JPS6367750A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS6367750A JPS6367750A JP21311986A JP21311986A JPS6367750A JP S6367750 A JPS6367750 A JP S6367750A JP 21311986 A JP21311986 A JP 21311986A JP 21311986 A JP21311986 A JP 21311986A JP S6367750 A JPS6367750 A JP S6367750A
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- H01L2924/04941—TiN
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に係シ、特に半導体素子上のボンデ
ィングパッドの構造に関するものである。
ィングパッドの構造に関するものである。
従来、この種の半導体装置は、そのボンディングパッド
部分の断面および平面図をそれぞれ第３図、第４図に示
すように、回路素子が組み込まれたシリコン基板１の上
にフィールド酸化膜２およびリンを含有する二酸化硅素
膜（以下、ＰＳＧｇと称す）４を順次形成したうえ、と
のＰＳＧＳ導膜に蒸着などによシアルミニウム（以下、
Ａｔと記す）膜５を形成する。そして、これをパターニ
ングした後、絶縁保護膜６を被着してそのＡｔ膜膜上上
ボンディング部のみを開孔させるととによシ、この開孔
されたＡｔ膜５をボンディングパッドとして金（Ａｕ）
などのリード線（図示せず）にてボンディングするもの
と々つている。なお、同図中、６ａは絶縁保護膜６に設
けられた開孔部である。
部分の断面および平面図をそれぞれ第３図、第４図に示
すように、回路素子が組み込まれたシリコン基板１の上
にフィールド酸化膜２およびリンを含有する二酸化硅素
膜（以下、ＰＳＧｇと称す）４を順次形成したうえ、と
のＰＳＧＳ導膜に蒸着などによシアルミニウム（以下、
Ａｔと記す）膜５を形成する。そして、これをパターニ
ングした後、絶縁保護膜６を被着してそのＡｔ膜膜上上
ボンディング部のみを開孔させるととによシ、この開孔
されたＡｔ膜５をボンディングパッドとして金（Ａｕ）
などのリード線（図示せず）にてボンディングするもの
と々つている。なお、同図中、６ａは絶縁保護膜６に設
けられた開孔部である。
Ｌかｌ−１従来の半導体装置は以−Ｈのよう力構造を有
しているので、ＰＳＧ膜４中の不純物特にリンのＡｔ膜
５中への拡散が起ζシ易く、このリンの影響による初期
ボンディング性の低下、あるいは金−Ａ１合金層の高温
時の早期劣化、水分の侵入によシリン酸が発生してＡｔ
を腐食させる耐温性不良現象などを引き起こすという問
題点があった。
しているので、ＰＳＧ膜４中の不純物特にリンのＡｔ膜
５中への拡散が起ζシ易く、このリンの影響による初期
ボンディング性の低下、あるいは金−Ａ１合金層の高温
時の早期劣化、水分の侵入によシリン酸が発生してＡｔ
を腐食させる耐温性不良現象などを引き起こすという問
題点があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされた
もので、その目的は、ボンディングパッドにＡｔを用い
る際にそのＡ４膜へのリンの拡散を抑制することべよシ
、信頼性を向上させた半導体装置を提供するととＫある
。
もので、その目的は、ボンディングパッドにＡｔを用い
る際にそのＡ４膜へのリンの拡散を抑制することべよシ
、信頼性を向上させた半導体装置を提供するととＫある
。
本発明に係る半導体装置は、シリコン基板上に形成され
たフィールド酸化膜の表面にチタンナイトライド膜もし
くはポリシリコン膜を設置し、このチタンナイトライド
膜もしくはポリシリコン膜の上にリンを含有する二酸化
硅素膜を設置して、この二酸化硅素膜のボンディング部
のみをエッチングにより除去して開孔部を設け、前記チ
タンナイトライド膜もしくはポリシリコン膜上にＡｔ膜
を設置して、そのＡｔｉのボンディングバッド部の周囲
をエッチングにより除去したうえ、とのλを膜の周囲部
を絶縁保護膜にて被覆させて該Ａｔ膜と前記二酸化硅素
膜を分離するようにしたものである。
たフィールド酸化膜の表面にチタンナイトライド膜もし
くはポリシリコン膜を設置し、このチタンナイトライド
膜もしくはポリシリコン膜の上にリンを含有する二酸化
硅素膜を設置して、この二酸化硅素膜のボンディング部
のみをエッチングにより除去して開孔部を設け、前記チ
タンナイトライド膜もしくはポリシリコン膜上にＡｔ膜
を設置して、そのＡｔｉのボンディングバッド部の周囲
をエッチングにより除去したうえ、とのλを膜の周囲部
を絶縁保護膜にて被覆させて該Ａｔ膜と前記二酸化硅素
