JPH038327A - アイススクラバ装置 - Google Patents
アイススクラバ装置Info
- Publication number
- JPH038327A JPH038327A JP14206889A JP14206889A JPH038327A JP H038327 A JPH038327 A JP H038327A JP 14206889 A JP14206889 A JP 14206889A JP 14206889 A JP14206889 A JP 14206889A JP H038327 A JPH038327 A JP H038327A
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Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体・電子デバイス等の電子部材の製造
工程における表面精密洗浄・表面改質レジスト除去・エ
ツチングなどの処理工程に供されるアイススクラバ装置
に関するものである。
工程における表面精密洗浄・表面改質レジスト除去・エ
ツチングなどの処理工程に供されるアイススクラバ装置
に関するものである。
第３図は、例えば特開昭６１−７０２８１号公報に示さ
れた従来のアイススクラバ装置の概略図であり、図にお
いて、断熱容器（１）に取り付けられたスプレーノズル
（２）に液体供給源（３）が接続されている。断熱容器
（１）の下端には噴射ノズル（４）が接続されている。
れた従来のアイススクラバ装置の概略図であり、図にお
いて、断熱容器（１）に取り付けられたスプレーノズル
（２）に液体供給源（３）が接続されている。断熱容器
（１）の下端には噴射ノズル（４）が接続されている。
この噴射ノズル（４）およびスプレーノズル（２）には
高圧ガスボンベ（５）が接続されている。（６）は噴射
ノズル（４）に一定の距離で対向したウェハ等の被処理
物で、噴射ノズル（４）を組み込んだ処理容器（７）内
に配置されている。
高圧ガスボンベ（５）が接続されている。（６）は噴射
ノズル（４）に一定の距離で対向したウェハ等の被処理
物で、噴射ノズル（４）を組み込んだ処理容器（７）内
に配置されている。
以上の構成により、液体供給源（３）から供給された液
体は高圧ガスボンベ（５）からのガス圧により、スプレ
ーノズル（２）より霧状になって断熱容器＜１）内に噴
霧される。この際、断熱容器（１）は液体窒素等で冷却
されているため霧状液滴は氷結し、数十ミクロン径の微
粒氷（８）が生成する。この微粒氷（８）は高圧ガスボ
ンベ（５）からのガス圧によって噴射ノズル（４）から
対向して置かれたウェハ（６）に吹き付けられ、このウ
ェハ〈６）表面ノ洗浄・加工等の処理が行われる。
体は高圧ガスボンベ（５）からのガス圧により、スプレ
ーノズル（２）より霧状になって断熱容器＜１）内に噴
霧される。この際、断熱容器（１）は液体窒素等で冷却
されているため霧状液滴は氷結し、数十ミクロン径の微
粒氷（８）が生成する。この微粒氷（８）は高圧ガスボ
ンベ（５）からのガス圧によって噴射ノズル（４）から
対向して置かれたウェハ（６）に吹き付けられ、このウ
ェハ〈６）表面ノ洗浄・加工等の処理が行われる。
従来のアイススクラバ装置は以上のように楕或されてい
るので、微粒氷が乾燥気体中でノズルを高圧・高速で通
過する際、微粒氷エアロゾルが帯電し、ウェハ等に噴射
した際にウェハを正または負の一方の極に帯電させる。
るので、微粒氷が乾燥気体中でノズルを高圧・高速で通
過する際、微粒氷エアロゾルが帯電し、ウェハ等に噴射
した際にウェハを正または負の一方の極に帯電させる。
この際、処理室内の雰囲気中にある反対の極に、帯電し
たダストをウェハが引き付け、ダストがウェハに付着し
、表面汚染を引き起こすという問題があった。
たダストをウェハが引き付け、ダストがウェハに付着し
、表面汚染を引き起こすという問題があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ウェハ表面の帯電を抑え、ウェハ等にダスト
が付着するのを防止するアイススクラバ装置を得ること
を目的とする。
たもので、ウェハ表面の帯電を抑え、ウェハ等にダスト
が付着するのを防止するアイススクラバ装置を得ること
を目的とする。
この発明に係るアイススクラバ装置は、微粒氷を噴出す
る処理容器内にイオンシャワー発生器を設けるとともに
イオン量をモニターし、容器内のイオン量を耐えず制御
する手段を設けたものである。
る処理容器内にイオンシャワー発生器を設けるとともに
イオン量をモニターし、容器内のイオン量を耐えず制御
する手段を設けたものである。
この発明においては、超微粉氷を噴射する処理容器内の
正極および負極のイオン量を同数に保つことにより、ウ
ェハ等の帯電を抑え、雰囲気中のダストをウェハが電気
的に誘引するのを防ぐ。また、雰囲気中のイオン量は経
時的に大きく変動するため、これを連続的にモニタリン
グし、リアルタイムでイオンシャワー発生器の出力を制
御し、常にＩｋ適のイオン状態を維持する。
正極および負極のイオン量を同数に保つことにより、ウ
ェハ等の帯電を抑え、雰囲気中のダストをウェハが電気
的に誘引するのを防ぐ。また、雰囲気中のイオン量は経
時的に大きく変動するため、これを連続的にモニタリン
グし、リアルタイムでイオンシャワー発生器の出力を制
御し、常にＩｋ適のイオン状態を維持する。
第１図、第２図はこの発明の一実施例を示し、第１図に
おいて、静電キャパシタ形電極（９）が処理容器（７）
の雰囲気中に設置されている。この電極（９）には導電
線により微小電流計（１０）が接続され、この微小電流
計（１０）には出力可変器（１１）、さらに処理容器内
のイオンシャワー発生器（１２）が接続されている。
おいて、静電キャパシタ形電極（９）が処理容器（７）
の雰囲気中に設置されている。この電極（９）には導電
線により微小電流計（１０）が接続され、この微小電流
計（１０）には出力可変器（１１）、さらに処理容器内
のイオンシャワー発生器（１２）が接続されている。
その他、第３図におけると同一符号は同一部分を示して
いる。
いる。
次にこの実施例の作用、動作について述べる。
微粒氷の発生およびウェハ等への吹き付けについては前
述した従来装置と同様である。ここでは、処理容器（７
）内に設置された静電キャパシタ形電極（９）の一方は
処理容器（７）内界囲気中に浮遊する荷電粒子を集め、
