JPH04298061A - ロードロック装置及び真空処理装置 - Google Patents

ロードロック装置及び真空処理装置

Info

Publication number
JPH04298061A
JPH04298061A JP3087527A JP8752791A JPH04298061A JP H04298061 A JPH04298061 A JP H04298061A JP 3087527 A JP3087527 A JP 3087527A JP 8752791 A JP8752791 A JP 8752791A JP H04298061 A JPH04298061 A JP H04298061A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
load lock
lock device
deviation
center
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3087527A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2986121B2 (ja
Inventor
Satoru Osawa
哲 大沢
Teruo Asakawa
輝雄 浅川
Kenji Nebuka
根深 憲司
Hiroo Ono
博夫 小野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP8752791A priority Critical patent/JP2986121B2/ja
Priority to EP92105208A priority patent/EP0506045B1/en
Priority to US07/857,832 priority patent/US5340261A/en
Priority to DE69206295T priority patent/DE69206295T2/de
Priority to KR1019920004985A priority patent/KR0165556B1/ko
Publication of JPH04298061A publication Critical patent/JPH04298061A/ja
Priority to US08/294,761 priority patent/US5435683A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2986121B2 publication Critical patent/JP2986121B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/136Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Specific Conveyance Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は例えば互いに異なる気圧
の雰囲間でウエハの受け渡しを行うためのロードロック
装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体ウエハを、真空雰囲気で処理を行
うための処理槽内と外部(大気圧雰囲気)との間で受け
渡しする場合、真空排気の時間を短縮して作業効率を図
る点からロードロック装置が用いられている。このロー
ドロック装置によれば、例えば外部からウエハを処理槽
内に搬入する場合、ウエハを一旦ロードロック室内に入
れ、ここで所定の圧力まで真空排気した後ロードロック
室を処理槽内の雰囲気に開放し、次いでウエハを処理槽
内に搬入する。
【0003】ところでウエハには結晶の方向性があるた
めウエハを処理あるいは検査するときにウエハの中心位
置に加えてその向きについても位置合わせを必要とする
場合がある。
【0004】例えばイオン注入装置では、図5に示すよ
うにターミナルユニットTのイオン発生器Iから発生し
たイオンを分析マグネットMで曲げて加速管Aを通じ、
処理槽1内のターンテーブル1a(イオン注入時には起
立している。)上のウエハWに対し順次イオン注入を行
っている。一方各ウエハは外部から1aにおいて正確に
位置合わせした状態で載置されなければならない。
【0005】そこで従来では例えば図6に示すように処
理槽1の外の所定位置に置かれたキャリア3からウエハ
Wを大気側の搬送ロボットR1により一枚づつ一旦位置
合わせ装置ODに移し、ここでウエハの向き及び中心の
位置ずれを検出して、そのずれ分について例えば方向の
修正及び中心の修正の2ステップを行って位置決めし、
次いで搬送ロボットR1により位置合わせ装置OD内の
ウエハWをロードロック装置2内に移し、この中を真空
排気した後処理室1側の搬送ロボットR2によりウエハ
Wをロードロック装置2からターンテーブル1aに搬送
していた。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の方
法では、キャリアからウエハを一枚づつロードロック装
置内に搬入する際に、一旦位置合わせ装置を経由しなけ
ればならないため、ウエハのハンドリング回数が増え、
この結果ウエハのダメージ、パーティクルなどが増加し
やすくなって歩留まりの低下につながると共に、ハンド
リング回数の増加に伴って搬入時間が増加し、装置の処
理スループットを下げる要因になっていた。  更に位
置合わせ装置に着目すると例えばウエハの中心位置の修
正をするためにX方向、Y方向のサーボ機構などが必要
であり、このため装置が複雑でコスト的にも高価である
し、また装置の設置スペースが必要になるという不利益
があった。  本発明は、このような事情のもとになさ
れたものであり、その目的は、スループットの向上、歩
留まりの向上及び装置の小形化を図ることができるロー
ドロック装置を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、このような目的に加
え、更にウエハの位置ずれの修正を効率よく行うことの
