JPH04158588A - 半導体レーザ励起固体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ励起固体レーザ装置Info
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- JPH04158588A JPH04158588A JP28355890A JP28355890A JPH04158588A JP H04158588 A JPH04158588 A JP H04158588A JP 28355890 A JP28355890 A JP 28355890A JP 28355890 A JP28355890 A JP 28355890A JP H04158588 A JPH04158588 A JP H04158588A
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- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本特許は、半導体レーザを励起光源とし、レーザ共振器
内にレーザ媒質と非線形光学材料を配置した固体レーザ
装置に関する。
内にレーザ媒質と非線形光学材料を配置した固体レーザ
装置に関する。
「従来の技術」
近年、半導体レーザ、特にレーザダイオード(以下LD
という)を励起光源とする固体レーザ装置の研究開発が
盛んに行なわれている。このLD励起固体レーザば、従
来のランプ励起に比べ、励起光源の寿命が長いことや、
レーザ媒質での熱的影響がほとんどなく水冷の必要がな
いことから、小型・長寿命の全固体素子レーザとして注
目されている。
という)を励起光源とする固体レーザ装置の研究開発が
盛んに行なわれている。このLD励起固体レーザば、従
来のランプ励起に比べ、励起光源の寿命が長いことや、
レーザ媒質での熱的影響がほとんどなく水冷の必要がな
いことから、小型・長寿命の全固体素子レーザとして注
目されている。
全固体素子レーザとしては、現在LDがよく知られてい
るが、LDは空間出力形状が楕円であることや、瞬間端
面破壊などの問題がある。LD励起固体レーザでは、そ
れらの問題は解消された上、励起準位での寿命が長いた
め、エネルギーを蓄えることができ、そのためQスイッ
チ発振によって高いピーク出力が得られる等の特徴を有
している。
るが、LDは空間出力形状が楕円であることや、瞬間端
面破壊などの問題がある。LD励起固体レーザでは、そ
れらの問題は解消された上、励起準位での寿命が長いた
め、エネルギーを蓄えることができ、そのためQスイッ
チ発振によって高いピーク出力が得られる等の特徴を有
している。
また、レーザ共振器内部に非線形光学材料を設けること
により、LDによっては発光が難しい緑色や青色等の可
視光を波長変換により容易に発生させることもできる。
により、LDによっては発光が難しい緑色や青色等の可
視光を波長変換により容易に発生させることもできる。
LD励起固体レーザは、このような特徴を有するため、
光情報伝達装置、例えば光記録再生装置などの分野にお
ける応用が期待されている。
光情報伝達装置、例えば光記録再生装置などの分野にお
ける応用が期待されている。
第3図には、レーザ共振器内部に非線形光学材料を備え
た従来のLD励起固体レーザ装置の一例が示されている
。すなわち、励起光源としてLD41が配置され、その
励起光51の出射方向には、集光レンズ43が配置され
ている。集光レンズ43の光出射方向には、例えばYA
Gなどのレーザ媒質45が配置されている。レーザ媒質
45の励起光51の入射面には、励起光51を透過し、
レーザ発振光52を反射する光学膜53が設けられてい
る。この光学膜53は、ミラーとして機能し、光学膜5
3と出力ミラー49とでレーザ共振器を構成する。そし
て、レーザ媒質45と出力ミラー49との間には非線形
光学材料47が配置されている。出力ミラー49の入射
面には、レーザ発振光を反射し、非線形光学材料47で
変換された波長変換光を透過する光学膜50が形成され
ている。
た従来のLD励起固体レーザ装置の一例が示されている
。すなわち、励起光源としてLD41が配置され、その
励起光51の出射方向には、集光レンズ43が配置され
ている。集光レンズ43の光出射方向には、例えばYA
Gなどのレーザ媒質45が配置されている。レーザ媒質
45の励起光51の入射面には、励起光51を透過し、
レーザ発振光52を反射する光学膜53が設けられてい
る。この光学膜53は、ミラーとして機能し、光学膜5
3と出力ミラー49とでレーザ共振器を構成する。そし
て、レーザ媒質45と出力ミラー49との間には非線形
光学材料47が配置されている。出力ミラー49の入射
面には、レーザ発振光を反射し、非線形光学材料47で
変換された波長変換光を透過する光学膜50が形成され
