JP3290189B2 - シリコンウェハーの研磨方法 - Google Patents
シリコンウェハーの研磨方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体の製造工程にお
けるシリコンウェハー研磨剤を用いたシリコンウェハー
の研磨方法に関する。
けるシリコンウェハー研磨剤を用いたシリコンウェハー
の研磨方法に関する。
【０００２】半導体用シリコンウェハーの鏡面化研磨工
程には、シリコン単結晶インゴットから切断によってウ
ェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及びウネリを
除去するラッピング工程と、ラッピング工程を経たシリ
コンウェハーを目的とする表面精度に研磨して仕上げる
ポリッシング工程があるが、ポリッシング工程は、粗研
磨と称される１次ポリッシング工程と精密研磨と称され
るファイナルポリッシングに分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を更に２工程に分け、１次、２次
ポリッシング工程と称されている。
程には、シリコン単結晶インゴットから切断によってウ
ェハー状に切り出した際に生じる切断歪層及びウネリを
除去するラッピング工程と、ラッピング工程を経たシリ
コンウェハーを目的とする表面精度に研磨して仕上げる
ポリッシング工程があるが、ポリッシング工程は、粗研
磨と称される１次ポリッシング工程と精密研磨と称され
るファイナルポリッシングに分別され、場合によっては
１次ポリッシング工程を更に２工程に分け、１次、２次
ポリッシング工程と称されている。
【０００３】本発明は詳しくは、前述の１次ポリッシン
グ工程または１次ポリッシング工程を更に２工程に分け
た１次、２次ポリッシング工程(以下、これらを総称し
て単に１次ポリッシング工程と言う)用の研磨剤に関す
る。
グ工程または１次ポリッシング工程を更に２工程に分け
た１次、２次ポリッシング工程(以下、これらを総称し
て単に１次ポリッシング工程と言う)用の研磨剤に関す
る。
【０００４】
【従来の技術】１次ポリッシング工程は、研磨ブロック
に複数枚のラッピングシリコンウェハーを貼り付け、こ
の研磨ブロックを回転テーブル上に接着した人造皮革
(ポリッシャー)に適切なる圧力を加えて、ｐＨ９〜１２
程度のアルカリ性コロイダルシリカまたは水に分散した
シリカパウダー研磨液を添加することによって研磨液と
シリコンウェハーがメカノケミカル作用を起こすことに
よって進行するが、ここで用いられる研磨剤はコストダ
ウンのため、通常リサイクル使用されることが一般的で
ある。
に複数枚のラッピングシリコンウェハーを貼り付け、こ
の研磨ブロックを回転テーブル上に接着した人造皮革
(ポリッシャー)に適切なる圧力を加えて、ｐＨ９〜１２
程度のアルカリ性コロイダルシリカまたは水に分散した
シリカパウダー研磨液を添加することによって研磨液と
シリコンウェハーがメカノケミカル作用を起こすことに
よって進行するが、ここで用いられる研磨剤はコストダ
ウンのため、通常リサイクル使用されることが一般的で
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の研磨剤
は、このリサイクルに用いるとリサイクルに際し、シリ
コンウェハーに対する研磨効率が大幅に劣化し、更に、
仕上がったシリコンウェハーの表面の精度が悪くなると
いう欠点を有し、その結果、シリコンウェハー製造上の
工程管理が難しかった。
は、このリサイクルに用いるとリサイクルに際し、シリ
コンウェハーに対する研磨効率が大幅に劣化し、更に、
仕上がったシリコンウェハーの表面の精度が悪くなると
いう欠点を有し、その結果、シリコンウェハー製造上の
工程管理が難しかった。
【０００６】例えば、米国特許第3,170,273号明細書に
は、コロイダルシリカ及びシリカゲルを用いてシリコン
ウェハーをポリッシングすることが記載されている。ま
た、米国特許第4,169,337号明細書には、研磨効率を向
上させた方法が開示されている。また、特開昭58−2251
77号公報には、使用する研磨液に第４級アンモニウム及
びその塩を加えることによる改良法が開示されている。
更に、特開昭62−30333号公報には、アルカリ性コロイ
ダルシリカにピペラジンを添加することによって効率の
高いシリコンウェハー研磨方法が開示されている。
は、コロイダルシリカ及びシリカゲルを用いてシリコン
ウェハーをポリッシングすることが記載されている。ま
た、米国特許第4,169,337号明細書には、研磨効率を向
上させた方法が開示されている。また、特開昭58−2251
77号公報には、使用する研磨液に第４級アンモニウム及
びその塩を加えることによる改良法が開示されている。
更に、特開昭62−30333号公報には、アルカリ性コロイ
ダルシリカにピペラジンを添加することによって効率の
高いシリコンウェハー研磨方法が開示されている。
【０００７】しかし、上記の方法では、研磨液の初期研
磨効率は良好であるが、研磨液をリサイクル使用すると
研磨効率の劣化が激しく、研磨工程上、管理が難しいと
いう共通の問題を有している。従って、本発明の目的
は、リサイクル使用時における研磨効率の低下が少な
く、研磨量も充分な良好なシリコンウェハー研磨剤を用
いたシリコンウェハーの研磨方法を提供することにあ
る。
磨効率は良好であるが、研磨液をリサイクル使用すると
研磨効率の劣化が激しく、研磨工程上、管理が難しいと
いう共通の問題を有している。従って、本発明の目的
は、リサイクル使用時における研磨効率の低下が少な
く、研磨量も充分な良好なシリコンウェハー研磨剤を用
いたシリコンウェハーの研磨方法を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に使用するシリコ
ンウェハー研磨剤は、平均粒子径７〜１００ｎｍのシリ
カを含有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ
固形分に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン及
びシリカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とア
ルカリ金属の塩を必須の成分として含有することを特徴
とする。
ンウェハー研磨剤は、平均粒子径７〜１００ｎｍのシリ
カを含有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ
固形分に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン及
びシリカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とア
