JPH0451055B2 - - Google Patents
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- JPH0451055B2 JPH0451055B2 JP11307186A JP11307186A JPH0451055B2 JP H0451055 B2 JPH0451055 B2 JP H0451055B2 JP 11307186 A JP11307186 A JP 11307186A JP 11307186 A JP11307186 A JP 11307186A JP H0451055 B2 JPH0451055 B2 JP H0451055B2
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- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 4
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- -1 gold-aluminum Chemical compound 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05073—Single internal layer
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/05186—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2224/05187—Ceramics, e.g. crystalline carbides, nitrides or oxides
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係わり、特に半導体素
子上に形成されるボンデイングバツドの構造に関
するものである。
子上に形成されるボンデイングバツドの構造に関
するものである。
第５図は従来の半導体装置を構成する半導体素
子のボンデイングパツド部を示す断面図である。
同図において、１はシリコン基板、２はこの上に
形成されたフイールド酸化膜、３は二酸化硅素膜
（（PSG膜）、４はアルミニウム蒸着膜、５はアル
ミニウム蒸着膜４上のボンデイング部のみ開孔部
を設けた絶縁保護膜である。
子のボンデイングパツド部を示す断面図である。
同図において、１はシリコン基板、２はこの上に
形成されたフイールド酸化膜、３は二酸化硅素膜
（（PSG膜）、４はアルミニウム蒸着膜、５はアル
ミニウム蒸着膜４上のボンデイング部のみ開孔部
を設けた絶縁保護膜である。
従来の半導体装置は、以上のような構造を有し
ているので、PSG膜３中の不純物、特にリンの
アルミニウム膜４中への拡散が起こり、初期ボン
デイング性の低下、金−アルミニウム合金の早期
劣化あるいは水分の浸入により、リン酸が発生し
アルミニウム膜を腐食させる耐湿性不良を引き起
こすなどの問題点があつた。
ているので、PSG膜３中の不純物、特にリンの
アルミニウム膜４中への拡散が起こり、初期ボン
デイング性の低下、金−アルミニウム合金の早期
劣化あるいは水分の浸入により、リン酸が発生し
アルミニウム膜を腐食させる耐湿性不良を引き起
こすなどの問題点があつた。
本発明は、上記のような問題点を解決するため
になされたもので、初期ボンデイング性の低下を
防げるとともに、膜の界面を通じて浸入した水と
PSG膜中のリンとの反応を防止すことが出来、
さらに金−アルミニウム合金層に悪影響を及ぼす
リンの拡散を防ぐことが出来る半導体装置を得る
ことを目的とする。
になされたもので、初期ボンデイング性の低下を
防げるとともに、膜の界面を通じて浸入した水と
PSG膜中のリンとの反応を防止すことが出来、
さらに金−アルミニウム合金層に悪影響を及ぼす
リンの拡散を防ぐことが出来る半導体装置を得る
ことを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、リンを含有する二
酸化硅素膜とアルミニウム膜との間に、アルミニ
ウム膜の形状と同等もしくはそれよりも大きいチ
タンナイトライド膜を形成したものである。
酸化硅素膜とアルミニウム膜との間に、アルミニ
ウム膜の形状と同等もしくはそれよりも大きいチ
タンナイトライド膜を形成したものである。
本発明におけるチタンナイトライド膜は、
PSG膜中に含まれる不純物のアルミニウム膜へ
の拡散および水分の浸入を軽減させる。
PSG膜中に含まれる不純物のアルミニウム膜へ
の拡散および水分の浸入を軽減させる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を
付してある。同図において、リンを含有する
PSG膜３とボンデイングパツドを形成するアル
ミニウム膜４との間にはチタンナイトライド膜６
が形成配置されている。この場合、このチタンナ
イトライド膜６は第２図に平面図で示すようにア
ルミニウム膜４とほぼ同等の外形形状を有して形
成されている。
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を
付してある。同図において、リンを含有する
PSG膜３とボンデイングパツドを形成するアル
ミニウム膜４との間にはチタンナイトライド膜６
が形成配置されている。この場合、このチタンナ
イトライド膜６は第２図に平面図で示すようにア
ルミニウム膜４とほぼ同等の外形形状を有して形
成されている。
このような構成によれば、チタンナイトライド
膜６がバリアメタルとして作用し、PSG膜３中
に含有されているリン等の不純物のアルミニウム
膜４中への拡散を防止することができるととも
に、PSG膜３への水分の浸入を防止することが
できる。
膜６がバリアメタルとして作用し、PSG膜３中
に含有されているリン等の不純物のアルミニウム
膜４中への拡散を防止することができるととも
に、PSG膜３への水分の浸入を防止することが
できる。
第３図は本発明の他の実施例を示すボンデイン
グパツド部の要部断面図であり、前述の図と同一
部分には同一符号を付してある。同図において、