ている。
LD41から出射される励起光51は、集光レンズ43
を通過して細いビームに絞られ、光学膜53を通してレ
ーザ媒質45の一方の端面から入射する。励起光51は
、レーザ媒質45内を通過するときに大部分が吸収され
、レーザ媒質から特定の波長のレーザ光が発生する。こ
のレーザ光は、非線形光学材料47を通過して出力ミラ
ー49の光学膜50で反射され、レーザ媒質45の入射
面に形成された光学膜53との間で反射を繰り返して、
レーザ発振光となる。このレーザ発振光52は、非線形
光学材料を通過するときに一部が波長1/2の第2高調
波に変換され、この波長変換光が出力ミラー49を透過
して出力される。
を通過して細いビームに絞られ、光学膜53を通してレ
ーザ媒質45の一方の端面から入射する。励起光51は
、レーザ媒質45内を通過するときに大部分が吸収され
、レーザ媒質から特定の波長のレーザ光が発生する。こ
のレーザ光は、非線形光学材料47を通過して出力ミラ
ー49の光学膜50で反射され、レーザ媒質45の入射
面に形成された光学膜53との間で反射を繰り返して、
レーザ発振光となる。このレーザ発振光52は、非線形
光学材料を通過するときに一部が波長1/2の第2高調
波に変換され、この波長変換光が出力ミラー49を透過
して出力される。
「特許が解決しようとする課題」
上記のようなLD励起固体YAGレーザ(DPY)装置
は、例えば光ピツクアップ、光記録、レーザプリンタ等
さまざまな用途に用いられているが、1モジユールから
は、波長の同じ光(例えばYAGの場合、2ω532n
m)を1本取出すのみであった。このため、例えばLD
やCDの読み取りに用いられる光ピツクアップの場合、
1つのDPYモジュールで1つのディスクしか読み出せ
ない、1つのDPYモジュールから複数のビームを取出
し、複数のディスクを同時に読み出そうとする場合には
、ユーザ側がビームスプリッタ等の光学部品を用いて複
数ビームにする必要があり、しかもビームを分割するに
伴って光量が低下するという問題があった。
は、例えば光ピツクアップ、光記録、レーザプリンタ等
さまざまな用途に用いられているが、1モジユールから
は、波長の同じ光(例えばYAGの場合、2ω532n
m)を1本取出すのみであった。このため、例えばLD
やCDの読み取りに用いられる光ピツクアップの場合、
1つのDPYモジュールで1つのディスクしか読み出せ
ない、1つのDPYモジュールから複数のビームを取出
し、複数のディスクを同時に読み出そうとする場合には
、ユーザ側がビームスプリッタ等の光学部品を用いて複
数ビームにする必要があり、しかもビームを分割するに
伴って光量が低下するという問題があった。
また、第3図のLD励起固体レーザでは、レーザ発振光
が非線形光学材料47を通過するときに発生した波長変
換光が、図中矢印A゛方向出射されるだけでなく、それ
とは反対の図中矢印B方向にも出射する。A°力方向出
射された波長変換光は、出力ミラー49を透過して六方
向に出力されるが、B方向に出射された波長変換光は、
出力されないことになる。このため、レーザ媒質45と
非線形光学材料47との間に、波長変換光な反射する光
学膜を設け、B方向に出射された波長変換光を反射して
Ao及び六方向に出力させることも考えられるが、その
場合にも、1つのモジュールからは、1本のビームしか
取出せないという問題があった。
が非線形光学材料47を通過するときに発生した波長変
換光が、図中矢印A゛方向出射されるだけでなく、それ
とは反対の図中矢印B方向にも出射する。A°力方向出
射された波長変換光は、出力ミラー49を透過して六方
向に出力されるが、B方向に出射された波長変換光は、
出力されないことになる。このため、レーザ媒質45と
非線形光学材料47との間に、波長変換光な反射する光
学膜を設け、B方向に出射された波長変換光を反射して
Ao及び六方向に出力させることも考えられるが、その
場合にも、1つのモジュールからは、1本のビームしか
取出せないという問題があった。
したがって、本特許の目的は、1つのレーザモジュール
から同波長の波長変換光を複数本取出せるようにした半
導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することにある。
から同波長の波長変換光を複数本取出せるようにした半
導体レーザ励起固体レーザ装置を提供することにある。
「課題を解決するための手段」
上記目的を達成するため、本特許は、半導体レーザを励
起光源とし、共振器内にレーザ媒質と非線形光学材料と
を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前
記レーザ媒質と前記非線形光学材料との間に、レーザ発
振光に対しては高透過性で、波長変換光に対しては高反
射性の光学膜を有する光学材料を、レーザ発振光の光軸
