定以上の形状寸法が必要になるため、マイクロチップレ
ーザのより一層の小型化を図る上での制約になってい
た。
【0012】なお、上記のマイクロチップレーザにおい
て、凹面鏡は固体レーザが安定に発振するために必要な
波面変換光学素子となるものであり、該凹面鏡を省くこ
とは困難である。
【0013】本発明は、このような従来技術の課題を解
消するものであり、装置構成のより一層の小型化および
薄型軽量化が図れるダイオード励起固体レーザ装置を提
供することを目的とする。
【0014】本発明の他の目的は、高密度が図れる光デ
ィスク装置のピックアップを提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明のダイオード励起
固体レーザ装置は、固体レーザ用結晶、高調波発生用の
非線形光学結晶及び励起用の半導体レーザにより構成さ
れるダイオード励起固体レーザ装置において、回折格子
で形成された波面変換光学素子を有し、該波面変換光学
素子でレーザ光の波面を変換するようにしており、その
ことにより上記目的が達成される。
【0016】好ましくは、前記回折格子を前記固体レー
ザ用結晶の表面又は前記高調波発生用の非線形光学結晶
の表面に形成する。
【0017】また、好ましくは、前記回折格子と該回折
格子の表面に形成された多層反射膜で回折格子型ミラー
を形成する。
【0018】また、好ましくは、前記半導体レーザと、
前記固体レーザ用結晶との間に、前記回折格子型ミラー
を挿入し、該回折格子型ミラーと該固体レーザ用結晶と
で固体レーザの共振器を形成する。
【0019】また、好ましくは、前記回折格子型ミラー
を前記高調波発生用の非線形光学結晶に対向配置し、両
者の間に偏光制御手段を設ける。
【0020】また、請求項1記載のダイオード励起固体
レーザ装置を組み込むことにより、好ましい光磁気ディ
スクのピックアップを実現できる。
【0021】
【作用】凹面鏡の代わりに回折格子を用いれば、固体レ
ーザを安定に発振させることができる。ここで、回折格
子は、フォトリソグラフィの手法又は電子ビームリソグ
ラフィの手法により作製できるので、機械的手法により
凹面鏡を作製する場合のような形状寸法上の制約がな
い。従って、上記の構成によれば、ダイオード励起固体
レーザ装置の超小型化を図ることが可能になる。
【0022】更には、このような回折格子は、固体レー
ザ用結晶の表面又は高調波発生用の非線形光学結晶の表
面に集積化して形成できるので、部品点数の削除を図る
ことができる。
【0023】
【実施例】以下に本発明の実施例を説明する。
【0024】(実施例1)図1及び図2は本発明ダイオ
ード励起固体レーザ装置の実施例1を示す。波長807
nmで発振する単一横モード型のLDであるAlGaA
sLD30の出射端面から50μm離れた位置には、N
dを添加した固体レーザ用結晶YVO431が配置され
ている。該固体レーザ用結晶YVO431の近傍であっ
て、AlGaAsLD30と反対方向の位置には、SH
G結晶KTP32が配置される。
【0025】更に、SHG結晶KTP32から適長離し
た位置には、外部出力用ミラーとして機能するガラス基
板33が配置されている。該ガラス基板33のSHG結
晶KTP32に対向する面には、表面側より回折格子3
4および多層反射膜35がそれぞれ形成されている。回
折格子34は、具体的には電子ビーム描画法で作製され
る。
【0026】上記構成のダイオード励起固体レーザ装置
の動作を以下に説明する。図2に示すように、AlGa
AsLD30から放射状に出射された出射光36は固体
レーザ用結晶YVO431で吸収され、Ndの光学遷移
波長1060nmmのレーザ光37が励起される。該レ
ーザ光37は発散ガウシアンビームとなり、ガラス基板
33上に形成された回折格子34および多層反射膜35
により収束ガウシアンムービに変換され、固体レーザ用
結晶YVO431側に反射される。
【0027】従って、固体レーザ用結晶YVO431
と、上記のガラス基板33、回折格子34および多層反
射膜35で形成される回折格子型ミラー(外部出力用ミ
ラー)とで安定に発振するレーザ共振器が構成される。
そして、該レーザ共振器の内部に挿入されたSHG結晶
KTP32のSHGにより波長530nmの緑色レーザ
光が発生する。
【0028】ここで、多層反射膜35は波長530nm
に対しては低反射率である。従って、ガラス基板33か
ら緑色レーザ光のみが外部に出射されることになる。
【0029】なお、上記の実施例1において、固体レー
ザ用結晶YVO431の厚みは0.5mm、SHG結晶
KTP32の厚みは0.5mmであり、固体レーザの共
振器長は9mmである。また、上記のようにガラス基板
33上に回折格子34および多層反射膜35を形成した
回折格子型ミラー全体の厚みは0.3mmと薄型化され
ている。従って、本実施例1の構造によれば、上記従来
例に比べてダイオード励起固体レーザ装置の小型化を更
に一層図れる利点がある。
【0030】(実施例2)図3は本発明ダイオード励起
固体レーザ装置の実施例2を示す。この実施例2では、
