JPS62185322A - フオトレジスト塗布装置 - Google Patents
フオトレジスト塗布装置Info
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- JPS62185322A JPS62185322A JP2750886A JP2750886A JPS62185322A JP S62185322 A JPS62185322 A JP S62185322A JP 2750886 A JP2750886 A JP 2750886A JP 2750886 A JP2750886 A JP 2750886A JP S62185322 A JPS62185322 A JP S62185322A
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- JP
- Japan
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- wafer
- photoresist
- resist
- nozzle
- dropping
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 43
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 12
- 101150038956 cup-4 gene Proteins 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009987 spinning Methods 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフォトリソグラフィーにおいて、半導体ウェハ
ーの表面にフォトレジストを塗布する装置に関するもの
である。
ーの表面にフォトレジストを塗布する装置に関するもの
である。
従来、この種のフォトレジスト塗布装置は第２図に示す
ように吐出ノズル６よりフォトレジストを、スピンチャ
ック１上に真空吸着された半導体ウェハー２の表面に滴
下し、これを処理カップ４内で回転塗布するものである
。
ように吐出ノズル６よりフォトレジストを、スピンチャ
ック１上に真空吸着された半導体ウェハー２の表面に滴
下し、これを処理カップ４内で回転塗布するものである
。
上述した従来のフォトレジスト塗布方法はまず第３図の
様にウェハー２の中央部にフォトレジスト５を滴下し、
ウェハー面上にフォトレジストが盛られた状態とする。
様にウェハー２の中央部にフォトレジスト５を滴下し、
ウェハー面上にフォトレジストが盛られた状態とする。
次にウェハー２を回転させることにより、ウェハー上の
フォトレジストは遠心力の作用により広げられウェハー
全面がフォトレジストで覆れた状態となる（第４図）。
フォトレジストは遠心力の作用により広げられウェハー
全面がフォトレジストで覆れた状態となる（第４図）。
さらに回転を続けることによりフォトレジストが引き伸
ばされ、余分なフォトレジストは外周方向へ飛ばされる
ことでウェハー面上に所定の膜厚のフォトレジスト塗布
膜が形成される（第５図）。
ばされ、余分なフォトレジストは外周方向へ飛ばされる
ことでウェハー面上に所定の膜厚のフォトレジスト塗布
膜が形成される（第５図）。
この従来技術では第３図の段階で滴下されたフォトレジ
ストの内の大部分は所定の膜厚のフォトレジスト塗布膜
が形成されるまでの段階において飛ばされてしまうため
、フォトレジストの使用効率は極めて低いものとなって
いた。さらにウェハ−の大口径化に伴い、フォトレジス
トの消費量はさらに増大することから見ても、従来技術
ではどうしてもフォトレジストの使用量が高くなってし
まうという欠点がある。また、この塗布方法では、フォ
トレジストの滴下量を少なくし過ぎると、第４図の段階
におけるフォトレジスト量が不十分となるために、第５
図の段階において膜厚にばらつきを生じてしまう。
ストの内の大部分は所定の膜厚のフォトレジスト塗布膜
が形成されるまでの段階において飛ばされてしまうため
、フォトレジストの使用効率は極めて低いものとなって
いた。さらにウェハ−の大口径化に伴い、フォトレジス
トの消費量はさらに増大することから見ても、従来技術
ではどうしてもフォトレジストの使用量が高くなってし
まうという欠点がある。また、この塗布方法では、フォ
トレジストの滴下量を少なくし過ぎると、第４図の段階
におけるフォトレジスト量が不十分となるために、第５
図の段階において膜厚にばらつきを生じてしまう。
上記の理由から従来技術ではフォトレジストの使用量を
削減することが非常に困難であった。
削減することが非常に困難であった。
本発明の目的はフォトレジストの使用量を削減するフォ
トレジスト塗布装置を提供することにある。
トレジスト塗布装置を提供することにある。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は半導体ウェハーを回転させ、遠心力の作用によ
り該ウェハー上にフォトレジストを塗布する装置におい
てフォトレジストの滴下用ノズルに、フォトレジストを
微粒化して滴下する超音波スプレーノズルを用い、該超
音波スプレーノズルを半導体ウェハーの真上位置で該ウ
