JPH06163484A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH06163484A JPH06163484A JP30741992A JP30741992A JPH06163484A JP H06163484 A JPH06163484 A JP H06163484A JP 30741992 A JP30741992 A JP 30741992A JP 30741992 A JP30741992 A JP 30741992A JP H06163484 A JPH06163484 A JP H06163484A
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- hydrogen
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハの表面に付着した自然酸化膜などの不
純物層を除去するのに用いられる前処理装置に関し，同
一装置内で自然酸化膜の除去と，それに伴う再付着不純
物の除去とを同時に行うことができるようにして，前処
理の効率を高めると共にスループットを向上させる。 【構成】 内部に水素ガスが導入され，外部から高周波
電力が印加されて水素プラズマ７を生成するプラズマ反
応管１と，このプラズマ反応管１中に設けられ，ウェハ
１２表面にフッ化水素（ＨＦ）ガスを導入するガス導入
管３と，水素プラズマ７，およびフッ化水素ガスが導入
され，ステージ１０上に載置されたウェハ１２の表面に
付着した不純物層を除去する処理室８とを備えている。
プラズマ反応管１およびガス導入管３は，フッ化水素ガ
スおよび水素プラズマによるエッチング量の非常に少な
い絶縁物材料から構成されている。
純物層を除去するのに用いられる前処理装置に関し，同
一装置内で自然酸化膜の除去と，それに伴う再付着不純
物の除去とを同時に行うことができるようにして，前処
理の効率を高めると共にスループットを向上させる。 【構成】 内部に水素ガスが導入され，外部から高周波
電力が印加されて水素プラズマ７を生成するプラズマ反
応管１と，このプラズマ反応管１中に設けられ，ウェハ
１２表面にフッ化水素（ＨＦ）ガスを導入するガス導入
管３と，水素プラズマ７，およびフッ化水素ガスが導入
され，ステージ１０上に載置されたウェハ１２の表面に
付着した不純物層を除去する処理室８とを備えている。
プラズマ反応管１およびガス導入管３は，フッ化水素ガ
スおよび水素プラズマによるエッチング量の非常に少な
い絶縁物材料から構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体製造装置，特に
ウェハの表面に付着した自然酸化膜などの不純物層を除
去するのに用いられる前処理装置に関する。
ウェハの表面に付着した自然酸化膜などの不純物層を除
去するのに用いられる前処理装置に関する。
【０００２】近年の半導体製造装置には，装置内で，ウ
ェハを大気に曝すことなく，前処理と膜成長とを行うこ
とが要求されている。そのため，膜成長前の清浄な表面
を露出させるための前処理を装置内で行う必要がある。
ェハを大気に曝すことなく，前処理と膜成長とを行うこ
とが要求されている。そのため，膜成長前の清浄な表面
を露出させるための前処理を装置内で行う必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来の前処理装置には，装置内でフッ化
水素（ＨＦ）によりウェハ表面の自然酸化膜を除去する
際に，ウェハ表面に別の不純物が再付着してしまう，と
いう問題があった。
水素（ＨＦ）によりウェハ表面の自然酸化膜を除去する
際に，ウェハ表面に別の不純物が再付着してしまう，と
いう問題があった。
【０００４】そこで，従来，フッ化水素（ＨＦ）により
ウェハ表面の自然酸化膜を除去する際に再付着した不純
物を別の前処理装置にて除去していた。
ウェハ表面の自然酸化膜を除去する際に再付着した不純
物を別の前処理装置にて除去していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の前処理方法に
は，自然酸化膜の除去，再付着不純物の除去，とい
う２段階の前処理を行う必要があるので，前処理の効率
が低く，スループットが低い，という問題があった。
は，自然酸化膜の除去，再付着不純物の除去，とい
う２段階の前処理を行う必要があるので，前処理の効率
が低く，スループットが低い，という問題があった。
【０００６】本発明は，この問題点を解決して，同一装
置内で自然酸化膜の除去と，それに伴う再付着不純物の
除去とを同時に行うことができるようにして，前処理の
効率を高めると共にスループットを向上させることので
きる，半導体製造装置，特にウェハの表面に付着した自
然酸化膜などの不純物層を除去するのに用いられる前処
理装置を提供することを目的とする。
置内で自然酸化膜の除去と，それに伴う再付着不純物の
除去とを同時に行うことができるようにして，前処理の
効率を高めると共にスループットを向上させることので
きる，半導体製造装置，特にウェハの表面に付着した自
然酸化膜などの不純物層を除去するのに用いられる前処
理装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに，本発明は，次のように構成する。 （１）ウェハの表面に付着した自然酸化膜などの不純物