回折格子型ミラーを非線形光学結晶、すなわちSHG結
晶KTP42の表面に集積化した構成をとる。以下にそ
の概略構成を説明する。
【0031】LD40の出射端面近傍に固体レーザ用結
晶YVO441を配置し、該固体レーザ用結晶YVO4
1の近傍であって、LD40の反対の位置には、SHG
結晶KTP42が配置されている。そして、SHG結晶
KTP42のLD40と反対側の表面には、フレネルレ
ンズ型の回折格子44が形成され、該回折格子44の表
面に多層反射膜45が形成されている。
【0032】ここで、固体レーザ用結晶YVO441と
SHG結晶KTP42を含む固体レーザの共振器長は
2.5mmとなっており、より一層の薄型化が図られて
いる。なお、図中46はLD40からの出射光を、47
はレーザ光をそれぞれ示している。
【0033】(実施例3)図4は本発明ダイオード励起
固体レーザ装置の実施例3を示す。この実施例3では、
固体レーザを構成する共振器のミラーをLD50と、固
体レーザ用結晶YVO451との間に挿入した構成をと
る。以下にその概略構成を説明する。
【0034】LD50の出射端面近傍にガラス基板53
を配置する。該ガラス基板53のLD50と反対側の表
面に回折格子54を形成し、続いてその表面に多層反射
膜55を形成し、これで回折格子型ミラーを作製する。
そして、該回折格子型ミラーのLD50と反対方向の外
側方に固体レーザ用結晶YVO451およびSHG結晶
KTP52を順次配置する。
【0035】このような構成において、LD50からの
出射光56は固体レーザ用結晶YVO451で吸収さ
れ、レーザ光57が励起される。続いて、回折格子型ミ
ラーとSHG結晶KTP52とで形成される共振器内部
のSHG結晶KTP52のSHG結晶により緑色レーザ
光が出射される。本実施例3において、固体レーザの共
振器長は5mmとなっている。
【0036】実施例3による場合は、レーザ光(固体レ
ーザ光)57がSHG結晶KTP52の内部で集光され
ているため光密度が高くなり、該SHG結晶KTP52
の効率を向上できる利点がある。このような構成によ
り、LD出力光50mWに対して、5mWの緑色光が得
られることが確認できた。
【0037】(実施例4)図5は本発明ダイオード励起
固体レーザ装置の実施例4を示す。この実施例4では、
実施例3同様の回折格子型ミラーを固体レーザ用結晶Y
VO461の表面に集積化した構成をとる。以下にその
概略構成を示す。
【0038】LD60の出射端面近傍に固体レーザ用結
晶YVO461を配置し、該固体レーザ用結晶YVO4
1のLD60側表面にフレネルレンズ型の回折格子64
を形成し、続いてその表面に多層反射膜65を形成し、
これにより回折格子型ミラーを作製する。そして、固体
レーザ用結晶YVO461のLD60と反対側の外側方
にSHG結晶KTP52を配置する。ここで、固体レー
ザの共振器長は2.5mmであり、薄型化が図られてい
る。
【0039】(実施例5)図6は本発明ダイオード励起
固体レーザ装置の実施例5を示す。この実施例5では、
固体レーザの共振器を構成するミラーとして、回折格子
で形成されたミラーを2個用いる構成をとる。以下にそ
の概略構成を示す。
【0040】LD70の出射端面近傍にガラス基板73
を配置する。該ガラス基板53のLD70と反対側の表
面に回折格子74を形成し、続いてその表面に多層反射
膜75を形成し、これで回折格子型ミラーを作製する。
そして、該回折格子型ミラーのLD70と反対方向の外
側方に固体レーザ用結晶YVO471およびSHG結晶
KTP72を順次配置する。
【0041】加えて、該SHG結晶KTP72の外側方
にガラス基板73′を配置し、ガラス基板73′のSH
G結晶KTP72側表面に同様の回折格子74′を形成
し、続いてその表面に多層反射膜75′を形成して回折
格子型ミラーを作製する。
【0042】本実施例5において、上記2個の回折格子
型ミラーを固体レーザ用結晶YVO471及びSHG結
晶KTP72の表面にそれぞれ集積化した構成とするこ
ともできる。
【0043】(実施例6)図7は本発明ダイオード励起
固体レーザ装置の実施例6を示す。この実施例6では、
SHG結晶KTP92と、ガラス基板93上に形成した
回折格子94、多層反射膜95で形成される回折格子型
ミラーとの間に、1/4波長板98を挿入する構成をと
る。
【0044】このような構成によれば、緑色光の偏光を
制御でき、ノイズを低減させることが可能になるので、
信頼性を向上できる利点がある。
【0045】なお、上記各実施例と対応する部分には、
図番の末尾に同一の番号を付し具体的な説明については
省略する。
【0046】(実施例7)図8は本発明ダイオード励起
固体レーザ装置の実施例7を示す。この実施例7では、
1/4波長板108のLD100と反対方向の表面に回
折格子104及び多層反射膜105からなる回折格子型
ミラーを集積化した構成をとる。
【0047】この実施例7によれば、ノイズの低減と共
に薄型化が図れる利点がある。
【0048】(実施例1のダイオード励起固体レーザ装
置をパッケージに実装した実施例)図9は上記実施例1
