JPH0463532B2 - - Google Patents
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- JPH0463532B2 JPH0463532B2 JP59005892A JP589284A JPH0463532B2 JP H0463532 B2 JPH0463532 B2 JP H0463532B2 JP 59005892 A JP59005892 A JP 59005892A JP 589284 A JP589284 A JP 589284A JP H0463532 B2 JPH0463532 B2 JP H0463532B2
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- coated
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 206010040925 Skin striae Diseases 0.000 description 10
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a) 発明の技術分野
本発明は、ホトリソグラフィ技術におけるレジ
スト塗布の方法に関す。
スト塗布の方法に関す。
(b) 技術の背景
半導体装置の主体をなす半導体チツプの製造に
おいて、ウエハ処理や該処理に必要なマスクなど
の製造に適用されるホトリソグラフイ技術にはレ
ジスト塗布の工程がある。
おいて、ウエハ処理や該処理に必要なマスクなど
の製造に適用されるホトリソグラフイ技術にはレ
ジスト塗布の工程がある。
レジスト塗布には、一般に、ウエハやマスク基
板など平板状の被塗布体を該被塗布体の表面に平
行に所定の速度で回転させて、該表面にレジスト
を所定の厚さに塗布する方法、所謂スピン処理法
が重要されているが、塗布の厚さを均一にするこ
とが重要である。
板など平板状の被塗布体を該被塗布体の表面に平
行に所定の速度で回転させて、該表面にレジスト
を所定の厚さに塗布する方法、所謂スピン処理法
が重要されているが、塗布の厚さを均一にするこ
とが重要である。
(c) 従来技術と問題点
第１図、第２図、第３図はレジストを塗布する
従来方法の一実施例の順序を示した平面図ａと側
面図ｂ、第４図はその時間的経過を示した図で、
１は被塗布体、２はスピンヘツド、３はノズル、
Ａはレジスト、Ｓ１，Ｓ２は回転速度、ａ，ｂ，
ｃ，ｄは時間をそれぞれ示す。
従来方法の一実施例の順序を示した平面図ａと側
面図ｂ、第４図はその時間的経過を示した図で、
１は被塗布体、２はスピンヘツド、３はノズル、
Ａはレジスト、Ｓ１，Ｓ２は回転速度、ａ，ｂ，
ｃ，ｄは時間をそれぞれ示す。
ウエハやマスク基板など平板状の被塗布体１に
レジストＡをスピン処理法で塗布する場合の作業
順序は次のとおりである。即ち、第１図図示のよ
うに、被塗布体を回転させるスピンヘツド２の上
に被塗布体１を載置して例えば真空チヤツクなど
により固定し、被塗布体１が静止している状態で
ノズル３から液状のレジストＡを被塗布体１表面
に滴下供給する。その後第２図図示のように、ス
ピンヘツド２の駆動により被塗布体１を低速回転
（回転速度S1、例えば役1000rpm）し、被塗布体
１上にあるレジストＡを被塗布体１表面の全面に
拡げる。続いて第３図図示のように、被塗布体１
を所定の高速回転（回転速度Ｓ２、例えば約
5000rpm）にし、余分なレジストＡを被塗布体１
の周辺に飛散させて、被塗布体１上のレジストＡ
の厚さを前記高速回転により最終的に到達する所
定の最終値（例えば約1μｍ）にする。
レジストＡをスピン処理法で塗布する場合の作業
順序は次のとおりである。即ち、第１図図示のよ
うに、被塗布体を回転させるスピンヘツド２の上
に被塗布体１を載置して例えば真空チヤツクなど
により固定し、被塗布体１が静止している状態で
ノズル３から液状のレジストＡを被塗布体１表面
に滴下供給する。その後第２図図示のように、ス
ピンヘツド２の駆動により被塗布体１を低速回転
（回転速度S1、例えば役1000rpm）し、被塗布体
１上にあるレジストＡを被塗布体１表面の全面に
拡げる。続いて第３図図示のように、被塗布体１
を所定の高速回転（回転速度Ｓ２、例えば約
5000rpm）にし、余分なレジストＡを被塗布体１
の周辺に飛散させて、被塗布体１上のレジストＡ
の厚さを前記高速回転により最終的に到達する所
定の最終値（例えば約1μｍ）にする。
この実施例操作の時間的経過は第４図図示の如
くで、レジストＡ供給の時間ａは約２秒、レジス
トＡ供給終了から低速回転開始までの時間ｂは約
１秒、低速回転の時間ｃは約２秒、高速回転の時
間ｄは約20秒である。
くで、レジストＡ供給の時間ａは約２秒、レジス