ルカリ金属の塩を必須の成分として含有することを特徴
とする。
【０００９】本発明で用いるアルカリ性コロイダルシリ
カ溶液中のシリカ粒子径は次のように定義される：アル
カリ性コロイダルシリカ溶液を酸でｐＨ２〜３に調節
し、１２０℃で乾固する。乾固したパウダーシリカを蒸
留水で充分に洗浄して塩を除去し、１０５℃で乾燥さ
せ、窒素吸着法により得られた比表面積を以下の式に代
入して平均粒子径とする。
カ溶液中のシリカ粒子径は次のように定義される：アル
カリ性コロイダルシリカ溶液を酸でｐＨ２〜３に調節
し、１２０℃で乾固する。乾固したパウダーシリカを蒸
留水で充分に洗浄して塩を除去し、１０５℃で乾燥さ
せ、窒素吸着法により得られた比表面積を以下の式に代
入して平均粒子径とする。
【数１】平均粒子径(ｎｍ)＝６×１０3／[比表面積(m2/
g)×無定形シリカの密度(g/cm3)]
g)×無定形シリカの密度(g/cm3)]
【００１０】本発明に用いるアルカリ性コロイダルシリ
カ溶液は、該溶液中のシリカの平均粒子径が、７〜１０
０ｎｍであればどのようなものでも使用することがで
き、一般に市販されている製品を使用することもでき
る。
カ溶液は、該溶液中のシリカの平均粒子径が、７〜１０
０ｎｍであればどのようなものでも使用することがで
き、一般に市販されている製品を使用することもでき
る。
【００１１】例えばアデライトＡＴ−３０Ｓ［旭電化工
業(株)平均粒子径８.５±１.５ｎｍ：シリカ固形分３０
重量％］、アデライトＡＴ−３０［旭電化工業(株)平均
粒子径１２.５±２.５ｎｍ：シリカ固形分３０重量
％］、アデライトＡＴ−４０［旭電化工業(株)平均粒子
径１７.５±２.５ｎｍ：シリカ固形分４０重量％］、ア
デライトＡＴ−５０［旭電化工業(株)平均粒子径２５±
５ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−
５５［旭電化工業(株)平均粒子径４０±１０ｎｍ：シリ
カ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−５７［旭電化
工業(株)平均粒子径６０±１０ｎｍ：シリカ固形分５０
重量％］、アデライトＢＴ−５９［旭電化工業(株)平均
粒子径８５±１５ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］等が
使用できる。
業(株)平均粒子径８.５±１.５ｎｍ：シリカ固形分３０
重量％］、アデライトＡＴ−３０［旭電化工業(株)平均
粒子径１２.５±２.５ｎｍ：シリカ固形分３０重量
％］、アデライトＡＴ−４０［旭電化工業(株)平均粒子
径１７.５±２.５ｎｍ：シリカ固形分４０重量％］、ア
デライトＡＴ−５０［旭電化工業(株)平均粒子径２５±
５ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−
５５［旭電化工業(株)平均粒子径４０±１０ｎｍ：シリ
カ固形分５０重量％］、アデライトＢＴ−５７［旭電化
工業(株)平均粒子径６０±１０ｎｍ：シリカ固形分５０
重量％］、アデライトＢＴ−５９［旭電化工業(株)平均
粒子径８５±１５ｎｍ：シリカ固形分５０重量％］等が
使用できる。
【００１２】アルカリ性コロイダルシリカ溶液中のシリ
カの平均粒子径は、好ましくは７〜７０ｎｍ、更に好ま
しくは１０〜５０ｎｍが良い。平均粒子径が７ｎｍ未満
であると、アルカリ性コロイダルシリカの保存安定性が
悪化し、上記範囲を超える平均粒子径であると、放置し
ておくと沈澱し、使用上、再分散処理をする必要が生じ
るので作業性が悪化する。
カの平均粒子径は、好ましくは７〜７０ｎｍ、更に好ま
しくは１０〜５０ｎｍが良い。平均粒子径が７ｎｍ未満
であると、アルカリ性コロイダルシリカの保存安定性が
悪化し、上記範囲を超える平均粒子径であると、放置し
ておくと沈澱し、使用上、再分散処理をする必要が生じ
るので作業性が悪化する。
【００１３】また、上記アルカリ性コロイダルシリカ溶
液中のシリカは平均粒子径が上記範囲内であれば良く、
粒子径分布の形態によって個々のシリカの粒子径が上記
範囲を超えることは差し支えない。
液中のシリカは平均粒子径が上記範囲内であれば良く、
粒子径分布の形態によって個々のシリカの粒子径が上記
範囲を超えることは差し支えない。
【００１４】本発明で用いる有機水溶性アミンは、水に
溶解してアルカリ性を呈する有機アミンであればどのよ
うなものでも使用することができるが、好ましくは窒素
原子数が１〜６の直鎖状、分岐鎖状または環状のアミン
であることが良い。具体的には例えば、Ｎ,Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ,
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ,Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、アルキルアミンとして
は、３,３'−ジアミノジプロピルアミン、イミノビスプ
ロピルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、３
−エトキシプロピルアミン、３−ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、プロピルア
ミン、モノメチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミ
ノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、
３−メトキシプロピルアミン、ヒドラジン、エチレンジ
アミン、ジエチレントリアミン、トリエチルテトラミ
ン、テトラエチルペンタミン、ジエチルアミン、フェネ
チルアミン、ベンジルアミン、３−アミノ−１,２,４−
トリアゾール、１−アミノエチルピペラジン、α−アミ
ノ−ε−カプロラクタム等を例示することができる。
溶解してアルカリ性を呈する有機アミンであればどのよ
うなものでも使用することができるが、好ましくは窒素
原子数が１〜６の直鎖状、分岐鎖状または環状のアミン
であることが良い。具体的には例えば、Ｎ,Ｎ−ジエチ
ルエタノールアミン、Ｎ,Ｎ−ジメチルエタノールアミ
ン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチル−Ｎ,
Ｎ−ジエタノールアミン、Ｎ,Ｎ−ジブチルエタノール
アミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、モノエタノール
アミン、ジエタノールアミン、アルキルアミンとして
は、３,３'−ジアミノジプロピルアミン、イミノビスプ
ロピルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、３