で説明した本発明ダイオード励起固体レーザ装置をパッ
ケージに実装した例を示す。
【0049】溝を設けた銅のステージ204にLD30
をサブマウントしたシリコンのヒートシンク205をマ
ウントする。そして、LD30近傍のステージ204の
溝に固体レーザ用結晶YV0431を、次の溝にSHG
結晶KTP32を、更に次の溝に回折格子34及び多層
反射膜35を設けた回折格子型ミラー203を順次挿入
し、紫外線硬化樹脂で固定する。
【0050】回折格子型ミラー203の外側方に相当す
るステージ204の端部には、傾斜面が形成され、該傾
斜面に上記のようにして外部に出射される緑色レーザ光
の出力をモニタするための検出器206が取付けられて
いる。
【0051】(本発明ダイオード励起固体レーザ装置を
組み込んだ書換可能型の光磁気ディスクのピックアップ
の実施例)図10は本発明ダイオード励起固体レーザ装
置を組み込んだ書換可能型の光磁気ディスクのピックア
ップを示す。以下にその構成を動作と共に説明する。
【0052】パッケージに実装されたLD励起固体レー
ザ300から出射される波長530nmの緑色レーザビ
ームは、コリメータレンズ301により平行光化されて
第1ビームスプリッタ302に進入する。続いて、第1
ビームスプリッタ302により、該第1ビームスプリッ
タ302を直線的に透過して対物レンズ303を介して
光ディスク313に照射するビームと、直角に屈曲する
ビームとに分割される。更に、直角に屈曲したビーム
は、第2ビームスプリッタ304に進入し、該第2ビー
ムスプリッタ304を直線的に透過するビームと、直角
に屈曲するビームとに分割される。
【0053】第2ビームスプリッタ304を直線的に透
過したビームは、シリンドリカルレンズ305を介し
て、フォーカスエラー検出用ディテクタ306に照射さ
れる。一方、第2ビームスプリッタ304を直角に屈曲
したビームは1/2波長板307を介して、第3ビーム
スプリッタ308に進入し、これにより該第3ビームス
プリッタ308を直線的に透過するビームと、直角に屈
曲するビームとに分割される。
【0054】この内、第3ビームスプリッタ308を直
線的に透過するビームはコリメータレンズ309を介し
て、第1偏光成分検出用ディテクタ310に照射され
る。また、第3ビームスプリッタを直角に屈曲したビー
ムは、コリメータレンズ311を介して、第2偏光成分
検出用ディテクタ312に照射される。
【0055】このような構成の光ピックアップを内蔵し
た光ディスク装置においては、従来の波長780nmの
LDを組み込んだ光ピックアップ内蔵の光ディスク装置
に比べて、約3倍の高密度化が可能になる。ここで、書
込みにはLD出力光200mW、緑色光40mWが用い
られ、読出しにはLD出力光50mW、緑色光5mWを
用いた。
【0056】なお、上記各実施例では固体レーザ用結晶
としてYVO4を、SHG用結晶としてKTPを用いた
が、以下に示すものを用いることも可能である。
【0057】すなわち、固体レーザ用結晶として、他に
YGA、LOS(La22S)、CGA(CaGdAl
4)、NPP(NdxLa1−xP514)、LNP
(LiNdxGd1-x412)、KNP(KNdxGd
1-x412)、NAB(NdAl 3(BO34)を用いる
ことができる。
【0058】また、SHG用結晶として、他に、LiN
bO3、KNbO3、BNN(Ba2NaNb515)を用
いることができる。
【0059】更には、SHG効果を有する固体レーザ用
結晶として、NYAB(Ndx1-xAl3(BO3
4(x=0.047)等を用いることも可能である。
【0060】更に、Ndの遷移波長として、上記実施例
では1.06μmを用いたが、それ以外に0.94μm
を用いると、SHGにより0.47μmの青色光が得ら
れることが確認できた。また、遷移元素としてNd以外
の、例えばCr、Tiを用いることもできる。
【0061】
【発明の効果】請求項1記載のダイオード励起固体レー
ザ装置によれば、レーザ光の波面変換光学素子として回
折格子を用いるので、該波面変換光学素子として凹面鏡
を用いる従来のダイオード励起固体レーザ装置に比べ
て、装置構成を格段に小型化、かつ薄型軽量化できる利
点がある。
【0062】また、特に請求項2記載のダイオード励起
固体レーザ装置によれば、部品点数の削減が図れると共
に、装置構成を更に一層小型化、かつ薄型軽量化できる
利点がある。
【0063】また、特に請求項4記載のダイオード励起
固体レーザ装置によれば、光密度を高くでき、高調波発
生用の非線形光学結晶の効率を向上できる利点がある。
【0064】また、特に請求項5記載のダイオード励起
固体レーザ装置によれば、緑色光の偏光を制御できるの
で、ノイズ低減及び信頼性の向上が図れる利点がある。
【0065】請求項6記載の光ディスク装置のピックア
ップによれば、レーザ光の短波長化が図れるので、従来
のピックアップに比べて高密度化を格段に向上できる利
点がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