に対して斜めに配置したことを特徴とする特許 料の前記光学膜で反射された波長変換光を、前記共振器
から出力される波長変換光と平行にするためのミラーが
設けられている。
起光源とし、共振器内にレーザ媒質と非線形光学材料と
を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前
記レーザ媒質と前記非線形光学材料との間に、レーザ発
振光に対しては高透過性で、波長変換光に対しては高反
射性の光学膜を有する光学材料を、レーザ発振光の光軸
に対して斜めに配置したことを特徴とする特許 料の前記光学膜で反射された波長変換光を、前記共振器
から出力される波長変換光と平行にするためのミラーが
設けられている。
「作用j
レーザ共振器内において、レーザ発振光が非線形光学材
料を通過すると、その一部は第2高調波に波長変換され
、出力ミラーを透過して外部に取り出される。しかし、
非線形光学材料で発生した波長変換光は、出力ミラー側
に出射されるばかりでなく、レーザ媒質側にも出射され
る。本特許では、レーザ媒質側に出射された波長変換光
が、光軸に対して斜めに配置された光学材料の前記光学
膜で反射され、斜め方向に取出される。したがって、1
つのレーザモジュールから、2本の波長変換光のビーム
を取出すことができる。また、斜め方向に取出された波
長変換光は、レーザ媒質側に出射されたもので、本来は
出力されなかったものであるから、上記のように2本の
ビームにして取出してもパワーが低下することはない。
料を通過すると、その一部は第2高調波に波長変換され
、出力ミラーを透過して外部に取り出される。しかし、
非線形光学材料で発生した波長変換光は、出力ミラー側
に出射されるばかりでなく、レーザ媒質側にも出射され
る。本特許では、レーザ媒質側に出射された波長変換光
が、光軸に対して斜めに配置された光学材料の前記光学
膜で反射され、斜め方向に取出される。したがって、1
つのレーザモジュールから、2本の波長変換光のビーム
を取出すことができる。また、斜め方向に取出された波
長変換光は、レーザ媒質側に出射されたもので、本来は
出力されなかったものであるから、上記のように2本の
ビームにして取出してもパワーが低下することはない。
こうして1つのレーザモジュールから同波長の第2高調
波を複数本同時に取出すことができ、例えば1つのレー
ザモジュールで複数枚のディスクを同時に読み比すこと
が可能となる。
波を複数本同時に取出すことができ、例えば1つのレー
ザモジュールで複数枚のディスクを同時に読み比すこと
が可能となる。
「実施例」
第1図には、本特許の半導体レーザ励起固体レーザ装置
の一実施例が示されている。
の一実施例が示されている。
図において、11は励起光源をなす半導体レーザ(LD
)であり、励起光21を出射する。励起光21の出射方
向には、集光レンズ13が配置されており、励起光21
を集光して細く絞る。集光レンズ13の絞り方向には、
レーザ媒質15が設けられている。レーザ媒質15とし
ては、例えばYAG、YLF、YAP、YVO4等の結
晶が用いられるが、この実施例では、YAGが用いられ
ている。レーザ媒質15の励起先人射面には、励起光2
1を透過し、レーザ発振光22を反射する光学膜23が
形成されている。光学膜23は、レーザ媒質15のレー
ザ光出射方向に配置された出力ミラー19と協動して共
振用ミラーの役割を果たす。
)であり、励起光21を出射する。励起光21の出射方
向には、集光レンズ13が配置されており、励起光21
を集光して細く絞る。集光レンズ13の絞り方向には、
レーザ媒質15が設けられている。レーザ媒質15とし
ては、例えばYAG、YLF、YAP、YVO4等の結
晶が用いられるが、この実施例では、YAGが用いられ
ている。レーザ媒質15の励起先人射面には、励起光2
1を透過し、レーザ発振光22を反射する光学膜23が
形成されている。光学膜23は、レーザ媒質15のレー
ザ光出射方向に配置された出力ミラー19と協動して共
振用ミラーの役割を果たす。
レーザ媒質15のレーザ発振光22の出射側には、例え
ばBK−7や石英ガラス等の光学材料からなる平行平面
基板25と、例えばKNbO,、LfNbO,、KTi
OPO4,KHz PO4、BBO等からなる非線形光
学材料17とが順に配置されている。上記基板25は、
レーザ発振光の光軸に対して適度な角度(例えば45°
)傾けて設置されており、この基板25のレーザ媒質1
5方向の面には、レーザ発振光に対して反射防止となる
光学膜29が形成され、非線形光学材料17方向の面に
は、レーザ発振光に対して反射防止となり、波長変換光
に対しては全反射となる光学膜27が形成されている。
ばBK−7や石英ガラス等の光学材料からなる平行平面
基板25と、例えばKNbO,、LfNbO,、KTi
OPO4,KHz PO4、BBO等からなる非線形光
