JP2658653B2 - 洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法 - Google Patents
洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法Info
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- JP2658653B2 JP2658653B2 JP21531491A JP21531491A JP2658653B2 JP 2658653 B2 JP2658653 B2 JP 2658653B2 JP 21531491 A JP21531491 A JP 21531491A JP 21531491 A JP21531491 A JP 21531491A JP 2658653 B2 JP2658653 B2 JP 2658653B2
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- cleaning apparatus
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハ、ガラス
基板あるいはディスク基板などの固体材料片の洗浄装置
に係り、さらに詳しくは、洗浄槽内で、半導体ウェハな
どの被洗浄物に微細凍結粒子を気体と共に噴射ノズルか
ら高圧で噴射して洗浄し、この洗浄の際に前記微細凍結
粒子の噴射による噴流の巻き上がりを抑制するために、
洗浄槽の排気を行うようにした洗浄装置および該洗浄装
置における前記排気の制御方法に関する。
基板あるいはディスク基板などの固体材料片の洗浄装置
に係り、さらに詳しくは、洗浄槽内で、半導体ウェハな
どの被洗浄物に微細凍結粒子を気体と共に噴射ノズルか
ら高圧で噴射して洗浄し、この洗浄の際に前記微細凍結
粒子の噴射による噴流の巻き上がりを抑制するために、
洗浄槽の排気を行うようにした洗浄装置および該洗浄装
置における前記排気の制御方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体ウェハの洗浄装置
の概略構成図である。同図において、１は微細な凍結粒
子を生成する製氷部、２は冷却用液体窒素供給管、３は
純水を噴霧する噴霧ノズル、４は製氷部１内に生成され
た微細凍結粒子、５はこの微細凍結粒子４を噴射する噴
射ノズル、６は被洗浄物である半導体ウェハ７を保持す
る保持アーム、８は半導体ウェハ７を移動させるための
移動機構、９は洗浄槽、１０は排気ダクト、１１は洗浄
槽排気用の送風機（ブロワ）、１４はオートダンパ、１
２0は各部を制御する制御ユニットである。
の概略構成図である。同図において、１は微細な凍結粒
子を生成する製氷部、２は冷却用液体窒素供給管、３は
純水を噴霧する噴霧ノズル、４は製氷部１内に生成され
た微細凍結粒子、５はこの微細凍結粒子４を噴射する噴
射ノズル、６は被洗浄物である半導体ウェハ７を保持す
る保持アーム、８は半導体ウェハ７を移動させるための
移動機構、９は洗浄槽、１０は排気ダクト、１１は洗浄
槽排気用の送風機（ブロワ）、１４はオートダンパ、１
２0は各部を制御する制御ユニットである。
【０００３】次に、動作を説明する。
【０００４】断熱材で囲まれた製氷部１に、液体窒素を
液体窒素供給管２を介して供給し、内部で蒸発させるこ
とにより、製氷部１内を冷却する。製氷部１内が十分に
冷却された後、噴霧ノズル３から超純水を噴霧して微細
凍結粒子４を得る。こうして得られた微細凍結粒子４
を、気体の噴流によるエジェクター方式によって洗浄槽
９内に高圧で噴射する。こうして微細凍結粒子４を、保
持アーム６に保持された半導体ウェハ７に向けて噴射す
ることにより、半導体ウェハ７の表面を洗浄する。
液体窒素供給管２を介して供給し、内部で蒸発させるこ
とにより、製氷部１内を冷却する。製氷部１内が十分に
冷却された後、噴霧ノズル３から超純水を噴霧して微細
凍結粒子４を得る。こうして得られた微細凍結粒子４
を、気体の噴流によるエジェクター方式によって洗浄槽
９内に高圧で噴射する。こうして微細凍結粒子４を、保
持アーム６に保持された半導体ウェハ７に向けて噴射す
ることにより、半導体ウェハ７の表面を洗浄する。
【０００５】この洗浄の際に、排気用の送風機１１によ
り洗浄槽９の排気を行い、微細凍結粒子４の噴射に起因
する噴流の巻き上がりを防止している。
り洗浄槽９の排気を行い、微細凍結粒子４の噴射に起因
する噴流の巻き上がりを防止している。
【０００６】制御ユニット１２0は、以上の洗浄動作に