できるウエハの搬送システムを提供することにある。
【0008】
【課題を解決する手段】請求項1の発明は、ウエハを一
の気体雰囲気から他の気体雰囲気をロードロック室内に
一枚づつ受け渡す時に、一旦ウエハをロードロック室内
に置いてこの気体雰囲気を他の気体雰囲気と同じまたは
近似した状態にした後、他の気体雰囲気に解放するロー
ドロック装置において、ウエハを保持する保持手段と、
これに保持されたウエハをその面に沿って回転させるた
めの回転機構と、ウエハの回転により得られた情報に基
づいてウエハの中心のずれ及び回転角のずれを検出する
位置ずれ検出手段とを設けたことを特徴とする。
【0009】請求項2の発明は、請求項1のロードロッ
ク装置と、このロードロック装置内のウエハを他の気体
雰囲気中の所定位置に搬送する搬送機構と、ウエハの中
心のずれ及び回転角のずれを修正した状態でウエハを前
記所定位置に置くように、位置ずれ検出手段の検出結果
に基づいて前記搬送機構を制御する制御部分とを設けた
ことを特徴とする。
【0010】
【作用】ウエハを例えば大気雰囲気からロードロック装
置内に取り込み、ここで例えばウエハを1回転させて各
回転位置における、回転中心からのウエハの周縁までの
距離を光学的に検出し、その情報に基づいて、ウエハの
位置ずれ即ちウエハの中心のずれ及び回転角のずれを求
める。次いで例えば真空雰囲気側の搬送機構により前記
位置ずれを修正するようにウエハを搬送して所定位置に
置く。
【0011】
【実施例】図1は本発明の実施例であるロードロック装
置を示す図である。この実施例では、開口面を上にした
有底の筒状体4と前記開口面を塞ぐ例えばガラスよりな
る蓋板4aとによりロードロック室5を画成すると共に
、垂直な軸の回りに回転する回転軸4bを、筒状体4の
底部中央の下面から垂直に伸びる基筒部4c内の磁気シ
ールを介して前記底部中央位置にてロードロック室5内
に気密に挿入する。
【0012】前記回転軸4bの下端には、モータ(図示
せず)が連結されており、当該回転軸4bの上端にはタ
ーンテーブル4dが設けられている。このターンテーブ
ル4dの上面にはウエハを静電チャックするための電極
4eよりなるチャック装置が配設されており、この例で
はチャック装置とターンターブル4dにより保持部が構
成される。
【0013】また前記筒状体4の下部には、ロードロッ
ク室5内を排気するための排気路を備えた通気部6が例
えば2個所に設けられており、夫々例えば2段階の排気
ができるように排気管6a、6bが設けられている。
【0014】前記筒状体4の側面の一部には、ガラス板
よりなる窓7が形成され、この窓7の外面を覆うように
筐体7aが筒状体4に取り付けられている。この筐体7
aの底部には、レーザを発光する発光部8aが配置され
ており、更にここから上向きに発せられたレーザ光をロ
ードロック室5内に向けて直角に反射するミラー8bと
、そのレーザ光の断面形状を例えば楕円形とするための
対物レンズ8cと、ロードロック室5内から戻ってきた
レーザ光を受光する受光部8dが筐体7a内に収納され
ている。
【0015】一方前記ロードロック室5の中には窓7を
透過したレーザ光を直角に反射してウエハの通路と直交
する光路を形成するミラー8eと、更にそのレーザ光を
窓7の外へ向けて反射するミラー8fとが設置されてい
る。そしてこれら一対のミラー8e、8fについては、
ウエハの中心が回転軸4bの回転中心に一致した時に、
例えば図2に示すようにレーザ光の楕円形断面Sの長軸
の中点がウエハWの周縁(但しオリフラと呼ばれる直線
部lを除いた周縁)に位置するように、位置設定されて
いる。
【0016】ここで発光部8a、ミラー8b、対物レン
ズ8c及び8dは窓7及び筐体7aと共に一つのユニッ
トを構成しており、またロードロック室5内のミラー8
e、8fは共通のコ字形の保持部材8gに取り付けられ
て一つのユニットを構成していて、固定部材8hにより
窓7に固定されている。このようにユニット化すれば、
発光部8a、ミラー8b及び対物レンズ8cの相対的位
置関係と受光部8dの位置とを予め設定しておくと共に
、この設定とは別個に一対のミラー8e,8fを予め位
置設定しておくことによって、これらユニットをロード
ロック装置に組み込む時には、ユニット間の位置設定の
みで済むから小さなロードロック装置に対して容易に精
度よく光路設定ができる。
【0017】また前記受光部8dには、ここからの受光
量に対応した電気信号に基づいてロードロック5内のウ
エハWの位置ずれ量、即ち中心位置及び方向(回転角)
のずれ量を演算する演算手段9が接続されており、この
例では、前記発光部8aや受光部8d及び当該演算手段
9によりウエハの位置ずれ検出手段が構成されている。   本発明実施例のロードロック装置は以上のように構
成されている。
【0018】次に上述実施例の作用について述べる。
【0019】先ず図示しない搬送機構によって大気中に
置かれている処理前のウエハWを、図示しない大気側の
ゲートを開いてその取入れ口からロードロック室5内に
搬入してターンテーブル4dに載せ、静電チャックによ
り当該ターンテーブル4d上に固定する。その後大気側
のゲートを閉じてからロードロック室5内を所定の真空
度まで真空排気する。次いで発光部8aからレーザ光を
発光させながら、図示しないモータを駆動してウエハW
を1回転させる。
【0020】ここで受光部8dにおけるレーザ光の受光
量は、レーザ光域におけるウエハWの周縁の位置に対応
するので、受光部8dの電気信号に基づいて演算手段9
により各回転位置における、回転中心からレーザ光域内
のウエハWの周縁までの距離が求められる。そしてウエ
ハWには、向きを決めるためのオリフラlが形成されて
いるので、ウエハWの回転位置に対応させて前記距離を
求めることにより、当該ウエハWについて、その中心が
例えば本来の位置からどれだけずれておりかつその向き
が例えば本来の向きからどれだけずれているか(回転角
のずれ量)を同時に検出することができる。
【0021】なおウエハの中心のずれとは、本来の中心
位置からのずれ量ではなく、ある基準点からの距離であ
ってのよく、また回転角のずれとは、ある基準線に対す