学材料17とが順に配置されている。上記基板25は、
レーザ発振光の光軸に対して適度な角度(例えば45°
)傾けて設置されており、この基板25のレーザ媒質1
5方向の面には、レーザ発振光に対して反射防止となる
光学膜29が形成され、非線形光学材料17方向の面に
は、レーザ発振光に対して反射防止となり、波長変換光
に対しては全反射となる光学膜27が形成されている。
なお、基板25のレーザ媒質15方向の面にも上記光学
膜27と同様な光学膜を形成してもよい。
膜27と同様な光学膜を形成してもよい。
非線形光学材料17のレーザ媒質15とは反対側の方向
には、出力ミラー19が配置されている。出力ミラー1
9のレーザ光入射面には、レーザ発振光を反射し、非線
形光学材料17で変換された波長変換光を透過する光学
膜20が形成されている。そして、前記レーザ媒質15
の光学膜23と出力ミラー19の光学膜20とで共振器
が構成されている。
には、出力ミラー19が配置されている。出力ミラー1
9のレーザ光入射面には、レーザ発振光を反射し、非線
形光学材料17で変換された波長変換光を透過する光学
膜20が形成されている。そして、前記レーザ媒質15
の光学膜23と出力ミラー19の光学膜20とで共振器
が構成されている。
更に、基板25で反射された波長変換光の進行方向には
、波長変換光に対して全反射となるミラー31が配置さ
れている。このミラー31は、基板25で反射された波
長変換光を、出力ミラー19から出力される波長変換光
と平行な方向に反射させる角度(例えば45°)に設置
されている。
、波長変換光に対して全反射となるミラー31が配置さ
れている。このミラー31は、基板25で反射された波
長変換光を、出力ミラー19から出力される波長変換光
と平行な方向に反射させる角度(例えば45°)に設置
されている。
ただし、ミラー31の角度を変えることによって、基板
25で反射された波長変換光を、任意の方向に再度反射
させて取出すことができる。
25で反射された波長変換光を、任意の方向に再度反射
させて取出すことができる。
次に、この半導体レーザ励起固体レーザ装置の発振動作
について説明する。
について説明する。
半導体レーザ11は、例えば波長g08nmの励起光2
1を出射し、この励起光21は、集光レンズ13により
細いビームに絞られ、光学膜23を透過してレーザ媒質
15に入射する。レーザ媒質15は、この励起光21に
よって励起され、波長11064nのレーザ光を発生す
る。このレーザ光は、レーザ媒質の他端面から出射され
、基板25及び非線形光学材料17を通過し、出力ミラ
ー19の光学膜20で反射され、共振器を構成するレー
ザ媒質15の光学膜23との間で反射を繰り返し、レー
ザ発振光となる。
1を出射し、この励起光21は、集光レンズ13により
細いビームに絞られ、光学膜23を透過してレーザ媒質
15に入射する。レーザ媒質15は、この励起光21に
よって励起され、波長11064nのレーザ光を発生す
る。このレーザ光は、レーザ媒質の他端面から出射され
、基板25及び非線形光学材料17を通過し、出力ミラ
ー19の光学膜20で反射され、共振器を構成するレー
ザ媒質15の光学膜23との間で反射を繰り返し、レー
ザ発振光となる。
レーザ発振光は、非線形光学材料17を通過するときに
、その一部が172の波長、この例では波長532nm
の第2高調波に波長変換され、この波長変換光が図中矢
印A゛及びB方向に同効率で8射される。矢印A′力方
向出射された波長変換光は、出力ミラー19の光学膜2
0を透過し、矢印六方向に出力される。また、矢印B方
向に出射された波長変換光は、基板25の光学膜27で
矢印C方向に反射され、更にミラー31によって矢印り
方向に反射される。この結果、2本のビームの波長変換
光を平行に取出すことができる。
、その一部が172の波長、この例では波長532nm
の第2高調波に波長変換され、この波長変換光が図中矢
印A゛及びB方向に同効率で8射される。矢印A′力方
向出射された波長変換光は、出力ミラー19の光学膜2
0を透過し、矢印六方向に出力される。また、矢印B方
向に出射された波長変換光は、基板25の光学膜27で
矢印C方向に反射され、更にミラー31によって矢印り
方向に反射される。この結果、2本のビームの波長変換
光を平行に取出すことができる。
第2図には、本特許の半導体レーザ励起固体レーザ装置
の他の実施例が示されている。なお、第1図の実施例の
装置と実質的に同一部分には同符合を付し、その説明を
省略することにする。
の他の実施例が示されている。なお、第1図の実施例の
装置と実質的に同一部分には同符合を付し、その説明を
省略することにする。
この実施例は、いわゆるファイバ結合型と呼ばれるもの
で、半導体レーザ11から8射される励起光21の出射
方向に集光レンズ33が配置されており、集光レンズ3
