JPH0445513B2 - - Google Patents

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JPH0445513B2
JPH0445513B2 JP1249363A JP24936389A JPH0445513B2 JP H0445513 B2 JPH0445513 B2 JP H0445513B2 JP 1249363 A JP1249363 A JP 1249363A JP 24936389 A JP24936389 A JP 24936389A JP H0445513 B2 JPH0445513 B2 JP H0445513B2
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JP
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methyl
butyldimethylsilyloxyethyl
enyl
prop
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JP1249363A
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Arupejiaani Maruko
Bedesuki Anjero
Fuorio Mauritsuio
Furansesuki Joanni
Peroone Etsutore
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Pfizer Italia SRL
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Farmitalia Carlo Erba SRL
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Publication of JPH0445513B2 publication Critical patent/JPH0445513B2/ja
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    • C07D499/88Compounds with a double bond between positions 2 and 3 and a carbon atom having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. an ester or nitrile radical, directly attached in position 2
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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    • C07D513/00Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00
    • C07D513/02Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms, not provided for in groups C07D463/00, C07D477/00 or C07D499/00 - C07D507/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D513/04Ortho-condensed systems
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
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    • C07F7/1804Compounds having Si-O-C linkages
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、一般式() 〔式中、R1は1〜12個の炭素原子を有するアル
キル基であつて1個またはそれ以上のヒドロキ
シ、アミノ、シアノおよび/またはメルカプト基
によつて場合により置換された基(ここで、ヒド
ロキシ、アミノおよびメルカプト基は遊離であつ
てもまたは保護されていてもよい)であり、R2
は水素原子またはカルボキシ保護基であり、そし
てYはハロゲン原子である〕 で表される(6R)配位を有する2−チアセフエ
ム誘導体の新規な製造法に関する。 一般式()において、好適なアルキル基R1
はメチルおよびエチル特に後者でありそしてこの
ような基に対する好適な置換分は遊離または保護
されていてもよいヒドロキシ基である。6S、8R
または6R、8S配置の1−ヒドロキシエチル基が
最も好適なものである。 カルボキシ保護基R2は、−COO−部分と共にエ
ステル化されたカルボキシ基を形成するいずれの
基であつてもよい。カルボキシ保護基の例は特に
1〜6個の炭素原子を有するアルキル基例えばメ
チル、エチルまたはt−ブチル、1〜6個の炭素
原子を有するハロ置換アルキル基例えば2,2,
2−トリクロロエチル、2〜4個の炭素原子を有
するアルケニル基例えばアリル、場合によつては
置換されているアリール基例えばフエニルおよび
p−ニトロフエニル、アリール置換アルキル基
(そのアルキル部分は1〜6個の炭素原子を有し
そしてそのアリール部分は場合によつては置換さ
れている)例えばベンジル、p−ニトロベンジル
およびp−メトキシベンジル、アリールオキシ置
換アルキル基(そのアルキル部分は1〜6個の炭
素原子を有す)例えばフエノキシメチルまたはベ
ンズヒドリル、o−ニトロベンズヒドリル、アセ
トニル、トリメチルシリル、ジフエニル−t−ブ
チル−シリルおよびジメチル−t−ブチル−シリ
ルのような基を包含する。カルボキシ保護基とし
てのR2の定義はまた、生体内で加水分解するこ
とが知られているエステルでありそして有利な薬
力学的性質を有しているアセトキシメチル、ピバ
ロイルオキシメチルまたはフタリジルのようなす
べての残基を包含する。 ハロゲン原子Yは、好適には弗素、塩素または
臭素原子である。 場合により存在するアミノ、ヒドロキシまたは
メルカプト保護基は、これらの官能分に対してペ
ニシリンおよびセフアロスポリンの化学において
普通使用されているものである。これらは例えば
場合によつては置換されている、特にハロ置換さ
れているアシル基例えばアセチル、モノクロロア
セチル、ジクロロアセチル、トリフルオロアセチ
ル、ベンゾイルまたはp−ブロモフエナシル、ト
リアリールメチル基特にトリフエニルメチル、シ
リル基特にトリメチルシリル、ジメチル−t−ブ
チルシリル、ジフエニル−t−ベチルシリルまた
はt−ブトキシカルボニル、p−ニトロベンジル
オキシカルボニル、2,2,2−トリクロロエト
キシカルボニル、ベンジル、ピラニルおよびニト
ロのような基であり得る。特にR1置換分が、ヒ
ドロキシアルキル基である場合は、ヒドロキシ官
能分に対する好適な保護基はp−ニトロベンジル
オキシカルボニル、ジメチル−t−ブチル−シリ
ル、ジフエニル−t−ブチルシリル、トリメチル
シリル、2,2,2−トリクロロエトキシカルボ
ニル、ベンジル、p−ブロモ−フエナシル、トリ
フエニルメチルおよびピラニルである。アルコキ
シ、アルキルチオおよびアシルオキシ基の脂肪族
炭化水素部分を包含するアルキルおよびアルケニ
ル基はすべて有枝鎖状または直鎖状である。 さらに詳しくは、本発明は次式 (式中、R1およびR2は前述の定義を有する)の
化合物をハロゲン化することを特徴とする上記式
()を有する2−チアセフエム誘導体の製造法
に関する。 本発明はまた、式() 〔式中、R1およびR2は前述の定義を有し、そし
てZは () 式SR7(式中、R7は1〜8個の炭素原子を
有するアルキル基、フエニルまたはトリル基ま
たは複素環式環である)の基、 () 式SCOR8(式中、R8は場合によつては置換
されている低級アルキル基である)の基、 () 式【式】 (式中、R9およびR10は独立して低級アルキル
またはアリール基であるかまたはジカルボキシ
アミノ基と共に複素環を形成する)の基、また
は () 式【式】 (式中、R7は場合によつては置換されている
低級アルキルまたはアリール基である)の基を
示す〕 の化合物をオゾン分解して式() (式中、R1、R2およびZは前述の定義を有する) の化合物を得、そのヒドロキシ基をL基に変換せ
しめて式() (式中、R1およびR2は前述の定義を有し、そし
てLはハロゲン原子、アルカンスルホニルオキシ
基またはアレンスルホニルオキシ基である) の化合物を得、次にこの化合物をH2Sと有機塩基
または無機塩基との塩で処理することにより環化
せしめて次式 (式中、R1およびR2は前述の定義を有する) の化合物を得、そしてこの化合物をハロゲン化す
ることを特徴とする上記式()を有する2−チ
アセフエム誘導体の製造法に関する。 すなわち、本発明によれば、上記式()の化
合物は次の反応図式に示される方法によつて製造
することができる。 式中、R1、R2およびYは前述した通りであり、
Zは () 式SR7(式中、R7は1〜8個の炭素原子を
有するアルキル基、フエニルまたはトリル基ま
たは好適には複素環式基を示す)の基特に2−
ベンゾチアゾリルチオまたは1−メチル−テト
ラゾール−5−イル−チオ基、 () 式SCOR8(式中、R8は場合によつては置換
されている低級アルキル基好適にはメチル基を
示す)の基、 () 式【式】 (式中、R9およびR10は独立して低級アルキル
またはアリール基を示すかまたはジカルボキシ
アミノ基と一緒になつて複素環式環好適にはス
クシンイミドまたはフタルイミド基を形成す
る)の基、または () 式【式】 (式中、R7は場合によつては置換されている
低級アルキルまたはアリール基好適にはメチ
ル、フエニルまたp−トリル基を示す)の基 を示し、そしてLはハロゲン原子、アルカンスル
ホニルオキシ基またはアレンスルホニルオキシ基
好適にはメタンスルホニルオキシ基を示す。 出発物質として使用される式()の化合物
は、既知化合物であるかまたはそれ自体既知の操
作方法によつて既知化合物から得ることができ
る。若干の代表的な化合物の製造は例に示されて
いる。 式()の化合物をはじめに加オゾン分解せし
めて式()の化合物を得る。次にヒドロキシ基
を基Lに変換しそして得られた式()の化合物
を環化してYが水素原子を示す一般式()の化
合物を得る。最後にメチル基をハロゲン化せしめ
てYがハロゲンを示す一般式()の化合物を得
る。 一般式()の化合物におけるハロゲン原子Y
は、場合によつてハロゲン原子以外の任意の他の
基に変換することができる。 相当するケト互変異性体と平衡にあるエノール
()中のヒドロキシ基の基Lへの変換は、好適
にはメシル化である。本発明者等は、驚くべきこ
とには、この反応が偏在的に使用されているハロ
ゲン化炭化水素の代わりにテトラヒドロフラン中
で実施される場合は次の環化に対して最も適当し
た化合物であるZアルケン配置を有するメシレー
ト()が殆どもつぱら得られるということを見
出した〔ジクロロメタン中で遂行される同様な変
換は普通E、Z異性体の1:1混合物を与える、
「Can.J.Chem.」第55巻第2873頁(1977)、「J.