ェハーの半径方向に移動可能に設置したことを特徴とす
るフォトレジスト塗布装置である。
り該ウェハー上にフォトレジストを塗布する装置におい
てフォトレジストの滴下用ノズルに、フォトレジストを
微粒化して滴下する超音波スプレーノズルを用い、該超
音波スプレーノズルを半導体ウェハーの真上位置で該ウ
ェハーの半径方向に移動可能に設置したことを特徴とす
るフォトレジスト塗布装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図において、本発明のフォトレジスト塗布装置はフ
ォトレジスト滴下ノズルに、フォトレジストを微粒化し
て滴下する超音波スプレーノズル３を用い、該ノズル３
を半導体ウェハー２の真上位置で横移動機構７に吊下し
、該ノズル３をウェハー２の回転中心から周辺方向へウ
ェハーの半径以上の距離を超えて移動可能に設置したも
のである。４はスピンチャック１に吸着されたウェハー
２を収容する処理カップである。
ォトレジスト滴下ノズルに、フォトレジストを微粒化し
て滴下する超音波スプレーノズル３を用い、該ノズル３
を半導体ウェハー２の真上位置で横移動機構７に吊下し
、該ノズル３をウェハー２の回転中心から周辺方向へウ
ェハーの半径以上の距離を超えて移動可能に設置したも
のである。４はスピンチャック１に吸着されたウェハー
２を収容する処理カップである。
一実施例において、ノズル３により微粒子化されたフォ
トレジストは自由落下により半導体ウェハー表面に付着
するが、この場合にウェハーを回転させ、横移動機構７
によりノズル３をウェハー２の中心から半径方向に移動
させながらフォトレジストを噴霧させてウェハー２の全
面に塗布する。
トレジストは自由落下により半導体ウェハー表面に付着
するが、この場合にウェハーを回転させ、横移動機構７
によりノズル３をウェハー２の中心から半径方向に移動
させながらフォトレジストを噴霧させてウェハー２の全
面に塗布する。
本発明によれば、スプレーノズル３よりフォトレジスト
を微粒化してこれをウェハー２に噴霧し、かつノズル３
はウェハー２の半径方向に移動するから、ウェハー全面
をフォトレジストにより必要最小限の薄さで覆うことか
で・きる。
を微粒化してこれをウェハー２に噴霧し、かつノズル３
はウェハー２の半径方向に移動するから、ウェハー全面
をフォトレジストにより必要最小限の薄さで覆うことか
で・きる。
その後、ウェハー２をスピンチャック１により所定の回
転数でさらに回転させ、所望の厚さのフォトレジスト塗
布膜を形成させる。
転数でさらに回転させ、所望の厚さのフォトレジスト塗
布膜を形成させる。
したがって、本発明によれば、半導体ウェハー表面への
フォトレジストの滴下を移動式の超音波スプレーノズル
を用いて行うことにより、第３図に示す工程を省くこと
ができ、最初から第４図の工程から作用を開始すること
ができる。またこの場合において、適切な条件を設定す
ることによりフォトレジストの使用量と膜厚のばらつき
を最小限に抑制できる。
フォトレジストの滴下を移動式の超音波スプレーノズル
を用いて行うことにより、第３図に示す工程を省くこと
ができ、最初から第４図の工程から作用を開始すること
ができる。またこの場合において、適切な条件を設定す
ることによりフォトレジストの使用量と膜厚のばらつき
を最小限に抑制できる。
本発明は以上説明したように、ウェハー上に必要最小限
の膜厚でフォトレジストを塗布することができ、フォト
レジストの使用量を最小にでき、しかもノズルをウェハ
ーの半径方向に移動しながら塗布するので、膜厚のばら
つきを最大限に抑えることができる効果を有するもので
ある。
の膜厚でフォトレジストを塗布することができ、フォト
レジストの使用量を最小にでき、しかもノズルをウェハ
ーの半径方向に移動しながら塗布するので、膜厚のばら
つきを最大限に抑えることができる効果を有するもので
ある。
第１図は本発明のフォトレジスト塗布装置を示す縦断面
図、第２図は従来のレジスト塗布装置を示す断面図、第
３図は従来技術の方法によりウェハー表面番ごフォトレ
ジストを滴下直後の状態を示す図、第４図は第３図の状
態の後にウェハーを回転させた時の初期の状態を示す図
、第５図は回転塗布が完了しウェハー表面に所定のフォ
トレジスト塗布膜が形成された時の状態を示す図である
。 １・・・スピンチャック、２・・・半導体ウェハー、３
・・・・超音波スプレーノズル、４・・・処理カップ
、５・・・フォトレジスト。 第Ｓ図 第４図 第５図
図、第２図は従来のレジスト塗布装置を示す断面図、第
３図は従来技術の方法によりウェハー表面番ごフォトレ
ジストを滴下直後の状態を示す図、第４図は第３図の状
態の後にウェハーを回転させた時の初期の状態を示す図
、第５図は回転塗布が完了しウェハー表面に所定のフォ
トレジスト塗布膜が形成された時の状態を示す図である
。 １・・・スピンチャック、２・・・半導体ウェハー、３
・・・・超音波スプレーノズル、４・・・処理カップ
、５・・・フォトレジスト。 第Ｓ図 第４図 第５図
Claims (1)
- （１）半導体ウェハーを回転させ、遠心力の作用により
、該ウェハー上のフォトレジストに塗布する装置におい
て、フォトレジストの滴下用ノズルに、フォトレジスト
を微粒化して滴下する超音波スプレーノズルを用い、該