層を除去するのに用いられる前処理装置であって，内部
に水素ガスが導入され，外部から高周波電力が印加され
て水素プラズマを生成するプラズマ反応管と，該プラズ
マ反応管中に設けられ，フッ化水素ガスをウェハ表面の
近傍まで導入するガス導入管と，該ガス導入管からフッ
化水素ガスが導入され，前記プラズマ反応管から水素プ
ラズマが導入され，内部に設けられたステージ上に載置
されたウェハの表面に付着した自然酸化膜および再付着
不純物を除去する処理室とを備え，前記プラズマ反応管
および前記ガス導入管は，フッ化水素ガスおよび水素プ
ラズマによるエッチング量の非常に少ない絶縁物材料で
構成されているように構成する。
めに，本発明は，次のように構成する。 （１）ウェハの表面に付着した自然酸化膜などの不純物
層を除去するのに用いられる前処理装置であって，内部
に水素ガスが導入され，外部から高周波電力が印加され
て水素プラズマを生成するプラズマ反応管と，該プラズ
マ反応管中に設けられ，フッ化水素ガスをウェハ表面の
近傍まで導入するガス導入管と，該ガス導入管からフッ
化水素ガスが導入され，前記プラズマ反応管から水素プ
ラズマが導入され，内部に設けられたステージ上に載置
されたウェハの表面に付着した自然酸化膜および再付着
不純物を除去する処理室とを備え，前記プラズマ反応管
および前記ガス導入管は，フッ化水素ガスおよび水素プ
ラズマによるエッチング量の非常に少ない絶縁物材料で
構成されているように構成する。
【０００８】（２）前記（１）において，前記処理室の
内壁が，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによるエッ
チング量の非常に少ない絶縁物材料から成る保護カバー
で覆われているように構成する。
内壁が，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによるエッ
チング量の非常に少ない絶縁物材料から成る保護カバー
で覆われているように構成する。
【０００９】
【作用】本発明に係る前処理装置では，プラズマ反応管
を，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによるエッチン
グ量の非常に少ない絶縁物材料で構成しているので，プ
ラズマ反応管の管壁からの不純物の発生量を極めて少な
くすることができる。その結果，フッ化水素（ＨＦ）に
よりウェハ表面の自然酸化膜を除去しながら，ウェハ表
面に再付着する不純物を水素プラズマによって除去する
ことが可能になる。
を，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによるエッチン
グ量の非常に少ない絶縁物材料で構成しているので，プ
ラズマ反応管の管壁からの不純物の発生量を極めて少な
くすることができる。その結果，フッ化水素（ＨＦ）に
よりウェハ表面の自然酸化膜を除去しながら，ウェハ表
面に再付着する不純物を水素プラズマによって除去する
ことが可能になる。
【００１０】すなわち，フッ化水素（ＨＦ）により自然
酸化膜を除去されたウェハ表面は，フッ素原子でターミ
ネイトされているので，低温のエピタキシャル成長を行
った時の欠陥の原因になりやすいが，本発明に係る前処
理装置では，フッ化水素（ＨＦ）により自然酸化膜が除
去されたウェハ表面は，水素プラズマにより水素原子で
ターミネイトされるので，低温のエピタキシャル成長を
行っても，容易にシリコン原子と置換するため，高品質
のエピタキシャル層を成長することができる。
酸化膜を除去されたウェハ表面は，フッ素原子でターミ
ネイトされているので，低温のエピタキシャル成長を行
った時の欠陥の原因になりやすいが，本発明に係る前処
理装置では，フッ化水素（ＨＦ）により自然酸化膜が除
去されたウェハ表面は，水素プラズマにより水素原子で
ターミネイトされるので，低温のエピタキシャル成長を
行っても，容易にシリコン原子と置換するため，高品質
のエピタキシャル層を成長することができる。
【００１１】また，プラズマ反応管中に，フッ化水素ガ
スおよび水素プラズマによるエッチング量の非常に少な
い絶縁物材料から成り，フッ化水素（ＨＦ）ガスをウェ
ハ表面の近傍まで導入するガス導入管を設けるようにし
ている。これにより，フッ化水素（ＨＦ）をウェハ表面
に付着した自然酸化膜の除去に効率的に使用することが
可能になる。しかも，ガス導入管は，フッ化水素ガスお
よび水素プラズマによるエッチング量の非常に少ない絶
縁物材料で構成されているから，ガス導入管を設けるこ
とによって，不純物の発生量が増すこともない。
スおよび水素プラズマによるエッチング量の非常に少な
い絶縁物材料から成り，フッ化水素（ＨＦ）ガスをウェ
ハ表面の近傍まで導入するガス導入管を設けるようにし
ている。これにより，フッ化水素（ＨＦ）をウェハ表面
に付着した自然酸化膜の除去に効率的に使用することが
可能になる。しかも，ガス導入管は，フッ化水素ガスお
よび水素プラズマによるエッチング量の非常に少ない絶
縁物材料で構成されているから，ガス導入管を設けるこ
とによって，不純物の発生量が増すこともない。
【００１２】さらに，本発明に係る前処理装置では，処
理室の内壁を，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによ
るエッチング量の非常に少ない絶縁物材料から成る保護
カバーで覆うようにしている。これにより，不純物の発
生を極めて少なくすることが可能になる。この点から
も，フッ化水素（ＨＦ）により自然酸化膜が除去された
ウェハ表面に再付着不純物層が形成されにくくなる。
理室の内壁を，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによ
るエッチング量の非常に少ない絶縁物材料から成る保護
カバーで覆うようにしている。これにより，不純物の発
生を極めて少なくすることが可能になる。この点から
も，フッ化水素（ＨＦ）により自然酸化膜が除去された
ウェハ表面に再付着不純物層が形成されにくくなる。
【００１３】
【実施例】図１は，本発明の一実施例を示す図である。
図中，１はプラズマ反応管，２はガス導入口，３はガス
導入管，４は電極，５は電極，６はＲＦ電源，７は水素
プラズマ，８は処理室，９は排気口，１０はステージ，
１１はヒータ，１２はウェハ，１３は保護カバーであ
る。
図中，１はプラズマ反応管，２はガス導入口，３はガス
導入管，４は電極，５は電極，６はＲＦ電源，７は水素
プラズマ，８は処理室，９は排気口，１０はステージ，
１１はヒータ，１２はウェハ，１３は保護カバーであ
る。
【００１４】以下，図１に示す本発明に係る前処理装置
を説明する。プラズマ反応管１，ガス導入管３，および
保護カバー１３は，フッ化水素ガスおよび水素プラズマ
によるエッチング量の非常に少ない絶縁物，例えば高純
度アルミナから成る。保護カバー１３の材料としては，
ＳｉＣコーティングしたグラファイトを用いてもよい。
を説明する。プラズマ反応管１，ガス導入管３，および
保護カバー１３は，フッ化水素ガスおよび水素プラズマ
によるエッチング量の非常に少ない絶縁物，例えば高純
度アルミナから成る。保護カバー１３の材料としては，
ＳｉＣコーティングしたグラファイトを用いてもよい。
【００１５】プラズマ反応管１の周囲には，半周ずつ取
り巻くように電極４および５が設けられている。電極４
にはＲＦ電源６が接続されており，電極５は接地されて
いる。ガス導入口２から水素（Ｈ2 ）ガスが導入される
と，電極４と電極５との間に印加される高周波電力によ
り，プラズマ反応管１の内部に水素プラズマ７が生成さ
れる。
り巻くように電極４および５が設けられている。電極４
にはＲＦ電源６が接続されており，電極５は接地されて
いる。ガス導入口２から水素（Ｈ2 ）ガスが導入される
と，電極４と電極５との間に印加される高周波電力によ
り，プラズマ反応管１の内部に水素プラズマ７が生成さ
れる。
【００１６】一方，ガス導入管３からは，フッ化水素
（ＨＦ）ガスが，処理室８内に設けられたステージ１０
上に載置されたウェハ１２の表面近傍まで導入される。
このフッ化水素（ＨＦ）ガスにより，ウェハ１２表面に
付着した自然酸化膜が除去される。このとき，プラズマ
反応管１内で生成された水素プラズマ７が処理室８内へ
導入されるので，ウェハ１２表面に付着した自然酸化膜
が除去される際に再付着する不純物は，水素プラズマに
よって除去される。
（ＨＦ）ガスが，処理室８内に設けられたステージ１０
上に載置されたウェハ１２の表面近傍まで導入される。
このフッ化水素（ＨＦ）ガスにより，ウェハ１２表面に
付着した自然酸化膜が除去される。このとき，プラズマ
反応管１内で生成された水素プラズマ７が処理室８内へ
導入されるので，ウェハ１２表面に付着した自然酸化膜
が除去される際に再付着する不純物は，水素プラズマに
よって除去される。
【００１７】以上のプロセスにより，本発明に係る前処
理装置では，ウェハ表面に付着した自然酸化膜の除去を
しながら，再付着する不純物を除去することが可能にな
る。したがって，本発明によれば，従来２台の装置を用
いて行っていた前処理を１台の装置で行うことが可能に
なる。
理装置では，ウェハ表面に付着した自然酸化膜の除去を
しながら，再付着する不純物を除去することが可能にな
る。したがって，本発明によれば，従来２台の装置を用
いて行っていた前処理を１台の装置で行うことが可能に
なる。
【００１８】以下，本発明に係る前処理装置を使用した
前処理の例を説明する。 ＨＦ流量 ：１０ｃｃ／ｍｉｎ Ｈ2 流量 ：５００ｃｃ／ｍｉｎ 圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ 基板温度 ：〜１００℃ ＲＦ周波数 ：１３．５６ＭＨｚ ＲＦパワー ：２０Ｗ 処理時間 ：１０分間 以上の条件で，Ｓｉウェハ表面に付着した約１０Åの自
然酸化膜を除去したところ，不純物層の無い清浄な表面
を得ることができた。
前処理の例を説明する。 ＨＦ流量 ：１０ｃｃ／ｍｉｎ Ｈ2 流量 ：５００ｃｃ／ｍｉｎ 圧力 ：０．１Ｔｏｒｒ 基板温度 ：〜１００℃ ＲＦ周波数 ：１３．５６ＭＨｚ ＲＦパワー ：２０Ｗ 処理時間 ：１０分間 以上の条件で，Ｓｉウェハ表面に付着した約１０Åの自
然酸化膜を除去したところ，不純物層の無い清浄な表面
を得ることができた。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば，ウェハの表面に付着し
た自然酸化膜などの不純物層を除去するのに用いられる
前処理装置において，同一装置内で自然酸化膜の除去
と，それに伴う再付着不純物の除去とを同時に行うこと