Chem.Soc.Chem.Comm.」1981年第947頁および
「J.Chem.Soc.Chem.Comm.」1979年第663頁参
照〕。化合物()の環化は単一の工程において
Na2S、NaHS、Bu4NHSのようなスルフイドま
たはヒドロスルフイドとの反応またはトリエチル
アミンまたはピリジンのような塩基の存在下にお
けるH2Sとの反応によつて実施することができ
る。ZがSR7以外の基を示す化合物()の環化
は、普通クロマトグラフイー分離または重金属塩
(Ag+、Pb2+)としての沈殿を必要とする副生成
物R3SH(例えばメルカプトベンズチアゾール)
の代わりに容易に分離できる普通水溶性の副生成
物ZH(例えばフエニルスルフイン酸、スクシンイ
ミド)を放出する明らかな利点を与える。 本発明によれば、ジスルフイド部分の存在にも
関わらず、化合物()(Y=H)の3−メチル
基をハロゲン化することにより、高度に活性なペ
ネム抗生物質の合成において有用な中間体である
化合物()(Y=ハロゲン)を高収率で得るこ
とができる。このような変換において好適なハロ
ゲン化試薬はN−ブロモスクシンイミドでありそ
してこのものは20〜130℃の範囲の温度でベンゼ
ンまたは四塩化炭素、蟻酸エチルのような溶剤中
でエポキシド(例えば酸化プロピレン)、アルカ
リ土類金属酸化物(例えば酸化カルシウム)また
は分子ふるいのような酸掃去剤の存在下において
アゾビスイソブチロニトリルまたは過酸化ベンゾ
イルのようなラジカル誘起剤の存在下で使用され
る。 化合物()(Y=ハロゲン)はそれ自体既知
の反応によつて化合物()〔式中、Yは (a) 遊離または保護された水酸基; (b) ハロゲン原子によつて、2〜6個の炭素原子
を有するアシル基によつて、あるいは場合によ
り保護されたアミノ、ヒドロキシもしくはメル
カプト基によつて場合により置換されたホルミ
ルオキシ基または2〜6個の炭素原子を有する
アシルオキシ基; (c) 非置換もしくはN−アルキル置換カルバモイ
ルオキシ基; (d) 1〜12個の炭素原子を有するアルコキシ基ま
たは1〜12個の炭素原子を有するアルキルチオ
基であつていずれの基も1またはそれ以上のハ
ロゲン原子、ホルミル基、2〜6個の炭素原子
を有するアシル基および/または場合により保
護されたアミノ、ヒドロキシもしくはメルカプ
ト基によつて場合により置換された基; (e) トリアリールメチルチオ;または (f) 式−S−Hetを有する複素環チオ基(但し
Hetは少なくとも1個の酸素、硫黄および/ま
たは窒素のヘテロ原子を含む飽和もしくは不飽
和の複素環を意味し、 (A) 少なくとも1つの2重結合および少なくと
も1つの酸素、硫黄および/または窒素のヘ
テロ原子を有し、下記(a′)〜(f′)の基の
1つまたはそれ以上で置換されたまたは置換
されない5もしくは6原子の複素単環式環、 (a′) 1〜6個の炭素原子を有するアルコキ
シ基、2〜6個の炭素原子を有する脂肪族
アシル基、ヒドロキシ基および/またはハ
ロゲン原子、 (b′) 1またはそれ以上のヒドロキシ基およ
び/またはハロゲン原子で置換されたもし
くは置換されない1〜6個の炭素原子を有
するアルキル基、 (c′) 1つまたはそれ以上のヒドロキシ基お
よび/またはハロゲン原子で置換されたも
しくは置換されない2〜6個の炭素原子を
有するアルケニル基、 (d′) 一般式−S−R3の基(式中R3は水素原
子または1〜6個の炭素原子を有するアル
キル基を示す)または一般式−S−CH2
COOR4の基(式中R4は水素原子、1〜6
個の炭素原子を有するアルキル基またはカ
ルボキシ保護基を示す)、 (e′) 一般式−(CH2n−COOR4、−CH=CH
−COOR4、−(CH2n−CN、−(CH2n
CONH2または−(CH2n−SO3Hの基(式
中mは0、1、2または3を示し、R4
上記の定義を有する)、 (f′) 一般式【式】 の基(式中mは上記の定義を有し、R5
よびR6は同一または異なつて、水素原子、
1〜6個の炭素原子を有するアルキル基ま
たは脂肪族アシル基を示す。但し、R5
よびR6の1つが水素原子であるときは、
他の基はアミノ保護基であつてもよい)、
あるいは (B) 少なくとも2つの2重結合を有する複素二
環式環であつて縮合された単環複素環の各々
は同一または異なつて少なくとも1つの酸
素、硫黄もしくは窒素のヘテロ原子を含む5
もしくは6原子の単環複素環であり、上記複
素二環式環は上で定義した(a′)、(b′)、
(c′)、(e′)および(f′)から選択された1つ
またはそれ以上の置換基によつて置換された
もしくは置換されない基である) を示す〕 に変換することができる。例えば次のようであ
る。 (1) 化合物()(Y=BrまたはCl)は、穏やか
な加水分解によつて、または酸化第一銅/ジメ
チルスルホキシド/水との反応によつてまたは
強無機酸の塩例えば硝酸塩または過塩素酸塩と
反応させて無機酸との不安定なエステルを得、
このエステルを次にまたは同じ反応媒質中で加
水分解して望ましいもとのアルコールを得るこ
とによつて化合物()(Y=遊離または保護
されたOH)に変換することができる。この型
の好適な塩はAgNO3、AgClO4、NaNO3であ
る。 (2) 化合物()(Y=BrまたはCl)は前述した
ようにして()(Y=OH)の化合物に変換
し、次いで適当なイソシアネート(例えばトリ
クロロアセチルイソシアネートが化合物()
(Y=OCONH2)を得るための好適な試薬であ
る)と反応させ次いではじめに形成したウレタ
ン付加物上のトリクロロアセチル部分の脱保護
(保護基除去)によつて化合物()(Y=置換
されていないかまたはN−アルキル置換された
カルバモイルオキシ基)に変換することができ
る。 (3) 化合物()(Y=BrまたはCl)は、適当な
溶剤中または相転移触媒下において相当するカ
ルボン酸の適当な塩と反応せしめることによつ
てまたは化合物()(Y=OH)に変換し次
いで在来のアシル化を行うことによつて化合物
()(Y=アシルオキシ)に変換することがで
きる。 (4) 化合物()(Y=BrまたはCl)はテトラヒ
ドロフラン、アセトン、アセトニトリルまたは
ジメチルホルムアミドのような適当な溶剤中で
塩基の存在下で相当するHS−Hetと反応せし
めるかまたは塩基で予め形成したHS−Hetの
塩と反応せしめることによつて化合物()
(Y=S−Het)に変換することができる。適
当な塩基は、トリエチルアミンであり、予め形
成された塩はナトリウム塩例えばナトリウム1
−メチル−1,2,3,4−テトラゾール−5
−イル−メルカプチドである。 以下の例および参考例により本発明を説明す
る。略号Me、But、Ph、MS、pNB、THF、
EtOAc、DMSO、MeCNはそれぞれメチル、t
−ブチル、フエニル、メタンスルホニル、p−ニ
トロベンジル、テトラヒドロフラン、酢酸エチ
ル、ジメチルスルホキシドおよびアセトニトリル
を示す。NMRスペクトルは日立−パーキンエル
マー60MHzまたはブルツカー90MHzでとられた。
ABクオーターの内部線の分離は後者に対してと
られたスペクトルに言及する。 参考例 1 ジフエニルメチル6α−〔1(R)−ヒドロキシエ
チル〕−ペニシラネート−1−オキシド 95%エタノール(400ml)中のジフエニルメチ
ル6α−ブロモ−6β−〔1(R)−ヒドロキシエチ
ル〕−ペニシラネートを10%Pd/CaCO3(25g)
およびCaCO3(11g)の存在下において30psiで水
素添加する。反応混合物を過しそして蒸発して
残留物を得、これを塩水そジクロロメタンとの間
に分配する。溶剤を除去して粗製のジフエニルメ
チル6α−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−ペニシ
ラネートを得、これをクロロホルム500ml中の85
%MCPBA(17g)で0〜5℃で1時間酸化する。
過溶液を次に水性NaHCO3で洗浄しそして溶
剤を除去して泡状物として粗製の標記生成物40g
(88%)を得る。これはそのまま使用するかまた
はシリカゲルクロマトグラフイーによつて精製す
ることができる。νnax(CHCl3フイルム)1790お
よび1750cm-1;δ(CDCl3)0.94および1.67(それ
ぞれ3H、s、CMe2)、1.37(3H、d、J=6
Hz)、3.55(1H、dd、J=2および6.5Hz、CH・
CH・CH)、4.25(1H、m、CH3・C(OH)・
CH)、4.64(1H、s、N・CH・CO)、4.98(1H、
d、J=2Hz、CH・C・S)、6.98(1H、s、
CHPh2)、および7.30(10H、s、Ar)ppm。 同様な操作方法を使用しそして第3級ブチル
6α−ブロモ−6β−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕
−ペニシラネートから出発することによつて第3
級ブチル6−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−ペニ
シラネート−1−オキシド(75%)が得られる。
νnax(フイルム)3440、1785および1740cm-1。 参考例 2 ジフエニルメチル6α−〔1(R)−第3級ブチル
ジメチルシリルオキシエチル〕−ペニシラネー
ト−1−オキシド 参考例1で得られた粗製のジフエニルメチル
6α−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−ペニシラネ
ート−1−オキシド(40g)をDMF(350ml)に
溶解しそしてイミダゾール(18.5g)および第3
級ブチルジメチルシリルクロライド(27g)の存
在下において50〜55℃で3時間撹拌する。反応混
合物をエチルエーテルと塩水との間に分配しそし
て有機層を水で数回洗浄する。溶剤の蒸発および
シリカゲルクロマトグラフイー処理は標記生成物
22gを与える。νnax(CHCl3フイルム)1790およ
び1755cm-1;δ(CDCl3)0.06(6H、s、SiMe2)、
0.88(13H、s、ButおよびCH3)、1.3(3H、d、
J=6Hz、CH 3・CH)、1.7(3H、s、CH3)、3.4
(1H、dd、J=2および4.5Hz、CH・CH・CH)、
4.40(1H、m、CH3CH・CH)、4.55(1H、s、
N・CH・CO)、4.88(1H、d、J=2、CH・
CH・S)、6.9(1H、s、OCHPh2)、および
7.25ppm(10H、s、Ar)。 同様な操作方法を使用しそして第3級ブチル
6α−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−ペニシラネ
ート−1−オキシドから出発することによつて
6α−ブロモプレカーサーから全収率55%で第3
級ブチル6−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシ
リルオキシエチル〕−ペニシラネート−1−オキ
シドが得られる。νnax(CHCl3フイルム)1785お
よび1750cm-1;δ(CDCl3)0.06(6H、s、
SiMe2)、0.88(9H、s、SiBut)、1.25および1.66
(それぞれ3H、s、CMe2)、1.28(3H、d、J=
6Hz、CH 3・CH)、1.45(9H、s、OBut)、3.5
(1H、dd、J=2および5Hz、CH・CH・CH)、
4.4(1H、s、N・CH・CO)、4.5(1H、m、
CH3CH・CH)、および4.9ppm(1H、d、J=
2Hz、CH・CH・S)。 参考例 3 ジフエニルメチル6α−〔(R)−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシエチル〕−ペニシ
ラネート−1−オキシド 一般的方法によつて塩基としてN,N−ジメチ
ルアミノピリジンそして溶剤としてエタノールを
含有していないジクロロメタンを使用してジフエ
ニルメチル6α−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−
ペニシラネート−1−オキシドをp−ニトロベン
ジルクロロカーボネートでアシル化せしめて泡状
物として標記生成物を得る。δ(CDCl3)0.96お
よび1.70(それぞれ3H、s、CMe2)、1.52(3H、
d、J=6Hz、CH 3・CH)、3.83(1H、dd、J=
2および6Hz、CH・CH・CH)、4.66(1H、s、
N・CH・CO)、4.99(1H、d、J=2Hz、CH・
CH・S)、5.28(2H、s、OCH 2Ph)、5.35(1H、
m、CH3CH・CH)、7.01(1H、s、
OCHPh2)、7.40(10H、m、Ar)、7.55および
8.26ppm(それぞれ2H、d、J=8Hz、Ar)。 同じ実験的操作方法によつて、第3級ブチル
6α−〔1(R)−p−ニトロベンジルオキシカルボ
ニルオキシエチル〕−ペニシラネート−1−オキ
シドが得られる。 同様な実験的操作方法によつてそしてp−ニト
ロベンジルクロロカーボネートの代りにトリクロ
ロエチルクロロカーボネートを使用することによ
つて、第3級ブチル6α−〔1(R)−トリクロロエ
トキシカルボニルオキシエチル〕−ペニシラネー
ト−1−オキシドおよびジフエニルメチル6α−
〔1(R)−トリクロロエトキシカルボニルオキシ
エチル〕−ペニシラネート−1−オキシドが得ら
れる。 参考例 4 3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R)
−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−メトキ
シカルボニル−2−メチル−1−プロプ−2−
エニル)−アゼチジン−2−オン メチル6α−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−ペ
ニシラネート−1−オキシド(5g)および2−
メルカプトベンズチアゾール(3.04g)の混合物
を乾燥トルエン中で2時間還流する。溶剤を真空
除去しそして粗生成物をそのまま次の工程に使用
する。 同様な操作方法を使用することによつて次の化
合物が得られる。 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル−
1−(1−メトキシカルボニル−2−メチル−1
−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−2−オン。
メチル6α−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−ペニシラネート−1−オキシ
ドから出発。反応時間を6時間まで延長。νnax
(CHCl3フイルム)1770および1744cm-1;δ
(CDCl3)0.02および0.04(それぞれ3H、s、
SiMe2)0.84(9H、s、SiBut)、1.23(3H、d、
J=6Hz、CH 3・CH)、1.91(3H、s、=C・
CH3)、3.38(1H、dd、J=2および3.5Hz、
CH・CH・CH)、3.69(3H、s、OCH3)、4.23
(1H、m、CH3CH・CH)、4.82(1H、s、
N・CH・CO)、5.07(2H、m、CH2=C)、5.42
(1H、d、J=2Hz、CH・CH.S)、および7.2
〜7.9ppm(4H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R

−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジフエニ
ルメトキシカルボニル−2−メチル−1−プロプ
−2−エニル)−アゼチジン−2−オン。ジフエ
ニルメチル6α−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−
ペニシラネート−1−オキシドから出発。νnax
(CHCl3フイルム)3400、1765および1740cm-1
δ(CDCl3)1.22(3H、d、J=6Hz、CH 3
CH)、1.60(3H、s、=C・CH3)、2.78(1H、br、
s、OH)、3.42(1H、dd、J=2および6Hz、
CH・CH・CH)、4.18(1H、−m、CH3CH
OH・CH)、4.93(1H、s、N、CH・CO)、4.90
〜5.10(2H、m、CH2=C)、5.38(1H、d、J=
2Hz、CH・CH・S)、6.89(1H、s、OCH
Ph2)、および7.15〜7.90ppm(14H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−第3級ブトキシカルボニル−2