おいて、噴射ノズル５の噴射量の制御やオートダンパ１
４による排気量の制御などの一連の制御を行うものであ
る。
おいて、噴射ノズル５の噴射量の制御やオートダンパ１
４による排気量の制御などの一連の制御を行うものであ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図４（Ａ），（Ｂ）
は、このような従来の洗浄装置における噴射ノズル５の
噴射量および洗浄槽９の排気量の変化をそれぞれ示すタ
イミングチャートである。この図４に示されるように、
オートダンパ１４による排気量の制御は、洗浄中は
「大」に、停止中は「小」にする２段階により行われて
いる。
は、このような従来の洗浄装置における噴射ノズル５の
噴射量および洗浄槽９の排気量の変化をそれぞれ示すタ
イミングチャートである。この図４に示されるように、
オートダンパ１４による排気量の制御は、洗浄中は
「大」に、停止中は「小」にする２段階により行われて
いる。
【０００８】したがって、洗浄中は、噴射ノズル５の噴
射量の多少に拘わらず、一定の排気量に制御されること
になり、このため、洗浄装置の設置場所であるクリーン
ルームのダウンフロー（層流）を乱し、洗浄槽９内へダ
ストを吸い込んで洗浄槽９を汚染するといった難点があ
った。
射量の多少に拘わらず、一定の排気量に制御されること
になり、このため、洗浄装置の設置場所であるクリーン
ルームのダウンフロー（層流）を乱し、洗浄槽９内へダ
ストを吸い込んで洗浄槽９を汚染するといった難点があ
った。
【０００９】本発明は、上述の点に鑑みて為されたもの
であって、洗浄装置が設置されているクリーンルームの
ダウンフローの乱れを低減して洗浄槽内へのダストの吸
い込みによる汚染を少なくすることを目的とする。
であって、洗浄装置が設置されているクリーンルームの
ダウンフローの乱れを低減して洗浄槽内へのダストの吸
い込みによる汚染を少なくすることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、次のように構成している。
を達成するために、次のように構成している。
【００１１】すなわち、請求項第１項記載の本発明は、
洗浄槽内で、被洗浄物に微細凍結粒子を気体と共に噴射
ノズルから高圧で噴射して前記被洗浄物を洗浄する洗浄
装置において、前記微細凍結粒子の噴射による噴流の巻
き上がりを抑制するために、前記洗浄槽の排気を行う送
風機と、前記送風機の回転速度を制御するインバータ
と、前記インバータを制御することにより、前記送風機
による排気量を、噴射ノズルの噴射量に応じた排気量に
する制御手段と、を備えている。
洗浄槽内で、被洗浄物に微細凍結粒子を気体と共に噴射
ノズルから高圧で噴射して前記被洗浄物を洗浄する洗浄
装置において、前記微細凍結粒子の噴射による噴流の巻
き上がりを抑制するために、前記洗浄槽の排気を行う送
風機と、前記送風機の回転速度を制御するインバータ
と、前記インバータを制御することにより、前記送風機
による排気量を、噴射ノズルの噴射量に応じた排気量に
する制御手段と、を備えている。
【００１２】また、請求項第２項記載の本発明は、洗浄
槽内で、被洗浄物に微細凍結粒子を気体と共に噴射ノズ
ルから高圧で噴射して前記被洗浄物を洗浄し、この洗浄
の際に前記微細凍結粒子の噴射による噴流の巻き上がり
を抑制するために、前記洗浄槽の排気を行う洗浄装置に
おける排気の制御方法であって、前記洗浄槽の排気量
を、噴射ノズルの噴射量に応じて制御するようにしてい
る。
槽内で、被洗浄物に微細凍結粒子を気体と共に噴射ノズ
ルから高圧で噴射して前記被洗浄物を洗浄し、この洗浄
の際に前記微細凍結粒子の噴射による噴流の巻き上がり
を抑制するために、前記洗浄槽の排気を行う洗浄装置に
おける排気の制御方法であって、前記洗浄槽の排気量
を、噴射ノズルの噴射量に応じて制御するようにしてい
る。
【００１３】
【作用】上記構成によれば、洗浄槽の排気量が、噴射ノ
ズルからの噴射量に対応した量に制御されるので、噴射
量の多少に拘わりなく、一定の排気量に制御される従来
例に比べて、洗浄装置が設置されているクリーンルーム
のダウンフローの乱れを低減して洗浄槽内へのダストの
吸い込みによる汚染を少なくすることが可能となる。
ズルからの噴射量に対応した量に制御されるので、噴射
量の多少に拘わりなく、一定の排気量に制御される従来
例に比べて、洗浄装置が設置されているクリーンルーム
のダウンフローの乱れを低減して洗浄槽内へのダストの
吸い込みによる汚染を少なくすることが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下、図面によって本発明の実施例につい