膜を分離するようにしたものである。
本発明においては、ボンディングパラ）’ｍ／７）Ａｔ
膜の下にチタンナイトライド膜もしくはポリシリコン膜
を設け、とのＡｔＨの周囲のリンを含有する二酸化硅素
膜つ！、ｊｊ） ＰＳＧ膜を除去することにょシ、前記
ｈｔｇとＰＳＧ膜は分離されて接触することがなく々シ
、ＰＳＧ膜中のリンのＡｔ膜への拡散を防ぐことができ
る。
膜の下にチタンナイトライド膜もしくはポリシリコン膜
を設け、とのＡｔＨの周囲のリンを含有する二酸化硅素
膜つ！、ｊｊ） ＰＳＧ膜を除去することにょシ、前記
ｈｔｇとＰＳＧ膜は分離されて接触することがなく々シ
、ＰＳＧ膜中のリンのＡｔ膜への拡散を防ぐことができ
る。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置のボンディ
ングパッド部分の概略断面図で、第２図はその平面図で
ある。この実施例では、シリコン基板１上に形成された
フィールド酸化膜２の表面にチタンナイトライド膜３を
形成し、このチタンナイトライド膜３の上Ｋ ＰＳＧＳ
導膜形成する。そして、このＰＳＧＳ導膜ボンディング
部のみをエッチングにより除去して開孔部４ａを施した
うえ、この開孔部４ａを含むＰＳＧｌ１４の上にＡｔ！
ＭＳを被着する。次いで、このＡｔ膜５を所定形状にパ
ターニングしてそのボンディング部の外周部およびそれ
に対応するチタンナイトライド膜３０部分をエッチング
により除去した後、その上に肥縁保９８６を被着して、
この膜６のボンディングパッドとなる部分を開孔させる
ことによシ、第１図に示すように、ＡｔＨ５の周囲部を
絶縁保護膜６にて被覆せしめて該Ａｔ膜５とＰＳＧＳ導
膜分離するようにしたものである。なお、図中、同一符
号は同一または相当部分を示している。
ングパッド部分の概略断面図で、第２図はその平面図で
ある。この実施例では、シリコン基板１上に形成された
フィールド酸化膜２の表面にチタンナイトライド膜３を
形成し、このチタンナイトライド膜３の上Ｋ ＰＳＧＳ
導膜形成する。そして、このＰＳＧＳ導膜ボンディング
部のみをエッチングにより除去して開孔部４ａを施した
うえ、この開孔部４ａを含むＰＳＧｌ１４の上にＡｔ！
ＭＳを被着する。次いで、このＡｔ膜５を所定形状にパ
ターニングしてそのボンディング部の外周部およびそれ
に対応するチタンナイトライド膜３０部分をエッチング
により除去した後、その上に肥縁保９８６を被着して、
この膜６のボンディングパッドとなる部分を開孔させる
ことによシ、第１図に示すように、ＡｔＨ５の周囲部を
絶縁保護膜６にて被覆せしめて該Ａｔ膜５とＰＳＧＳ導
膜分離するようにしたものである。なお、図中、同一符
号は同一または相当部分を示している。
このように上記実施例によると、Ａｔ膜５の下地処理と
してフィールド酸化膜２との中間に、Ａｔ膜５と同郷の
外周を有するチタンナイトライド膜３を設け、ＰＳＧｉ
４はボンディングパッドとしてのＡｔ膜５の下には形成
することなく、さらにボンディングパッドの周囲をエツ
チングにょシ除去することＫよシ、Ａ４膜５とＰＳＧ展
４とが接融することはなくなる。これによって、ｐｓｃ
ｇＪ中のリンのＡ４膜５中への拡散がなくなシ、そのリ
ンの影響による初期ボンディング性の低下を防止できる
とともに、膜の界面を通じて侵入する水とｐｓＧｉＪ中
のリンとの反応を抑制すること力；できる。
してフィールド酸化膜２との中間に、Ａｔ膜５と同郷の
外周を有するチタンナイトライド膜３を設け、ＰＳＧｉ
４はボンディングパッドとしてのＡｔ膜５の下には形成
することなく、さらにボンディングパッドの周囲をエツ
チングにょシ除去することＫよシ、Ａ４膜５とＰＳＧ展
４とが接融することはなくなる。これによって、ｐｓｃ
ｇＪ中のリンのＡ４膜５中への拡散がなくなシ、そのリ
ンの影響による初期ボンディング性の低下を防止できる
とともに、膜の界面を通じて侵入する水とｐｓＧｉＪ中
のリンとの反応を抑制すること力；できる。
さらに、ボンディング部の金−Ａｔ合金層に悪影響を及
ぼすリンの拡散を抑えることができるなど、長期的信頼
性の向上がはかれる利点を奏する。
ぼすリンの拡散を抑えることができるなど、長期的信頼
性の向上がはかれる利点を奏する。
なお、上記実施例ではＡｔ膜５の下にチタンナイトライ
ド膜３を設けた場合であったが、このチタンナイトライ
ド膜３の代シにポリシリコン膜を設けても、上記実施例
と同様の効果を得ることができる。
ド膜３を設けた場合であったが、このチタンナイトライ
ド膜３の代シにポリシリコン膜を設けても、上記実施例
と同様の効果を得ることができる。
以上のように本発明によれば、ボンディングパッドの構
造を、Ａｔ膜の下にチタンナイトライド膜もしくはポリ
シリコン膜を設け、その人を膜の周囲のＰＳＧ膜を除去
することにより該ＡｔＭとＰＳＧ膜が接触しないように
構成したので、ボンディング性の向上が計れるとともに
、金−Ａｔ接合部の早期劣化を防ぐことができ、これに
よって、半導体素子の長期信頼性を確保することができ
る効果がある。
造を、Ａｔ膜の下にチタンナイトライド膜もしくはポリ
シリコン膜を設け、その人を膜の周囲のＰＳＧ膜を除去
することにより該ＡｔＭとＰＳＧ膜が接触しないように
構成したので、ボンディング性の向上が計れるとともに
、金−Ａｔ接合部の早期劣化を防ぐことができ、これに
よって、半導体素子の長期信頼性を確保することができ
る効果がある。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置のボンディ
ングパッド部を示す要部断面図、第２図は第１図の平面
図、第３図は従来の半導体装置のボンディングパッド部
の要部断面図、第４図は第３図の平面図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・フィールド酸化膜
、３・・・・チタンナイトライド膜、４・・・・ＰＳＧ
膜、４ａ・・・・開孔部、５・・・・アルミニウム（Ａ
Ｚ）膜、６・・・・絶縁保護膜、６ａ ・・・・開孔部
。
ングパッド部を示す要部断面図、第２図は第１図の平面
図、第３図は従来の半導体装置のボンディングパッド部
の要部断面図、第４図は第３図の平面図である。 １・・・・シリコン基板、２・・・・フィールド酸化膜
、３・・・・チタンナイトライド膜、４・・・・ＰＳＧ
膜、４ａ・・・・開孔部、５・・・・アルミニウム（Ａ
Ｚ）膜、６・・・・絶縁保護膜、６ａ ・・・・開孔部
。
Claims (1)
- アルミニウム膜をボンディングパッドとして用いる半導
体装置において、シリコン基板上に形成されたフィール
ド酸化膜の表面にチタンナイトライド膜もしくはポリシ
リコン膜を設置し、このチタンナイトライド膜もしくは
ポリシリコン膜の上にリンを含有する二酸化硅素膜を設
置して、この二酸化硅素膜のボンディング部のみをエッ
チングにより除去して開孔部を設け、前記チタンナイト
ライド膜もしくはポリシリコン膜上にアルミニウム膜を
設置してそのアルミニウム膜のボンディングパッド部の
周囲をエッチングにより除去したうえ、このアルミニウ
ム膜の周囲部を絶縁保護膜にて被覆させて該アルミニウ
ム膜と前記二酸化硅素膜を分離するようにしたことを特
徴とする半導体装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21311986A JPS6367750A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
| US07/094,645 US4824801A (en) | 1986-09-09 | 1987-09-09 | Method of manufacturing aluminum bonding pad with PSG coating |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21311986A JPS6367750A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6367750A true JPS6367750A (ja) | 1988-03-26 |
Family
ID=16633895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21311986A Pending JPS6367750A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6367750A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239558A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 集版読取り用平面型イメージスキャナ |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21311986A patent/JPS6367750A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01239558A (ja) * | 1988-03-22 | 1989-09-25 | Toppan Printing Co Ltd | 集版読取り用平面型イメージスキャナ |
| JPH07118764B2 (ja) * | 1988-03-22 | 1995-12-18 | 凸版印刷株式会社 | 集版読取り用平面型イメージスキャナ |
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