るオリフラの角度であってもよい。
【0022】その後静電チャックを解除し、処理槽内側
の図示しないゲートを開いて、その取出口からウエハが
処理槽内に図示しない搬送機構により搬入される。
【0023】このようにしてウエハの中心のずれと回転
角のずれとをロードロック装置内で検出できるが、この
実施例では、例えばロードロック装置内に位置合わせ機
構(図示せず)を組み込んでその位置ずれ量を修正して
しもよいし、あるいは次に述べる例のようにウエハをロ
ードロック装置から処理室内に搬送するときに位置合わ
せを行うようにしてもよい。
【0024】図3は、イオン注入装置の処理槽1内のタ
ーンテーブル1aに外部(大気圧)からウエハを搬送す
る搬送システムの一部を示し、このシステムにおいては
、図1に示したと同様の発光部、受光部やミラーなどを
含む光路ユニット10を備えたロードロック装置11が
2個互いに隣接して設置されている。
【0025】そして処理槽1内には、例えば多関節ロボ
ットよりなる搬送機構12が設置されていると共に演算
手段9の出力側には、演算結果に基づいて前記搬送機構
12を制御する制御部13が接続されている。14は大
気側の搬送機構、15a、15bは所定位置に置かれた
ウエハのキャリアである。
【0026】次にこのシステムの作用について述べる。 先ず大気中のキャリア15aまたは15bにバッファリ
ングされている処理前のウエハWを搬送機構14によっ
て大気側ゲートG1を介して例えば図中下側のロードロ
ック装置11内に一枚づつ搬入し、一枚のウエハWを搬
入した後ゲートG1を閉じ、次いでロードロック11内
を真空排気する。そして真空排気中またはその後に既述
したようにウエハWを回転させ、位置ずれ検出手段10
0の光路ユニット10よりの電気信号に基づいて演算手
段9によりウエハWの位置ずれを求める。
【0027】続いて処理槽1側の図示しないゲートを開
いてロードロック装置11内のウエハWを搬送機構12
によりターンテーブル1a上の所定位置に搬送する。こ
の時制御部13は演算手段9よりの演算結果(ウエハの
位置ずれ量)に基づき、ウエハWが前記所定位置に置か
れた時に、ロードロック装置11内に発生している中心
のずれ及び回転角のずれが修正されているように、搬送
機構12に対して制御信号を与える。
【0028】ここで搬送機構12の制御方法としては、
搬送機構12がロードロック装置11内のウエハWを受
け取りにいくときに、あるいはターンテーブル1a上に
置きに行くときに位置ずれ量を修正するように操作して
もよいし、ウエハWを受け取ってから置きに行く間の工
程で修正操作を行なわせるようにしてもよいまたロード
ロック装置内で検出した位置ずれを修正する方法として
は、ウエハの回転角のずれについてはロードロック装置
内の回転軸4bにより修正し、中心のずれについてのみ
搬送機構12により修正するようにしてもよい。
【0029】更に図3のシステムではロードロック装置
11を2個設置しているので、一方のロードロック装置
11から処理槽1内にウエハWを搬入している間に他方
のロードロック装置11内では次のウエハのアライメン
ト(位置ずれ検出)を行なうことができ、従ってアライ
メントの待ち時間をなくすことができるのでスループッ
トの向上が図れる。
【0030】なおロードロック装置11のゲートG1に
関しては、図4に示すようにウエハの取入口を垂直軸に
対して例えば45度傾いた傾斜面16に形成すると共に
、この取入口を開閉するためのゲートG1を、水平な軸
Pのまわりを回動する回動部材17を取り付けた構成と
すれば、ゲートG1の移動路が横方向に広がらず、また
その移動距離も小さくて済むので、設置スペースを小さ
くできるという利点がある。この場合ゲートG1を回動
させる代わりに上下方向に直線的に移動するようにして
もよいし、更にこうした構成を処理槽側のゲートに適応
してもよい。
【0031】以上においてウエハの位置ずれを検出する
ためには、上述実施例の手法に限定されるものではなく
、例えばウエハの周縁部からの光の反射を利用するなど
の方法を採用してもよいまた本発明では、互いに異なる
気体雰囲気間のみならず、互いに気体の種類の異なる気
体雰囲気間におけるウエハの受け渡しを行なう場合につ
いても適応できる。
【0032】
【発明の効果】請求項1によれば、ロードロック装置内
でウエハの位置ずれを検出するようにしているため、従
来のようにウエハを一旦位置合わせ装置に置くというハ
ンドリングが不要になり、この結果ウエハのダメージ及
びパーティクルを低減することができ、歩留まりの向上
を図ることができる。しかも搬入に要する時間を短縮で
きるので、スループットの向上を図ることができる上、
位置合わせ装置が不要になることからその分装置全体の
小形化を図ることができる。しかもウエハの回転によっ
て得られた情報に基づいて位置ずれを検出しているので
、TVカメラなどの大掛かりな装置を用いなくて済み、
ロードロック装置の大型化を抑えることができる。 また請求項2の発明によれば、ロードロック装置で検出
したウエハの位置ずれを、例えば真空雰囲気の処理槽内
の搬送機構により修正しているため、搬送と位置ずれの
修正とを同時に行うことができ、スループットを一層向
上することができると共に、ウエハが置かれている最終
位置例えば先述したターンテーブルに近いところで位置
ずれを修正しているので、精度の高い位置合わせを実行
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るロードロックを示す縦断
面図である。
【図2】ウエハと光路との位置関係を示す説明図である
【図3】本発明の実施例に係るウエハの搬送システムを
示す説明図である。
【図4】図3に示したロードロック装置の一部の構成例
を示す断面図である。
【図5】イオン注入装置の全体構成を示す説明図である
【図6】イオン注入装置におけるウエハの搬送システム
の従来例を示す説明図である。
【符号の説明】
1  処理槽 5  ロードロック室 8a  発光部 8d  受光部 9  演算手段 11  ロードロック装置 13  制御部 12、14  搬送機構

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ウエハを一の気体雰囲気から他の気体
    雰囲気に一枚づつ受け渡す時に、一旦ウエハをロードロ
    ック室内に置いてこの気体雰囲気を他の気体雰囲気と同
    じまたは近似した状態にした後、他の気体雰囲気に開放
    するロードロック装置において、ロードロック室内のウ
    エハを保持するための保持部と、これに保持されたウエ
    ハをその面に沿って回転させるための回転機構と、ウエ
    ハの回転により得られた情報に基づいてウエハの中心の
    ずれ及び回転角のずれを検出する位置ずれ検出手段とを
    設けたことを特徴とするロードロック装置。
  2. 【請求項2】  請求項1のロードロック装置と、この
    ロードロック装置内のウエハを他の気体雰囲気中の所定
    位置に搬送する搬送機構と、ウエハの中心のずれ及び回
    転角のずれを修正した状態でウエハを前記所定位置に置
    くように、位置ずれ検出手段の検出結果に基づいて前記
    搬送機構を制御する制御部とを設けたことを特徴とする
    ウエハの搬送システム。
JP8752791A 1991-03-26 1991-03-26 ロードロック装置及び真空処理装置 Expired - Lifetime JP2986121B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8752791A JP2986121B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 ロードロック装置及び真空処理装置
EP92105208A EP0506045B1 (en) 1991-03-26 1992-03-26 Load-lock unit and wafer transfer system
US07/857,832 US5340261A (en) 1991-03-26 1992-03-26 Load-lock unit and wafer transfer system
DE69206295T DE69206295T2 (de) 1991-03-26 1992-03-26 Ladungsschleuse und Wafertransportsysteme.
KR1019920004985A KR0165556B1 (ko) 1991-03-26 1992-03-26 로드록 장치 및 웨이퍼의 반송시스템
US08/294,761 US5435683A (en) 1991-03-26 1994-08-23 Load-lock unit and wafer transfer system

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8752791A JP2986121B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 ロードロック装置及び真空処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04298061A true JPH04298061A (ja) 1992-10-21
JP2986121B2 JP2986121B2 (ja) 1999-12-06

Family

ID=13917472

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8752791A Expired - Lifetime JP2986121B2 (ja) 1991-03-26 1991-03-26 ロードロック装置及び真空処理装置

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5340261A (ja)
EP (1) EP0506045B1 (ja)
JP (1) JP2986121B2 (ja)
KR (1) KR0165556B1 (ja)
DE (1) DE69206295T2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503843A (ja) * 1999-06-29 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション ウェハ搬送ロボットがネスト化されている大気雰囲気ウェハ搬送モジュールおよびその実現方法
KR100970213B1 (ko) * 2007-02-05 2010-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 진공 처리 장치, 진공 처리 방법 및 기억 매체
JP2012033594A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 基板保持具及び基板搬送システム

Families Citing this family (274)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2986121B2 (ja) * 1991-03-26 1999-12-06 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び真空処理装置
US5812261A (en) * 1992-07-08 1998-09-22 Active Impulse Systems, Inc. Method and device for measuring the thickness of opaque and transparent films
CH686445A5 (de) * 1992-10-06 1996-03-29 Balzers Hochvakuum Kammer und Kammerkombination fuer eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstueckes.
EP0591706B1 (de) * 1992-10-06 2002-04-24 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Kammer für den Transport von Werkstücken
US5516732A (en) * 1992-12-04 1996-05-14 Sony Corporation Wafer processing machine vacuum front end method and apparatus
US5387067A (en) * 1993-01-14 1995-02-07 Applied Materials, Inc. Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system
US5474410A (en) * 1993-03-14 1995-12-12 Tel-Varian Limited Multi-chamber system provided with carrier units
DE4309092C2 (de) * 1993-03-22 1998-11-12 Joachim Dr Scheerer Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung und zum Transport von Wafern in Reinst-Räumen
US5466117A (en) * 1993-06-10 1995-11-14 Xilinx, Inc. Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices
US5570987A (en) * 1993-12-14 1996-11-05 W. L. Gore & Associates, Inc. Semiconductor wafer transport container
US5586585A (en) * 1995-02-27 1996-12-24 Asyst Technologies, Inc. Direct loadlock interface
JPH09102530A (ja) * 1995-06-07 1997-04-15 Varian Assoc Inc ウェーハの向き検査システム
US6672819B1 (en) * 1995-07-19 2004-01-06 Hitachi, Ltd. Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
US5700046A (en) * 1995-09-13 1997-12-23 Silicon Valley Group, Inc. Wafer gripper
DE59706031D1 (de) * 1996-12-23 2002-02-21 Unaxis Balzers Ag Vakuumbehandlungsanlage
US5944476A (en) * 1997-03-26 1999-08-31 Kensington Laboratories, Inc. Unitary specimen prealigner and continuously rotatable multiple link robot arm mechanism
NL1006461C2 (nl) * 1997-07-03 1999-01-05 Asm Int Opslagsamenstel voor wafers.
US6063244A (en) * 1998-05-21 2000-05-16 International Business Machines Corporation Dual chamber ion beam sputter deposition system
NL1010317C2 (nl) 1998-10-14 2000-05-01 Asm Int Sorteer/opslaginrichting voor wafers en werkwijze voor het hanteren daarvan.
US6075334A (en) * 1999-03-15 2000-06-13 Berkeley Process Control, Inc Automatic calibration system for wafer transfer robot
JP2000299367A (ja) * 1999-04-15 2000-10-24 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び被処理体の搬送方法
US6275742B1 (en) 1999-04-16 2001-08-14 Berkeley Process Control, Inc. Wafer aligner system
GB2349204B (en) * 1999-04-19 2004-03-03 Applied Materials Inc A method of detecting the position of a wafer
US6229611B1 (en) * 1999-09-20 2001-05-08 United Microelectronics Corp. Method of detecting a transparent quartz wafer in a semiconductor equipment
US6364762B1 (en) 1999-09-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
US6860965B1 (en) * 2000-06-23 2005-03-01 Novellus Systems, Inc. High throughput architecture for semiconductor processing
US6591161B2 (en) * 2001-01-31 2003-07-08 Wafermasters, Inc. Method for determining robot alignment
US6556887B2 (en) 2001-07-12 2003-04-29 Applied Materials, Inc. Method for determining a position of a robot
US6778258B2 (en) * 2001-10-19 2004-08-17 Asml Holding N.V. Wafer handling system for use in lithography patterning
CN1608308A (zh) * 2001-11-13 2005-04-20 Fsi国际公司 微型电子基片的自动化加工用的减少占地的工具
US6497734B1 (en) 2002-01-02 2002-12-24 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for enhanced degassing of semiconductor wafers for increased throughput
WO2004060486A1 (en) 2003-01-02 2004-07-22 Loma Linda University Medical Center Configuration management and retrieval system for proton beam therapy system
DE10303460A1 (de) * 2003-01-29 2004-08-19 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Handhaben von scheibenförmigen Gegenständen
US7458763B2 (en) * 2003-11-10 2008-12-02 Blueshift Technologies, Inc. Mid-entry load lock for semiconductor handling system
US20070269297A1 (en) 2003-11-10 2007-11-22 Meulen Peter V D Semiconductor wafer handling and transport
US10086511B2 (en) 2003-11-10 2018-10-02 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing systems
US8696298B2 (en) 2003-11-10 2014-04-15 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
US20070286710A1 (en) * 2003-11-10 2007-12-13 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
US8313277B2 (en) 2003-11-10 2012-11-20 Brooks Automation, Inc. Semiconductor manufacturing process modules
TWI239933B (en) * 2004-03-16 2005-09-21 Powerchip Semiconductor Corp Positioning apparatus and positioning method using the same
US20060045668A1 (en) * 2004-07-19 2006-03-02 Grabowski Al W System for handling of wafers within a process tool
JP4892225B2 (ja) * 2005-10-28 2012-03-07 株式会社日立ハイテクノロジーズ 真空処理方法、真空搬送装置および半導体処理装置
US7387484B2 (en) * 2005-12-21 2008-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer positioning systems and methods thereof
US20080101912A1 (en) * 2006-10-26 2008-05-01 Martin Todd W Deposition analysis for robot motion correction
US20080219810A1 (en) 2007-03-05 2008-09-11 Van Der Meulen Peter Semiconductor manufacturing process modules
EP2746721B1 (en) 2011-02-10 2019-08-07 Hysitron, Inc. Nanomechanical testing system
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US8919210B2 (en) 2012-11-27 2014-12-30 Life Technologies Corporation Load cell lockouts and related fluid dispensing systems
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6477914B2 (ja) * 2015-11-20 2019-03-06 株式会社島津製作所 真空処理装置および質量分析装置
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的***及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4457664A (en) * 1982-03-22 1984-07-03 Ade Corporation Wafer alignment station
US4769523A (en) * 1985-03-08 1988-09-06 Nippon Kogaku K.K. Laser processing apparatus
US4713551A (en) * 1986-04-17 1987-12-15 Varian Associates, Inc. System for measuring the position of a wafer in a cassette
US4836733A (en) * 1986-04-28 1989-06-06 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4752898A (en) * 1987-01-28 1988-06-21 Tencor Instruments Edge finding in wafers
JPS63187644A (ja) * 1987-01-30 1988-08-03 Nec Corp 半導体製造装置
US4973217A (en) * 1987-02-09 1990-11-27 Svg Lithography Systems, Inc. Wafer handling system
US4819167A (en) * 1987-04-20 1989-04-04 Applied Materials, Inc. System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer
US4880348A (en) * 1987-05-15 1989-11-14 Roboptek, Inc. Wafer centration device
JPH0620097B2 (ja) * 1987-10-20 1994-03-16 富士通株式会社 ウエハ位置決め装置
JPH025049A (ja) * 1988-06-24 1990-01-09 Fuji Photo Film Co Ltd フイルムユニットのエアー抜き通路形成方法
US5102280A (en) * 1989-03-07 1992-04-07 Ade Corporation Robot prealigner
JPH0736417B2 (ja) * 1989-10-24 1995-04-19 株式会社メツクス ウエハーの位置決め装置
JP2986121B2 (ja) * 1991-03-26 1999-12-06 東京エレクトロン株式会社 ロードロック装置及び真空処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003503843A (ja) * 1999-06-29 2003-01-28 ラム リサーチ コーポレーション ウェハ搬送ロボットがネスト化されている大気雰囲気ウェハ搬送モジュールおよびその実現方法
KR100970213B1 (ko) * 2007-02-05 2010-07-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 진공 처리 장치, 진공 처리 방법 및 기억 매체
US8280545B2 (en) 2007-02-05 2012-10-02 Tokyo Electron Limited Vacuum processing apparatus and method, and storage medium for executing the method
JP2012033594A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Hitachi High-Technologies Corp 基板保持具及び基板搬送システム

Also Published As

Publication number Publication date
KR920018841A (ko) 1992-10-22
KR0165556B1 (ko) 1999-02-01
EP0506045A3 (en) 1992-11-25
EP0506045A2 (en) 1992-09-30
US5340261A (en) 1994-08-23
EP0506045B1 (en) 1995-11-29
DE69206295T2 (de) 1996-05-02
DE69206295D1 (de) 1996-01-11
US5435683A (en) 1995-07-25
JP2986121B2 (ja) 1999-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2986121B2 (ja) ロードロック装置及び真空処理装置
KR0165555B1 (ko) 로드록장치 및 웨이퍼의 반송시스템 및 웨이퍼의 위치 검출장치
US5404894A (en) Conveyor apparatus
US6395094B1 (en) Process system with transfer unit for object to be processed
JP4696373B2 (ja) 処理システム及び被処理体の搬送方法
US20070092651A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR100278331B1 (ko) 멀티챔버 기판처리장치
JPH05275511A (ja) 被処理体の移載システム及び処理装置
JPS61228648A (ja) 半導体ウェハ製造装置、半導体ウェハ処理装置及びチャック装置
WO2011148629A1 (ja) プラズマ処理装置
JP2009218622A (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における基板位置ずれ補正方法
KR20040014213A (ko) 레티클 핸들링 방법, 레티클 핸들링 장치 및 노광장치
WO2002007236A1 (fr) Detecteur de deplacement et systeme de traitement
JP3500455B2 (ja) 処理装置
KR100456711B1 (ko) 열처리장치
JP4386983B2 (ja) 基板処理装置、マルチチャンバー基板処理装置及び電子デバイス製作方法
JP4359365B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理装置における基板位置ずれ補正方法
JP3196131B2 (ja) 半導体ウエハの搬送方法
JP4632590B2 (ja) 基板搬送システム及び基板処理装置
KR102219879B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 정렬 방법
JP2002164416A (ja) 被検出体の検出装置とこれを用いた処理システム
JPH05294405A (ja) 基板検出装置
JP2007042929A (ja) ロードロック装置とその方法及び半導体製造装置
JPH10135301A (ja) ウエハ処理装置
JP2024002030A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置の運転方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001

Year of fee payment: 12

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111001

Year of fee payment: 12