JPS6334938A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置に関し、特に半導体素子上のポン
ディングパッド部の構造に関するものである。
ディングパッド部の構造に関するものである。
第５図は従来のポンディングパッド部の構造を示す断面
図であり、１はシリコンからなる半導体基板、２はこの
上に形成され之フィールド酸化膜、３はリンを含む二酸
化ケイ素膜（ＰＳＧ膜）、４は蒸着に工り形成したアル
ミニウム膜、５はアルミニウム膜４上のボンディング部
の入開口を設は次絶縁保護膜である。
図であり、１はシリコンからなる半導体基板、２はこの
上に形成され之フィールド酸化膜、３はリンを含む二酸
化ケイ素膜（ＰＳＧ膜）、４は蒸着に工り形成したアル
ミニウム膜、５はアルミニウム膜４上のボンディング部
の入開口を設は次絶縁保護膜である。
従来の半導体装置は以上の工つな構造を有しているので
、ＰＳＧ膜中の不純物、特に、ガラスの融点を下げ、カ
バリングを良くする友めに添加されるリンのアルミニウ
ム膜中への拡散が起こりやすく、リンの影響による初期
ボンディング性の低下、あるいはボンディングワイヤを
構成する金とアルミニウムとの合金層の高温時の早期劣
化、水分の侵入によりリン酸が発生しアルミニウムを腐
食させるという耐湿性不良現象などの不具合を引敦起こ
す問題点を有してい友。
、ＰＳＧ膜中の不純物、特に、ガラスの融点を下げ、カ
バリングを良くする友めに添加されるリンのアルミニウ
ム膜中への拡散が起こりやすく、リンの影響による初期
ボンディング性の低下、あるいはボンディングワイヤを
構成する金とアルミニウムとの合金層の高温時の早期劣
化、水分の侵入によりリン酸が発生しアルミニウムを腐
食させるという耐湿性不良現象などの不具合を引敦起こ
す問題点を有してい友。
この発明は上記のような問題点全解消するためになされ
友もので、初期ボンディング性の低下を防ぐことができ
るとともに、膜の界面を通じて侵入し几水とＰＳＧ膜中
のリンとの反応を防止することができ、さらに金−アル
ミニウム合金層に悪影響を及ぼすリンの拡散を抑えるこ
とができる半導体装置を得ることを目的とする。
友もので、初期ボンディング性の低下を防ぐことができ
るとともに、膜の界面を通じて侵入し几水とＰＳＧ膜中
のリンとの反応を防止することができ、さらに金−アル
ミニウム合金層に悪影響を及ぼすリンの拡散を抑えるこ
とができる半導体装置を得ることを目的とする。
本発明に係る半導体装置は、リンを含有する二酸化ケイ
素膜とアルミニウム膜との中間に、アルミニウム膜と同
等以上の外形寸法を有するチタンナイトライド膜または
モリブデンシリサイド膜等のリン拡散防止膜を介在させ
皮ものである。
素膜とアルミニウム膜との中間に、アルミニウム膜と同
等以上の外形寸法を有するチタンナイトライド膜または
モリブデンシリサイド膜等のリン拡散防止膜を介在させ
皮ものである。
チタンナイトライドまタハモリブデンシリサイド等のリ
ン拡酸防止膜が、二酸化ケイ素膜からアルミニウム膜へ
のリンの拡散に対し、バリアとして作用する。
ン拡酸防止膜が、二酸化ケイ素膜からアルミニウム膜へ
のリンの拡散に対し、バリアとして作用する。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。第
１図において、１はシリコンからなる半導体基板、２は
フィールド酸化膜、３はリンを含有する二酸化ケイ素膜
（ＰＳＧ膜）、６１−ｊ：フィールド酸化膜２とＰＳＧ
膜３との間に形成されたドープトポリシリコン膜、７Ｖ
ｉＰＳＧ膜３とアルミニウム膜４との中間に、リンの拡
散に対するバリアメタルとして設は几リン拡散防止膜で
、モリブデンシリサイド膜からなる。第１図では、この
モリブデンシリサイド膜からなるリン拡散防止膜１とア
ルミニウム膜４との外形寸法を、筆２図の平面図に示す
ように同等としである。
１図において、１はシリコンからなる半導体基板、２は
フィールド酸化膜、３はリンを含有する二酸化ケイ素膜
（ＰＳＧ膜）、６１−ｊ：フィールド酸化膜２とＰＳＧ
膜３との間に形成されたドープトポリシリコン膜、７Ｖ
ｉＰＳＧ膜３とアルミニウム膜４との中間に、リンの拡
散に対するバリアメタルとして設は几リン拡散防止膜で
、モリブデンシリサイド膜からなる。第１図では、この
モリブデンシリサイド膜からなるリン拡散防止膜１とア
ルミニウム膜４との外形寸法を、筆２図の平面図に示す
ように同等としである。
上記構成において、ポンディングパッドとしてのアルミ
ニウム膜４の、ＰＳＧ膜３に接する側の下面は、当該ア
ルミニウム膜４と同等の大きさを有するリン拡散防止膜
７によって完全に覆われている。このため、ＰＳＧ［３
に含まれるリンのアルミニウム膜４中への拡散がこのリ
ン拡散防止膜７によって阻止される。
ニウム膜４の、ＰＳＧ膜３に接する側の下面は、当該ア
ルミニウム膜４と同等の大きさを有するリン拡散防止膜
７によって完全に覆われている。このため、ＰＳＧ［３
に含まれるリンのアルミニウム膜４中への拡散がこのリ
ン拡散防止膜７によって阻止される。