トＡ供給終了から低速回転開始までの時間ｂは約
１秒、低速回転の時間ｃは約２秒、高速回転の時
間ｄは約20秒である。
この方法で塗布されたレジストＡ膜を子細に観
察すると、表面に回転方向のうねり所謂脈理の存
在が認められる。この脈理の高さ（高い所と低い
所の高さの寸法差）は凡そ300〜500Åにも及び、
レジストＡ膜の厚さ約1μｍに対して３〜５％に
なる。そして、このような脈理の存在は、ウエハ
ないしマスクなどに形成するパターンに影響を与
え、例えば該パターンが線である場合には該線の
幅に太い所と細い所が生じて、半導体装置の特性
劣化に繋がる欠点を有する。
察すると、表面に回転方向のうねり所謂脈理の存
在が認められる。この脈理の高さ（高い所と低い
所の高さの寸法差）は凡そ300〜500Åにも及び、
レジストＡ膜の厚さ約1μｍに対して３〜５％に
なる。そして、このような脈理の存在は、ウエハ
ないしマスクなどに形成するパターンに影響を与
え、例えば該パターンが線である場合には該線の
幅に太い所と細い所が生じて、半導体装置の特性
劣化に繋がる欠点を有する。
(d) 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、平板状
の被塗布体を該被塗布体の表面に平行に所定の速
度で回転させて、該表面にレジストを所定の厚さ
に塗布するに際して、塗布された該レジストの膜
の表面に脈理が発生するのを防ぐレジスト塗布の
方法を提供するにある。
の被塗布体を該被塗布体の表面に平行に所定の速
度で回転させて、該表面にレジストを所定の厚さ
に塗布するに際して、塗布された該レジストの膜
の表面に脈理が発生するのを防ぐレジスト塗布の
方法を提供するにある。
(e) 発明の構成
上記目的は、平板状の被塗布体を所定の速度で
回転させて、該被塗布体の表面にレジストを所定
の厚さに塗布するに際して、前記表面に液状で供
給された前記レジストが前記回転の速度により到
達する厚さの最終値よりも前記所定の厚さを大き
く定めて、該レジストの厚さが該最終値に達する
以前の該所定の厚さに達した時に前記回転を止め
ることを特徴とするレジスト塗布方法によつて達
成される。
回転させて、該被塗布体の表面にレジストを所定
の厚さに塗布するに際して、前記表面に液状で供
給された前記レジストが前記回転の速度により到
達する厚さの最終値よりも前記所定の厚さを大き
く定めて、該レジストの厚さが該最終値に達する
以前の該所定の厚さに達した時に前記回転を止め
ることを特徴とするレジスト塗布方法によつて達
成される。
前記被塗布体の表面に供給されたレジストは、
中に含まれる溶剤が前記回転中に揮発して、厚さ
が前記最終値に近づく辺りから固化を始める。そ
して当該脈理の発生は、該揮発の微視的なむらに
よる固化のむらと回転による遠心力との組合せに
よるものと考えられる。そこで上記の如く該回転
を止めることによつて該レジストが固化を始める
前に該遠心力を除去し該脈理の発生を防ぐことが
可能になる。
中に含まれる溶剤が前記回転中に揮発して、厚さ
が前記最終値に近づく辺りから固化を始める。そ
して当該脈理の発生は、該揮発の微視的なむらに
よる固化のむらと回転による遠心力との組合せに
よるものと考えられる。そこで上記の如く該回転
を止めることによつて該レジストが固化を始める
前に該遠心力を除去し該脈理の発生を防ぐことが
可能になる。
(f) 発明の実施例
以下本発明の実施例を図により説明する。全図
を通じ同一符号は同一対象物を示す。
を通じ同一符号は同一対象物を示す。
第５図、第６図、第７図はレジストを塗布する
本発明による方法の一実施例の順序を示した平面
図ａと側面図ｂ、第８図はその時間的経過を示し
た図である。
本発明による方法の一実施例の順序を示した平面
図ａと側面図ｂ、第８図はその時間的経過を示し
た図である。
本発明の方法により被塗布体１にレジストＡを
塗布する場合の作業順序は従来例（第１図〜第３
図で図示）と比較して最終の高速回転を止めるタ
イミングが変わっている。
塗布する場合の作業順序は従来例（第１図〜第３
図で図示）と比較して最終の高速回転を止めるタ
イミングが変わっている。
即ち、第５図図示のように、被塗布体を回転さ
せるスピンヘツド２の上に被塗布体１を載置して
例えば真空チヤツクなどにより固定し、被塗布体
１が静止している状態でノズル３からレジストＡ
を被塗布体１表面に滴下供給する。その後第６図
図示のように、スピンヘツド２の駆動により被塗
布体１を低速回転（回転速度Ｓ１、例えば約
1000rpm）し、被塗布体１上にあるレジストＡを
被塗布体１表面の全面に拡げる。続いて第７図図
示のように、被塗布体１を所定の高速回転（回転
速度Ｓ２，例えば約5000rpm）にするところまで
は従来例と同様である。
せるスピンヘツド２の上に被塗布体１を載置して
例えば真空チヤツクなどにより固定し、被塗布体
