JPH0451055B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に係わり、特に半導体素
子上に形成されるボンデイングバツドの構造に関
するものである。
子上に形成されるボンデイングバツドの構造に関
するものである。
第5図は従来の半導体装置を構成する半導体素
子のボンデイングパツド部を示す断面図である。
同図において、1はシリコン基板、2はこの上に
形成されたフイールド酸化膜、3は二酸化硅素膜
((PSG膜)、4はアルミニウム蒸着膜、5はアル
ミニウム蒸着膜4上のボンデイング部のみ開孔部
を設けた絶縁保護膜である。
子のボンデイングパツド部を示す断面図である。
同図において、1はシリコン基板、2はこの上に
形成されたフイールド酸化膜、3は二酸化硅素膜
((PSG膜)、4はアルミニウム蒸着膜、5はアル
ミニウム蒸着膜4上のボンデイング部のみ開孔部
を設けた絶縁保護膜である。
従来の半導体装置は、以上のような構造を有し
ているので、PSG膜3中の不純物、特にリンの
アルミニウム膜4中への拡散が起こり、初期ボン
デイング性の低下、金−アルミニウム合金の早期
劣化あるいは水分の浸入により、リン酸が発生し
アルミニウム膜を腐食させる耐湿性不良を引き起
こすなどの問題点があつた。
ているので、PSG膜3中の不純物、特にリンの
アルミニウム膜4中への拡散が起こり、初期ボン
デイング性の低下、金−アルミニウム合金の早期
劣化あるいは水分の浸入により、リン酸が発生し
アルミニウム膜を腐食させる耐湿性不良を引き起
こすなどの問題点があつた。
本発明は、上記のような問題点を解決するため
になされたもので、初期ボンデイング性の低下を
防げるとともに、膜の界面を通じて浸入した水と
PSG膜中のリンとの反応を防止すことが出来、
さらに金−アルミニウム合金層に悪影響を及ぼす
リンの拡散を防ぐことが出来る半導体装置を得る
ことを目的とする。
になされたもので、初期ボンデイング性の低下を
防げるとともに、膜の界面を通じて浸入した水と
PSG膜中のリンとの反応を防止すことが出来、
さらに金−アルミニウム合金層に悪影響を及ぼす
リンの拡散を防ぐことが出来る半導体装置を得る
ことを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、リンを含有する二
酸化硅素膜とアルミニウム膜との間に、アルミニ
ウム膜の形状と同等もしくはそれよりも大きいチ
タンナイトライド膜を形成したものである。
酸化硅素膜とアルミニウム膜との間に、アルミニ
ウム膜の形状と同等もしくはそれよりも大きいチ
タンナイトライド膜を形成したものである。
本発明におけるチタンナイトライド膜は、
PSG膜中に含まれる不純物のアルミニウム膜へ
の拡散および水分の浸入を軽減させる。
PSG膜中に含まれる不純物のアルミニウム膜へ
の拡散および水分の浸入を軽減させる。
以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説
明する。
明する。
第1図は本発明による半導体装置の一実施例を
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を
付してある。同図において、リンを含有する
PSG膜3とボンデイングパツドを形成するアル
ミニウム膜4との間にはチタンナイトライド膜6
が形成配置されている。この場合、このチタンナ
イトライド膜6は第2図に平面図で示すようにア
ルミニウム膜4とほぼ同等の外形形状を有して形
成されている。
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図であり、前述の図と同一部分には同一符号を
付してある。同図において、リンを含有する
PSG膜3とボンデイングパツドを形成するアル
ミニウム膜4との間にはチタンナイトライド膜6
が形成配置されている。この場合、このチタンナ
イトライド膜6は第2図に平面図で示すようにア
ルミニウム膜4とほぼ同等の外形形状を有して形
成されている。
このような構成によれば、チタンナイトライド
膜6がバリアメタルとして作用し、PSG膜3中
に含有されているリン等の不純物のアルミニウム
膜4中への拡散を防止することができるととも
に、PSG膜3への水分の浸入を防止することが
できる。
膜6がバリアメタルとして作用し、PSG膜3中
に含有されているリン等の不純物のアルミニウム
膜4中への拡散を防止することができるととも
に、PSG膜3への水分の浸入を防止することが
できる。
第3図は本発明の他の実施例を示すボンデイン
グパツド部の要部断面図であり、前述の図と同一
部分には同一符号を付してある。同図において、
第1図と異なる点は、PSG膜3とアルミニウム
膜4との間に形成されるチタンナイトライド膜6
は、第4図に平面図で示すようにアルミニウム膜
4の外形形状よりも大きくして形成されている。
グパツド部の要部断面図であり、前述の図と同一
部分には同一符号を付してある。同図において、
第1図と異なる点は、PSG膜3とアルミニウム
膜4との間に形成されるチタンナイトライド膜6
は、第4図に平面図で示すようにアルミニウム膜
4の外形形状よりも大きくして形成されている。
このような構成によれば、PSG膜3中に含有
