JPH04364485A - 混成集積回路装置の検査方法 - Google Patents

混成集積回路装置の検査方法

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JPH04364485A
JPH04364485A JP3167681A JP16768191A JPH04364485A JP H04364485 A JPH04364485 A JP H04364485A JP 3167681 A JP3167681 A JP 3167681A JP 16768191 A JP16768191 A JP 16768191A JP H04364485 A JPH04364485 A JP H04364485A
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JP
Japan
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integrated circuit
circuit device
hybrid integrated
contact
solder bump
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Pending
Application number
JP3167681A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyoichi Moriyama
恭一 森山
Motohide Miyoshi
三好 基秀
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH04364485A publication Critical patent/JPH04364485A/ja
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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、混成集積回路装置の
検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図4および図5は従来のこの種混成集積
回路装置の検査方法を示すもので、図において、1は凹
部11を有する基板支持台、2は基板支持台1の凹部1
1に収められた被検査物である混成集積回路装置、3は
混成集積回路装置2上に配置されたICチップ、4はI
Cチップ3に突出形成され混成集積回路装置上に設けら
れた電極ランド5と電気的に接続されるハンダバンプ、
6は混成集積回路に形成された電気的特性測定ランド、
7は電気的測定ランド6に接触させて混成集積回路装置
の機能特性検査を行うプローブピン8を有するプローブ
カードである。ここでプローブカード7は混成集積回路
2の真上に、上下動可能に設置されている。またプロー
ブカード7が下方へ下げられるとプローブピン8が混成
集積回路装置2上に設置されている電気的測定ランド6
に対して直角に接触するような構造となっている。
【0003】この従来のものでは、電気的測定ランド6
にプローブカード7のプローブピン8を当接し、このプ
ローブピン8を介して種々の電気的入出力条件を印加す
ることにより混成集積回路装置2の機能特性を測定、検
査する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の混成集積回路装
置の検査方法では、以上のように電気的機能特性検査を
目的としているので、ICチップと基板の電極ランドと
を電気的に接続するためのハンダバンプ4に接触不良が
起った場合には、これを検出するのが難しいという問題
があった。
【0005】この発明はこのような問題点を解消するた
めになされたもので、ICチップと電極ランドのハンダ
バンプの接触不良を検出できるようにすることを目的と
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】この発明に係る混成集積
回路装置の検査方法は、基板支持台の1部に形成された
凸状支持部に混成集積回路装置を当接配置し混成集積回
路装置を凸状支持部の両側から押圧して、これに曲げ応
力を加えると共に混成集積回路装置の電気特性を測定す
るようにしたものである。
【0007】
【作用】この発明における混成集積回路装置の検査方法
は、混成集積回路装置に曲げ応力を加えるようにしたの
で、ICチップと電極ランドのハンダバンプの接触不良
を電気的機能特性検査の際に検出することができる。
【0008】
【実施例】
実施例1.以下この発明の一実施例を図1および図2に
もとづいて説明する。即ち図1および図2において、1
は凹部12の中央底部に凸状支持部13が形成されてい
る基板支持台、9は混成集積回路装置2の実装面と直角
に接する位置で上下に可動し、ICチップ3と電極ラン
ド5間を電気的に接続するためのハンダバンプ4に曲げ
応力を与える押棒である。なおその他の構成は図4およ
び図5に示す従来のものと同様であるので説明を省略す
る。
【0009】このように構成されたものでは、混成集積
回路装置2の真上に配置されているプローブカード7を
下方へ下げると、プローブピン8と押棒9が混成集積回
路装置2上に直角に接触する。この押棒9によって混成
集積回路装置2が加圧されると共に、混成集積回路装置
2を支持する基板支持台1の凹部12に設けられた凸状
支持部13の作用によってICチップ3と電極パッド5
の間を電気的に接続するハンダバンプ4部に曲げ応力が
加えられる。従って混成集積回路装置2の電気的特性測
定ランド6とプローブピン8の接触によって混成集積回
路装置の電気的特性を測定検査するに際し、ハンダバン
プ4と電極ランド5との接触状態をチェックし接触不良
を検査することができる。
【0010】実施例2.図3に示すように混成集積回路
装置2上にICチップ3以外の素子10がハンダ付けさ
れている場合にもこの検査方法は有効である。
【0011】
【発明の効果】上記のようにこの発明による混成集積回
路装置の検査方法は、混成集積回路に曲げ応力を加える
ようにしたので、ICチップと電極バンプ間と電気的に
接続しているハンダバンプの接触不良を容易に検出する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例を示す要部側面図である

図2】この発明の一実施例を示す要部側面図である
【図
3】この発明の他の実施例を示す要部側面図である
【図
4】従来のこの種半導体混成回路装置の検査方法を示す
要部側面図である
【図5】従来のこの種半導体混成回路装置の検査方法を
示す要部側面図である
【符号の説明】
1        基板支持台 13      凸状支持部 2        混成集積回路装置 3        ICチップ 4        ハンダバンプ 5        電極ランド 6        電気的特性測定ランド7     
   プローブカード 8        プローブピン 9        押棒

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  電気的特性測定ランドを有する混成集
    積回路装置の一部を基板支持台に形成された凸状支持部
    に当接して配置し、この凸状支持部に対してこれの両側
    から上記混成集積回路装置を押圧し、混成集積回路装置
    に曲げ応力を加えると共に混成集積回路装置の電気的特
    性を測定するようにしたことを特徴とする混成集積回路
    装置の検査方法。
JP3167681A 1991-06-11 1991-06-11 混成集積回路装置の検査方法 Pending JPH04364485A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745673A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Nec Corp 半導体ペレットのマウント性能検査方法
WO2002056347A2 (en) * 2001-01-09 2002-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. Method of testing of a semiconductor wafer by mechanical stressing of a die
CN100371726C (zh) * 2004-06-29 2008-02-27 联华电子股份有限公司 芯片针测机

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WO2002056347A3 (en) * 2001-01-09 2002-10-10 Advanced Micro Devices Inc Method of testing of a semiconductor wafer by mechanical stressing of a die
CN100371726C (zh) * 2004-06-29 2008-02-27 联华电子股份有限公司 芯片针测机

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