−エトキシプロピルアミン、３−ジエチルアミノプロピ
ルアミン、ジブチルアミノプロピルアミン、プロピルア
ミン、モノメチルアミノプロピルアミン、ジメチルアミ
ノプロピルアミン、メチルイミノビスプロピルアミン、
３−メトキシプロピルアミン、ヒドラジン、エチレンジ
アミン、ジエチレントリアミン、トリエチルテトラミ
ン、テトラエチルペンタミン、ジエチルアミン、フェネ
チルアミン、ベンジルアミン、３−アミノ−１,２,４−
トリアゾール、１−アミノエチルピペラジン、α−アミ
ノ−ε−カプロラクタム等を例示することができる。
【００１５】溶液の安定性の点で、上記有機水溶性アミ
ンとして更に好ましいのはアルカノールアミン及びアル
キルアミンであり、特に好ましいのはアミノエチルエタ
ノールアミン、モノエタノールアミン、モノエチルアミ
ン、ヒドラジン、エチレンジアミン、ジエチレントリア
ミンである。
ンとして更に好ましいのはアルカノールアミン及びアル
キルアミンであり、特に好ましいのはアミノエチルエタ
ノールアミン、モノエタノールアミン、モノエチルアミ
ン、ヒドラジン、エチレンジアミン、ジエチレントリア
ミンである。
【００１６】有機水溶性アミンの添加量はシリカ固形分
に対して５〜４００重量％、好ましくは５０〜３５０重
量％である。有機水溶性アミンの添加量が上記量よりも
少ないと研磨量が少なくなり効率が悪く、上記量を超え
て添加しても研磨効率の向上は期待できず、かえって仕
上げられたシリコンウェハーの表面精度が悪くなり、ア
ルカリ性コロイダルシリカの安定性も急速に悪化する。
に対して５〜４００重量％、好ましくは５０〜３５０重
量％である。有機水溶性アミンの添加量が上記量よりも
少ないと研磨量が少なくなり効率が悪く、上記量を超え
て添加しても研磨効率の向上は期待できず、かえって仕
上げられたシリコンウェハーの表面精度が悪くなり、ア
ルカリ性コロイダルシリカの安定性も急速に悪化する。
【００１７】本発明に用いる弱酸とアルカリ金属の塩
は、アルカリ金属の塩であれば特に限定されるものでは
ないが、具体例としては、アルカリ金属成分としてはナ
トリウム、カリウム、リチウム等を、弱酸成分としては
ＣＯ3 2-、ＰＯ4 3-、ＨＣＯ3 -、カルボン酸(Ｒ−ＣＯ
Ｏ-、Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5)、ＢＯ3 3-、ＢＯ3 -、ＨＰ
Ｏ4 2-、ＨＰＯ4 -等を例示することができるが、特に好
ましくはナトリウム、カリウムのいずれかと、Ｃ
Ｏ3 2-、ＰＯ4 3-、ＨＣＯ3 -のいずれかとの塩が良い。
は、アルカリ金属の塩であれば特に限定されるものでは
ないが、具体例としては、アルカリ金属成分としてはナ
トリウム、カリウム、リチウム等を、弱酸成分としては
ＣＯ3 2-、ＰＯ4 3-、ＨＣＯ3 -、カルボン酸(Ｒ−ＣＯ
Ｏ-、Ｒ＝Ｈ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5)、ＢＯ3 3-、ＢＯ3 -、ＨＰ
Ｏ4 2-、ＨＰＯ4 -等を例示することができるが、特に好
ましくはナトリウム、カリウムのいずれかと、Ｃ
Ｏ3 2-、ＰＯ4 3-、ＨＣＯ3 -のいずれかとの塩が良い。
【００１８】弱酸とアルカリ金属の塩の添加量はシリカ
固形分に対して０.１〜５０重量％、好ましくは１〜４
５重量％である。弱酸とアルカリ金属の塩の添加量がシ
リカ固形分に対して上記量よりも少ないと本発明の目的
とするリサイクル性能が不充分になり、５０重量％より
多く添加するとアルカリ性コロイダルシリカ溶液の安定
性が著しく悪化するので不適当である。
固形分に対して０.１〜５０重量％、好ましくは１〜４
５重量％である。弱酸とアルカリ金属の塩の添加量がシ
リカ固形分に対して上記量よりも少ないと本発明の目的
とするリサイクル性能が不充分になり、５０重量％より
多く添加するとアルカリ性コロイダルシリカ溶液の安定
性が著しく悪化するので不適当である。
【００１９】また、本発明のシリコンウェハー研磨剤は
アルカリ性コロイダルシリカ溶液と、有機水溶性アミン
と、弱酸とアルカリ金属の塩の存在が不可欠であり、い
ずれか一つが欠けても目的とする性能は発揮できなくな
る。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液と、有機水溶性アミン
と、弱酸とアルカリ金属の塩の存在が不可欠であり、い
ずれか一つが欠けても目的とする性能は発揮できなくな
る。
【００２０】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明を更に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ,Ｎ−ジメチルエタノールアミンを１５０重量部(シ
リカ固形分に対して３００重量％)及びＫ2ＣＯ3を２０
重量部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加
し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。 実施例１ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ,Ｎ−ジメチルエタノールアミンを１５０重量部(シ
リカ固形分に対して３００重量％)及びＫ2ＣＯ3を２０
重量部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加
し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした。
【００２１】この研磨剤を使用して以下の条件でシリコ
ンウェハーを研磨した。 ポリッシングマシン：ラップマスター社製ＬＰＨ−１５
改良型 ポリッシング盤直径：１５インチ ポリッシング盤回転数：７０ｒｐｍ シリコンウェハー：直径４インチ(１００)Ｐ型ＣＺ法 研磨圧力：４００ｇ／ｃｍ2 研磨温度：４０℃ 研磨剤供給量：１０リットル／時 研磨時間：１時間 研磨枚数：２枚
ンウェハーを研磨した。 ポリッシングマシン：ラップマスター社製ＬＰＨ−１５
改良型 ポリッシング盤直径：１５インチ ポリッシング盤回転数：７０ｒｐｍ シリコンウェハー：直径４インチ(１００)Ｐ型ＣＺ法 研磨圧力：４００ｇ／ｃｍ2 研磨温度：４０℃ 研磨剤供給量：１０リットル／時 研磨時間：１時間 研磨枚数：２枚
【００２２】使用した研磨剤を細孔径６μｍのペーパー
フィルターで濾過処理し、再使用した。研磨から濾過工
程までを１サイクルとし、合計２０サイクルの研磨剤の
リサイクル使用をした。
フィルターで濾過処理し、再使用した。研磨から濾過工
程までを１サイクルとし、合計２０サイクルの研磨剤の
リサイクル使用をした。
【００２３】１サイクル毎のシリコンウェハーの研磨除