3によって絞られた励起光21が、光ファイバ35を通
して集光レンズ13に照射されるようになっている。そ
して、集光レンズ13で再び絞られた励起光21がレー
ザ媒質15に入射するようになっている。また、この実
施例においても、レーザ媒質15と非線形光学材料17
との間に、前記と同様な光学膜27.29を有する平行
平面基板25が、適当な角度(例えば60°)で設置さ
れている。ただし、前記実施例におけるミラー31は設
置されていない。
で、半導体レーザ11から8射される励起光21の出射
方向に集光レンズ33が配置されており、集光レンズ3
3によって絞られた励起光21が、光ファイバ35を通
して集光レンズ13に照射されるようになっている。そ
して、集光レンズ13で再び絞られた励起光21がレー
ザ媒質15に入射するようになっている。また、この実
施例においても、レーザ媒質15と非線形光学材料17
との間に、前記と同様な光学膜27.29を有する平行
平面基板25が、適当な角度(例えば60°)で設置さ
れている。ただし、前記実施例におけるミラー31は設
置されていない。
この装置においては、非線形光学材料17がら矢印B方
向に出射された波長変換光が、平行平面基板25の光学
膜27で反射されて矢印C方向に取出される。このため
、矢印六方向に出力される波長変換光と、矢印C方向に
取出される波長変換光とを平行にすることはできないが
、部品点数が少なくなり、装置の小型化が期待できる。
向に出射された波長変換光が、平行平面基板25の光学
膜27で反射されて矢印C方向に取出される。このため
、矢印六方向に出力される波長変換光と、矢印C方向に
取出される波長変換光とを平行にすることはできないが
、部品点数が少なくなり、装置の小型化が期待できる。
「特許の効果」
以上説明したように、本特許によれば、共振器内に配置
されたレーザ媒質と非線形光学材料との間に、レーザ発
振光に対しては高透過性で、波長変換光に対しては高反
射性の光学膜を有する光学材料を、レーザ発振光の光軸
に対して傾斜して配置したことにより、非線形光学材料
がらレーザ媒質側に出射された波長変換光を上記光学膜
で反射して別方向に取出すことができる。したがって、
1つのモジュールから2本の波長変換光を同時に取出す
ことができ、例えば光ピツクアップ装置に適用した場合
、複数のディスクを同時に読み出すことが可能となる。
されたレーザ媒質と非線形光学材料との間に、レーザ発
振光に対しては高透過性で、波長変換光に対しては高反
射性の光学膜を有する光学材料を、レーザ発振光の光軸
に対して傾斜して配置したことにより、非線形光学材料
がらレーザ媒質側に出射された波長変換光を上記光学膜
で反射して別方向に取出すことができる。したがって、
1つのモジュールから2本の波長変換光を同時に取出す
ことができ、例えば光ピツクアップ装置に適用した場合
、複数のディスクを同時に読み出すことが可能となる。
更に、上記光学材料にエタロンとしての機能をもたせる
ことにより、レーザ光の単一縦モード化が図られ、より
一層の高効率波長変換が実現できる。
ことにより、レーザ光の単一縦モード化が図られ、より
一層の高効率波長変換が実現できる。
第1図、第2図は本特許による半導体レーザ励起固体レ
ーザ装置のそれぞれ異なる実施例を示すブロック図、第
3図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の一例を
示すブロック図である。 図中、11は励起用半導体レーザ、13は集光レンズ、
15はレーザ媒質、17は非線形光学材料、19は出力
ミラー、21は励起光、25は平行平面基板、27.2
9は光学膜、31はミラー、矢印A、A” 、B、C,
Dは波長変換光の光路である。
ーザ装置のそれぞれ異なる実施例を示すブロック図、第
3図は従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の一例を
示すブロック図である。 図中、11は励起用半導体レーザ、13は集光レンズ、
15はレーザ媒質、17は非線形光学材料、19は出力
ミラー、21は励起光、25は平行平面基板、27.2
9は光学膜、31はミラー、矢印A、A” 、B、C,
Dは波長変換光の光路である。
Claims (2)
- (1)半導体レーザを励起光源とし、共振器内にレーザ
媒質と非線形光学材料とを備えた半導体レーザ励起固体
レーザ装置において、前記レーザ媒質と前記非線形光学
材料との間に、レーザ発振光に対しては高透過性で、波
長変換光に対しては高反射性の光学膜を有する光学材料
を、レーザ発振光の光軸に対して斜めに配置したことを
特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。 - (2)前記光学材料の前記光学材料で反射された波長変
換光を、前記共振器から出力される波長変換光と平行に