超音波スプレーノズルを半導体ウェハーの直上位置で該
ウェハーの半径方向に移動可能に設置したことを特徴と
するフォトレジスト塗布装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2750886A JPS62185322A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | フオトレジスト塗布装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2750886A JPS62185322A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | フオトレジスト塗布装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62185322A true JPS62185322A (ja) | 1987-08-13 |
Family
ID=12223073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2750886A Pending JPS62185322A (ja) | 1986-02-10 | 1986-02-10 | フオトレジスト塗布装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62185322A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157658A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Nippon Columbia Co Ltd | ホトレジストの塗布方法 |
| WO1995007764A1 (fr) * | 1993-09-14 | 1995-03-23 | Nordson Corporation | Procede de revetement par centrifugation et appareil utilise |
| EP0682988A1 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-22 | Xerox Corporation | Acoustic deposition of material layers |
| JP2005334810A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Alps Electric Co Ltd | スプレーコート装置及びスプレーコート方法 |
| CN101813889A (zh) * | 2010-03-15 | 2010-08-25 | 清华大学 | 液体材料薄膜的喷涂装置及其喷涂方法 |
| JP2016219791A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-22 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | 基材にコーティングを施すための装置及び方法 |
-
1986
- 1986-02-10 JP JP2750886A patent/JPS62185322A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03157658A (ja) * | 1989-11-16 | 1991-07-05 | Nippon Columbia Co Ltd | ホトレジストの塗布方法 |
| WO1995007764A1 (fr) * | 1993-09-14 | 1995-03-23 | Nordson Corporation | Procede de revetement par centrifugation et appareil utilise |
| EP0682988A1 (en) * | 1994-05-18 | 1995-11-22 | Xerox Corporation | Acoustic deposition of material layers |
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| JP4602699B2 (ja) * | 2004-05-28 | 2010-12-22 | アルプス電気株式会社 | スプレーコート装置及びスプレーコート方法 |
| CN101813889A (zh) * | 2010-03-15 | 2010-08-25 | 清华大学 | 液体材料薄膜的喷涂装置及其喷涂方法 |
| JP2016219791A (ja) * | 2015-04-08 | 2016-12-22 | ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＳｕｓｓ ＭｉｃｒｏＴｅｃ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ＧｍｂＨ | 基材にコーティングを施すための装置及び方法 |
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