去量(シリコンウェハーの厚みの減少量)を測定し、研磨
効率の変化を調べた。この試験の結果、１サイクル目の
研磨除去量は６５μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は
６２μｍで、研磨除去量の減少は約４％程度であり、リ
サイクル使用時の耐久性が非常に良好であることがわか
った。
去量(シリコンウェハーの厚みの減少量)を測定し、研磨
効率の変化を調べた。この試験の結果、１サイクル目の
研磨除去量は６５μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は
６２μｍで、研磨除去量の減少は約４％程度であり、リ
サイクル使用時の耐久性が非常に良好であることがわか
った。
【００２４】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
ランクテイラーホブソン社製微小領域測定装置(Talyste
p)で測定したところＲmax＝６.９ｎｍ／１.５ｍｍであ
り、良好であった。また、２０サイクル目の表面状態も
殆ど変化がなかった。
ランクテイラーホブソン社製微小領域測定装置(Talyste
p)で測定したところＲmax＝６.９ｎｍ／１.５ｍｍであ
り、良好であった。また、２０サイクル目の表面状態も
殆ど変化がなかった。
【００２５】実施例２ 平均シリカ粒子径１２ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てアミノエチルエタノールアミン１５０重量部(シリカ
固形分に対して３００重量％)及びＣＨ3ＣＯＯＮaを２
０重量部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は
実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てアミノエチルエタノールアミン１５０重量部(シリカ
固形分に対して３００重量％)及びＣＨ3ＣＯＯＮaを２
０重量部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は
実施例１の方法に準じた。
【００２６】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７２μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は７２μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００２７】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝４.２ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝４.２ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００２８】実施例３ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ,Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部(シリ
カ固形分に対して３００重量％)及びＫ3ＰＯ4を２０重
量部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加
し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は、
実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ,Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部(シリ
カ固形分に対して３００重量％)及びＫ3ＰＯ4を２０重
量部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加
し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は、
実施例１の方法に準じた。
【００２９】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は６６μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６３μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は６６μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６３μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００３０】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝５.８ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝５.８ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００３１】実施例４ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てモノエタノールアミン１５０重量部(シリカ固形分に
対して３００重量％)及びＮａ2ＣＯ3を２０重量部(シリ
カ固形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一に
なるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は、実施例１の
方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てモノエタノールアミン１５０重量部(シリカ固形分に
対して３００重量％)及びＮａ2ＣＯ3を２０重量部(シリ
カ固形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一に
なるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は、実施例１の
方法に準じた。
【００３２】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７０μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約３％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性は非常に良好であることがわかった。
量は７０μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６８μｍ
で、研磨除去量の減少は約３％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性は非常に良好であることがわかった。
【００３３】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝７.３ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝７.３ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００３４】実施例５ 平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てモノエチルアミン１５０重量部(シリカ固形分に対し
て３００重量％)及びＮａＢＯ3を２０重量部(シリカ固
形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一になる
まで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に
準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てモノエチルアミン１５０重量部(シリカ固形分に対し
て３００重量％)及びＮａＢＯ3を２０重量部(シリカ固
形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一になる
まで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に
準じた。
【００３５】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７６μｍで、２０サイクル目の研磨除去量は７０μ
ｍで、研磨除去量の減少は約８％程度であり、リサイク
ル使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は７６μｍで、２０サイクル目の研磨除去量は７０μ
ｍで、研磨除去量の減少は約８％程度であり、リサイク
ル使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００３６】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝９.５ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝９.５ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００３７】実施例６ 平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てモノメチルアミノプロピルアミン１５０重量部(シリ
カ固形分に対して３００重量％)及びＫＨＣＯ3２０重量
部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加し、
均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例
１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てモノメチルアミノプロピルアミン１５０重量部(シリ
カ固形分に対して３００重量％)及びＫＨＣＯ3２０重量
部(シリカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加し、
均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例
１の方法に準じた。
【００３８】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は６９μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６６μｍ
で、研磨除去量の減少は約４％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は６９μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６６μｍ
で、研磨除去量の減少は約４％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００３９】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝６.１ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝６.１ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００４０】実施例７ 平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てジエチレントリアミン１５０重量部(シリカ固形分に
対して３００重量％)及びＣＨＣＯＯＮａ２０重量部(シ
リカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一
になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の
方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てジエチレントリアミン１５０重量部(シリカ固形分に
対して３００重量％)及びＣＨＣＯＯＮａ２０重量部(シ
リカ固形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一
になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の
方法に準じた。
【００４１】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６７μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は７１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は６７μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００４２】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝４.１ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝４.１ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００４３】実施例８ 平均シリカ粒子径９ｎｍ、シリカ固形分３０重量％のア