て、詳細に説明する。
て、詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施例の概略構成図で
あり、上述の従来例に対応する部分には、同一の参照符
を付す。
あり、上述の従来例に対応する部分には、同一の参照符
を付す。
【００１６】同図において、１は微細な凍結粒子を生成
する製氷部、２は冷却用液体窒素供給管、３は純水を噴
霧する噴霧ノズル、４は製氷部１内に生成された微細凍
結粒子、５はこの微細凍結粒子４を噴射する噴射ノズ
ル、６は被洗浄物である半導体ウェハ７を保持する保持
アーム、８は半導体ウェハ７を移動させるための移動機
構、９は洗浄槽、１０は排気ダクト、１１は洗浄槽排気
用の送風機（ブロワ）、１２は各部を制御する制御ユニ
ットであり、以上の構成は、従来例と基本的に同様であ
る。
する製氷部、２は冷却用液体窒素供給管、３は純水を噴
霧する噴霧ノズル、４は製氷部１内に生成された微細凍
結粒子、５はこの微細凍結粒子４を噴射する噴射ノズ
ル、６は被洗浄物である半導体ウェハ７を保持する保持
アーム、８は半導体ウェハ７を移動させるための移動機
構、９は洗浄槽、１０は排気ダクト、１１は洗浄槽排気
用の送風機（ブロワ）、１２は各部を制御する制御ユニ
ットであり、以上の構成は、従来例と基本的に同様であ
る。
【００１７】この実施例の洗浄装置では、該洗浄装置が
設置されているクリーンルームのダウンフローの乱れを
低減して洗浄槽９内へのダストの吸い込みによる汚染を
少なくするために、次のように構成している。
設置されているクリーンルームのダウンフローの乱れを
低減して洗浄槽９内へのダストの吸い込みによる汚染を
少なくするために、次のように構成している。
【００１８】すなわち、この実施例の洗浄装置は、排気
用の送風機１１の回転速度を制御するインバータ１３を
備えるとともに、噴射ノズル５の噴射量の制御などの一
連の制御を行う制御ユニット１２は、従来のオートダン
パ１４の制御に代えてインバータ１３を制御することに
より、送風機１１による排気量が、噴射ノズル５の噴射
量に応じた排気量となるようにしている。すなわち、噴
射ノズル５の噴射量の多少に応じて排気量としている。
用の送風機１１の回転速度を制御するインバータ１３を
備えるとともに、噴射ノズル５の噴射量の制御などの一
連の制御を行う制御ユニット１２は、従来のオートダン
パ１４の制御に代えてインバータ１３を制御することに
より、送風機１１による排気量が、噴射ノズル５の噴射
量に応じた排気量となるようにしている。すなわち、噴
射ノズル５の噴射量の多少に応じて排気量としている。
【００１９】次に、上記構成を有する洗浄装置の動作を
説明する。
説明する。
【００２０】断熱材で囲まれた製氷部１に、液体窒素を
液体窒素供給管２を介して供給し、内部で蒸発させるこ
とにより、製氷部１内を冷却する。製氷部１内が十分に
冷却された後、噴霧ノズル３から超純水を噴霧して微細
凍結粒子４を得る。こうして得られた微細凍結粒子４
を、気体の噴流によるエジェクター方式によって洗浄槽
９内に高圧で噴射する。こうして微細凍結粒子４を、保
持アーム６に保持された半導体ウェハ７に向けて噴射す
ることにより、半導体ウェハ７の表面を洗浄する。
液体窒素供給管２を介して供給し、内部で蒸発させるこ
とにより、製氷部１内を冷却する。製氷部１内が十分に
冷却された後、噴霧ノズル３から超純水を噴霧して微細
凍結粒子４を得る。こうして得られた微細凍結粒子４
を、気体の噴流によるエジェクター方式によって洗浄槽
９内に高圧で噴射する。こうして微細凍結粒子４を、保
持アーム６に保持された半導体ウェハ７に向けて噴射す
ることにより、半導体ウェハ７の表面を洗浄する。
【００２１】この洗浄の際に、排気用の送風機１１によ
り洗浄槽９の排気を行い、微細凍結粒子４の噴射に起因
する噴流の巻き上がりを防止するのであるが、この実施
例では、上述のように、制御ユニット１２は、インバー
タ１３を制御することにより、図２（Ａ），（Ｂ）の噴
射量と排気量とのタイミングチャートに示されるよう
に、排気量を、噴射ノズル５の噴射量に対応した量に制
御している。
り洗浄槽９の排気を行い、微細凍結粒子４の噴射に起因
する噴流の巻き上がりを防止するのであるが、この実施
例では、上述のように、制御ユニット１２は、インバー
タ１３を制御することにより、図２（Ａ），（Ｂ）の噴
射量と排気量とのタイミングチャートに示されるよう
に、排気量を、噴射ノズル５の噴射量に対応した量に制
御している。
【００２２】すなわち、本発明の洗浄装置および排気の
制御方法では、図２に示されるように、洗浄槽９の排気
量を、噴射ノズル５からの噴射量の多少に応じた量に制
御するので、図４に示される従来の排気の制御に比べ
て、洗浄装置が設置されているクリーンルームのダウン
フローの乱れを低減して洗浄槽の汚染を少なくすること
が可能となる
制御方法では、図２に示されるように、洗浄槽９の排気
量を、噴射ノズル５からの噴射量の多少に応じた量に制
御するので、図４に示される従来の排気の制御に比べ
て、洗浄装置が設置されているクリーンルームのダウン
フローの乱れを低減して洗浄槽の汚染を少なくすること
が可能となる
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、洗浄槽の
排気量が、噴射ノズルからの噴射量に対応した量に制御
されるので、噴射量の多少に拘わりなく、一定の排気量
に制御される従来例に比べて、洗浄装置が設置されてい
るクリーンルームのダウンフローの乱れを低減して洗浄
槽の汚染を少なくすることが可能となる。
排気量が、噴射ノズルからの噴射量に対応した量に制御
されるので、噴射量の多少に拘わりなく、一定の排気量
に制御される従来例に比べて、洗浄装置が設置されてい
るクリーンルームのダウンフローの乱れを低減して洗浄
槽の汚染を少なくすることが可能となる。
【図１】本発明の一実施例の概略構成図である。
【図２】図１の実施例の噴射量と排気量との関係を示す
タイミングチャートである。
タイミングチャートである。
【図３】従来例の概略構成図である。
【図４】従来例の噴射量と排気量との関係を示すタイミ
ングチャートである。
ングチャートである。
４ 微細凍結粒子 ５ 噴射ノズル ７ 半導体ウェハ（被洗浄物） ９ 洗浄槽 １１ 送風機 １２ 制御ユニット（制御手段） １３ インバータ
Claims (2)
- 【請求項１】 洗浄槽内で、被洗浄物に微細凍結粒子を
気体と共に噴射ノズルから高圧で噴射して前記被洗浄物
を洗浄する洗浄装置において、 前記微細凍結粒子の噴射による噴流の巻き上がりを抑制
するために、前記洗浄槽の排気を行う送風機と、 前記送風機の回転速度を制御するインバータと、 前記インバータを制御することにより、前記送風機によ
る排気量を、噴射ノズルの噴射量に応じた排気量にする
制御手段と、 を備えることを特徴とする洗浄装置。 - 【請求項２】 洗浄槽内で、被洗浄物に微細凍結粒子を
気体と共に噴射ノズルから高圧で噴射して前記被洗浄物
を洗浄し、この洗浄の際に前記微細凍結粒子の噴射によ
る噴流の巻き上がりを抑制するために、前記洗浄槽の排
気を行う洗浄装置における排気の制御方法であって、 前記洗浄槽の排気量を、噴射ノズルの噴射量に応じて制
御することを特徴とする洗浄装置における排気の制御方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21531491A JP2658653B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21531491A JP2658653B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555190A JPH0555190A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2658653B2 true JP2658653B2 (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=16670266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21531491A Expired - Lifetime JP2658653B2 (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | 洗浄装置および洗浄装置における排気の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2658653B2 (ja) |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21531491A patent/JP2658653B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555190A (ja) | 1993-03-05 |
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