JPH0565055B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特に半導体素
子上のボンデイングパツド部の構造に関するもの
である。
子上のボンデイングパツド部の構造に関するもの
である。
第３図は従来のボンデイングパツド部の構造を
示す断面図であり、１はシリコンからなる半導体
基板、２はこの上に形成されたフイールド酸化
膜、３はリンを含む二酸化ケイ素膜（PSG膜）、
４はアルミニウム膜、５はアルミニウム膜４上の
ボンデイング部のみ開口を設けた絶縁保護膜であ
る。
示す断面図であり、１はシリコンからなる半導体
基板、２はこの上に形成されたフイールド酸化
膜、３はリンを含む二酸化ケイ素膜（PSG膜）、
４はアルミニウム膜、５はアルミニウム膜４上の
ボンデイング部のみ開口を設けた絶縁保護膜であ
る。
従来の半導体装置は以上のような構造を有して
いるので、PSG膜中の不純物、特に、ガラスの
融点を下げ、カバリングを良くするために添加さ
れるリンのアルミニウム膜中への拡散が起こりや
すく、リンの影響による初期ボンデイング性の低
下、あるいはボンデイングワイヤを構成する金と
アルミニウムとの合金層の高温時の早期劣化、水
分の侵入によりリン酸が発生しアルミニウムを腐
食させるという耐湿性不良現象などの不具合を引
き起こす問題点を有していた。
いるので、PSG膜中の不純物、特に、ガラスの
融点を下げ、カバリングを良くするために添加さ
れるリンのアルミニウム膜中への拡散が起こりや
すく、リンの影響による初期ボンデイング性の低
下、あるいはボンデイングワイヤを構成する金と
アルミニウムとの合金層の高温時の早期劣化、水
分の侵入によりリン酸が発生しアルミニウムを腐
食させるという耐湿性不良現象などの不具合を引
き起こす問題点を有していた。
この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、初期ボンデイング性の低下を
防ぐことができるとともに、膜の界面を通じて侵
入した水とPSG膜中のリンとの反応を抑制する
ことができ、さらに金−アルミニウム合金層に悪
影響を及ぼすリンの拡散を抑えることができる半
導体装置およびそのための製造方法を得ることを
目的とする。
になされたもので、初期ボンデイング性の低下を
防ぐことができるとともに、膜の界面を通じて侵
入した水とPSG膜中のリンとの反応を抑制する
ことができ、さらに金−アルミニウム合金層に悪
影響を及ぼすリンの拡散を抑えることができる半
導体装置およびそのための製造方法を得ることを
目的とする。
本発明に係る半導体装置は、リンを含有する二
酸化ケイ素膜に開口を設け、この開口内にポリシ
リコン膜を形成し、この上チタンナイトライド膜
またはモリブデンシリサイド膜等のリン拡散防止
膜を形成し、このリン酸拡散防止膜上にボンデイ
ングパツドのアルミニウム膜を形成したものであ
る。
酸化ケイ素膜に開口を設け、この開口内にポリシ
リコン膜を形成し、この上チタンナイトライド膜
またはモリブデンシリサイド膜等のリン拡散防止
膜を形成し、このリン酸拡散防止膜上にボンデイ
ングパツドのアルミニウム膜を形成したものであ
る。
また本発明に係る半導体装置の製造方法は、ボ
ンデイングパツド形成部にポリシリコン膜を形成
し、この上にリン拡散防止膜を形成した後、これ
を覆つてリンを含有する二酸化ケイ素膜を形成
し、次いでエツチングによりボンデイングパツド
形成部の上記二酸化ケイ素膜を除去し、露出した
上記リン拡散防止膜上にアルミニウム膜を形成す
るものである。
ンデイングパツド形成部にポリシリコン膜を形成
し、この上にリン拡散防止膜を形成した後、これ
を覆つてリンを含有する二酸化ケイ素膜を形成
し、次いでエツチングによりボンデイングパツド
形成部の上記二酸化ケイ素膜を除去し、露出した
上記リン拡散防止膜上にアルミニウム膜を形成す
るものである。
アルミニウム膜の下にはリンを含む二酸化ケイ
素膜がなく、またチタンナイトライドまたはモリ
ブデンシリサイド等のリン拡散防止膜がバリアと
して作用するため、二酸化ケイ素膜内のリンがア
ルミニウム膜へ拡散することが阻止される。
素膜がなく、またチタンナイトライドまたはモリ
ブデンシリサイド等のリン拡散防止膜がバリアと
して作用するため、二酸化ケイ素膜内のリンがア
ルミニウム膜へ拡散することが阻止される。