ができるようになるので，前処理の効率を高めると共に
スループットを向上させることができる。
た自然酸化膜などの不純物層を除去するのに用いられる
前処理装置において，同一装置内で自然酸化膜の除去
と，それに伴う再付着不純物の除去とを同時に行うこと
ができるようになるので，前処理の効率を高めると共に
スループットを向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
１ プラズマ反応管 ２ ガス導入口 ３ ガス導入管 ４ 電極 ５ 電極 ６ ＲＦ電源 ７ プラズマ ８ 処理室 ９ 排気口 １０ ステージ １１ ヒータ １２ ウェハ １３ 保護カバー
Claims (2)
- 【請求項１】 ウェハの表面に付着した自然酸化膜など
の不純物層を除去するのに用いられる前処理装置であっ
て，内部に水素ガスが導入され，外部から高周波電力が
印加されて水素プラズマを生成するプラズマ反応管と，
該プラズマ反応管中に設けられ，フッ化水素ガスをウェ
ハ表面の近傍まで導入するガス導入管と，該ガス導入管
からフッ化水素ガスが導入され，前記プラズマ反応管か
ら水素プラズマが導入され，内部に設けられたステージ
上に載置されたウェハの表面に付着した自然酸化膜およ
び再付着不純物を除去する処理室とを備え，前記プラズ
マ反応管および前記ガス導入管は，フッ化水素ガスおよ
び水素プラズマによるエッチング量の非常に少ない絶縁
物材料で構成されていることを特徴とする半導体製造装
置。 - 【請求項２】 請求項１において，前記処理室の内壁
が，フッ化水素ガスおよび水素プラズマによるエッチン
グ量の非常に少ない絶縁物材料から成る保護カバーで覆
われていることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30741992A JPH06163484A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30741992A JPH06163484A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06163484A true JPH06163484A (ja) | 1994-06-10 |
Family
ID=17968835
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30741992A Withdrawn JPH06163484A (ja) | 1992-11-18 | 1992-11-18 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06163484A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10233380A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の表面処理方法及びシリコン単結晶薄膜の製造方法 |
| WO1999004420A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de nettoyage de substrats semi-conducteurs de silicium |
| EP2200073A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-06-23 | Canon Anelva Corporation | Method for forming silicide and apparatus for forming the silicide |
-
1992
- 1992-11-18 JP JP30741992A patent/JPH06163484A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10233380A (ja) * | 1996-12-16 | 1998-09-02 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコン単結晶の表面処理方法及びシリコン単結晶薄膜の製造方法 |
| WO1999004420A1 (fr) * | 1997-07-18 | 1999-01-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede de nettoyage de substrats semi-conducteurs de silicium |
| EP2200073A1 (en) * | 2008-05-30 | 2010-06-23 | Canon Anelva Corporation | Method for forming silicide and apparatus for forming the silicide |
| EP2200073A4 (en) * | 2008-05-30 | 2012-12-05 | Canon Anelva Corp | PROCESS FOR FORMING SILICIDE AND DEVICE FOR FORMING THE SILICIDE |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000201 |