JPH0487335A - 半導体ウエハ洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、ガラス基板・ディスク基板などの固体材料
片、とくに半導体ウェハの洗浄装置に間する。

［従来の技術］ 第３図は、従来の半導体ウェハ洗浄装置をしめず断面図
である。

図において、（１）は微細凍結粒子を生成する製氷部、
（２）は冷却用液体窒素供給管、（３）は純水を微噴霧
する噴霧ノズル、（４）は生成された微細凍結粒子、（
５）は微細凍結粒子を噴射する噴射ノズル、（６）はウ
ェハ保持アーム、（７）は半導体ウェハ、（８）は半導
体ウエノ１を移動させるための移動ａｍ、（９）は排気
ブロワ、（１０）は洗浄槽である。

次に第３図の装置の動作について説明する。

断熱材で囲まれた製氷部（１）に液体窒素を供給管（２
）を介して供給し、その内部で蒸発させることにより製
氷部（１）内を冷却する。製氷部（１）内が十分に冷却
された後、噴霧ノズル（３）から超純水を微噴霧し微細
凍結粒子（４）を得る。

こうして得られた微細凍結粒子（４）を、気体の噴流に
よるエジェクタ一方式によって噴射ノズル（５）から洗
浄槽（１０）内に高圧で噴射する。

こうして微細凍結粒子（４）を、保持アーム（６）に保
持されたウェハ（７）に向けて噴射することにより、ウ
ェハ（７）の表面を洗浄する。この際、排気ブロワ（９
）により洗浄槽（１０）の排気を行い、微細凍結粒子（
４）の噴射に起因する噴流の巻き上がりを防止する。

［発明が解決しようとする問題点］ 従来の半導体ウェハ洗浄装置は以上のように構成されて
いるので、洗浄槽内の噴流をすべて排気ダクトに吸引し
て排気するためには大排気Ｉの排気ブロワが必要であり
、排気ブロワが大型化するという問題があった。一方、
小型の小排気量の排気ブロワを用いると、洗浄槽（１０
）内の噴流をすべて排気ダクトに吸引することができな
い。このため噴射された微細凍結粒子がダストとともに
巻き上がり、半導体ウェハにダストが再付着するなどの
問題点があった。

この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、小排気量の排気ブロワを用いながら、洗浄
槽の構造の改良により、微細凍結粒子噴射時の噴流によ
る巻き上がりを防止し、半導体ウェハへのダストの再付
着を防止することができる半導体ウェハ洗浄装置を得る
ことを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ この発明にかかる半導体ウェハ洗浄装置は、洗浄槽より
も断面積の大きな膨張部分を有し、洗浄槽の下流側に接
続された排気室と、洗浄槽からの噴流をこの排気室の膨
張部分に導く湾曲した案内板と、 排気室内を排気する排気ブロワと、 を備えるものである。

また、洗浄槽の側壁から洗浄槽内部に向かって突出する
ストッパを、洗浄槽下流部に設けることが好ましい、さ
らに洗浄槽の側壁に、スト・ツノ（の下流側の位置に排
気口を設けることが好ましＩｖ）。

さらにまた、洗浄槽の内部を横断する整流板を、洗浄槽
下流部に設けることが好ましい。

［作用］ この発明における排気室は断面積の大きな膨張部分を有
し、噴流の速度を効果的に減少させる。

また湾曲した案内板は噴流の走行距離を増大させる。こ
れらの結果、噴流は排気室において効果的に減速され、
噴流の洗浄槽への巻き上がりが防止される。

またストッパも排気室から洗浄槽への噴流の巻き上がり
を防止し、排気口はストッパで阻止された噴流を外部に
排気する。一方、整流板は洗浄槽内の気流をダウンフロ
ーに整流し、噴流の巻き上がりの防止に貢献する。

［実施例］ 以下、この発明の１実施例を、図を参照しながら説明す
る。

（１）〜（１０）は、第３図の従来の洗浄装置と同一な
いし対応部分を示し、その動作も同様である。なお洗浄
槽（１０）は、半導体ウェハ（７）を収容するため、（
図の紙面に垂直な辺の方が図面水平方向の辺よりも長い
）幅広の長方形の断面を有する。また移動機構（８）は
、半導体ウェハ（７）を水平・垂直方向に移動し、半導
体ウェハ（７）の全表面が噴射された微細凍結粒子で満
遍なく洗浄されるようにする。