以下、本発明の一実施例を第１図（断面図）お
よび第２図（平面図）を用いて説明する。第１図
において、１はシリコンからなる半導体基板、２
はフイールド酸化膜、３はリンを含有する二酸化
ケイ素膜（PSG膜）、４はアルミニウム膜、５は
絶縁保護膜、６はフイールド酸化膜２とアルミニ
ウム膜４との間に設けられたポリシリコ膜、７は
同じくリン拡散防止膜であり、モリブデンシリサ
イド膜からなる。
よび第２図（平面図）を用いて説明する。第１図
において、１はシリコンからなる半導体基板、２
はフイールド酸化膜、３はリンを含有する二酸化
ケイ素膜（PSG膜）、４はアルミニウム膜、５は
絶縁保護膜、６はフイールド酸化膜２とアルミニ
ウム膜４との間に設けられたポリシリコ膜、７は
同じくリン拡散防止膜であり、モリブデンシリサ
イド膜からなる。
このような構造は、次のようにして形成され
る。半導体基板上にフイールド酸化膜２を形成し
た後、選択的にポリシリコン膜６およびリン拡散
防止膜７を形成し、その上にリンを含有する二酸
化ケイ素膜３を前面に形成する。次いでエツチン
グによりリン拡散防止膜７上の二酸化ケイ素膜３
に開口を形成し、この開口内に露出した上記リン
拡散防止膜７上に、蒸着によりアルミニウム膜４
を形成する。その後、アルミニウム膜４上に開口
を有する絶縁保護膜５を形成する。
る。半導体基板上にフイールド酸化膜２を形成し
た後、選択的にポリシリコン膜６およびリン拡散
防止膜７を形成し、その上にリンを含有する二酸
化ケイ素膜３を前面に形成する。次いでエツチン
グによりリン拡散防止膜７上の二酸化ケイ素膜３
に開口を形成し、この開口内に露出した上記リン
拡散防止膜７上に、蒸着によりアルミニウム膜４
を形成する。その後、アルミニウム膜４上に開口
を有する絶縁保護膜５を形成する。
上記構成において、ボンデイングパツドとして
のアルミニウム膜４の下面は、リン拡散防止膜７
によつて覆われ、PSG膜３とは、外縁部におい
てわずかに接するのみで、アルミニウム膜４の下
方にはPSG膜３は存在しない。このため、PSG
膜３に含まれるリンのアルミニウム膜４中への拡
散はほとんど生じず、外縁部から拡散したとして
も、実際にボンデイングされる中央部から遠いた
め不具合を生じない。
のアルミニウム膜４の下面は、リン拡散防止膜７
によつて覆われ、PSG膜３とは、外縁部におい
てわずかに接するのみで、アルミニウム膜４の下
方にはPSG膜３は存在しない。このため、PSG
膜３に含まれるリンのアルミニウム膜４中への拡
散はほとんど生じず、外縁部から拡散したとして
も、実際にボンデイングされる中央部から遠いた
め不具合を生じない。
なお、ポリシリコン膜６は、ワイヤボンデイン
グ時に半導体基板１に過大な衝撃が加わることの
ないように、この衝撃を緩和するために設けたも
のである。このポリシリコン膜は、図では省略し
たが、他のゲート等の内部配線と同一工程で形成
することにより、特に工程数を増加させることは
ない。
グ時に半導体基板１に過大な衝撃が加わることの
ないように、この衝撃を緩和するために設けたも
のである。このポリシリコン膜は、図では省略し
たが、他のゲート等の内部配線と同一工程で形成
することにより、特に工程数を増加させることは
ない。
モリブデンシリサイド膜の代りに、チタンナイ
トライド膜、あるいはこれらを積層してなる膜等
を用いても、同様に二酸化ケイ素膜３からアルミ
ニウム膜４へのリンの拡散を防止することができ
る。
トライド膜、あるいはこれらを積層してなる膜等
を用いても、同様に二酸化ケイ素膜３からアルミ
ニウム膜４へのリンの拡散を防止することができ
る。
以上のように、本発明によればボンデイングパ
ツド部の構造を、アルミニウム膜の下のチタンナ
イトライド膜またはモリブデンシリサイド膜等の
リン拡散防止膜を設け、しかもこれらアルミニウ
ム膜およびリン拡散防止膜の下にはPSG膜がな
いような構成にしたので、ボンデイング性の向上
が計れるとともに、金−アルミニウム接合部の早
期劣化を防ぐことができるため、半導体素子の長
期的信頼性を確保することが可能となる。
ツド部の構造を、アルミニウム膜の下のチタンナ
イトライド膜またはモリブデンシリサイド膜等の
リン拡散防止膜を設け、しかもこれらアルミニウ
ム膜およびリン拡散防止膜の下にはPSG膜がな
いような構成にしたので、ボンデイング性の向上
が計れるとともに、金−アルミニウム接合部の早
期劣化を防ぐことができるため、半導体素子の長
期的信頼性を確保することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示すボンデイング
パツド部の断面図、第２図はその平面図、第３図
は従来例を示す断面図、第４図はその平面図であ
る。 １……半導体基板、３……リンを含有する二酸
化ケイ素膜（PSG膜）、４……アルミニウム膜、
７……モリブデンシリサイド膜からなるリン拡散
防止膜。なお、図中、同一符号は同一または相当
部分を示す。
パツド部の断面図、第２図はその平面図、第３図
は従来例を示す断面図、第４図はその平面図であ
る。 １……半導体基板、３……リンを含有する二酸
化ケイ素膜（PSG膜）、４……アルミニウム膜、
７……モリブデンシリサイド膜からなるリン拡散
防止膜。なお、図中、同一符号は同一または相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に形成された、ボンデイングパ
ツド部に開口を有するリンを含有する二酸化ケイ
素膜と、この二酸化ケイ素膜の上記開口内に形成
されたポリシリコン膜と、このポリシリコン膜上
に形成されたリン拡散防止膜と、このリン拡散防
止膜上に形成されたボンデイングパツドのアルミ
ニウム膜とを有することを特徴とする半導体装
置。 ２ リン拡散防止膜はチタンナイトライドまたは
モリブデンシリサイドの少なくとも一方からなる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半
導体装置。 ３ 半導体基板上のボンデイングパツド形成部に
ポリシリコン膜を形成する工程と、このポリシリ
コン膜上にリン拡散防止膜を形成する工程と、こ
のリン拡散防止膜を覆つて半導体基板上にリンを
含有する二酸化ケイ素膜を形成する工程と、エツ
チングによりボンデイングパツド形成部の上記二
酸化ケイ素膜を除去する工程と、この除去部分に
露出した上記リン拡散防止膜上にアルミニウム膜
を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17953286A JPS6334939A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17953286A JPS6334939A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6334939A JPS6334939A (ja) | 1988-02-15 |
| JPH0565055B2 true JPH0565055B2 (ja) | 1993-09-16 |
Family
ID=16067398
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17953286A Granted JPS6334939A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6334939A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0814018B2 (ja) * | 1987-12-14 | 1996-02-14 | アルミニウム カンパニー オブ アメリカ | アルミニウム合金の熱処理方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219741A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体装置 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP17953286A patent/JPS6334939A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58219741A (ja) * | 1982-06-15 | 1983-12-21 | Nippon Gakki Seizo Kk | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6334939A (ja) | 1988-02-15 |
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