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ−メチル−Ｎ,Ｎ−ジエタノールアミン５重量部(シ
リカ固形分に対して１０重量％)及びＮａ2ＣＯ3１重量
部(シリカ固形分に対して２重量％)の割合で添加し、均
一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１
の方法に準じた。
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ−メチル−Ｎ,Ｎ−ジエタノールアミン５重量部(シ
リカ固形分に対して１０重量％)及びＮａ2ＣＯ3１重量
部(シリカ固形分に対して２重量％)の割合で添加し、均
一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１
の方法に準じた。
【００４４】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４７μｍ
で、研磨除去量の減少は約２％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４７μｍ
で、研磨除去量の減少は約２％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００４５】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝４.９ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝４.９ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００４６】実施例９ 平均シリカ粒子径９ｎｍ、シリカ固形分３０重量％のア
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ−メチルエタノールアミン５重量部(シリカ固形分
に対して１０重量％)及びＫＨＣＯ3１重量部(シリカ固
形分に対して２重量％)の割合で添加し、均一になるま
で充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準
じた。
ルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３０
Ｓ：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ−メチルエタノールアミン５重量部(シリカ固形分
に対して１０重量％)及びＫＨＣＯ3１重量部(シリカ固
形分に対して２重量％)の割合で添加し、均一になるま
で充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準
じた。
【００４７】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４３μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４３μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００４８】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝６.０ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝６.０ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００４９】実施例１０ 平均シリカ粒子径１７ｎｍ、シリカ固形分４０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−４
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てヒドラジン５重量部(シリカ固形分に対して１０重量
％)及びＫＨ2ＰＯ4１重量部(シリカ固形分に対して２重
量％)の割合で添加し、均一になるまで撹拌して研磨剤
とした他は実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−４
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てヒドラジン５重量部(シリカ固形分に対して１０重量
％)及びＫＨ2ＰＯ4１重量部(シリカ固形分に対して２重
量％)の割合で添加し、均一になるまで撹拌して研磨剤
とした他は実施例１の方法に準じた。
【００５０】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４５μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４８μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４５μｍ
で、研磨除去量の減少は約６％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００５１】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝３.９ｎｍ／１.５ｎｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝３.９ｎｍ／１.５ｎｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００５２】実施例１１ 平均シリカ粒子径６５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てエチレンジアミン５重量部(シリカ固形分に対して１
０重量％)及びＮａ2ＨＰＯ4１重量部(シリカ固形分に対
して２重量％)の割合で添加し、均一になるまで充分に
撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てエチレンジアミン５重量部(シリカ固形分に対して１
０重量％)及びＮａ2ＨＰＯ4１重量部(シリカ固形分に対
して２重量％)の割合で添加し、均一になるまで充分に
撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた。
【００５３】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４４μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約７％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