−メチル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジ
ン−2−オン。第3級ブチル6α−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−ペニシ
ラネート−1−オキシドから出発。反応時間6時
間。δ(CDCl3)0.06(6H、s、SiMe2)、0.9(9H、
s、SiBut)、1.26(3H、d、J=6Hz、CH 3
CH)、1.48(9H、s、OBut)、1.95(3H、s、=
C・CH3)、3.40(1H、dd、J=2および4Hz、
CH・CH・CH)、4.20(1H、m、CH3CH
CH)、4.71(1H、s、N・CH・CO)、5.1(2H、
br s、CH2=C)、5.42(1H、d、J=2Hz、
CH・CH・S)、および7.2〜7.9ppm(4H、m、
Ar); 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル
−2−メチル−1−プロプ−2−エニル〕−アゼ
チジン−2−オン。νnax(フイルム)1772および
1743cm-1;δ(CDCl3)0.05(6H、s、SiMe2)、
0.80(9H、s、SiBut)、1.29(3H、d、J=6Hz、
CH3・CH)、1.95(3H、s、=C・CH3)、3.45
(1H、dd、J=2および4Hz、CH・CH・CH)、
4.26(1H、m、CH3CH・CH)、4.95(1H、s、
N・CH・CO)、5.08(2H、ABq、内部線の分離
5Hz、CH2=C)、5.55(1H、d、J=2Hz、
CH・CH・S)、6.93(1H、s、OCHPh2)、およ
び7.1〜8.0ppm(14H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル
ジチオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メ
チル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−
2−オン。メリル6α−〔1(R)−トリクロロエト
キシカルボニルオキシエチル〕−ペニシラネート
−1−オキシドから出発。νnax(CHCl3)1775お
よび1745cm-1;δ(CDCl3)1.48(3H、d、J=6
Hz、CH 3・CH)、1.91(3H、s、=C・CH3)、
3.69(3H、s、OCH3)、3.70(1H、dd、CH、
CH・CH)4.68(s、2H、OCH2)、4.76(1H、
s、N・CH・CO)、5.03〜5.30(2H、m、CH2
C)、5.23(1H、m、CH3CH・CH)、5.32(1H、
d、J=2Hz、CH・CH・S)、および7.10〜
7.96ppm(4H、m、Ar); 同様な方法で相当する第3級ブチルペニシラネ
ートおよびジフエニルメチルペニシラネートから
出発してそれぞれ3(S)−〔1(R)−トリクロロ
エトキシカルボニルオキシエチル〕−4(R)−ベ
ンズチアゾリルジチオ−1−(1−第3級ブトキ
シカルボニル−2−メチル−1−プロプ−2−エ
ニル)−アゼチジン−2−オンおよび3(S)−〔1
(R)−トリクロロエトキシカルボニルオキシエチ
ル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1
−ジフエニルメトキシカルボニル−2−メチル−
1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−2−オ
ンが得られ、そしてメチル6β−〔1(R)−第3級
ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−ペニシラ
ネート−1−オキシドから出発して3(R)−〔1
(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1
−メトキシカルボニル−2−メチル−1−プロプ
−2−エニル)−アゼチジン−2−オンが得られ
た。 例 1 3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R)
−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−メトキ
シカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プロプ−
1−エニル)−アゼチジン−2−オン 参考例3で得られた粗製の3(S)−〔1(R)−
ヒドロキシエチル〕−4(R)−ベンゾチアゾリル
ジチオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メ
チル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−
2−オンを乾燥ジクロロメタン(300ml)に溶解
しそしてTLCがすべての出発物質が反応したこ
とを示すまで−70℃でオゾンの流れで処理する。
溶液を窒素で掃過しそして次にメタ酸性亜硫酸ナ
トリウム(10g)を−30℃で加える。混合物をは
げしい撹拌下で室温となし次に過する。溶液を
水性4%NaHCO3で洗浄し、Na2SO4上で乾燥し
そして蒸発する。残留物をエチルエーテルにと
り、未溶解の物質を去しそして溶液を蒸発して
粗製の標記生成物を得る。一部分をシリカゲル上
のフラツシユクロマトグラフイー処理(溶離剤と
して酢酸エチル/シクロヘキサン混合物を使用)
によつて精製する。δ(CDCl3)1.35(3H、d、J
=7Hz、CH 3・CH)、2.11(3H、s、CH3)、2.75
(1H、br s、OH)、3.44(1H、dd、J=2.0およ
び5.0Hz、CH・CH・CH)、3.79(3H、s、
OCH3)、4.26(1H、m、CH3CH・CH)、5.29
(1H、d、J=2.0Hz、CH・CH・S)、および
7.25〜7.95ppm(4H、m、Ar)。 同様な操作方法を使用することによつて次の化
合物が得られる。 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−ヒド
ロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジン
−2−オン。粗製の3(S)−〔1(R)−第3級ブ
チルジメチルシリルオキシエチル〕−4(R)−ベ
ンズチアゾリルジチオ−1−(1−メトキシカル
ボニル−2−メチル−1−プロプ−2−エニル)
−アゼチジン−2−オンから出発。νnax(フイル
ム)3350、1770および1660cm-1;δ(CDCl3)0.05
および0.07(6H、それぞれs、SiMe2)、0.87
(9H、s、SiBut)、1.27(3H、d、J=6.5Hz、
CH3・CH)、2.07(3H、s、=C・CH3)、3.33
(1H、dd、J=2.2および4.2Hz、CH・CH
CH)、3.74(3H、s、OCH3)、4.26(1H、m、
CH3CH・CH)、5.36(1H、d、J=2.2Hz、
CH・CH・S)、7.2〜7.9(4H、m、Ar)、および
12.37ppm(1H、br、s、OH); 3(R)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−ヒド
ロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジン
−2−オン。3(R)−〔1(R)−第3級ブチルジ
メチルシリルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチ
アゾリルジチオ−1−(1−メトキシカルボニル
−2−メチル−1−プロプ−2−エニル)−アゼ
チジン−2−オンから出発。νnax(フイルム)
3200、1773、1710、1665および1620cm-1;δ
(CDCl3)0.20(6H、s、SiMe2)、0.94(9H、s、
SiBut)、1.52(3H、d、J=6Hz、CH3・CH)、
2.17(3H、br、s=C・CH3)、3.6〜3.7(4H、s
+dd、OCH3およびCH・CH・CH)、4.4(1H、
m、CH3CH・CH)、5.25(1H、d、CH・
CH・S)、および7.3〜7.9ppm(4H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R

−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジフエニ
ルメトキシカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プ
ロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−オン。粗
製の3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4
(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジフ
エニルメトキシカルボニル−2−メチル−1−プ
ロプ−2−エニル)−アゼチジン−2−オンから
出発。νnax(CHCl3フイルム)3400、1770、1730
および1650cm-1 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル
−2−ヒドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−
アセチジン−2−オン。粗製の3(S)−〔1(R)
−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−
4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジ
フエニルメトキシカルボニル−2−メチル−1−
プロプ−2−エニル)−アゼチジン−2−オンか
ら出発。νnax(CHCl3フイルム)3400、1775、
1735、1700sh、1655および1610cm-1;δ(CDCl3
0.06(6H、s、SiMe2)、0.82(9H、s、But)、
1.26(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、2.08(3H、
s=C・CH3)、3.33(1H、dd、J=2および5.5
Hz、CH・CH・CH)、4.18(1H、m、CH3
CH・CH)、5.22(1H、d、J=2Hz、CH・
CH・S)、6.86(1H、s・OCHPh2)、および7.2
〜7.9ppm(14H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル
ジチオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−ヒ
ドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジ
ン−2−オン。δ(CDCl3)1.50(3H、d、J=6
Hz、CH 3・CH)、2.14(3H、s、=C・CH3)、
3.67(1H、dd、J=2.2および5.5Hz、CH・CH
CH)、3.82(3H、s、OCH3)、4.62(2H、ABq、
J=12Hz、内部線の分離、2Hz、OCH2)、5.10〜
5.40(2H、m、CH3CH・CHおよびCH・CH
S)、7.20〜8.00(4H、m、Ar)、および12.40ppm
(1H、br、s、OH); そして同様な方法で相当する第3級ブチルエス
テルまたはジフエニルメチルエステルから出発し
て3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル
ジチオ−1−(1−第3級ブトキシカルボニル−
2−ヒドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−ア
ゼチジン−2−オン、3(S)−〔1(R)−トリク
ロロエトキシカルボニルオキシエチル〕−4(R)
−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジフエニ
ルメトキシカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プ
ロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−オンおよ
び3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−第3級ブトキシカルボニル−2
−ヒドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アセ
チジン−2−オンが得られる。 例 2 3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R)
−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−メトキ
シカルボニル−2−メチルスルホニルオキシ−
1−プロプ−1−エニル)−アセチジン−2−
オン 無水のジクロロメタン(8ml)中の3(S)−
〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R)−ベンズチ
アゾリルジチオ−1−(1−メトキシカルボニル
−2−ヒドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−
アゼチジン−2−オン(130mg、0.3ミリモル)の
溶液を順次に−40℃でトリエチルアミン(0.043
ml、0.3ミリモル)およびメタンスルホニルクロ
ライド(0.024ml、0.31ミリモル)で処理する。
反応混合物を5分後に冷水性2%NaHCO3で冷
却する。有機層から溶剤を除去して粗製の標記生
成物を得る(定量的収率)。これをそのまま次の
工程に使用する。 同じ実験操作方法によつて3(S)−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4
(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−メト
キシカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プロプ−
1−エニル)−アゼチジン−2−オンから出発し
て3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メチ
ルスルホニルオキシ−1−プロプ−1−エニル)
−アゼチジン−2−オンを得る。この生成物の一
部をフラツシユクロマトグラフイー処理(シリカ
ゲル、溶離剤として酢酸エチル/シクロヘキサン
混合物を使用)によつて精製してEおよびZ異性
体の1:1混合物として純粋な標記化合物を得
る。νnax(フイルム)1885、1730、1363、および
1165cm-1;δ(CDCl3)0.05および0.10(それぞれ
3H、s、SiMe2)、0.88(9H、s、SiBut)、1.29
(3H、d、J=6.5Hz、CH 3・CH)、2.20および
2.53(3H、それぞれs、=C・CH3)、3.18および
3.29(3H、それぞれs、SO2CH3)、3.42(1H、m、
CH・CH・CH)、3.71および3.78(3H、それぞれ
s、OCH3)、4.30(1H、m、CH3CH・CH)、
5.59および5.64(1H、それぞれd、J=2Hz・
CH・CH・S)、および7.12〜7.96ppm(4H、m、
Ar)。 テトラヒドロフランを溶剤としてジクロロメタ
ンの代りに使用した場合、望ましくないE異性体
の形成が抑制されそして結果として純粋なZ異性
体が集められる。δ(CDCl3)0.05(6H、s、
SiMe2)、0.88(9H、s、SiBut)、1.29(3H、d、
J=6.5Hz、CH 3・OH)、2.53(3H、s、=C・
CH3)、3.29(3H、s、SO2CH3)、3.42(1H、dd、
J=2および5Hz、CH・CH・CH)、3.71(3H、
s、OCH3)、4.30(1H、m、CH3CH・CH)、
5.59(1H、d、J=2Hz、CH・CH・S)、およ
び7.12〜7.95ppm(4H、m、Ar)。 この後の操作方法(メシル化工程における溶剤
としてテトラヒドロフランを使用)によつて次の
化合物が得られる。 3(R)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1〔1−メトキシカルボニル−2−メチル
スルホニルオキシ−1−プロプ−1−(Z)−エニ