（１１）は微細凍結粒子の噴射噴流の流速を減速させる
排気室であり、噴射ノズル（５）の設置されている側に
水平方向に膨張する部分（ｌｌａ）を有し、洗浄槽（１
０）の下端（下流端）に接続される。この膨張部分（ｌ
ｌａ）も長方形状の断面を有する。（１２）は、排気室
（１１）の膨張部分（ｌｌａ）に噴流を導く案内板であ
り、洗浄槽（１０）下部から膨張部分（ｌｌａ）内に湾
曲する。さらに（１３）は、洗浄槽（１０）の下部に設
置された整流板であり、第２図に断面を示すように、多
数の截頭逆円錐状のテーパ穴（１３ａ）を有し、洗浄槽
（１０）内の気流の方向をダウンフロー（下降流）に整
流する。（１４）は、次に説明するストッパ（１５）の
下の洗浄槽側壁に設けられた排気口である。（１５）は
整流板（１３）の下側において洗浄槽側壁がら内側下方
に向がって突設されたストッパであり、ス１〜ツバより
下方の噴流が半導体ウェハ（７）に到達するのを防止す
る。

この実施例の動作は、洗浄槽（１０）内の噴流が排気室
（１１）を介して排気ブロワ（９）により排気されるこ
とを除けば、基本的には第３図の従来の装置と同一であ
る。しかし、以下に説明するように、排気室（１１）、
案内板（１２＞、整流板（１３）などの作用により洗浄
槽内の噴流の巻き上がりを防止し、さらにストッパ（１
５）の作用により巻き上がった噴流が半導体ウェハにま
で到達するのを防止する。

すなわち、噴射ノズル（５）から気体とともに高圧で噴
射された微細凍結粒子は、整流板く１３）を通過した後
、案内板（１２）に案内されて膨張部分（ｌｌａ）を有
する排気室（１１）に導かれ、流速が減速される。この
際、整流板（１３）の作用により洗浄槽（１０）内の気
流はダウンフローに整流される。このように噴流が速や
かに減速され、しかもダウンフローに整流されるため、
排気ブロワ（９）の排気量が大きくなくても、噴流の上
方への巻き上がりが効果的に防止される。また、洗浄槽
（１０）の内壁に沿って上昇する噴流の巻き上がりはス
トッパく１５）に当たり、ストッパ（１５）の基部の下
方に開口する排気口（１４）から排気される。したがっ
て上方に巻き上がった噴流も半導体ウェハ（７）までは
到達しない。

［発明の効果］ 以上のようにこの発明による排気室は断面積の大きな膨
張部分を有し、噴流の速度を効果的に減少さぜる。また
湾曲した案内板は噴流の走行距離を増大させる。これら
の結果、噴流は排気室において効果的に減速され、噴流
の洗浄槽への巻き上がりが防止される。したがって排気
量の小さな排気ブロワを用いても、洗浄槽内の噴流の巻
き上がりが効果的に防止できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の１実施例にががる半導体ウェハ洗
浄装置を示す断面図、第２図は、第１図の洗浄装置の整
流板の構造を示す部分断面図、第３図は従来の半導体ウ
ェハ洗浄装置を示す断面図である。 （１）は製氷部、（２）は液体を素供給管、（３）は、
噴霧ノズル、（４）は微細凍結粒子、（５）は噴射ノズ
ル、（６）はウェハ保持アーム、（７）は半導体ウェハ
　（８）は移動機構、（９）は排気ブロワ、（１０）は
洗浄槽、（１１）は排気室、（１２）は案内板、（１３
）は整流板、（１４）は排気口、（１５）はストッパで
ある。 なお図中、同一符号は、同一、または相当部分を示す。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）洗浄槽内に半導体ウエハを保持し、超純水を凍結
   して得られた微細凍結粒子を気体とともに噴射ノズルか
   ら高圧で噴射して半導体ウエハに衝突させ、半導体ウエ
   ハの表面に付着したダスト等の汚れを除去する半導体ウ
   エハ洗浄装置において、 洗浄槽よりも断面積の大きな膨張部分を有し、洗浄槽の
   下流側に接続された排気室と、 洗浄槽からの噴流をこの排気室の膨張部分に導く湾曲し
   た案内板と、 排気室内を排気する排気ブロワと、 を備えることを特徴とする半導体ウエハ洗浄装置。
2. （２）洗浄槽の側壁から洗浄槽内部に向かつて突出する
   ストッパを、洗浄槽下流部に設けたことを特徴とする請
   求項第１項記載の半導体ウエハ洗浄装置。
3. （３）洗浄槽の側壁に、ストッパの下流側の位置に排気
   口を設けたことを特徴とする請求項第２項記載の半導体
   ウエハ洗浄装置。
4. （４）洗浄槽の内部を横断する整流板を、洗浄槽下流部
   に設けたことを特徴とする請求項第１項記載の半導体ウ
   エハ洗浄装置。