量は４４μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は４１μｍ
で、研磨除去量の減少は約７％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。
【００５４】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝５.５ｎｍ／１.５ｎｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
Ｒmax＝５.５ｎｍ／１.５ｎｍであり、良好であった。
また、２０サイクル目の表面状態も殆ど変化がなかっ
た。
【００５５】比較例１ 平均シリカ粒子径１２ｎｍ、シリカ固形分３０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てアミノエチルエタノールアミン２５０重量部(シリカ
固形分に対して５００重量％)及びＣＨ3ＣＯＯＮaを３
０重量部(シリカ固形分に対して６０重量％)の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした。こ
の研磨剤を室温中で保存しておいたところ、約１０日程
で増粘状態となり、安定性が悪いことがわかり、使用に
適さないものであった。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−３
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てアミノエチルエタノールアミン２５０重量部(シリカ
固形分に対して５００重量％)及びＣＨ3ＣＯＯＮaを３
０重量部(シリカ固形分に対して６０重量％)の割合で添
加し、均一になるまで充分に撹拌して研磨剤とした。こ
の研磨剤を室温中で保存しておいたところ、約１０日程
で増粘状態となり、安定性が悪いことがわかり、使用に
適さないものであった。
【００５６】比較例２ 平均シリカ粒子径２５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ,Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部(シリ
カ固形分に対して２００重量％)の割合で添加し、弱酸
とアルカリ金属の塩を添加せず、均一になるまで充分に
撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＡＴ−５
０：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てＮ,Ｎ−ジブチルエタノールアミン１５０重量部(シリ
カ固形分に対して２００重量％)の割合で添加し、弱酸
とアルカリ金属の塩を添加せず、均一になるまで充分に
撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に準じた。
【００５７】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は７０μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は３０μｍで、研磨除去量の減少は約５７％であ
り、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いことがわか
った。
量は７０μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は３０μｍで、研磨除去量の減少は約５７％であ
り、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いことがわか
った。
【００５８】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝６.８ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった
が、２０サイクル目の表面状態はＲmax＝１５.９ｎｍ／
１.５ｍｍとなっていた。また、この研磨剤はリサイク
ル使用に伴って粘着性のゲル化物が大量に発生し、濾過
処理が非常に困難であった。
Ｒmax＝６.８ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった
が、２０サイクル目の表面状態はＲmax＝１５.９ｎｍ／
１.５ｍｍとなっていた。また、この研磨剤はリサイク
ル使用に伴って粘着性のゲル化物が大量に発生し、濾過
処理が非常に困難であった。
【００５９】比較例３ 平均シリカ粒子径４５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てジエチレントリアミン２重量部(シリカ固形分に対し
て４重量％)及びＣＨ3ＣＯＯＮａ２０重量部(シリカ固
形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一になる
まで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に
準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
５：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てジエチレントリアミン２重量部(シリカ固形分に対し
て４重量％)及びＣＨ3ＣＯＯＮａ２０重量部(シリカ固
形分に対して４０重量％)の割合で添加し、均一になる
まで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に
準じた。
【００６０】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は２１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は２０μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。し
かし、研磨除去量が小さく、使用に適さないことがわか
った。
量は２１μｍ、２０サイクル目の研磨除去量は２０μｍ
で、研磨除去量の減少は約５％程度であり、リサイクル
使用時の耐久性が非常に良好であることがわかった。し
かし、研磨除去量が小さく、使用に適さないことがわか
った。
【００６１】比較例４ 平均シリカ粒子径６５ｎｍ、シリカ固形分５０重量％の
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てエチレンジアミン５重量部(シリカ固形分に対して１
０重量％)及びＮａ2ＨＰＯ4０.０３重量部(シリカ固形
分に対して０.０６重量％)の割合で添加し、均一になる