ル〕−アゼチジン−2−オン。3(R)−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4
(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−メト
キシカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プロプ−
1−エニル)−アゼチジン−2−オンから出発。
νnax(CHCl3フイルム)1775、1735、1365および
1165cm-1;δ(CDCl3)0.18(6H、s、SiMe2)、
0.88(9H、s、SiBut)、1.42(3H、d、J=6.5
Hz、CH 3・CH)、2.33(3H、s、=C・CH3)、
3.05(3H、s、SO2CH3)、3.45(3H、s、
OCH3)、3.62(1H、dd、CH・CH・CH)、4.3
(1H、m、CH3CH・CH)、5.40(1H、d、J
=5Hz、CH・CH・S)、および7.15〜7.85ppm
(4H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕−4(R

−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジフエニ
ルメトキシカルボニル−2−メチルスルホニルオ
キシ−1−プロプ−1−(Z)−エニル〕−アゼチ
ジン−2−オン。3(S)−〔1(R)−ヒドロキシ
エチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1
−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−2−ヒ
ドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジ
ン−2−オンから出発。νnax(フイルム)3400、
1775、1730、1365および1170cm-1;δ(CDCl3
1.22(3H、d、J=6.5Hz、CH 3・CH)、2.43
(3H、s、=C・CH3)、3.13(3H、s、
SO2CH3)、3.35(1H、dd、J=2.5および4Hz、
CH・CH・CH)、4.1(1H、m、CH3CH
CH)、5.40(1H、d、J=2.5Hz、CH・CH
S)、6.85(1H、s、OCHPh2)および7.1〜
7.9ppm(14H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル
−2−(Z)−メチルスルホニルオキシ−1−プロ
プ−1−エニル〕−アゼチジン−2−オン。3
(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオ
キシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ
−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−2
−ヒドロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼ
チジン−2−オンから出発。νnax(CHCl3フイル
ム)1775、1725、1370および1175cm-1;δ
(CDCl3)0.1(6H、s、SiMe2)、0.9(9H、s、
SiBut)、1.28(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、
2.5(3H、s、C・CH3)、3.25(3H、s、
SO2CH3)、3.55(1H、dd、J=2.5および5Hz、
CH・CH・CH)、4.20(1H、m、CH3CH
CH)、5.50(1H、d、J=2.5Hz、CH・CH
S)、6.9(1H、s、OCHPh2)、および7.1〜
7.9ppm(14H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−第3級ブトキシカルボニル−2
−(Z)−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−
1−エニル)−アゼチジン−2−オン。3(S)−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−
(1−第3級ブトキシカルボニル−2−ヒドロキ
シ−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジン−2
−オンから出発。νnax(フイルム)1773、1710、
1370および1165cm-1;δ(CDCl3)0.06(6H、s、
SiMe2)、0.87(9H、s、SiBut)、1.25(3H、d、
J=6Hz、CH 3・CH)、1.49(9H、si、OBUt)、
2.45(3H、s、=C・CH3)、3.25(3H、s、
SO2CH3)、3.35(1H、dd、J=2.5および5Hz)、
4.3(1H、m、CH3CH・CH)、5.60(1H、d、
J=2.5Hz、CH・CH・S)、および7.1〜7.9ppm
(4H、m、Ar); 3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル
ジチオ−1−〔1−メトキシカルボニル−2−メ
チルスルホニルオキシ−1−プロプ−1−(Z)−
エニル〕−アゼチジン−2−オン。3(S)−〔1
(R)−トリクロロエトキシカルボニルオキシエチ
ル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1
−メトキシカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プ
ロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−オンから
出発。νnax(CHCl3フイルム)1780、1755、sh、
1730、1380、1250および1167cm-1;δ(CDCl3
1.48(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、2.52(3H、
s、=C・CH3)、3.25(3H、s、SO2CH3)、3.72
(4H、s+dd、OCH3およびCH・CH・CH)、
4.68(2H、s、OCH2)、5.2(1H、m、CH3
CH・CH)、5.47(1H、d、J=2.5Hz、CH・
CH・S)、および7.1〜7.9ppm(4H、m、Ar); そして同様にして相当する第3級ブチルおよび
ジフエニルメチルエステルから出発してそれぞれ
3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボニ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−〔1−第3級ブトキシカルボニル−2
−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−1(Z)
−エニル)−アゼチジン−2−オンおよび3(S)
−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボニルオキ
シエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−
1−〔1−ジフエニルメトキシカルボニル−2−
メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−1(Z)−
エニル〕−アゼチジン−2−オンが得られる。 例 3 3(S)−〔1(R)−メチルスルホニルオキシエ
チル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1
−(1−メトキシカルボニル−2−メチルスル
ホニルオキシ−1−プロプ−1−エニル)−ア
ゼチジン−2−オン 例1に記載した反応において、出発物質を過剰
(2モル当量)のメタンスルホニルクロライド/
トリエチルアミンにさらした場合、標記生成物が
E(20%)およびZ(80%)異性体の混合物として
定量的収率で泡状物として得られる。νnax(フイ
ルム)1780、1730、1360および1170cm-1;δ
(CDCl3)1.58(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、
2.22および2.56(3H、それぞれs、EおよびZ異
性体の=C・CH3)、3.00(3H、s、ヒドロキシ
エチル鎖上のCH3SO2)、3.20(1H、dd、J=2.2
および4.5Hz、CH・CH・CH)、3.28(3H、s、
クロトン付加物上のCH3SO2)、3.76(3H、s、
OCH3)、5.11(1H、m、CH3CH・CH)、5.52
(1H、d、=2.2Hz、CH・CH・S)、および
7.30〜7.95ppm(4H、m、Ar)。 溶剤としてTHFを使用する以外同じ操作方法
によつて、3(S)−〔1(R)−メチルスルホニル
オキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチ
オ−1−〔1−ジフエニルメトキシカルボニル−
2−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−1−
(Z)−エニル〕−アデチジン−2−オンが製造さ
れそして次のスペクトルデータを示す。νnax(フ
イルム)1777、1728、1360および1170cm-1;δ
(CDCl3)1.50(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、
2.52(3H、s、=C・CH3)、2.9(3H、s、ヒドロ
キシエチル鎖上のCH3SO2)、3.23(3H、s、クロ
トン付加物上のCH3SO2)、3.62(1H、dd、J=
2.5および5.5Hz、CH・CH・CH)、5.05(1H、m、
CH3CH・CH)、5.45(1H、d、J=2.5Hz、
CH・CH・S)、6.95(1H、s、OCHPh2)およ
び、7.10〜7.95ppm(14H、m、Ar)。 例 4 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル
ジチオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−
トリフルオロメチルスルホニルオキシ−1−プ
ロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−オン −40℃のTHF(5ml)中の粗製の3(S)−〔1
(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1
−メトキシカルボニル−2−ヒドロキシ−1−プ
ロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−オン(300
mg)を順次にトリエチルアミン(170μ)およ
びトリフルオロメタンスルホン酸無水物(180μ
)で処理する。後処理およびクロマトグラフイ
ー処理によつて、標記生成物の2つの分離した幾
何学的異性体が泡状物として得られる。E異性
体:νnaxδ(CHCl3)1778、1730、1420、1215、
および1135cm-1;δ(CDCl3)0.08(6H、s、
SiMe2)、0.86(9H、s、SiBut)、1.26(3H、d、
J=6Hz、CH 3・CH)、2.05(3H、s、=C・
CH3)、3.46(1H、dd、2.2および4Hz、CH・
CH・CH)、3.81(3H、s、OCH3)、4.28(1H、
m、CH3CH・CH)、5.76(1H、d、J=2.2Hz、
CH・CH・S)、および7.25〜7.90(4H、m、
Ar);Z異性体(就中)δ(CDCl3)2.45(3H、
s、=C・CH3)、3.40(1H、dd、J=2および4
Hz、CH・CH・CH)、3.64(3H、s、OCH3)、
4.30(1H、m、CH3・CH・CH)、および5.65ppm
(1H、d、J=2Hz、CH・CH・S)。 例 5 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−メチル
−2−チアセフエム−4−カルボキシレート ジクロロメタン(10ml)中のトリエチルアミン
(0.5ml)の溶液を−50℃で硫化水素で飽和する。
窒素で掃過した後、この溶液0.34c.c.を3(S)−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−
(1−メトキシカルボニル−2−メチルスルホニ
ルオキシ−1−プロプ−1−エニル〕−アゼチジ
ン−2−オン(75mg、0.121ミリモル)の冷(−
50℃)溶液に加える。 混合物を室温に加温しそして次に水で洗浄し、
乾燥(Na2SO4)しそして蒸発する。形成した2
−メルカプトベンズチアゾールおよび少量の不純
物からの新規な化合物の分離を、シリカゲルクロ
マトグラフイー処理(溶離剤として酢酸エチル/
シクロヘキサンを使用)によつて達成する。この
ようにして、標記化合物(19mg、20%)を白色結
晶として得る。融点85〜87℃。λnax(EtOH)223
(ε=4773)、277(6335)、および326(2922)nm、
νnax(CHCl3フイルム)1785および1730cm-1;δ
(CDCl3)0.08(6H、s、SiMe2)、0.88(9H、s、
SiBut)、1.25(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、
2.22(3H、s、CH3)、3.07(1H、dd、J=2.2お
よび3.5Hz、CH・CH・CH)、3.8(3H、s、
OMe)、4.36(1H、m、CH3CH・CH)、および
4.62ppm(1H、d、J=2.2Hz、CH・CH・S)。 C16H27NO4SiS2に対する元素分析結果は次の
通りである。 C% H% N% S% 計算値:49.32 6.99 3.60 16.46 実験値:49.08 6.96 3.52 15.16 H2S/NEt3の代りに、DMF中のNaSH(0.9モ
ル当量)の溶液を使用しそして冷却(H2Oと
EtOAcとの間の分配)を0℃で1分以内に行つ
た場合、純粋な標記生成物の単離される収率は40
〜45%に上昇する。 上記方法を出発物質の幾何学的Z異性体に対し
て遂行する場合は、収率は更に強化(60〜65%ま
で)される。これに反してE異性体は標記生成物
の非常に低い量のみを与える。 同じ実験操作方法によつて、3(R)−〔1(R)
−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−
4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−メ
トキシカルボニル−2−メチルスルホニルオキシ
−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−
オンから出発してメチル(7R,6R)−7−〔1
(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル〕−3−メチル−2−チアセフエム−4−カル
ボキシレートが得られる。νnax(フイルム)1785
および1725cm-1;δ(CD3COCD3)0.03および0.05
(それぞれ3H、s、SiMe2)、0.84(9H、s、
SiBut)、1.19(3H、d、6.5Hz、CH 3・CH)、2.08
(3H、s、CH3)、3.72(3H、s、OCH3)、4.11
(1H、dd、J=5.5および8.0Hz、CH・CH
CH)、4.20(1H、m、CH3CH・CH)、および
5.01ppm(1H、d、J=5.5Hz、CH・CH・S)。 参考例 6 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシ
エチル〕−3−メチル−2−チアセフエム−4
−カルボキシレート 例2で得られた粗製の3(S)−〔1(R)−ヒド
ロキシエチル〕−4−(R)−ベンズチアゾリルジ
チオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メチ
ルスルホニルオキシ−1−プロプ−1−エニル)
−アゼチジン−2−オン(145mg、0.287モル)を
無水のジメチルホルムアミド(2ml)に溶解しそ
して+20℃で同じ溶剤(1.6ml)中のNaHS(16
mg、0.287ミリモル)の新らしく製造した溶液で
処理する。混合物を2分撹拌しそして次に酢酸エ