他の一極はウェハ（６）と同電位となるように接続され
ているため、ウェハ（６）と雰囲気との電位差が微小電
流計（１０）で計測される。出力可変器（１１）はこの
微小電流値を受信してイオン量と極性を認識し、正また
は負のイオン量がある許容値を越えた場合、その程度に
応じてイオンシャワー発生器（１２）にイオン発生量調
整のための出力信号を送る。イオン発生器（１２）はこ
の信号によって制御された出力で、かつ、不足している
極性のイオンを発生する。この作用により、処理容器（
７）とウェハ等（６）の電位差を抑え、■静電気力によ
るダストとウェハ等の誘引を防ぐ、■雰囲気中のダスト
が帯電するのを防ぐことができる。
述した従来装置と同様である。ここでは、処理容器（７
）内に設置された静電キャパシタ形電極（９）の一方は
処理容器（７）内界囲気中に浮遊する荷電粒子を集め、
他の一極はウェハ（６）と同電位となるように接続され
ているため、ウェハ（６）と雰囲気との電位差が微小電
流計（１０）で計測される。出力可変器（１１）はこの
微小電流値を受信してイオン量と極性を認識し、正また
は負のイオン量がある許容値を越えた場合、その程度に
応じてイオンシャワー発生器（１２）にイオン発生量調
整のための出力信号を送る。イオン発生器（１２）はこ
の信号によって制御された出力で、かつ、不足している
極性のイオンを発生する。この作用により、処理容器（
７）とウェハ等（６）の電位差を抑え、■静電気力によ
るダストとウェハ等の誘引を防ぐ、■雰囲気中のダスト
が帯電するのを防ぐことができる。
第２図に処理容器（７）内のイオン濃度とウェハ付着ダ
スト数の相関を示す。
スト数の相関を示す。
以上のように、この発明によれば、微粒氷をウェハ等に
吹き付ける処理容器に静電キャパシタ形イオンモニタお
よびイオンシャワー発生器を設置し、イオンモニタの計
測値をイオンシャワー発生器の出力制御にフィードバッ
クするようにしたことにより、ウェハ表面にダストの付
着を低減する効果が得られる。
吹き付ける処理容器に静電キャパシタ形イオンモニタお
よびイオンシャワー発生器を設置し、イオンモニタの計
測値をイオンシャワー発生器の出力制御にフィードバッ
クするようにしたことにより、ウェハ表面にダストの付
着を低減する効果が得られる。
第１図はこの発明の一実施例の概略面断面図、第２図は
この実施例におけるイオン濃度と付着ダスト数特性線図
、第３図は従来のアイススクラバ装置の概略面断面図で
ある。 （４）・・噴射ノズル、（６）・・ウェハ等の被処理物
、（７）・・処理容器、（８） ・・微粒氷、（９）
・静電キャパシタ形電極、（１０）・・微小電流計、（
１１）・・出力可変器、（１２）・・イオンシャワー発
生器。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
この実施例におけるイオン濃度と付着ダスト数特性線図
、第３図は従来のアイススクラバ装置の概略面断面図で
ある。 （４）・・噴射ノズル、（６）・・ウェハ等の被処理物
、（７）・・処理容器、（８） ・・微粒氷、（９）
・静電キャパシタ形電極、（１０）・・微小電流計、（
１１）・・出力可変器、（１２）・・イオンシャワー発
生器。 なお、各図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 被処理物の表面に微粒氷を噴射・衝突させる噴射ノズル
が設けられている処理容器と、この処理容器内に配置さ
れているイオンシャワー発生器と前記被処理物表面の近
傍でイオン量をモニタして前記イオンシャワー発生器の
発生イオン量をフィードバック制御する制御手段とを備
えてなるアイススクラバ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14206889A JPH038327A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | アイススクラバ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14206889A JPH038327A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | アイススクラバ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038327A true JPH038327A (ja) | 1991-01-16 |
Family
ID=15306684
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14206889A Pending JPH038327A (ja) | 1989-06-06 | 1989-06-06 | アイススクラバ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038327A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196034A (en) * | 1990-07-31 | 1993-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5217925A (en) * | 1990-11-30 | 1993-06-08 | Taiyo Sanso Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
-
1989
- 1989-06-06 JP JP14206889A patent/JPH038327A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5196034A (en) * | 1990-07-31 | 1993-03-23 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor wafer cleaning apparatus |
| US5217925A (en) * | 1990-11-30 | 1993-06-08 | Taiyo Sanso Co., Ltd. | Apparatus and method for cleaning semiconductor wafers |
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