JPS6191655A - ホトレジストの塗布方法 - Google Patents
ホトレジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPS6191655A JPS6191655A JP21263384A JP21263384A JPS6191655A JP S6191655 A JPS6191655 A JP S6191655A JP 21263384 A JP21263384 A JP 21263384A JP 21263384 A JP21263384 A JP 21263384A JP S6191655 A JPS6191655 A JP S6191655A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- coating
- substrate
- solvent
- film thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
- H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造に使用されるホトレジスト
の塗布方法に関するものである。
の塗布方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
近年、半導体装置の高集積化、高密度化にともない、超
微細パターンを形成するだめの光リングラフィ技術、特
に均一な・ぞターンを形成するために必要な均一なホト
レノスト膜を得るためのホトレジストの塗布方法が問題
となっている。
微細パターンを形成するだめの光リングラフィ技術、特
に均一な・ぞターンを形成するために必要な均一なホト
レノスト膜を得るためのホトレジストの塗布方法が問題
となっている。
従来、ホトレジストは、スピナー上に固定された基板、
たとえば、シリコン半導体基板上に２ないし３Ｃｒｎ３
滴下され、まずスピナーを３０ Ｏｒｐｍ程度の低速で
数秒間回転させ、その直後２０００ないし４０００ ｒ
ｐｍ程度の高速で３０ないし６０秒程度回転させること
により、塗布された。
たとえば、シリコン半導体基板上に２ないし３Ｃｒｎ３
滴下され、まずスピナーを３０ Ｏｒｐｍ程度の低速で
数秒間回転させ、その直後２０００ないし４０００ ｒ
ｐｍ程度の高速で３０ないし６０秒程度回転させること
により、塗布された。
しかしながら上記の例では、ホトレジストがスピナーの
回転により基板上を拡がっているときに、その溶剤が蒸
発するために、ホトレジストの粘度が変化し、そのため
ホトレジストの膜厚が不均一になる、いわゆるストリュ
ー２ヨン現象が生じる欠点があった。
回転により基板上を拡がっているときに、その溶剤が蒸
発するために、ホトレジストの粘度が変化し、そのため
ホトレジストの膜厚が不均一になる、いわゆるストリュ
ー２ヨン現象が生じる欠点があった。
第１図は、リンドープのＮ型シリコン基板上に、粘度３
０ ｃｐの４？ジ型のホトレジストを低速回伝３００
ｒｐｍで４秒、高速回転２０００ ｒｐｍで３０秒の条
件で塗布し、その後、９０℃で２０分間のプリ々−りを
施こした場合のホトレノスト膜の膜厚の不均一さを、表
面あらさ測定器で測定したもので、縦軸はホトレジスト
膜の膜厚の変動を表わし、横軸は距離を表わしている。
０ ｃｐの４？ジ型のホトレジストを低速回伝３００
ｒｐｍで４秒、高速回転２０００ ｒｐｍで３０秒の条
件で塗布し、その後、９０℃で２０分間のプリ々−りを
施こした場合のホトレノスト膜の膜厚の不均一さを、表
面あらさ測定器で測定したもので、縦軸はホトレジスト
膜の膜厚の変動を表わし、横軸は距離を表わしている。
この場合のホトレノスト膜の平均膜厚は約１．８μｍで
、膜厚の変動分は約±２５０にあり、平均膜厚に対して
約±１．４チゆらいでいる。
、膜厚の変動分は約±２５０にあり、平均膜厚に対して
約±１．４チゆらいでいる。
このストリエ−ション現象は半導体装置の微細化が進む
につれて重要な役割を演じ、ホトレジストの膜厚が不均
一であるため、均一に・ぞターン形成ができなかつたり
、あるいは、膜厚の不均一さがそのままエツチングの不
均一さに反映され、素子の特性を著しく劣化させる欠点
を有していた。
につれて重要な役割を演じ、ホトレジストの膜厚が不均
一であるため、均一に・ぞターン形成ができなかつたり
、あるいは、膜厚の不均一さがそのままエツチングの不
均一さに反映され、素子の特性を著しく劣化させる欠点
を有していた。
（発明の目的）
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、ストリエーショ
ン現象の発生を抑止するホトレジストの塗布方法を提供
することである。
ン現象の発生を抑止するホトレジストの塗布方法を提供
することである。
（発明の構成）
本発明のホトレノストの塗布方法は、ホトレノストを基
板上に塗布する際に、ホトレノストの溶剤を基板上に塗
布し、その後にホトレノストを塗布するものである。
板上に塗布する際に、ホトレノストの溶剤を基板上に塗
布し、その後にホトレノストを塗布するものである。
またホトレジストの溶剤として有機ｍ剤、アセト／を使
用するものである。
用するものである。
（実施例の説明）
本実施例においては、ホトレジストの溶剤としてアセト
ンを用いて説明する。リンドーグのＮ型シリコン基板上
に、まず、アセトンを約３ ｃｍ’ 滴下し、スピナー
を３０ Ｏｒｐｍで４秒、２００Ｏｒｐｍで４秒回転さ
せてアセ）ｙを塗布し、その直後ホトレジスト約２ｃｒ
ｎ を基板上に滴下し、スピナーを３０ Ｏｒｐｍで４
秒、２００ Ｏｒｐｍで３００秒回転せてホトレジスト
を塗布し、その後９０℃で２０分間のプリイークを施す
。この場合得られたホトレジストの平均膜厚は約１．７
μｍである。
ンを用いて説明する。リンドーグのＮ型シリコン基板上
に、まず、アセトンを約３ ｃｍ’ 滴下し、スピナー
を３０ Ｏｒｐｍで４秒、２００Ｏｒｐｍで４秒回転さ
せてアセ）ｙを塗布し、その直後ホトレジスト約２ｃｒ
ｎ を基板上に滴下し、スピナーを３０ Ｏｒｐｍで４
秒、２００ Ｏｒｐｍで３００秒回転せてホトレジスト
を塗布し、その後９０℃で２０分間のプリイークを施す
。この場合得られたホトレジストの平均膜厚は約１．７
μｍである。
第２図は、本実施例におけるホトレジスト膜の膜厚の不
均一さを表面あらさ測定器で°測定しだもので、縦軸は
ホトレジスト膜の膜厚の変動を表わし、横軸は距離を表
わしている。この場合、膜厚の変動分は約±７５Ｘであ
り、平均膜厚に対して約±０．４Ｌｆｂのゆらぎに留ま
っている。
均一さを表面あらさ測定器で°測定しだもので、縦軸は
ホトレジスト膜の膜厚の変動を表わし、横軸は距離を表
わしている。この場合、膜厚の変動分は約±７５Ｘであ
り、平均膜厚に対して約±０．４Ｌｆｂのゆらぎに留ま
っている。
以上のように、本実施例によれば、ホトレノストの溶剤
を塗布する工程を、ホトレジストを塗布する工程の前に
することにより、ホトレジスト膜のストリエーション現
象を非常に小さく抑えることができる。
を塗布する工程を、ホトレジストを塗布する工程の前に
することにより、ホトレジスト膜のストリエーション現
象を非常に小さく抑えることができる。
（発明の効果）
本発明によれば、ホトレジストの溶剤を塗布する工程を
ホトレジストを塗布する工程の前に設けることにより、
ホトレジスト膜のストリエーション現象を非常に小さく
抑えることができ、その実用的効果は犬である。
ホトレジストを塗布する工程の前に設けることにより、
ホトレジスト膜のストリエーション現象を非常に小さく
抑えることができ、その実用的効果は犬である。
第１図は従来のホトレジストの塗布方法で塗布したホト
レジスト膜の不均一さを示すチャート図、第２図は本発
明のホトレジストの塗布方法で塗布したホトレノストｆ
ｆＨの不均一さを示すチャート図である。
レジスト膜の不均一さを示すチャート図、第２図は本発
明のホトレジストの塗布方法で塗布したホトレノストｆ
ｆＨの不均一さを示すチャート図である。
Claims (3)
- （１）ホトレジストを基板上に塗布する際に、ホトレジ
ストの溶剤を基板上に塗布し、その後にホトレジストを
塗布することを特徴とするホトレジストの塗布方法。 - （２）ホトレジストの溶剤として有機溶剤を使用するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のホトレ
ジストの塗布方法。 - （３）ホトレジストの溶剤として、アセトンを使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のホト
レジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21263384A JPS6191655A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21263384A JPS6191655A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホトレジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191655A true JPS6191655A (ja) | 1986-05-09 |
Family
ID=16625887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21263384A Pending JPS6191655A (ja) | 1984-10-12 | 1984-10-12 | ホトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191655A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438172A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-08 | Kyodo Printing Co Ltd | Method for forming film |
| EP0403086A2 (en) * | 1989-06-14 | 1990-12-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving deposit of photoresist on wafers |
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
| EP0618504A2 (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US20180188600A1 (en) * | 2016-05-24 | 2018-07-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, method of producing the same, and display apparatus comprising the same |
-
1984
- 1984-10-12 JP JP21263384A patent/JPS6191655A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6438172A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-08 | Kyodo Printing Co Ltd | Method for forming film |
| EP0403086A2 (en) * | 1989-06-14 | 1990-12-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving deposit of photoresist on wafers |
| US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
| EP0618504A2 (en) * | 1993-03-25 | 1994-10-05 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| EP0618504A3 (en) * | 1993-03-25 | 1996-04-10 | Tokyo Electron Ltd | Method and device for applying a film. |
| US5658615A (en) * | 1993-03-25 | 1997-08-19 | Tokyo Electron Limited | Method of forming coating film and apparatus therefor |
| US20180188600A1 (en) * | 2016-05-24 | 2018-07-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, method of producing the same, and display apparatus comprising the same |
| US10816847B2 (en) * | 2016-05-24 | 2020-10-27 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel, method of producing the same, and display apparatus comprising the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH03502255A (ja) | ホトレジストを塗布した基体から望ましくない周辺部の材料（例えばエツジビーズ）を除去するための乳酸エチルとメチルエチルケトンとの特定混合物の使用 | |
| KR100835470B1 (ko) | 감광물질 도포 방법 | |
| JPS6191655A (ja) | ホトレジストの塗布方法 | |
| US20100247770A1 (en) | Method for applying coating liquid, method for forming coated film, method for forming a pattern by using the same, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP2616091B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0458167B2 (ja) | ||
| JPS63185028A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS60115224A (ja) | レジスト塗布方法 | |
| JPH046086B2 (ja) | ||
| JP2651192B2 (ja) | レジスト材料及びその製造方法 | |
| JPH05259063A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPH08330206A (ja) | フォトレジスト塗布方法、およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法、ならびにフォトレジスト塗布装置 | |
| JPS6074621A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| DE10356663A1 (de) | Übertragung von Strukturen bei der Herstellung von Bauelementen | |
| JPH0159575B2 (ja) | ||
| JPH07235479A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| KR100300072B1 (ko) | 반도체 장치의 반사방지막 형성방법 | |
| JP2586383B2 (ja) | 反射および干渉防止樹脂膜の形成方法 | |
| KR20030043128A (ko) | 반도체 소자의 감광막 도포 방법 | |
| KR100272521B1 (ko) | 반도체 소자의 포토레지스트 도포 방법 | |
| JPH03178371A (ja) | 回転塗布方法 | |
| KR19990056767A (ko) | 감광막 도포 방법 | |
| JPH05259049A (ja) | 半導体基板のスピンコーティング方法 | |
| JPH02307213A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100301800B1 (ko) | 초소형노즐제조방법 |