1を示す斜視図。
【図2】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
1を示す側面図。
【図3】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
2を示す側面図。
【図4】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
3を示す側面図。
【図5】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
4を示す側面図。
【図6】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
5を示す側面図。
【図7】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
6を示す側面図。
【図8】本発明ダイオード励起固体レーザ装置の実施例
7を示す側面図。
【図9】実施例1のダイオード励起固体レーザ装置をパ
ッケージに実装した状態を示す側面図。
【図10】本発明ダイオード励起固体レーザ装置が組み
込まれた光磁気ディスクのピックアップを示す模式図。
【図11】ダイオード励起固体レーザ装置の一従来例を
示す側面図。
【図12】ダイオード励起固体レーザ装置の他の従来例
を示す側面図。
【符号の説明】
30、40、50、60、70、90、100 AlG
aAsLD 31、41、51、61、71、91、101 固体レ
ーザ用結晶YVO4 32、42、52、62、72、92、102 SHG
結晶KTP 34、44、54、64、74、74′、94、104
回折格子 35、45、55、65、75、75′、95、105
多層反射膜 98、108 1/4波長板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01S 3/16 8934−4M

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】固体レーザ用結晶、高調波発生用の非線形
    光学結晶及び励起用の半導体レーザにより構成されるダ
    イオード励起固体レーザ装置において、 回折格子で形成された波面変換光学素子を有し、該波面
    変換光学素子でレーザ光の波面を変換するようにしたダ
    イオード励起固体レーザ装置。
  2. 【請求項2】前記回折格子を前記固体レーザ用結晶の表
    面又は前記高調波発生用の非線形光学結晶の表面に形成
    した請求項1記載のダイオード励起固体レーザ装置。
  3. 【請求項3】前記回折格子と該回折格子の表面に形成さ
    れた多層反射膜で回折格子型ミラーを形成した請求項1
    記載のダイオード励起固体レーザ装置。
  4. 【請求項4】前記半導体レーザと、前記固体レーザ用結
    晶との間に、前記回折格子型ミラーを挿入し、該回折格
    子型ミラーと該固体レーザ用結晶とで固体レーザの共振
    器を形成した請求項3記載のダイオード励起固体レーザ
    装置。
  5. 【請求項5】前記回折格子型ミラーを前記高調波発生用
    の非線形光学結晶に対向配置し、両者の間に偏光制御手
    段を設けた請求項3記載のダイオード励起固体レーザ装
    置。
  6. 【請求項6】請求項1記載のダイオード励起固体レーザ
    装置が組み込まれた光磁気ディスク装置のピックアッ
    プ。
JP2410992A 1992-02-10 1992-02-10 ダイオード励起固体レーザ装置および光磁気ディスク装置のピックアップ Withdrawn JPH05226752A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907646B2 (en) 2005-07-28 2011-03-15 Panasonic Corporation Laser light source and display device
KR101217557B1 (ko) * 2006-08-02 2013-01-02 삼성전자주식회사 직접 광변조가 가능한 레이저 모듈 및 이를 채용한 레이저디스플레이 장치
CN114326111A (zh) * 2020-09-30 2022-04-12 华为技术有限公司 一种显示设备模组及头戴式显示设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7907646B2 (en) 2005-07-28 2011-03-15 Panasonic Corporation Laser light source and display device
KR101217557B1 (ko) * 2006-08-02 2013-01-02 삼성전자주식회사 직접 광변조가 가능한 레이저 모듈 및 이를 채용한 레이저디스플레이 장치
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