第１図と異なる点は、PSG膜３とアルミニウム
膜４との間に形成されるチタンナイトライド膜６
は、第４図に平面図で示すようにアルミニウム膜
４の外形形状よりも大きくして形成されている。
グパツド部の要部断面図であり、前述の図と同一
部分には同一符号を付してある。同図において、
第１図と異なる点は、PSG膜３とアルミニウム
膜４との間に形成されるチタンナイトライド膜６
は、第４図に平面図で示すようにアルミニウム膜
４の外形形状よりも大きくして形成されている。
このような構成によれば、PSG膜３中に含有
されているリン酸等の不純物のアルミニウム膜４
中への拡散およびPSG膜３への水分の浸入をさ
らに確実に防止することができる。
されているリン酸等の不純物のアルミニウム膜４
中への拡散およびPSG膜３への水分の浸入をさ
らに確実に防止することができる。
以上説明したように本発明によれば、ボンデイ
ングパツド部をPSG膜とアルミニウム膜との間
にチタンナイトライド膜を設けたことにより、
PSG膜中の不純物のアルミニウム膜への拡散お
よびPSG膜中への水分の浸入を防止できるので、
ボンデイング性の向上がはかれ、金−アルミニウ
ム接合部の早期劣化を防ぐことができ、したがつ
て半導体素子の長期にわたる信頼性を確保するこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
ングパツド部をPSG膜とアルミニウム膜との間
にチタンナイトライド膜を設けたことにより、
PSG膜中の不純物のアルミニウム膜への拡散お
よびPSG膜中への水分の浸入を防止できるので、
ボンデイング性の向上がはかれ、金−アルミニウ
ム接合部の早期劣化を防ぐことができ、したがつ
て半導体素子の長期にわたる信頼性を確保するこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
第１図は本発明による半導体装置の一実施例を
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図、第２図は第１図の要部平面図、第３図は本
発明の他の実施例を示す半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図、第４図は第３図の要部
平面図、第５図は従来の半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図である。 １……シリコン半導体基板、２……フイールド
酸化膜３……リンを含有する二酸硅素膜（PSG
膜）、４……アルミニウム膜、５……絶縁保護膜、
６……チタンナイトライド膜。
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図、第２図は第１図の要部平面図、第３図は本
発明の他の実施例を示す半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図、第４図は第３図の要部
平面図、第５図は従来の半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図である。 １……シリコン半導体基板、２……フイールド
酸化膜３……リンを含有する二酸硅素膜（PSG
膜）、４……アルミニウム膜、５……絶縁保護膜、
６……チタンナイトライド膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シリコン半導体基板上にフイールド酸化膜を
形成しさらにその上に形成されるリンを含有する
二酸化硅素膜とボンデイングパツドのアルミニウ
ム膜との間にチタンナイトライド膜を形成するこ
とを特徴とする半導体装置。 ２ チタンナイトライド膜をアルミニウム膜の外
形形状よりも大きく形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307186A JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11307186A JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62269332A JPS62269332A (ja) | 1987-11-21 |
| JPH0451055B2 true JPH0451055B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=14602755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11307186A Granted JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62269332A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6508601B2 (ja) | 2014-08-11 | 2019-05-08 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
| US11183412B2 (en) * | 2017-08-14 | 2021-11-23 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for joining quartz pieces and quartz electrodes and other devices of joined quartz |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11307186A patent/JPS62269332A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62269332A (ja) | 1987-11-21 |
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| JPH0139215B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |