JPH1180708A - 研磨用組成物 - Google Patents

研磨用組成物

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JPH1180708A
JPH1180708A JP24433397A JP24433397A JPH1180708A JP H1180708 A JPH1180708 A JP H1180708A JP 24433397 A JP24433397 A JP 24433397A JP 24433397 A JP24433397 A JP 24433397A JP H1180708 A JPH1180708 A JP H1180708A
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JP
Japan
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acid
polishing composition
polishing
abrasive
group
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JP24433397A
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English (en)
Inventor
Satoshi Suzumura
村 聡 鈴
Kazumasa Tamai
井 一 誠 玉
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Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
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Publication date
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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨速度が大きく、均一性が優れた研磨面を
形成させることができる研磨用組成物の提供。 【解決手段】(1)水、(2)研磨材、(3)硝酸、亜
硝酸、塩酸、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素
酸、ホウ酸、過ホウ酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、リン
酸、亜リン酸、次亜リン酸、ケイ酸、有機酸、およびそ
れらの水素酸のイオン、またはそれらの混合物、からな
る群から選ばれる、少なくとも1種類の陰イオン、
(4)アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、およ
びアルカリ土類金属イオンからなる群から選ばれる、少
なくとも1種類の陽イオン。を含んでなる研磨用組成物
であって、(4)の陽イオンの総量が0.001〜0.
15モル/リットルであることを特徴とする研磨用組成
物。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体、フォトマ
スク、各種メモリーハードディスク用基盤および合成樹
脂等各種工業製品またはその部材の研磨に使用される研
磨用組成物に関し、特に半導体産業等におけるデバイス
ウェーハの表面平坦化加工に好適な研磨用組成物に関す
るものである。
【0002】さらに詳しくは、本発明は、従来よりCM
P技術(詳細後記)が適用されている、層間絶縁膜およ
び素子分離のための絶縁膜である二酸化ケイ素膜の研磨
において、大きな研磨速度が得られると同時に、ウェー
ハ内の均一性が優れた研磨表面を形成させることがで
き、高度なデバイス形成技術に適用可能な研磨用組成物
に関するものである。
【0003】
【従来の技術】近年のコンピューターを始めとする所謂
ハイテク製品の進歩は目覚ましく、これに使用される部
品、例えばULSI、は年々高集積化・高速化の一途を
たどっている。これに伴い、半導体装置のデザインルー
ルは年々微細化が進み、デバイス製造プロセスでの焦点
深度は浅くなり、パターン形成面に要求される平坦性は
厳しくなってきている。
【0004】また、配線の微細化による配線抵抗の増大
に対処するため、デバイスの多層化による配線長の短縮
が行われているが、形成されたパターン表面の段差が多
層化の障害として問題化してきている。
【0005】このような微細化および多層化を行うに当
たっては、そのプロセス中で段差を取り除くための所望
表面の平坦化を行うことが必要であり、この手法とし
て、これまではスピンオングラス、レジストエッチバッ
クおよびその他の平坦化法が用いられていた。
【0006】しかし、これらの手法では、部分的な平坦
化は可能であるが、次世代のデバイスに要求されるグロ
ーバルプレナリゼーション(完全平坦化)を達成するこ
とは困難な状況であり、現在では機械的ないし物理的研
磨と化学的研磨とを組み合わせたメカノケミカル研磨加
工による平坦化(Chemical Mechanical Polishing、以
下「CMP」という)が検討されるようになってきてい
る。
【0007】このような研磨技術を用いて、層間絶縁膜
または素子分離のための絶縁膜である二酸化ケイ素膜の
平坦化を実施するに当たっての技術課題は、平坦化加工
する面を研磨による取代の過不足なく均一に仕上げるこ
と、および大きな研磨速度で研磨することにより生産性
を向上させることである。
【0008】従来、層間絶縁膜または素子分離のための
絶縁膜に使用されている二酸化ケイ素膜の研磨には、フ
ュームドシリカ、水、および水酸化カリウム、アンモニ
アおよびその他から選ばれた塩基性化合物を含む研磨用
組成物が用いられてきた。このような研磨用組成物を用
いる場合、塩基性化合物の添加量を増量すると研磨速度
を大きくすることができる。
【0009】これは、このような研磨加工において、化
学的な研磨作用が利用されているためである。化学的な
研磨作用とは、上記の研磨加工を例にとれば、二酸化ケ
イ素膜が、化学的研磨促進剤である塩基性化合物の効果
により化学的な侵食を受けて、研磨による除去を受けや
すくなることをいう。すなわち、上記の研磨加工におい
て、塩基性化合物の添加量を増量することにより化学的
な作用が増大して、全体の研磨速度が大きくなるのであ
る。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者らの知る限り、上記したような従来の研磨用組成物に
おいては、通常、比較的多量の塩基性化合物を含んでお
り、必要レベルの研磨速度は維持されているものの、研
磨面の均一性においては十分満足なレベルにすることが
できず、まだ改良の余地があった。従って、十分な研磨
速度と、研磨面の均一性とを両立できる研磨用組成物が
望まれていた。
【0011】
【課題を解決するための手段】
[発明の概要] <要旨>本発明の研磨用組成物は、(1)水、(2)研
磨材、(3)硝酸、亜硝酸、塩酸、過塩素酸、塩素酸、
亜塩素酸、次亜塩素酸、ホウ酸、過ホウ酸、硫酸、亜硫
酸、過硫酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ケイ酸、
有機酸、およびそれらの水素酸のイオン、またはそれら
の混合物、からなる群から選ばれる、少なくとも1種類
の陰イオン、(4)アンモニウムイオン、アルカリ金属
イオン、およびアルカリ土類金属イオンからなる群から
選ばれる、少なくとも1種類の陽イオン、を含んでなる
研磨用組成物であって、(4)の陽イオンの総量が0.
001〜0.15モル/リットルであること、を特徴と
するものである。
【0012】<効果>本発明の研磨用組成物は、研磨速
度が大きく、同時に均一性が優れた研磨面を形成させる
ことができる。
【0013】[発明の具体的説明] <研磨材>本発明の研磨用組成物において研磨材として
用いるのに適当な研磨材は、二酸化ケイ素、酸化アルミ
ニウム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化
ジルコニウム、および二酸化マンガンからなる群から選
ばれるものである。
【0014】本発明において、もちいることのできる二
酸化ケイ素には、コロイダルシリカ、フュームドシリ
カ、およびその他の、製造法や性状の異なるものが多種
存在する。
【0015】酸化アルミニウムにも、α−アルミナ、δ
−アルミナ、θ−アルミナ、κ−アルミナ、およびその
他の形態的に異なるものがある。また製造法からフュー
ムドアルミナと呼ばれるものもある。
【0016】酸化セリウムには、酸化数から3価のもの
と4価のもの、また結晶系から見て、六方晶系、等軸晶
系、および面心立方晶系のものがある。
【0017】酸化チタンには、結晶系から見て、一酸化
チタン、三酸化二チタン、二酸化チタンおよびその他の
ものがある。また製造法からフュームドチタニアと呼ば
れるものもある。
【0018】窒化ケイ素は、α−窒化ケイ素、β−窒化
ケイ素、アモルファス窒化ケイ素、およびその他の形態
的に異なるものがある。
【0019】酸化ジルコニウムは、結晶系から見て、単
斜晶系、正方晶系、および非晶質のものがある。また、
製造法からフュームドジルコニアと呼ばれるものもあ
る。
【0020】二酸化マンガンは、形態的に見てα−二酸
化マンガン、β−二酸化マンガン、γ−二酸化マンガ
ン、δ−二酸化マンガン、ε−二酸化マンガン、η−二
酸化マンガン、およびその他がある。
【0021】本発明の組成物には、これらのものを任意
に、必要に応じて組み合わせて、用いることができる。
組み合わせる場合には、その組み合わせ方や使用する割
合は特に限定されない。
【0022】上記の研磨材は、砥粒としてメカニカルな
作用により被研磨面を研磨するものである。このうち二
酸化ケイ素の粒径は、BET法により測定した比表面積
から求められる平均粒子径で一般に5〜500nm、好
ましくは10〜200nm、である。また、酸化アルミ
ニウム、酸化ジルコニウム、酸化チタン、窒化ケイ素、
および二酸化マンガンの粒径は、BET法により測定し
た比表面積から求められる平均粒子径で一般に10〜
5,000nm、好ましくは50〜3,000nm、で
ある。さらに、酸化セリウムの粒径は、走査型電子顕微
鏡により観察される平均粒子径で、一般に10〜5,0
00nm、好ましくは50〜3,000nm、である。
【0023】これらの研磨材の平均粒子径がここに示し
た範囲を超えて大きいと、研磨された表面の表面粗さが
大きかったり、スクラッチが発生したりするなどの間題
があり、逆に、ここに示した範囲よりも小さいと研磨速
度が極端に小さくなってしまい実用的でない。
【0024】研磨用組成物中の研磨材の含有量は、組成
物の重量を基準にして、40重量%未満、好ましくは
0.1〜40重量%、より好ましくは1〜30重量%、
である。研磨材の含有量が余りに少ないと研磨速度が小
さくなり、逆に余りに多いと均一分散が保てなくなり、
かつ組成物粘度が過大となって取扱いが困難となること
がある。
【0025】<陰イオン>本発明の研磨用組成物は、硝
酸、亜硝酸、塩酸、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜
塩素酸、ホウ酸、過ホウ酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、リ
ン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ケイ酸、有機酸、および
それらの水素酸のイオン、またはそれらの混合物、から
なる群より選ばれる少なくとも1種類の陰イオンを含ん
でなる。これらの陰イオンは、水に溶解して前記の特定
の陰イオンを放出する酸化合物、すなわち、酸、または
その塩、を溶解することにより研磨用組成物中に生成さ
せるのが普通である。また、本発明において、主たる溶
媒は水であるので、水に溶解して前記の陰イオンを放出
する、気体状化合物、例えば塩酸ガス、亜硫酸ガス、お
よびその他、を水に直接導入することで上記のイオンを
生成させてもよい。
【0026】用いる酸化合物は、本発明の効果を損なわ
ないものであれば任意のものを用いることができる。具
体的には、(1)硝酸、亜硝酸、塩酸、過塩素酸、塩素
酸、亜塩素酸、次亜塩素酸、ホウ酸、過ホウ酸、硫酸、
亜硫酸、過硫酸、リン酸、亜リン酸、次亜リン酸、ケイ
酸、または有機酸、例えばカルボン酸(例えば、ギ酸、
酢酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢
酸、マレイン酸、フマル酸、グリコール酸、クエン酸、
リンゴ酸、乳酸、酒石酸、マロン酸、コハク酸、グルコ
ン酸、プロピオン酸、酪酸、または吉草酸)、(2)
(1)の酸のアンモニウム塩、ナトリウム塩、カリウム
塩、リチウム塩、ベリリウム塩、マグネシウム塩、また
はカルシウム塩(3)(1)の酸の内、塩基度が2以上
の酸の水素塩、が挙げられる。これらの中で、硝酸、塩
酸、ホウ酸、硫酸、リン酸、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢
酸、マレイン酸、フマル酸、グルコール酸、クエン酸、
リンゴ酸、乳酸、酒石酸、マロン酸、コハク酸、グルコ
ン酸、プロピオン酸、およびこれらの酸のアンモニウム
塩ならびにカリウム塩、あるいはホウ酸、硫酸、リン
酸、マレイン酸、フマル酸、グルコール酸、クエン酸、
リンゴ酸、乳酸、酒石酸、マロン酸、またはコハク酸
と、アンモニウムイオンまたはカリウムイオンとからな
る水素酸塩、が特に好ましい。これらの酸化合物は任意
の割合で併用することもできる。
【0027】本発明の研磨用組成物において、前記の特
定の陰イオンの濃度は、本発明の効果を損なわない限り
限定されないが、後述する陽イオンとの相対量として、
前記の特定の陰イオンの総量が、後述の陽イオンの総量
に対して、モル比で1/200〜2であることが好まし
く、1/100〜1であることが特に好ましい。特定の
陰イオンの含有量を増量することで研磨速度が大きくな
る傾向にあるが、過度に増量すると研磨材の分散性が悪
化することもあるので注意が必要である。
【0028】本発明の研磨用組成物には、取り扱い性な
どの点から、水溶性(易溶性)の酸化合物を用いること
により、研磨用組成物に陰イオンを導入することがより
好ましいが、難溶性の化合物であっても研磨用組成物中
に溶解することが可能なものであれば用いることが可能
である。言い換えれば、前記の特定の陰イオンの総量と
陽イオンの総量の比率は、溶解している陰イオンをもと
にした量であり、溶解していない酸化合物は考慮する必
要がない。
【0029】<陽イオン>本発明の研磨用組成物は、特
定の陽イオンを含んでなる。本発明の研磨用組成物にお
いて、これらの陽イオンは、用いられる場合には、前記
の特定の陰イオンとともに、または単独で、研磨促進剤
としてケミカルな作用により研磨作用を促進するもので
ある。
【0030】本発明において用いられる陽イオンは、ア
ンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、およびアルカ
リ土類金属イオンからなる群から選ばれる、少なくとも
1種類の陽イオンである。特に、NH4 +、Li+、N
+、K+、Be2+、Mg2+、およびCa2+からなる群か
ら選ばれるイオン(以下、「無機アルカリイオン」とい
う)が好ましい。このようなイオンは、通常、前記の無
機アルカリイオンを放出する塩基性化合物を研磨用組成
物中に溶解させることにより、研磨用組成物中に導入さ
れる。ここで用いられる塩基性化合物は、本発明の効果
を損なわないものであれば特に限定されないが、具体的
には、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、水酸化ナ
トリウム、水酸化リチウム、水酸化ベリリウム、水酸化
マグネシウム、および水酸化カルシウムからなる群から
選ばれる少なくとも1種類の化合物が挙げられる。これ
らの塩基性化合物は任意の割合で併用することもでき
る。また、上記の塩基性化合物については、前記の無機
アルカリイオン以外の金属イオンが極めて少ない高純度
のものを使用することにより、研磨用組成物中に不純物
金属イオンを減少させることができるので好ましい。
【0031】本発明の研磨用組成物の前記陽イオンの含
有量は、研磨用組成物の全量に対して、0.001〜
0.15モル/リットル、好ましくは0.005〜0.
1モル/リットル、より好ましくは、0.01〜0.0
75モル/リットル、である。前記無機アルカリイオン
の含有量を増量することで研磨速度が大きくなる傾向が
あるが、多いと研磨面の均一性が悪化する傾向にある。
さらには、研磨速度などに対する改良の度合いが小さく
なり、経済的なデメリットを生じることもあり得るので
注意が必要である。
【0032】<研磨用組成物>本発明の研磨用組成物
は、一般に上記の研磨材を所望の含有率で水に混合し、
分散させ、さらに前記の特定の陰イオンを放出する化合
物、および前記の無機アルカリイオンを放出する化合物
を所定量溶解させることにより調製する。これらの成分
を水中に分散または溶解させる方法は任意であり、例え
ば、翼式撹拌機で撹拌したり、超音波分散により分散さ
せる。また、これらの各成分の混合順序は任意であり、
研磨材の分散と、酸化合物または塩基性化合物の溶解の
どちらを先に行ってもよく、また両者を同時に行っても
よい。
【0033】また、本発明の研磨用組成物の調製に際し
ては、製品の品質保持や安定化を図る目的や、被加工物
の種類、加工条件およびその他の研磨加工上の必要に応
じて、各種の公知の添加剤をさらに加えてもよい。
【0034】すなわち、さらに加える添加剤の好適な例
としては、下記のものが挙げられる。 (イ)セルロース類、例えばセルロース、カルボキシメ
チルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、および
その他、(ロ)水溶性アルコール類、例えばエタノー
ル、プロパノール、エチレングリコール、およびその
他、(ハ)界面活性剤、例えばアルキルベンゼンスルホ
ン酸ソーダ、ナフタリンスルホン酸のホルマリン縮合
物、およびその他、(ニ)有機ポリアニオン系物質、例
えばリグニンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、および
その他、(ホ)水溶性高分子(乳化剤)類、例えばポリ
ビニルアルコール、およびその他、(ヘ)殺菌剤、例え
ばアルギン酸ナトリウム、およびその他。
【0035】また、本発明の研磨用組成物に対して、そ
こに含まれる研磨材、酸化合物、および塩基性化合物に
加えて、研磨材、酸化合物、および塩基性化合物として
前記したものを包含するものの中からその他のものを、
研磨材または研磨促進剤の用途以外の目的で、例えば研
磨材の沈降防止のために、さらなる添加剤として用いる
ことも可能である。
【0036】本発明の研磨用組成物は、前記した主成分
の添加により、pHが4〜10となるのが普通である。
各種の補助添加剤の添加により研磨用組成物のpHは変
動するが、本発明の効果を発現させるためにはpHが4
〜10であることが好ましい。従って、研磨用組成物の
pHが4〜10の範囲からはずれてしまう場合、酸また
はアルカリを添加してpHを調整することが好ましい。
また、pHがこの範囲内にあっても、その他の理由、例
えば研磨用組成物の保存安定性、研磨対象物の物性、お
よびその他、によりさらにpHを調整することが好まし
いこともある。
【0037】なお、本発明の研磨用組成物は、半導体、
フォトマスク、各種メモリーハードディスク用基盤およ
び合成樹脂等各種工業製品またはその部材などの任意の
基材に対して適用することが可能であるが、特に半導体
産業等におけるデバイスウェーハの表面平坦化加工に用
いることが好ましい。
【0038】また、本発明の研磨用組成物は、比較的高
濃度の原液として調製して貯蔵または輸送などをし、実
際の研磨加工時に希釈して使用することもできる。前述
の好ましい濃度範囲は、実際の研磨加工時のものとして
記載したのであり、このような使用方法をとる場合、貯
蔵または輸送などをされる状態においてはより高濃度の
溶液となることは言うまでもない。また、取り扱い性の
観点から、そのような濃縮された形態で製造されること
が好ましい。なお、研磨用組成物について前述した濃度
などは、このような製造時の濃度ではなく、使用時の濃
度を記載したものである。
【0039】以下は、本発明の研磨用組成物を例を用い
て具体的に説明するものである。
【0040】なお、本発明は、その要旨を超えない限
り、以下に説明する諸例の構成に限定されない。
【0041】
【発明の実施の形態】 <研磨用組成物の内容および調製>まず、研磨材として
フュームドシリカ(一次粒子径50nm、二次粒子径2
00nm)を撹拌機を用いて水に分散させて、研磨材濃
度15重量%のスラリーを調製した。次いでこのスラリ
ーに表1に記載した濃度または含有量となるように酸化
合物およびアンモニア(塩基性化合物)を添加して実施
例1〜8および比較例1〜2の試料を調製した。
【0042】ここで、酸濃度とは、研磨用組成物中に溶
存している酸化合物の濃度をモル濃度で表したものであ
り、アンモニア含有量とは研磨用組成物中に溶存してい
るアンモニアの総量をモル濃度で表したものである。
【0043】<研磨試験>次に、実施例1〜8および比
較例1〜2の試料による研磨試験を行った。被加工物と
しては、CVD法により二酸化ケイ素膜を成膜した6イ
ンチ・シリコンウェーハ(外径約150mm)の基盤を
使用し、二酸化ケイ素膜の膜付き面を研磨した。
【0044】研磨は片面研磨機(定盤径570mm)を
使用して行った。研磨機の定盤には不織布パッド(Ro
del社(米国)製Suba400)上に発泡ウレタン
パッド(Rodel社(米国)製IC−1000)を貼
り合わせた研磨パッドを貼り付け、二酸化ケイ素膜付ウ
ェーハを装填して3分間研磨した。
【0045】研磨条件は、加工圧力490g/cm2
定盤回転数35rpm、研磨用組成物供給量150cc
/分、ウェーハ回転数70rpmとした。
【0046】研磨後、ウェーハを順次洗浄、乾燥した
後、ウェーハの膜厚減、すなわち研磨による取代を49
点測定し、それを平均して研磨時間で除することによ
り、各試験別に研磨速度を求めた。
【0047】上記により求められた49点の取代から、
次式により研磨面の均一性の評価基準であるN−Uを求
めた。 N−U(%)={R.(max)−R.(min)}/{R.(ave)×
2}×100 上式において、R.(max)は最大取代、R.(min)は最小取
代、またR.(ave)は平均取代を表している。