チルと水との間に分配する。 水で反復洗浄した後、溶剤を除去して残留物を
得、これをシリカゲル上の加圧クロマトグラフイ
ー処理(溶離剤として酢酸エチル/シクロヘキサ
ンを使用)によつて精製して純粋な標記生成物を
白色粉末として45%の収率で得る。 νnax(ヌジヨール)3400、1770および1720cm
-1;δ(CDCl3)1.37(3H、d、J=7Hz、CH 3
CH)、2.22(3H、s、CH3)、2.40(1H、br、s、
OH)、3.12(1H、dd、J=2.0および4.5Hz、CH・
CH・CH)、3.86(3H、s、OCH3)、4.35(1H、
m、CH3CH・CH)、および4.65ppm(1H、d、
J=2.0Hz、CH.CH・S)。 同様な実験操作方法によつて次の化合物が得ら
れる。 ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
ヒドロキシエチル〕−3−メチル−2−イアセフ
エム−4−カルボキシレート。3(R)−〔1(R)
−ヒドロキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリ
ルジチオ−1−(1−ジフエニルメトキシカルボ
ニル−2−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ
−1−エニル)−アゼチジン−2−オンから出発。
λnax(EtOH)281(ε=5900)および326(3670)
nm;νnax(KBr)3550〜3250、3080、3060、
3020、2960、2920、2840、1775、1720、1660およ
び1490cm-1;δ(CDCl3)1.36(3H、d、J=6.5
Hz、CH 3・CH)、2.17(3H、s、CH3)、3.12
(1H、dd、J=2.0および5Hz、CH.CH・CH)、
4.36(1H、m、CH3CH・CH)、4.76(1H、d、
J=2.0Hz、CH.CH・S)、6.97(1H、s、
OCH2Ph)および7.30(10H、m、Ar); ジフエニルメチル(7S,6S)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレ
ート。3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチル
シリルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリ
ルジチオ−1−(1−ジフエニルメトキシカルボ
ニル−2−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ
−1−エニル)−アゼチジン−2−オンから出発。
δ(CDCl3)0.06(6H、s、SiMe2)、0.83(9H、
s、SiBut)、1.27(3H、d、J=6.5Hz、CH 3
CH)、2.05(3H、s、CH3)、3.08(1H、dd、J=
3.0および5.0Hz、CH.CH・CH)、4.32(1H、m、
CH3・CH・CH)、4.60(1H、d、J=3.0Hz、
CH・CH・S)、7.02(1H、s、OCHPh2)、およ
び7.30ppm(10H、s、Ar); 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−メ
チル−2−チアセフエム−4−カルボキシレー
ト。3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシ
リルオキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリル
ジチオ−1−(1−第3級ブトキシカルボニル−
2−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−1−
エニル)−アゼチジン−2−オンから出発。λnax
(CHCl3)278(ε=6300)および327nm(ε=
2560);νnax(CHCl3フイルム)1780および1720cm
-1;δ(CDCl3)0.12(6H、s、SiMe2)、0.88
(9H、s、SiBut)、1.25(3H、d、J=6Hz、
CH3・CH)、1.52(9H、s、OBut)、2.10(3H、
s、CH3)、3.02(1H、dd、J=2.5および5Hz、
CH・CH・CH)、4.28(1H、m、CH3CH
CH)、および4.53ppm(1H、d、J=2.5Hz、
CH・CH・S); メチル(7S.6R)−7−〔1(R)−メチルスルホ
ニルオキシエチル〕−3−メチル−2−チアセフ
エム−4−カルボキシレート。3(R)−〔1(R)
−メチルスルホニルオキシエチル〕−4(R)−ベ
ンズチアゾリルジチオ−1−(1−メトキシカル
ボニル−2−メチルスルホニルオキシ−1−プロ
プ−1−エニル)−アゼチジン−2−オンから出
発。νnax1780、1725、および1360cm-1;δ
(CDCl3)1.60(3H、d、J=6.5Hz、CH 3・CH)、
2.25(3H、s、CH3)、3.07(3H、s、CH3SO2)、
3.27(1H、dd、J=2.2および5Hz、CH・CH
CH)、3.83(3H、s、OCH3)、4.70(1H、d、J
=2.2H、CH・CH・S)および5.24ppm(1H、
m、CH3CH・CH)。 ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
メチルスルホニルオキシエチル〕−3−メチル−
2−チアセフエム−4−カルボキシレート。3
(S)−〔1(R)−メチルスルホニルオキシエチル〕
−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−
ジフエニルメトキシカルボニル−2−メチルスル
ホニルオキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼ
チジン−2−オンから出発。νnax(CHCl3)282
(ε=7080)および330(3966)nm;νnax(CHCl3
フイルム)1778、1720、1255および1170cm-1;δ
(CDCl3)1.53(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、
2.10(3H、s、CH3)、2.71(3H、s、CH3SO2)、
3.22(1H、dd、J=2.5および5.5Hz、CH・CH
CH)、4.67(1H、d、J=2.5Hz、CH・CH
S)、5.05(1H、m、CH3CH・CH);6.90(1H、
s、OCHPh2)、および7.25(10H、s、Ar); メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−トリクロロ
エトキシカルボニルオキシエチル〕−3−メチル
−2−チアセフエム−4−カルボキシレート。3
(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボニル
オキシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチ
オ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メチル
スルホニルオキシ−1−プロプ−1−エニル)−
アゼチジン−2−オンから出発。νnaxフイルム)
1787、1760sh、1725および1250cm-1;δ(CDCl3
1.54(3H、d、J=5.5Hz、CH 3・CH)、2.23
(3H、s、CH3)3.30(1H、dd、J=2および7.5
Hz、CH・CH・CH)、3.84(3H、s、OCH3)、
4.68(1H、d、J=2Hz、CH・CH・S)、4.78
(2H、s、OCH2)、および5.37ppm(1H、m、
CH3CH・CH); ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ル〕−3−メチル−2−チアセフエム−4−カル
ボキシレート。3(S)−〔1(R)−p−ニトロベ
ンジルオキシカルボニルオキシエチル〕−(4R)−
ベンズチアゾリルジチオ−1−(1−ジフエニル
メトキシカルボニル−2−メチルスルホニルオキ
シ−1−プロプ−1−エニル〕−アゼチジン−2
−オンから出発。νnax1787、1745、1720shcm-1
δ(CDCl3)1.53(3H、d、CH 3−CH)、2.17
(3H、s、CH3)、3.28(1H、dd、J=2および
6.5Hz、CH−CH−CH)、4.65(1H、d、J=2
Hz、CH・CH・S)、5.15(2H、s、OCH2)、
5.28(1H、m、CH2CH・CH)、6.97(1H、s、
CHPh2)、7.2〜7.5(12H、m、Ar)および
8.17ppm(2H、d、J=9Hz、Ar); 同様にして次の化合物が得られる。 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−トリ
クロロエトキシカルボニルオキシエチル〕−3−
メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレー
ト、 ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル〕−
3−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシ
レート、 トリクロロエチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル〕−
3−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシ
レート、 トリクロロエチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレ
ート、 アセトキシメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル)−
3−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシ
レート、 アセトキシメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレ
ート、 アセトキシメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
トリメチルシリルオキシエチル〕−3−メチル−
2−チアセフエム−カルボキシレート。 参考例 5 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−サクシンイミド−
チオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メ
チル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン
−2−オン ジメチルアセトアミド(35ml)に溶解したメチ
ル6α−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオ
キシエチル〕−ペニシラネート−1−オキシド
(2.32g)を酢酸(0.15ml)で処理し、窒素で掃
過しそしてN−トリメチルシリルサクシンイミド
(5g)の存在下において105℃で3 1/2時間加熱
する。室温に冷却した後、反応混合物を酢酸エチ
ルと冷水との間に分配する。有機層から得られた
物質の分別(シリカゲルクロマトグラフイー、酢
酸エチル/シクロヘキサン)によつて、白色泡状
物として標記生成物1.2g(43%)を得る。νnax
(CHCl3フイルム)1770、1735、1710sh、および
1680cm-1;δ(CDCl3)0.08(6H、s、SiMe2)、
0.87(9H、s、SiBut)、1.32(3H、d、J=6.5
Hz、CH 3・CH)、1.84(3H、s、=C・CH3)、
2.85(4H、s、CO・CH2・CH2・CO)、3.29
(1H、dd、J=3および4.5Hz、CH・CH・CH)、
3.73(3H、s、OMe)、4.24(1H、m、CH3
CH・CH)、4.66(1H、s、N・CH・CO)、4.85
(1H、d、J=2.5Hz、CH・CH・S)、および
5.00ppm(2H、br s、CH2=C)。 同様な実験操作方法によつて3(S)−〔1(R)
−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−
4(R)−サクシンイミドチオ−1−(1−ジフエ
ニルメトキシカルボニル−2−メチル−1−プロ
プ−2−エニル)−アゼチジン−2−オンおよび
3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリル
オキシエチル〕−4(R)−フタルイミドチオ−1
−(1−ジフエニルメトキシカルボニル−2−メ
チル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−
2−オンが得られる。いずれも粗物質として単離
されそしてそのまま次の工程に使用される。 参考例 6 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−フタルイミドチオ
−1−〔1−メトキシカルボニル−2−メチル
スルホニルオキシ−1−プロプ−1−(Z)−エ
ニル〕−アゼチジン−2−オン アセトン(9c.c.)中の3(S)−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4(R)
−ベンズチアゾリルジチオ−1−〔1−メトキシ
カルボニル−2−メチルスルホニルオキシ−1−
プロプ−1−(Z)−エニル〕−アゼチジン−2−
オン(100mg)の溶液をAgNO3(34mg)そして次
いでカリウムフタルイミド(30mg)のエタノール
性スラリーで処理する。室温で30分撹拌した後、
沈殿を集め、水とEtOAcとの間に分配しそして
短シリカゲルクロマトグラフイー処理によつて精
製して標記生成物(55%)を得る。νnax(フイル
ム)1780、1745、および1725cm-1;δ(CDCl3
0.1(6H、s、SiMe2)、0.89(9H、s、But)、1.4
(3H、d、CH 3・CH)、2.2(3H、s、=C・
CH3)、3.05(3H、s、SO2・CH3)、3.4(1H、m、
CH・CH・CH)、3.6(3H、s、OCH3)、4.2
(1H、m、CH3CH・CH)、5.45(1H、d、J
=2Hz、CH・CH・S);および7.8ppm(4H、
m、Ar)。 例 7 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−サクシンイミドチ
オ−1−(1−メトキシカルボニル−2−ヒド
ロキシ−1−プロプ−1−エニル)−アゼチジ
ン−2−オン 標記生成物は、例1に記載した操作方法による
ジクロロメタン中における3(S)−〔1−(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4
(R)−サクシンイミドチオ−1−(1−メトキシ
カルボニル−2−メチル−1−プロプ−2−エニ
ル)−アゼチジン−2−オンの加オゾン分解によ
つて得られそしてそのまま次の反応に使用され
る。試料はそのジメチルケタール(MeOH/乾
燥HCl)として特徴づけられる。νnax1770、1730
および1715shcm-1;δ(CDCl3)0.04および0.09
(それぞれ3H、s、SiMe2)、0.90(9H、s、
SiBut)、1.31(3H、d、J=5Hz、CH3・CH)、
1.49(3H、s、CH3)、2.84(4H、s、COCH2
CH2CO)、3.21および3.26(それぞれ3H、s、ケ
タールOCH3)、3.24(1H、dd、J=2.5および3.73
(3H、s、エステルOCH3)、4.20(1H、m、
CH3CH・CH)、4.43(1H、s、N・CH・
CO)、および4.9ppm(1H、d、J=2.5Hz)。 同様にして、3(S)−〔1(R)−第3級ブチル
ジメチルシリルオキシエチル〕−4(R)−フタル
イミドチオ−1−(1−ジフエニルメトキシカル
ボニル−2−ヒドロキシ−1−プロプ−1−エニ
ル)−アゼチジン−2−オンが、3(S)−〔1(R)
−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−
4(R)−フタルイミドチオ−1−(1−ジフエニ
ルメトキシカルボニル−2−メチル−1−プロプ
−2−エニル)−アゼチジン−2−オンから出発
して得られる。 例 8 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−メチル
−2−チアセフエム−4−カルボキシレート ジメチルホルムアミド(4ml)中の3(S)−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−4(R)−フタルイミドチオ−1−〔1−メ
トキシカルボニル−2−メチルスルホニルオキシ
−1−プロプ−1−(Z)−エニル〕アゼチジン−
2−オン(400mg)の溶液をはげしい撹拌下で微
粉砕NaSH(50mg)で処理する。最後の試薬が溶
解したらすぐに反応混合物をエチルエーテルと水
との間に分配する。後処理して例5に記載した試
料と同一の標記化合物を得る。 例 9 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−メチル
−2−チアセフエム−4−カルボキシレート ジクロロメタン中の3(S)−〔1(R)−第3級
ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4(R)−
サクシンイミドチオ−1−(1−メトキシカルボ
ニル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−
2−オン(0.8g)をTLCが完全な変換を示すま
で−70℃でオゾン化する。過剰のオゾンを窒素で
掃過しそしてジメチルスルフイド(1ml)を加え
る。室温で1時間後に、すべての揮発性物質を真
空除去しそして残留物を等分子量のトリエチルア
ミンおよび塩化メシルとメシレートへのエタノー
ルの変換がTLCによつて完了したことが判るま
で反応(CH2Cl2、−20〜0℃)させる。混合物を
真空濃縮しそして酢酸エチルと冷水性NaHCO3
との間に分配する。有機層を蒸発してE、Zメシ
レートの粗製混合物を得る。これを精製すること
なしに例6に記載した操作方法によつてDMF中
でNaHSで処理する。得られた生成物をシリカゲ
ルクロマトグラフイー処理によつて精製して例5
によつて得られる物質と同一の標記化合物を得
る。 同様な操作方法によつて、3(S)−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4
(R)−フタルイミドチオ−1−(1−ジフエニル
メトキシカルボニル−2−メチル−1−プロプ−
2−エニル)−アゼチジン−2−オンから出発し
てジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレ
ートが得られそしてこのものは前述した物質(例
6)の同じスペクトル性質を示す。 参考例 7 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−(1−メ
チル−1,2,3,4−テトラゾール−5−イ
ル)−チオメチル−2−チアセフエム−4−カ
ルボキシレート ジクロロメタン中の3(S)−〔1(R)−第3級
ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−4(R)−
(1−メチル−1,2,3,4−テトラゾール−
5−イル)−ジチオ−1−〔1−メトキシカルボニ
ル−2−(1−メチル−1,2,3,4−テトラ
ゾール−5−イル)−チオメチル−1−プロプ−
2−エニル〕−アゼチジン−2−オン(120mg)を
例8に記載した同じ反応順序(加オゾン分解、メ
シル化、NaHSとの反応)にうけしめる。粗製生
成物を酢酸エチルと水性NaHCO3との間に分配
しかくして遊離したメルカプトテトラゾールを除
去する。有機層を水で数回洗浄し、蒸発しそして
残留物をシリカゲルクロマトグラフイー処理によ
つて分別して標記生成物を得る。17mg(17%)。
νnax(フイルム)1787、1725、1587、1360および
1250cm-1;δ(CDCl3)0.10(6H、s、SiMe2)、
0.89(9H、s、SiBut)、1.26(3H、d、J=6Hz、
CH3−CH)、3.15(1H、dd、J=2.2および3.5Hz、
CH・CH・CH)、3.88(3H、s、OMe)、3.92
(3H、s、NMe)、4.38(1H、m、CH3CH
CH)、4.46(2H、ABq、J=14Hz、内部線の分離
14Hz)および4.68ppm(1H、d、J=2.2Hz、
CH・CH・S)。 参考例 8 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニ
ルチオ−1−〔1−メトキシカルボニル−2−
メチル−1−プロプ−2−エニル−アゼチジン
−2−オン アセトン(160ml)および水(18ml)中の3
(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオ
キシエチル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオ
−1−(1−メトキシカルボニル−2−メチル−
1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−2−オ
ン(2.6g)をはげしい撹拌下で硝酸銀(0.98g)
次いですぐに水(60ml)中のナトリウムベンゼン
スルフイネート(0.79g)で処理する。室温で1
時間後に、白色の沈殿を去しそして液を真空
濃縮しそして次に水と酢酸エチルとの間に分配す
る。有機層から溶剤を除去して黄色がかつた粉と
て標記生成物(2.43g、98%)を得る。シクロヘ
キサンから再結晶できる(白色の葉片状、融点
105〜106℃)。ir(KBr)3080、3020、2960、
2930、2900、2860、1770、1750、1330および1145
cm-1;δ(CDCl3)0.05(6H、s、SiMe2)、0.98
(12H、s+d、SiButおよびCH 3・CH)、1.84
(3H、s、=C・CH3)、3.22(1H、dd、J=2お
よび2.5Hz、CH・CH・CH)、3.75(3H、s、
OMe)、4.19(1H、m、CH3CH・CH)、4.58
(1H、s、N・CH・CO)、5.00(2H、m、C=
CH2)、5.37(1H、d、J=2Hz、CH・CH
S)、7.60および7.96ppm(3および2H、それぞれ
m、Ar)。 C23H35NO6SiS2に対する元素分析結果は次の
通りである。 C% H% N% S% 計算値:53.77 6.87 2.74 12.48 実験値:53.69 6.99 2.70 12.42 同じ操作方法によつて次の化合物もまた得られ
る。 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニル
チオ−1−(1−第3級ブトキシカルボニル−2
−メチル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジ
ン−2−オン、 3(S)−〔1−(R)−第3級ブチルジメチルシ
リルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニ
ルチオ−1−(1−ジフエニルメトキシカルボニ
ル−2−メチル−1−プロプ−2−エニル)−ア
ゼチジン−2−オン、 3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニ
ルチオ−1−(1−メトキシカルボニル−2−メ
チル−1−プロプ−2−エニル)−アゼチジン−
2−オン、 3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニ
ルチオ−1−(1−トリクロロエトキシカルボニ
ル−2−メチル−1−プロプ−2−エニル)−ア
ゼチジン−2−オン。 例 10 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニ
ルチオ−1−〔1−メトキシカルボニル−2−
メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−1(Z)
−エニル〕−アゼチジン−2−オン 操作方法(A) 乾燥ジクロロメタン中の参考例8からの物質
(1g)を−70℃でオゾン化する。窒素で掃過し
た後、ジメチルスルフイド(3.5ml)を加えそし
て混合物を室温で3時間撹拌する。すべての揮発
性物質を除去した後、残留物を酢酸エチルと水と
の間に分配する。溶剤を蒸発して中間体3(S)−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−4(R)−フエニルスルホニルチオ−1−
(1−メトキシカルボニル−2−ヒドロキシ−1
−プロプ−1−エニル)−アゼチジン−2−オン
を得る。νnax3450、1778、1658および1620cm-1
δ(CDCl3)0.08(6H、s、SiMe2)、0.90(9H、
s、SiBut)、1.13(3H、d、J=6Hz、CH 3
CH)、1.90(3H、s、=C・CH3)3.12(1H、dd、
J=2.5および4Hz、CH・CH・CH)、3.73(3H、
s、OMe)、4.2(1H、m、CH3CH・CH)、
5.52(1H、d、J=2.5Hz、CH・CH・S)、7.4〜
8.0(5H、m、Ar)、および13ppm(1H、s、
OH)。 この物質を一般的操作方法(例3参照)によつ
て乾燥THF(10ml)中でトリエチルアミン(272μ
)および塩化メシル(151μ)でメシル化し
てシリカゲルクロマトグラフイー処理後泡状物と
して標記生成物550mgを得る。ir(フイルム)
1780、1730、1640、1370および1145cm-1;δ
(CDCl3)0.05(6H、s、SiMe2)、0.80(9H、s、
SiBut)、0.97(3H、d、J=6Hz、CH 3・CH)、
2.50(3H、s、=C・CH3)、3.15(4H、m、
SO2CH3およびCH・CH.CH)、3.76(3H、s、
OCH3)、4.13(1H、m、CH3CH・CH)、5.7
(1H、d、J=2.8Hz、CH・CH・S)、および
7.6〜8.0ppm(5H、m、Ar)。 操作方法(B) アセトン/水(9:1)(10ml)中の3(S)−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−4(R)−ベンズチアゾリルジチオア−1
−〔1−メトキシカルボニル−2−メチルスルホ
ニルオキシ−1−プロプ−1(Z)−エニル〕−ア
ゼチジン−2−オン(100mg)を順次に撹拌下で
硝酸銀(34.3mg)およびナトリウムベンゼンスル
フイネートの水溶液(4ml中の26.6mg)で処理す
る。室温で15分間攪拌した後に、沈殿した銀ベン
ズチアゾールメルカプチドを過によつて除去し
そして溶液をCH2Cl2と水との間に分配する。溶
剤を除去してシロツプ状として標記生成物(定量
的収率)を得る。これは方法(A)からの試料と同じ
スペクトル性質を有している。 同じ方法によつて3(S)−〔1(R)−第3級ブ
チルジメチルシリルオキシエチル〕−4(R)−フ
エニルスルホニルチオ−1−〔1−第3級ブトキ
シカルボニル−2−メチルスルホニルオキシ−1
−プロプ−1(Z)−エニル〕−アゼチジン−2−
オンおよび3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキ
シカルボニルオキシエチル〕−4(R)−フエニル
スルホニルチオ−〔1−トリクロロエトキシカル
ボニル−2−メチルスルホニルオキシ−1−プロ
プ−1(Z)−エニル〕−アゼチジン−2−オンが
得られる。 例 11 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメシルシリルオキシエチル〕−3−メチル
−2−チアセフエム−4−カルボキシレート 3(S)−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−4(R)−フエニルスルホニルチ
オ−1−〔1−メトキシカルボニル−2−メチル
スルホニルオキシ−1−プロプ−1(Z)−エニ
ル〕−アゼチジン−2−オンを例6に記載した操
作方法によつてDMF中でNaHSと反応せしめて
前述した物質と同一の標記生成物を得る。副生成
物であるナトリウムベンゼンスルフイネートは水
に可溶性でありそして例えばメルカプトベンズチ
アゾールとは異なつてクロマトグラフイー分離ま
たは分別結晶除去を必要としないので、この製造
は生成物のより簡単な精製を可能にする。 同じ操作方法によつて第3級ブチル(7S,6R)
−7−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオ
キシエチル〕−3−メチル−2−チアセフエム−
4−カルボキシレートおよびトリクロロエチル
(7S,6R)−7−〔1(R)−トリクロロエトキシカ
ルボニルオキシエチル〕−3−メチル−2−チア
セフエム−4−カルボキシレートが得られる。 参考例 9 3(S)−〔1(R)−トリクロロエトキシカルボ
ニルオキシエチル〕−4(R)−アセチルジチオ
−1−〔1−メトキシカルボニル−2−メチル
スルホニルオキシ−1−プロプ1(Z)−エチ
ル〕−アゼチジン−2−オン THF(5ml)中の3(S)−〔1(R)−トリクロ
ロエトキシカルボニルオキシエチル〕−4(R)−
ベンズチアゾリルジチオ−1−〔1−メトキシカ
ルボニル−2−メチルスルホニルオキシ−1−プ
ロプ−1(Z)−エニル〕アゼチジン−2−オン
(340mg)を溶液を、チオ酢酸(43μ)で処理す
る。5分後、混合物を蒸発しそして粗製反応生成
物からクロマトグラフイー処理によつて2−メル
カプトベンゾチアゾールを除去して無色のシロツ
プとして純粋な標記化合物280mg(96%)を得る。
νnax(フイルム)1775、1760、sh、1730、brcm
-1;δ(CDCl3)1.50(3H,d,CH 3・CH)、2.48
(3H,s,=C・CH3)、2.62(3H,s,COCH3)、
3.29(3H,s,SO2CH3)、3.44(1H,dd,CH・
CH・CH)、3.83(3H、s、OMe)、4.77(2H、
ABq,J=11.5Hz、内部線の分離2Hz)、5.24
(1H,d,CH・CH・S)、5.25(1H,m,
CH3CH・CH)。 例 12 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−トリクロロ
エトキシカルボニルオキシエチル〕−3−メチ
ル−2−チアセフエム−4−カルボキシレート THF(10ml)中の3(S)−〔1(R)−トリクロ
ロエトキシカルボニルオキシエチル〕−4(R)−
アセチルジチオ−1−〔1−メトキシカルボニル
−2−メチルスルホニルオキシ−1−プロプ−1
(Z)−エニル〕アゼチジン−2−オン(140mg)
を溶液を0℃で同じ溶剤中のテトラブチルアンモ
ニウムハイドロジンサルフアイド(65mg)の溶液
で処理する。後処理およびクロマトグラフイー処
理して標記生成物を得る。若干の出発物質が回収
される。λnax(EtOH)280(ε4974)および327nm
(2262);νnax(フイルム)1787、1760sh、1725cm
-1;δ(CDCl3)1.54(3H,d,CH 3・CH)、2.23
(3H,s,CH3)、3.30(1H,dd,2および7.5Hz、
CH・CH・CH)、3.84(3H,s,OMe)、4.68
(1H,d,CH・CH・S)、4.78(2H、s、
OCH2CCl3)、および5.3Hppm(1H,m,CH3
CH・CH)。 例 13 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ブロモ
メチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレ
ート 四塩化炭素(40ml)中のメチル(7S,6R)−7
−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシ
エチル〕−3−メチル−2−チアセフエム−4−
カルボキシレート(0.52g)、酸化プロピレン
(0.95ml)およびN−ブロモサクシンイミド
(0.52g)およびアゾビスイソブチロニトリル
(0.05g)を6時間還流する。 反応混合物を室温に冷却しそして過する。
液を真空蒸発しそして残留物を溶離剤として酢酸
エチル/シクロヘキサン混合物を使用してシリカ
ゲルカラムによつて精製して黄色油状物として標
記生成物(80%)を得る。νnax(CHCl3)282およ
び336nm;νnax(CHCl3フイルム)1785、1730cm
-1;δ(CDCl3)0.10(6H,s,SiMe2)、0.89
(9H,s,SiBut)、1.28(3H,d,CH3 ・CH.