１が静止している状態でノズル３からレジストＡ
を被塗布体１表面に滴下供給する。その後第６図
図示のように、スピンヘツド２の駆動により被塗
布体１を低速回転（回転速度Ｓ１、例えば約
1000rpm）し、被塗布体１上にあるレジストＡを
被塗布体１表面の全面に拡げる。続いて第７図図
示のように、被塗布体１を所定の高速回転（回転
速度Ｓ２，例えば約5000rpm）にするところまで
は従来例と同様である。
この高速回転により、余分なレジストＡが被塗
布体１の周辺に飛散して被塗布体１上のレジスト
Ａの厚さが次第に薄くなるが、一方では、レジス
トＡに含まれる溶剤の揮発が進み、前記厚さが略
最終値に近づく辺りからレジストＡの固化が始ま
る。そこで、本発明の方法においては、例えば前
記最終値が約1μｍである場合の所定の厚さを約
1.1μｍとするといつた具合に、レジストＡの塗布
すべき所定の厚さを前記最終値より若干大きなと
ころに定めて、レジストＡの厚さが前記最終値に
達する以前に高速回転を止め、その止める時点が
レジストＡの固化の始まる前になるようにする。
布体１の周辺に飛散して被塗布体１上のレジスト
Ａの厚さが次第に薄くなるが、一方では、レジス
トＡに含まれる溶剤の揮発が進み、前記厚さが略
最終値に近づく辺りからレジストＡの固化が始ま
る。そこで、本発明の方法においては、例えば前
記最終値が約1μｍである場合の所定の厚さを約
1.1μｍとするといつた具合に、レジストＡの塗布
すべき所定の厚さを前記最終値より若干大きなと
ころに定めて、レジストＡの厚さが前記最終値に
達する以前に高速回転を止め、その止める時点が
レジストＡの固化の始まる前になるようにする。
この実施例操作の時間的経過は第８図図示の如
くで、レジストＡ供給の時間ａは約２秒、レジス
トＡ供給終了から低速回転開始までの時間ｂは約
１秒、低速回転の時間ｃは約２秒で第４図の場合
と変わらず、最終の高速回転の時間ｄが約３秒と
なつている。
くで、レジストＡ供給の時間ａは約２秒、レジス
トＡ供給終了から低速回転開始までの時間ｂは約
１秒、低速回転の時間ｃは約２秒で第４図の場合
と変わらず、最終の高速回転の時間ｄが約３秒と
なつている。
本願の発明者は、この方法で塗布されたレジス
トＡ膜を子細に観察し、表面に脈理の発生が殆ど
認められないことを確認した。従来の方法の場合
に脈理が発生するのは、前述のレジストＡ固化の
際の溶剤揮発の微視的なむらと、この間に行われ
ている高速回転による遠心力との組合せによるも
の、即ち、被塗布体１表面において、先に固化し
た部分と未だ固化しない部分との間にレジストＡ
の移動に差が生ずるためと考えられる。従つて、
レジストＡが固化する前に高速回転を止めること
によつて、前記遠心力を除去し、問題の脈理発生
を防ぐことが可能になつたものである。
トＡ膜を子細に観察し、表面に脈理の発生が殆ど
認められないことを確認した。従来の方法の場合
に脈理が発生するのは、前述のレジストＡ固化の
際の溶剤揮発の微視的なむらと、この間に行われ
ている高速回転による遠心力との組合せによるも
の、即ち、被塗布体１表面において、先に固化し
た部分と未だ固化しない部分との間にレジストＡ
の移動に差が生ずるためと考えられる。従つて、
レジストＡが固化する前に高速回転を止めること
によつて、前記遠心力を除去し、問題の脈理発生
を防ぐことが可能になつたものである。
なお、上記例ではレジストＡの所定の厚さを約
1.1μｍとしたが、これを従来例の如く約1μｍとす
る場合には、高速回転の回転速度S2を上げて例
えば約6000rpmとすればよいことは、従来のS2の
設定方法から容易に類推可能である。
1.1μｍとしたが、これを従来例の如く約1μｍとす
る場合には、高速回転の回転速度S2を上げて例
えば約6000rpmとすればよいことは、従来のS2の
設定方法から容易に類推可能である。
(g) 発明の効果
以上に説明したように、本発明による構成によ
れば、平板状の被塗布体を該被塗布体の表面に平
行に所定の速度で回転させて、該表面にレジスト
を所定の厚さに塗布するに際して、塗布された該
レジストの膜の表面に脈理が発生するのを防ぐレ
ジスト塗布の方法を提供することが出来て、ウエ
ハないしマスクなどに形成するパターンの品質向
上を可能にさせ、これに伴う半導体装置の特性向
上を可能にさせる効果がある。
れば、平板状の被塗布体を該被塗布体の表面に平
行に所定の速度で回転させて、該表面にレジスト
を所定の厚さに塗布するに際して、塗布された該
レジストの膜の表面に脈理が発生するのを防ぐレ
ジスト塗布の方法を提供することが出来て、ウエ
ハないしマスクなどに形成するパターンの品質向
上を可能にさせ、これに伴う半導体装置の特性向
上を可能にさせる効果がある。
第１図，第２図，第３図はレジストを塗布する
従来方法の一実施例の順序を示した平面図ａと側
面図ｂ、第４図はその時間的経過を示した図、第
５図、第６図、第７図はレジストを塗布する本発
明による方法の一実施例の順序を示した平面図ａ
と側面図ｂ、第８図はその時間的経過を示した図
である。 図面において、１は被塗布体、２はスピンヘツ
ド、３はノズル、Ａはレジスト、Ｓ１，Ｓ２は回
転速度、ａ，ｂ，ｃ，ｄは時間をそれぞれ示す。
従来方法の一実施例の順序を示した平面図ａと側
面図ｂ、第４図はその時間的経過を示した図、第
５図、第６図、第７図はレジストを塗布する本発
明による方法の一実施例の順序を示した平面図ａ
と側面図ｂ、第８図はその時間的経過を示した図
である。 図面において、１は被塗布体、２はスピンヘツ
ド、３はノズル、Ａはレジスト、Ｓ１，Ｓ２は回
転速度、ａ，ｂ，ｃ，ｄは時間をそれぞれ示す。
Claims (1)
- １ 平板状の被塗布体を所定の速度で回転させ
て、該被塗布体の表面にレジストを所定の厚さに
塗布するに際して、前記表面に液状で供給された
前記レジストが前記回転の速度により到達する厚
さの最終値よりも前記所定の厚さを大きく定め
て、該レジストの厚さが該最終値に達する以前の
該所定の厚さに達した時に前記回転を止めること
を特徴とするレジスト塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP589284A JPS60149131A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | レジスト塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP589284A JPS60149131A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | レジスト塗布方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60149131A JPS60149131A (ja) | 1985-08-06 |
| JPH0463532B2 true JPH0463532B2 (ja) | 1992-10-12 |
Family
ID=11623545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP589284A Granted JPS60149131A (ja) | 1984-01-17 | 1984-01-17 | レジスト塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60149131A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6197923A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS6334925A (ja) * | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Nec Corp | フオトレジスト膜の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337708A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Yoshiichirou Suzuki | Method of producing ceramic basins jointed to natural dents |
| JPS5687471A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coating process |
-
1984
- 1984-01-17 JP JP589284A patent/JPS60149131A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5337708A (en) * | 1976-09-21 | 1978-04-07 | Yoshiichirou Suzuki | Method of producing ceramic basins jointed to natural dents |
| JPS5687471A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Coating process |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60149131A (ja) | 1985-08-06 |
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