【0048】この式からも明らかなように、N−Uとは
研磨において発生する膜厚減のばらつきによるウェーハ
表面の凹凸、すなわち取代の不均一性を表す指標であ
る。このN−Uの値が大きい研磨面ほど研磨による取代
のばらつきが大きく、逆にN−Uの値が小さい研磨面ほ
ど研磨による取代のばらつきが小さい。
【0049】 表1 アンモニア 酸の種類 酸化合物 研磨速度 N−U 含有量 濃度 [mol/l] [mol/l] [nm/分] [%] 実施例1 0.0347 硝酸 0.0086 147 5.8 実施例2 0.0347 塩酸 0.0086 151 5.6 実施例3 0.0347 硫酸 0.0086 156 5.2 実施例4 0.0347 リン酸 0.0086 155 5.3 実施例5 0.0347 ギ酸 0.0086 153 5.6 実施例6 0.0347 酢酸 0.0086 151 5.8 実施例7 0.0347 マレイン酸 0.0086 157 5.1 実施例8 0.0347 グリコール酸 0.0086 154 6.5 比較例1 0.3071 − − 143 14.7 比較例2 0.0347 − − 135 6.6
【0050】表1に示した結果より、従来の研磨用組成
物は、本発明の研磨用組成物に比較して、研磨速度が著
しく小さいか、N−Uが著しく劣っており、本発明の研
磨用組成物は優れた研磨速度と優れた研磨面の均一性と
を両立していることがわかる。
【0051】なお、上記の表1において掲載しなかった
が、これらの試験で用いた研磨済加工面を目視にて評価
したところ、実施例、比較例ともに、スクラッチおよび
その他の表面欠陥については見出されなかった。
【0052】
【発明の効果】本発明の研磨用組成物は、研磨速度が大
きく、均一性が優れた研磨面を形成させることができる
ことは、[発明の概要]の項に前記したとおりである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 21/304 321 H01L 21/304 321P // G11B 5/84 G11B 5/84 A

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】(1)水、(2)研磨材、(3)硝酸、亜
    硝酸、塩酸、過塩素酸、塩素酸、亜塩素酸、次亜塩素
    酸、ホウ酸、過ホウ酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、リン
    酸、亜リン酸、次亜リン酸、ケイ酸、有機酸、およびそ
    れらの水素酸のイオン、またはそれらの混合物、からな
    る群から選ばれる、少なくとも1種類の陰イオン、
    (4)アンモニウムイオン、アルカリ金属イオン、およ
    びアルカリ土類金属イオンからなる群から選ばれる、少
    なくとも1種類の陽イオン。を含んでなる研磨用組成物
    であって、(4)の陽イオンの総量が0.001〜0.
    15モル/リットルであることを特徴とする研磨用組成
    物。
  2. 【請求項2】研磨材の含有量が、研磨用組成物の重量を
    基準にして、40重量%未満である請求項1に記載の研
    磨用組成物。
  3. 【請求項3】研磨材が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウ
    ム、酸化セリウム、酸化チタン、窒化ケイ素、酸化ジル
    コニウム、および二酸化マンガンからなる群より選ばれ
    る少なくとも1種類の研磨材である、請求項1または2
    のいずれかに記載の研磨用組成物。
  4. 【請求項4】陽イオンが、NH4 +、Li+、Na+
    +、Be2+、Mg2+、およびCa2+からなる群より選
    ばれる少なくとも1種類の陽イオンである、請求項1〜
    3のいずれか1項に記載の研磨用組成物。
  5. 【請求項5】陽イオンの総量が、0.005〜0.1モ
    ル/リットルである、請求項1〜4のいずれか1項に記
    載の研磨用組成物。
  6. 【請求項6】陽イオンの総量が、0.01〜0.075
    モル/リットルである、請求項1〜4のいずれか1項に
    記載の研磨用組成物。
  7. 【請求項7】前記陰イオンの総量が、前記陽イオンに対
    して、モル比で1/200〜2である、請求項1〜6の
    いずれか1項に記載の研磨用組成物。
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