OSi)、3.23(1H,dd,J=2.0および3.5Hz、
CH・CH・CH)、3.87(3H,s,OCH3)、4.65
(2H,中心ABq,s.i.l.4Hz、J=11.5Hz、
CH2Br)、4.30(1H,m,CH3CH・CH)、4.76
(1H,d,J=2.0Hz,CH・CH・s)ppm C16H26BrN7O4SiS2に対する元素分析結果は次
の通りである。 C% H% N% 計算値:41.02 5.59 2.99 実験値:4.11 5.64 3.01 S% Br% 計算値:13.69 17.06 実験値:13.55 17.20 同様な方法によつて次の化合物が得られる。 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ブ
ロモメチル−2−チアセフエム−4−カルボキシ
レートνnax(CHCl3)283および332nm;νnax(フイ
ルム)1787および1720cm-1;δ(CDCl3)0.9(6H,
s,SiMe2)、0.9(9H,s,SiBut)、1.28(3H,
d,CH 3・CH)1.55(9H,s,OBut)、3.18
(1H,dd,J=2.5および4.5Hz、CH・CH
CH)、4.35(3H,m,CH2BrおよびCH3・CH・
CH)、および4.71ppm(1H,d,J=2.5Hz,
CH・CH・S;) p−ニトロベンジル(7S,6R)−7−〔1(R)
−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエ
チル〕−3−ブロモメチル−2−チアセフエム−
4−カルボキシレートδ(CDCl3)1.45(3H,d,
3・CH)、3.43(1H,dd,J=2.5および6Hz,
CH・CH・CH)、4.45(2H,ABq,J=12Hz,
CH2Br)、4.80(1H,d,J=2.5Hz,CH・CH
S)、5.2,5.5(5H,m,2個のOCH2Arおよび
CH3CH・CH);7.47および7.60(それぞれ2H,
d,J=8.5Hz,Ar)、および8.20ppm−(4H,
d,J=8.5Hz,Ar); ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシエチ
ル〕−3−ブロモメチル−2−チアセフエム−4
−カルボキシレートδ(CDCl3)1.45(3H,d,
CH3・CH)、3.32(1H,dd,J=3および6Hz,
CH・CH・CH)、4.18(2H,ABq,J=11Hz,
CH2Br)、4.70(1H,d,J=3Hz,CH・CH
S)、5.20(2H,s,OCH 2Ar)、5.30(1H,m,
CH3CH・CH)、6.97(1H,s,OCHPh2)、
7.10〜7.40(10H,br s,Ar)、7.45および
8.15ppm(それぞれ2H,d,J=9Hz,Ar); ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−ブロモメチル−2−チアセフエム−4−カルボ
キシレートνnax(フイルム)1790および1730cm
-1;δ(CDCl3)0.05(6H,s,SiMe2)、0.8(9H,
s,SiBut)、1.22(3H,d,J=6.5Hz,CH 3
CH)、3.10(1H,dd,J=2.7および4.5Hz,CH・
CH・CH)、4.05(2H,s,CH2Br)、4.2(1H、
m、CH3CH・CH)、4.63(1H,d,J=2.7Hz,
CH・CH・S)、6.92(1H,s,OCHPh2)、およ
び7.05〜7.40ppm(10H,m,Ar); λnax(CHCl3)283(ε=7.867)および336nm
(ε=3.533); そして同様にして次の化合物が得られる。 トリクロロエチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−ブロモメチル−2−チアセフエム−4−カルボ
キシレート、 トリクロロエチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル〕−
3−ブロモメチル−2−チアセフエム−4−カル
ボキシレート。 参考例 10 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−(1−メ
チル−1,2,3,4−テトラゾール−5−イ
ル)チオメチル−2−チアセフエム−4−カル
ボキシレート。 粗製のメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ブ
ロモメチル−2−チアセフエム−4−カルボキシ
レートのTHF溶液をナトリウム1−メチル−1,
2,3,4−テトラゾール−5−チオレート二水
化物(3モル当量)の存在下で一夜保持する。後
処理およびクロマトグラフイー処理によつて85%
の収率で油状物として標記生成物を得る。λnax
(EtOH)281および333nm;νnax(フイルム)
1790および1720cm-1;δ(CDCl3)0.10(6H,s,
SiMe2)、0.89(9H,s,But)、1.26(3H,d,
CH3・CH)、3.15(1H,dd,J=2.2および3.5Hz,
CH・CH・CH)、3.88(3H,s,OMe)、3.92
(3H、s,N・CH3)、4.38(1H,m,CH3
CH・CH)、4.46(2H,ABq,内部線の分離14Hz,
J=14Hz)、4.68(1H,d,CH・CH・S,J=
2.2Hz)。 同様な操作方法によつて、次の化合物が得られ
る。 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−(1
−メチル−1,2,3,4−テトラゾール−5−
イル)−チオメチル−2−チアセフエム−4−カ
ルボキシレート。第3級ブチル(7S,6R)−7−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−3−ブロモメチル−2−チアセフエム−
4−カルボキシレートから出発。 ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−(8−アミノテトラゾロ〔1.5−6〕ピリダジン
−6−イル)チオメチル−2−チアセフエム−4
−カルボキシレート。 参考例 11 (5aR,6S)−6−〔1(R)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシエチル〕−5a,6−ジヒドロ
−3H,7H−アゼト〔2,1−c〕フロ〔3,
4−e〕−1,2,4−ジチアジン−1,7−
ジオン 〔方法(A)〕 DMSO(2ml)および水(1.5ml)中のメチル
(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメチル
シリルオキシエチル〕−3−ブロモメチル−2−
チアセフエム−4−カルボキシレート(15mg)の
溶液を、50℃で2.5時間Cu2O(50mg)と共に撹拌
する。反応混合物を水と酢酸エチルとの間に分配
する。有機抽出液を蒸発およびクロマトグラフイ
ー処理して白色粉末として標記生成物を得る。
νnax(CHCl3フイルム)1800〜1760brcm-1;δ
(CDCl3)0.06(3H,s,SiCH3)、0.11(3H,s,
SiCH3)、0.90(9H,s,But)、1.33(3H,d,
CH3・CH)、3.33(1H,dd,J=2.5および4.5Hz,
CH・CH・CH)、4.44(1H、m,CH3CH
CH)、4.62(1H,d,J=2.5Hz・CH・CH・S)
および4.98(2H,s,CH2O)。 〔方法(B)〕 アセトン−水(2:1)(35ml)中の2−ブロ
モメチルプレカーサー(250mg)をAgClO4(153
mg)と共に0℃で15分撹拌する。反応混合物を
H2O/EtOAc間に分配しそして有機層を蒸発さ
せて残留物を得る。シリカゲルクロマトグラフイ
ー処理によつて、(A)に記載した試料と同一の標記
生成物を得る。 参考例 12 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第
3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−ヒドロキシメチル−2−チアセフエム−4−
カルボキシレート。 アセトン−水(2:1)(10ml)中の第3級ブ
チル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシエチル〕−3−ブロモメチル−
2−チアセフエム−4−カルボキシレート(300
mg)をAgCl4O(150mg)と共に0℃で15分撹拌す
る。溶剤を除去し次でH2O/EtOAc分配および
有機層の後処理を行つて標記生成物250mg(96%)
を得る。λnax(CHCl3)281および335nm;νnax
(フイルム)3450、1785および1712cm-1;δ
(CDCl3)0.1(6H,s,SiMe2)、0.86(9H,s,
SiBut)、1.25(3H,d,CH 3CH)、1.50(9H,s,
OBut)、3.13(1H,dd,J=2.5および4.5Hz,
CH・CH・CH)、4.25(ABqの中心、J=13Hz,
CH2OH)、4.37(1H,m,CH3CH・CH)、お
よび4.60ppm(1H,d,J=2.5Hz,CH・CH
S)。 参考例 13 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−
(N−トリクロロアセチル)カルバモイルオキ
シメチル−2−チアセフエム−4−カルボキシ
レート エタノールを含有していないジクロロメタン
(2.5ml)中の第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1
(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエチ
ル〕−3−ヒドロキシメチル−2−チアセフエム
−4−カルボキシレート(250mg)を、−40℃でト
リクロロアセチルイソシアネート(80μ)で処
理する。混合物を室温に上昇しそして次に順次に
水性2%NaHCO3および塩水で洗浄する。有機
層から溶剤を蒸発させて定量的収率で標記生成物
を得る。λnax(EtOH)275および329nm;νnax
1795および1725brcm-1;δ(CD3CN)、0.1(6H,
s,SiMe2)、0.9(9H,s,SiBut)、1.3(3H,
d,CH 3・CH)、1.5(9H,s,OBut)、3.40
(1H,dd,J=3および4Hz,CH・CH・CH)、
4.35(1H、m,CH3CH・CH)、4.80(1H,d,
J=3Hz,CH・CH・S)、および5.0ppm(ABq
の中心、CH2OCO)。 参考例 14 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−
カルバモイルオキシメチル−2−チアセフエム
−4−カルボキシレート 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−(N
−トリクロロアセチル)カルバモイルオキシメチ
ル−2−チアセフエム−4−カルボキシレートの
メタノール溶液をシリカゲルと共に20時間撹拌す
る。次にスラリーをシリカゲルカラムに充填しそ
して生成物を酢酸エチルで溶離する。δ(CDCl3
0.1(6H,s,SiMe2)、0.9(9H,s,SiBut)、
1.35(3H,d,CH 3・CH)、1.60(9H,s,
OBut)、3.1(1H,dd,CH・CH・CH)、4.3(1H、
m,CH3CH・CH)、4.75(1H,d,J=3Hz,
CH・CH・S)、および5.0ppm(ABqの中心、
OCH2CO)。 参考例 15 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ニトロ
オキシメチル−2−チアセフエム−4−カルボ
キシレート アセトン(20ml)中のメチル(7S,6R)−7−
〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシエ
チル〕−3−ブロモメチル−2−チアセフエム−
4−カルボキシレート(200mg)の溶液をAgNO3
(100mg)の存在で20分撹拌する。過した反応混
合物をシリカゲルクロマトグラフイー処理によつ
て分別して標記生成物を得る。120mg。λnax
(CHCl3)280および337nm;νnax(フイルム)
1790、1730、1640および1280cm-1;δ(CDCl3
0.08(6H,s,SiMe2)、0.87(9H,s,SiBut)、
1.38(3H,d,CH 3・CH)、3.18(1H,dd,J=
2.5および5.5Hz,CH・CH・CH)、3.85(3H,s,
OMe)、4.38(1H,m,CH3CH・CH)、4.73
(1H,d,J=2.5Hz,CH・CH・S)、および
5.36ppm(2H,ABq,J=13.5Hz,s.i.l.29.5Hz,
CH2ONO2)。 更に溶離して参考例11に記載したラクトンの若
干を得る。 参考例 16 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ホルミ
ルオキシメチル−2−チアセフエム−4−カル
ボキシレート CH2Cl2中のメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−ブロモメチル−2−チアセフエム−4−カルボ
キシレート(200mg)をテトラブチルアンモニウ
ムホルミエート(3×600mg)で処理する。5℃
で3日後に、TLC〔酢酸エチル/軽油(1:2)〕
は生成物への80%変換率を示す。短シリカゲルカ
ラムを通して溶離して標記物質を得る。δ
(CDCl3)0.1(6H,s,SiMe2)、0.9(9H,s,
SiBut)、1.35(3H,d,CH 3・CH)、3.20(1H,
dd,25および7Hz,CH・CH・CH)、3.9(3H,
s,OMe)、4.5(1H,m,CH3CH・CH)、
4.74(1H,d,2.5Hz,CH・CH・S)、5.13(ABq
の中心、CH2O)。 同様な方法で相当する第3級ブチルおよびジフ
エニルメチルエステルから出発して次の化合物が
得られる。 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ホ
ルミルオキシメチル−2−チアセフエム−4−カ
ルボキシレート、 ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−ホルミルオキシメチル−2−チアセフエム−4
−カルボキシレート。 同様にして次の相当するアセテートが得られ
る。 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−アセトキ
シメチル−2−チアセフエム−4−カルボキシレ
ート、 第3級ブチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3
級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3−ア
セトキシメチル−2−チアセフエム−4−カルボ
キシレート、 ジフエニルメチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
第3級ブチルジメチルシリルオキシエチル〕−3
−アセキシメチル−2−チアセフエム−4−カル
ボキシレート、 トリクロロエチル(7S,6R)−7−〔1(R)−
トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル〕−
3−アセトキシメチル−2−チアセフエム−4−
カルボキシレート。 参考例 17 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシ
エチル〕−3−メチル2−チアセフエム−4−
カルボキシレート メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチ
ルジメチルシリルオキシエチル〕−3−メチル−
2−チアセフエム−4−カルボキシレート(0.75
g)を酢酸(1.23ml)およびTHF(10ml)中のテ
トラブチルアンモニウムフルオライド三水化物
(2.03g)の溶液に加える。 20時間後の後処理によつて、例6で得られた試
料に対して記載したスペクトル性質を示す標記化
合物(事実上定量的収率)が得られる。 同様な実験操作方法によつて次の化合物が得ら
れる。 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシ
エチル〕−3−ブロモメチル−2−チアセフエム
−4−カルボキシレート。メチル(7S,6R)−7
−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリルオキシ
エチル〕−3−ブロモメチル−2−チアセフエム
−4−カルボキシレートから出発。νnax(フイル
ム)1775、1730cm-1;δ(CDCl3)1.35(3H,d,
CH3・CH)、3.38(1H,dd,CH・CH・CH)、
3.60(1H,brs,OH)、3.97(3H,s,OMe)、
4.33(1H,m,CH3CH・CH)、4.46(2H,ABq
の中心、J=11Hz、内部線の分離 4Hz、
CH2Br)、および4.88ppm(1H,d,J=2.2Hz,
CH・CH・S)。 メチル(7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシ
エチル〕−3−(1−メチル−1,2,3,4−テ
トラゾール−5−イル)チオメチル−2−チアセ
フエム−4−カルボキシレート。メチル(7S,
6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメチルシリ
ルオキシエチル〕−3−(1−メチル−1,2,
3,4−テトラゾール−5−イル)チオメチル−
2−チアセフエム−4−カルボキシレートから出
発。νnax(KBr)1765および1707cm-1;δ
(CD3COCD3)1.30(3H、d、CH 3・CH)、3.39
(1H、dd、CH・CH・CH)、3.79(3H、s、
NCH3)、3.97(3H、s、OCH3)、4.0(1H、m、
CH3CH・CH)、4.38(2H、ABqの中心、J=
16Hz、内部線の分離13Hz、CH2・S)、4.77(1H、
d、J=2.2Hz、CH・CH・S)および5.0ppm
(1H、br、s、OH)。 そして、同様にして、相当する第3級ブチル、
ジフエニルメチルおよびトリクロロエチルエステ
ルもまた製造される。 参考例 18 (7S,6R)−7−〔1(R)−メチルスルホニル
オキシエチル〕−3−メチル−2−チアセフエ
ム−4−カルボン酸 ジフエニルメチル(7S、6R)−7−〔1(R)−
メチルスルホニルオキシエチル〕−3−メチル−
2−チアセフエム−4−カルボキシレートを冷ト
リフルオロ酢酸(0℃)に溶解する。同温度で15
分の撹拌後に、四塩化炭素を加えそして溶液を外
部加熱なしに真空下で完全に蒸発する。残留物を
CCl4中ですりつぶしそして集めて標記生成物を
得る。λnax(CHCl3)281および326nm;νnax
(CHCl3)3000〜2300、2970、2930、2850、1775、
1710、1530および1170cm-1;δ(CD3COCD3
1.58(3H、d、CH 3・CH)、2.23(3H、s、Me)、
3.16(3H、s、SO2Me)、3.66(1H、dd、J=2
および6Hz、CH・CH・CH)、4.85(1H、d、J
=2Hz、CH・CH・S)および5.30ppm(1H、
m、CH3CH・CH)。 同じ物質は、反応時間を約1時間に延長するほ
かは、相当するt−ブチルエステルのTFA−加
水分解によつて得られる。 同様に、t−ブチルまたはジフエニルメチルプ
レカーサーの加水分解は、次の生成物を与える。 (7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシエチル〕−3−メチル−2−チ
アセフエム−4−カルボン酸、 (7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕
−3−メチル−2−チアセフエム−4−カルボン
酸、 (7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕
−3−アセトキシメチル−2−チアセフエム−4
−カルボン酸、 (7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕
−3−カルバモイルオキシメチル−2−チアセフ
エム−4−カルボン酸、 (7S,6R)−7−〔1(R)−ヒドロキシエチル〕
−3−(1−メチル−1,2,3,4−テトラゾ
ール−5−イル)チオメチル−2−チアセフエム
−4−カルボン酸。 参考例 19 p−ニトロベンジル(7S,6R)−7−〔1(R)
−p−ニトロベンジルオキシカルボニルオキシ
エチル〕−3−メチル−2−チアセフエム−4
−カルボキシレート ジクロロメタン(25ml)中のジフエニルメチル
(7S,6R)−7−〔1(R)−p−ニトロベンジルオ
キシカルボニルオキシエチル〕−3−メチル−2
−チアセフエム−4−カルボキシレート(200mg)
の溶液を0℃で30分トリフルオロ酢酸(0.4ml)
で処理する。冷時真空蒸発して粗製の2−チアセ
フエム−4−カルボン酸を得、これをアセトニト
リル−ジメチルホルムアミド(2:1、10ml)に
溶解しそしてトリエチルアミン(0.050ml)およ
びp−ニトロベンジルブロマイド(100mg)で処
理する。25℃で1時間後に、混合物を酢酸エチル
と水性NaHCO3との間に分配する。 乾燥(MgSO4)した有機層を濃縮しそして残
留物をSiO2の短カラム(溶離剤として酢酸エチ
ル−軽油を使用)に通して純粋な標記生成物150
mg(79%)を得る。δ(CDCl3)1.45(3H、d、
CH3−CH)、3.43(1H、dd、J=2.5および6Hz、
CH−CH−CH)、4.45(2H、ABq、J=12Hz、
CH2Br)、4.80(1H、d、J=2.5Hz、CH−CH
S)、5.2〜5.5(5H、m)、7.47および7.60(それぞ
れ2H、d、Ar)、および8.20ppm(4H、d、
Ar)。 参考例 20 (7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシエチル〕−4−ジフエニルメ
トキシカルボニル−2−チアセフエム−3−
(ピリジニウム)メチルブロマイド 乾燥アセトン(15ml)中のジフエニルメチル
(7S,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメチル
シリルオキシエチル〕−3−ブロモメチル−2−
チアセフエム−4−カルボキシレート(310mg)
の溶液をピリジン(0.4ml)で処理する。室温で
20時間後に、溶剤を留去しそして残留物をシリカ
ゲルクロマトグラフイー処理によつて精製する。
生成物を含有するフラクシヨン(70:15:15の
CH2Cl2/HOAc/MeOHで溶離)を集めそして
溶剤を除去してシロツプとして標記化合物を得
る。νnax(CHCl3フイルム)1790、1715cm-1;δ
(CDCl3)(なかんづく)1.32(3H、d、J=6.5
Hz)、3.33(1H、dd)、445(1H、m)、5.0(1H、
d、J<2Hz)、7.11(1H、s);λnax(CHCl3
283および337nm(ε=4.060)。 同様な方法でそしてp−ニトロベンジル(7s,
6R)−7−〔1(R)−ニトロベンジルオキシカル
ボニルオキシエチル〕−3−ブロモメチル−2−
チアセフエム−4−カルボキシレートから出発し
て(7s,6R)−7−〔1(R)−P−ニトロベンジ
ルオキシカルボニルオキシエチル〕−4−p−ニ
トロベンジルオキシカルボニル−2−チアセフエ
ム−3−(ピリジニウム)メチルブロマイドが得
られる。 参考例 21 (7s,6R)−7−〔1(R)−第3級ブチルジメ
チルシリルオキシエチル〕−4−カルボキシ−
2−チアセフエム−3−(ピリジニウム)メチ
ルトリフルオロアセテート ジクロロメタン(10ml)中のジフエニルメチル
エスル(参考例20で得られた)の溶液を0℃で15
分トリフルオロ酢酸(2ml)で処理する。真空蒸
発後、残留物を少量のクロロホルムにとる。エチ
ルエーテルを撹拌下で加えそして次に傾瀉除去し
て粗製の標記生成物を得る。νnax(CHCl3フイル
ム)3420、1785、1715および1635brcm-1;δ
(CDCl3)(なかんづく)1.30(3H、d、J=6.5
Hz)、3.23(1H、dd)、4.38(1H、m)、4.76(1H、
d)ppm;λnax(CHCl3)262および334nm。 参考例 22 (7S,6R)−7−〔1(R)−p−ニトロベン
ジルオキシカルボニルオキシエチル〕−4−p
−ニトロベンジルオキシカルボニル−2−チア
セフエム−3−(3−カルバモイルピリジニウ
ム)メチルブロマイド DMF(5ml)中のp−ニトロベンジル(7S,
6R)−7−〔1(R)−p−ニトロベンジルオキシ
カルボニルオキシエチル〕−3−ブロモメチル−
2−チアセフエム−4−カルボキシレート(460
mg)の溶液を暗所でニコチン酸アミド(200mg)
の存在下で一夜撹拌する。大部分の溶剤を留去し
そして残留物をテトラヒドロフラン(150ml)に
とる。この溶液を反復して0.1N HCl中のNaClの
溶液(2×50ml)、塩水(2×50ml)で洗浄し、
乾燥(Na2SO4)しそして蒸発する。残留物をシ
ラン化シリカゲル(メルク社Art.7719)で充填し
たカラムの頂部に充填する。過剰のニコチンアミ
ドおよび不純物をEtOAcで溶離しそれから生成
物をEtOAc/HOAc(9:1)で溶離することに
よつて集める。真空蒸発して標記生成物を得る。
νnax(CHCl3)1800、1725、1695cm-1;δ(ジユウ
テロアセトン;200MHz)1.67(3H、d、J=6.4
Hz、CH 3−CH)、4.14(1H、dd、J=2.5および
4.7Hz、CH−CH−CH)、5.30(1H、d、J=2.5
Hz、CH−CH−S)、5.4〜5.7(7H、m、2×CH
2OAr、CH2N+、およびCH3CH−CH)、7.7〜
8.4(8H、m、Ar)、および8.0、8.7、9.5および
9.7ppm(それぞれ1H、br s、ピリジニウム)。 同様にニコチンアミドの代りにイソニコチンア
ミドを使用することによつて(7S,6R)−7−
〔1(R)−p−ニトロベンジルオキシカルボニル
オキシエチル〕−4−p−ニトロベンジルオキシ
カルボニル−2−チアセフエム−3−(4−カル
バモイルピリジニウム)メチルブロマイドが得ら
れる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一般式() 〔式中、R1は1〜12個の炭素原子を有するアル
    キル基であつて1個またはそれ以上のヒドロキ
    シ、アミノ、シアノおよび/またはメルカプト基
    によつて場合により置換された基(ここで、ヒド
    ロキシ、アミノおよびメルカプト基は遊離であつ
    てもまたは保護されていてもよい)であり、R2
    は水素原子またはカルボキシ保護基であり、そし
    てYはハロゲン原子である〕 を有する2−チアセフエム誘導体の製造法におい
    て、次式 (式中、R1およびR2は前述の定義を有する)の
    化合物をハロゲン化することを特徴とする製造
    法。 2 N−ブロモスクシンイミドでの処理によつて
    ハロゲン化が実施される特許請求の範囲第1項記
    載の方法。 3 一般式() 〔式中、R1は1〜12個の炭素原子を有するアル
    キル基であつて1個またはそれ以上のヒドロキ
    シ、アミノ、シアノおよび/またはメルカプト基
    によつて場合により置換された基(ここで、ヒド
    ロキシ、アミノおよびメルカプト基は遊離であつ
    てもまたは保護されていてもよい)であり、R2
    は水素原子またはカルボキシ保護基であり、そし
    てYはハロゲン原子である〕 を有する2−チアセフエム誘導体の製造法におい
    て、式() 〔式中、R1およびR2は前述の定義を有し、そし
    てZは () 式SR7(式中、R7は1〜8個の炭素原子を
    有するアルキル基、フエニルまたはトリル基ま
    たは複素環式環である)の基、 () 式SCOR8(式中、R8は場合によつては置換
    されている低級アルキル基である)の基、 () 式【式】 (式中、R9およびR10は独立して低級アルキル
    またはアリール基であるかまたはジカルボキシ
    アミノ基と共に複素環を形成する)の基、また
    は () 式【式】 (式中、R7は場合によつては置換されている
    低級アルキルまたはアリール基である)の基を
    示す〕 の化合物をオゾン分解して式() (式中、R1、R2およびZは前述の定義を有する) の化合物を得、そのヒドロキシ基をL基に変換せ
    しめて式() (式中、R1およびR2は前述の定義を有し、そし
    てLはハロゲン原子、アルカンスルホニルオキシ
    基またはアレンスルホニルオキシ基である) の化合物を得、次にこの化合物をH2Sと有機塩基
    または無機塩基との塩で処理することにより環化
    せしめて次式 (式中、R1およびR2は前述の定義を有する) の化合物を得、そしてこの化合物をハロゲン化す
    ることを特徴とする製造法。 4 ヒドロキシ基の基Lへの変換がメシル化であ
    る特許請求の範囲第3項記載の方法。 5 N−ブロモスクシンイミドでの処理によつて
    ハロゲン化が実施される特許請求の範囲第3項記
    載の方法。
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