するためのミラーを設けた請求項1記載の半導体レーザ
励起固体レーザ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28355890A JPH04158588A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28355890A JPH04158588A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04158588A true JPH04158588A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17667085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28355890A Pending JPH04158588A (ja) | 1990-10-23 | 1990-10-23 | 半導体レーザ励起固体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04158588A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181073A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ |
JP2008191649A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置 |
US7561612B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Laser source device, image display device equipped with the laser source device, and monitor device |
US8328393B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-12-11 | Seiko Epson Corporation | Light source device having wavelength conversion and separation means, and projector |
-
1990
- 1990-10-23 JP JP28355890A patent/JPH04158588A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7561612B2 (en) | 2006-09-28 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Laser source device, image display device equipped with the laser source device, and monitor device |
JP2008181073A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-08-07 | Seiko Epson Corp | 光源装置、照明装置、モニタ装置及びプロジェクタ |
US8328393B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-12-11 | Seiko Epson Corporation | Light source device having wavelength conversion and separation means, and projector |
JP2008191649A (ja) * | 2007-01-12 | 2008-08-21 | Seiko Epson Corp | レーザ光源装置、照明装置、画像表示装置、及びモニタ装置 |
US7561604B2 (en) | 2007-01-12 | 2009-07-14 | Seiko Epson Corporation | Laser light source device, illumination device, image display device, and monitor device |
US7899094B2 (en) | 2007-01-12 | 2011-03-01 | Seiko Epson Corporation | Laser light source device, illumination device, image display device, and monitor device |
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