なお、ポリシリコン膜６は、ワイヤボンディング時に半
導体基板１に過大な衝撃が加わることのないように、こ
の衝撃を緩和するために設は之もである。本実施例では
、図では省略し之が、他のゲート等の内部配線と同一工
程で形成し几結果、一定の不純物をドープしｔポリシリ
コン膜となっているが、特にこれに限定されるものでは
ない。
導体基板１に過大な衝撃が加わることのないように、こ
の衝撃を緩和するために設は之もである。本実施例では
、図では省略し之が、他のゲート等の内部配線と同一工
程で形成し几結果、一定の不純物をドープしｔポリシリ
コン膜となっているが、特にこれに限定されるものでは
ない。
第３図は本発明の他の実施例を示すポンディングパッド
部の断面図である。基本的な構造は第１図と同じである
が、モリブデンシリサイド膜からなるリン拡散防止膜７
Ａの大きさをアルミニウム膜４工り太き（し友ものであ
る。その関係ヲ第４図の平面図に示すが、上述し友と同
様の効果を有することはいうまでもない。
部の断面図である。基本的な構造は第１図と同じである
が、モリブデンシリサイド膜からなるリン拡散防止膜７
Ａの大きさをアルミニウム膜４工り太き（し友ものであ
る。その関係ヲ第４図の平面図に示すが、上述し友と同
様の効果を有することはいうまでもない。
モリブデンシリサイド膜の代りに、チタンナイトライド
膜、あるいはこれらを積層してなる膜等を用いても、同
様に二酸化ケイ素膜３からアルミニウム膜４へのリンの
拡散を防止することができる。
膜、あるいはこれらを積層してなる膜等を用いても、同
様に二酸化ケイ素膜３からアルミニウム膜４へのリンの
拡散を防止することができる。
以上の工うに、本発明によれば、ポンディングパッド部
の構造を、ＰＳＧ膜とアルミニウム膜との中間にチタン
ナイトライド膜ま之はモリブデンシリサイド膜等のリン
拡散防止膜を介在させた構成にしたので、ポンディング
性の向上が計れ、金−アルミニウム接合部の早期劣化を
防ぐことが出来る几め、半導体素子の長期信頼性を確保
することが可能になる。
の構造を、ＰＳＧ膜とアルミニウム膜との中間にチタン
ナイトライド膜ま之はモリブデンシリサイド膜等のリン
拡散防止膜を介在させた構成にしたので、ポンディング
性の向上が計れ、金−アルミニウム接合部の早期劣化を
防ぐことが出来る几め、半導体素子の長期信頼性を確保
することが可能になる。
第１図は本発明の一実施例を示すポンディングパッド部
の断面図、第２図はその平面図、簗３図は本発明の他の
実施例を示すポンディングパッド部の断面図、第４図は
その平面図、第５図は従来例を示す断面図である。 １・・・・半導体基板、３・・・・リンを含有する二ば
化ケイ素膜（ＰＳＧ膜）、４・・・・アルミニウム［０
，７，７Ａ・・・・モリブデンシリサイド膜からなるリ
ン拡散防止原。 なお、図中、同一符号は同一ま之は相当部分を示す。
の断面図、第２図はその平面図、簗３図は本発明の他の
実施例を示すポンディングパッド部の断面図、第４図は
その平面図、第５図は従来例を示す断面図である。 １・・・・半導体基板、３・・・・リンを含有する二ば
化ケイ素膜（ＰＳＧ膜）、４・・・・アルミニウム［０
，７，７Ａ・・・・モリブデンシリサイド膜からなるリ
ン拡散防止原。 なお、図中、同一符号は同一ま之は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）半導体基板上にリンを含有する二酸化ケイ素膜を
介して形成されたボンディングパッドのアルミニウム膜
を有する半導体装置において、上記二酸化ケイ素膜とア
ルミニウム膜との中間に、アルミニウム膜以上の外形寸
法を有するリン拡散防止膜を介在させたことを特徴とす
る半導体装置。 - （２）リン拡散防止膜は、チタンナイトライドまたはモ
リブデンシリサイドの少なくとも一方からなることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17953186A JPS6334938A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17953186A JPS6334938A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334938A true JPS6334938A (ja) | 1988-02-15 |
Family
ID=16067382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17953186A Pending JPS6334938A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334938A (ja) |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP17953186A patent/JPS6334938A/ja active Pending
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