まで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に
準じた。
アルカリ性コロイダルシリカ溶液［アデライトＢＴ−５
７：旭電化工業(株)製］をシリカ固形分５重量％に希釈
した。この溶液１０００重量部に有機水溶性アミンとし
てエチレンジアミン５重量部(シリカ固形分に対して１
０重量％)及びＮａ2ＨＰＯ4０.０３重量部(シリカ固形
分に対して０.０６重量％)の割合で添加し、均一になる
まで充分に撹拌して研磨剤とした他は実施例１の方法に
準じた。
【００６２】この試験の結果、１サイクル目の研磨除去
量は４３μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は２４μｍで、研磨除去量の減少は約４７％と非
常に大きく、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いこ
とがわかった。
量は４３μｍと良好であったが、２０サイクル目の研磨
除去量は２４μｍで、研磨除去量の減少は約４７％と非
常に大きく、リサイクル使用時の耐久性が非常に悪いこ
とがわかった。
【００６３】また、１サイクル目のウェハー表面状態は
Ｒmax＝５.８ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった
が、２０サイクル目の表面状態はＲmax＝１８.０ｎｍ／
１.５ｍｍとなっていた。
Ｒmax＝５.８ｎｍ／１.５ｍｍであり、良好であった
が、２０サイクル目の表面状態はＲmax＝１８.０ｎｍ／
１.５ｍｍとなっていた。
【００６４】また、この加工液はリサイクル使用に伴っ
て粘着性のゲル化物が大量に発生し、濾過処理が非常に
困難であった。
て粘着性のゲル化物が大量に発生し、濾過処理が非常に
困難であった。
【００６５】
【発明の効果】本発明の効果は、リサイクル使用時にお
ける研磨効率の低下が少なく、研磨量も充分な良好なシ
リコンウェハー研磨剤を使用したシリコンウェハーの研
磨方法を提供したことにある。
ける研磨効率の低下が少なく、研磨量も充分な良好なシ
リコンウェハー研磨剤を使用したシリコンウェハーの研
磨方法を提供したことにある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多田 修一 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭 電化工業株式会社内 (72)発明者 久野 純一 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭 電化工業株式会社内 (72)発明者 安住 孝芳 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭 電化工業株式会社内 (72)発明者 小西 正則 東京都荒川区東尾久７丁目２番35号 旭 電化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−158684（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−257627（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−68276（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】 平均粒子径７〜１００ｎｍのシリカを含
有するアルカリ性コロイダルシリカ溶液、シリカ固形分
に対して５〜４００重量％の有機水溶性アミン、及びシ
リカ固形分に対して０．１〜５０重量％の弱酸とアルカ
リ金属の塩を必須の成分として含有するシリコンウェハ
ー研摩剤を用いてシリコンウェハーを研磨する工程、使
用したシリコンウェハー研磨剤を濾過処理する工程、濾
過処理されたシリコンウェハー研磨剤を再使用してシリ
コンウェハーを研磨する工程を有し、シリコンウェハー
研磨剤をリサイクル使用することを特徴とするシリコン
ウェハーの研磨方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07911091A JP3290189B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07911091A JP3290189B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04313224A JPH04313224A (ja) | 1992-11-05 |
| JP3290189B2 true JP3290189B2 (ja) | 2002-06-10 |
Family
ID=13680767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07911091A Expired - Fee Related JP3290189B2 (ja) | 1991-04-11 | 1991-04-11 | シリコンウェハーの研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3290189B2 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2894208B2 (ja) * | 1994-06-02 | 1999-05-24 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ研磨用研磨剤及び研磨方法 |
| JPH0982668A (ja) * | 1995-09-20 | 1997-03-28 | Sony Corp | 研磨用スラリー及びこの研磨用スラリーを用いる研磨方法 |
| EP0779655A3 (en) * | 1995-12-14 | 1997-07-16 | International Business Machines Corporation | A method of chemically-mechanically polishing an electronic component |
| JPH11302635A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-02 | Hiroaki Tanaka | 研磨用組成物及びそれを使用した研磨方法 |
| JP4163785B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2008-10-08 | スピードファム株式会社 | 研磨用組成物及び研磨加工方法 |
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