されているリン酸等の不純物のアルミニウム膜4
中への拡散およびPSG膜3への水分の浸入をさ
らに確実に防止することができる。
されているリン酸等の不純物のアルミニウム膜4
中への拡散およびPSG膜3への水分の浸入をさ
らに確実に防止することができる。
以上説明したように本発明によれば、ボンデイ
ングパツド部をPSG膜とアルミニウム膜との間
にチタンナイトライド膜を設けたことにより、
PSG膜中の不純物のアルミニウム膜への拡散お
よびPSG膜中への水分の浸入を防止できるので、
ボンデイング性の向上がはかれ、金−アルミニウ
ム接合部の早期劣化を防ぐことができ、したがつ
て半導体素子の長期にわたる信頼性を確保するこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
ングパツド部をPSG膜とアルミニウム膜との間
にチタンナイトライド膜を設けたことにより、
PSG膜中の不純物のアルミニウム膜への拡散お
よびPSG膜中への水分の浸入を防止できるので、
ボンデイング性の向上がはかれ、金−アルミニウ
ム接合部の早期劣化を防ぐことができ、したがつ
て半導体素子の長期にわたる信頼性を確保するこ
とができるという極めて優れた効果が得られる。
第1図は本発明による半導体装置の一実施例を
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図、第2図は第1図の要部平面図、第3図は本
発明の他の実施例を示す半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図、第4図は第3図の要部
平面図、第5図は従来の半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図である。 1……シリコン半導体基板、2……フイールド
酸化膜3……リンを含有する二酸硅素膜(PSG
膜)、4……アルミニウム膜、5……絶縁保護膜、
6……チタンナイトライド膜。
示す半導体素子のボンデイングパツド部の要部断
面図、第2図は第1図の要部平面図、第3図は本
発明の他の実施例を示す半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図、第4図は第3図の要部
平面図、第5図は従来の半導体素子のボンデイン
グパツド部の要部断面図である。 1……シリコン半導体基板、2……フイールド
酸化膜3……リンを含有する二酸硅素膜(PSG
膜)、4……アルミニウム膜、5……絶縁保護膜、
6……チタンナイトライド膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 シリコン半導体基板上にフイールド酸化膜を
形成しさらにその上に形成されるリンを含有する
二酸化硅素膜とボンデイングパツドのアルミニウ
ム膜との間にチタンナイトライド膜を形成するこ
とを特徴とする半導体装置。 2 チタンナイトライド膜をアルミニウム膜の外
形形状よりも大きく形成したことを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11307186A JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11307186A JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62269332A JPS62269332A (ja) | 1987-11-21 |
JPH0451055B2 true JPH0451055B2 (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=14602755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11307186A Granted JPS62269332A (ja) | 1986-05-16 | 1986-05-16 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62269332A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6508601B2 (ja) | 2014-08-11 | 2019-05-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 半導体装置 |
US11183412B2 (en) * | 2017-08-14 | 2021-11-23 | Watlow Electric Manufacturing Company | Method for joining quartz pieces and quartz electrodes and other devices of joined quartz |
-
1986
- 1986-05-16 JP JP11307186A patent/JPS62269332A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62269332A (ja) | 1987-11-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |