JPH04154121A - Sputtering apparatus - Google Patents
Sputtering apparatusInfo
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- JPH04154121A JPH04154121A JP27977490A JP27977490A JPH04154121A JP H04154121 A JPH04154121 A JP H04154121A JP 27977490 A JP27977490 A JP 27977490A JP 27977490 A JP27977490 A JP 27977490A JP H04154121 A JPH04154121 A JP H04154121A
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- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 title claims description 22
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005478 sputtering type Methods 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板にスパッタリングするとともにド
ライエツチングを行う高周波プラズマエツチング室付き
のスパッタリング装置に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a sputtering apparatus equipped with a high frequency plasma etching chamber for sputtering and dry etching a semiconductor substrate.
従来、この種のスパッタリング装置は、図面には示さな
いが、半導体基板に金属膜を被着するスパッタリング室
と、これら金属膜を選択的に除去する高周波プラズマエ
ツチング室と、これら各室に大気に戻すことなく半導体
基板を収納させるための予備真空室であるロードロック
室とを有していた。Conventionally, this type of sputtering equipment has a sputtering chamber for depositing a metal film on a semiconductor substrate, a high-frequency plasma etching chamber for selectively removing the metal film, and an air vent for each of these chambers (not shown in the drawings). It had a load-lock chamber as a preliminary vacuum chamber for storing semiconductor substrates without returning them.
このスパッタリング装置で、半導体基板に回路パターン
を形成する場合には、半導体基板をまずロードロック室
に収納し、所定の真空に排気した、ロードロック室のゲ
ートバルブを開いて、スパッタリング室に半導体基板を
搬送する０次に、スパッタリング室で半導体基板に金属
膜を形成し、スパッタリング室より半導体基板を取出す
。When forming a circuit pattern on a semiconductor substrate using this sputtering equipment, the semiconductor substrate is first stored in a load-lock chamber, the gate valve of the load-lock chamber is evacuated to a predetermined vacuum level, and the semiconductor substrate is placed in the sputtering chamber. Next, a metal film is formed on the semiconductor substrate in a sputtering chamber, and the semiconductor substrate is taken out from the sputtering chamber.
一方、この作業中に、ロードロック室には金属膜上にマ
スクが形成された別の半導体基板が収納されている。Meanwhile, during this work, another semiconductor substrate with a mask formed on a metal film is stored in the load lock chamber.
次に、前述取り出された半導体基板を別の装置で、金属
膜が形成された半導体基板上にマスクを形成する。また
、先にロードロック室に収容された別の半導体基板を高
周波プラズマエツチング室に大気に戻すことなく搬送す
る。次に、新にマスクが形成された半導体基板をロード
ロック室に収納するとともに高周波プラズマエツチング
室に収納された半導体基板を選択的にエツチングし、回
路パターンを形成する。Next, using another device, a mask is formed on the semiconductor substrate on which the metal film is formed. Further, another semiconductor substrate previously accommodated in the load lock chamber is transferred to the high frequency plasma etching chamber without being returned to the atmosphere. Next, the semiconductor substrate on which the mask has been newly formed is placed in a load lock chamber, and the semiconductor substrate placed in the high frequency plasma etching chamber is selectively etched to form a circuit pattern.
このように、このスパッタリング装置は、金属膜形成、
マスク形成及び選択的エツチングという一連の作業を行
っていた。また、プラズマエツチング室はエツチングの
際に、半導体基板より除去された金属が室内の壁に付着
するので、半導体基板の処理を何枚を行った後、室内に
大気を導入し、作業者が清掃していた。In this way, this sputtering device is capable of forming metal films,
A series of operations including mask formation and selective etching were performed. In addition, during etching in a plasma etching chamber, metal removed from semiconductor substrates adheres to the walls of the chamber, so after processing several semiconductor substrates, atmospheric air is introduced into the chamber and workers clean the chamber. Was.
上述した従来のスパッタリング装置では、スリニングの
たびに高周波スプリングエツチング室を大気にしなけれ
ばならず、その後の立上げに時間がかかるという欠点が
ある。また、大気にしたことによって塵埃が室内に侵入
するという欠点もある。The above-mentioned conventional sputtering apparatus has the disadvantage that the high frequency spring etching chamber must be exposed to the atmosphere every time thinning is performed, and subsequent startup takes time. Another drawback is that dust can enter the room due to the atmosphere.
本発明の目的は、かかる欠点を解消すべく、室内に大気
に戻すことなく室内を清掃出来るスバ・ンタリング装置
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In order to eliminate such drawbacks, it is an object of the present invention to provide a vacuum cleaner that can clean a room without returning the room to the atmosphere.
本発明のスパッタリング装置は、高周波プラズマエツチ
ング室と、スパッタリング室とを備えるスパッタリング
装置において、前記高周波プラズマエツチング室に酸素
ガスを導入する配管及び仕切弁と、この室内の酸素の圧
力を一定に保つ圧力制御弁とを備え、前記高周波プラズ
マを発生し、前蟇室内を清掃することを特徴としている
。The sputtering apparatus of the present invention includes a high-frequency plasma etching chamber and a sputtering chamber, and includes piping and a gate valve for introducing oxygen gas into the high-frequency plasma etching chamber, and a pressure for keeping the oxygen pressure in the chamber constant. The device is characterized in that it includes a control valve, generates the high-frequency plasma, and cleans the inside of the antenatal chamber.
次に、本発明について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.
第１図は本発明の一実施例を示すスパッタリング装置の
ブロック図である。このスパッタリング装置は、同図に
示すように、エツチング室５に配管を介し、て接続され
る酸素ガスを導入するカットオフバルブ９と、酸素ガス
の流量を制御するマスフローバルブ８と、このマスフロ
ーバルブを室内の圧力を圧力計６で検出し制御するマス
フローコントローラ７とを設けたことである。それ以外
は従来例と同じである。FIG. 1 is a block diagram of a sputtering apparatus showing an embodiment of the present invention. As shown in the figure, this sputtering apparatus includes a cut-off valve 9 connected to the etching chamber 5 via piping for introducing oxygen gas, a mass flow valve 8 for controlling the flow rate of the oxygen gas, and a mass flow valve 8 for controlling the flow rate of the oxygen gas. A mass flow controller 7 is provided to detect and control the indoor pressure using a pressure gauge 6. Other than that, it is the same as the conventional example.
第２図は第１図のスパッタリング装置の動作を説明する
ための流れ図である。まず、〔始〕により、マスクが形
成された半導体基板が、セパレータ室３にある搬送マニ
ュプレータにより、ロードロック室４からエツチング室
５に収納される０次に、〔製品処理〕により、高周波プ
ラズマエツチングされ、半導体基板上の金属膜が選択エ
ツチングされる０次に、判断機能〔処理ＥＮＤＥで、半
導体基板が処理されたことを確認する０次に、処理済み
の半導体基板はマニュプレータによりロードロック室４
に搬送される０次に、再び、ロードロック室４より別の
半導体基板がエツチング室５に移送され、処理される。FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the sputtering apparatus shown in FIG. 1. First, in the [start], the semiconductor substrate on which the mask is formed is transferred from the load lock chamber 4 to the etching chamber 5 by the transport manipulator in the separator chamber 3. Next, in the [product processing], the semiconductor substrate is subjected to high-frequency plasma etching. Then, the metal film on the semiconductor substrate is selectively etched.Next, the judgment function [process ENDE] confirms that the semiconductor substrate has been processed.Next, the processed semiconductor substrate is transferred to the load lock chamber 4 by a manipulator.
Next, another semiconductor substrate is transferred from the load lock chamber 4 to the etching chamber 5 and processed.
次に、〔処理枚数一定態上か？〕で、エツチング処理さ
れた数が所定の枚数に達したら、エツチング室５の空室
の状態にし、所定の真空度に排気した後に、ＣＯ２プラ
ズマクリーニング〕で、カットオフバルブ９を開き、マ
スフローコントローラ７によりマスフローバルブ８に酸
素ガスの流量を指令し、酸素ガスをエツチング室５に導
入する。また、このとき、圧力計６は室内の酸素ガス圧
力を一定にする。次に、高周波電源により電極に印加し
、プラズマを発生し、酸素ガスをイオン化し、内壁に付
着した金属を除去し、酸素ガスもらとも室外に排気する
。次に、所定の時間経過後、再び〔始〕で処理作業を開
始する。Next, [Is the number of sheets processed constant? ] When the number of etched sheets reaches a predetermined number, the etching chamber 5 is made empty and evacuated to a predetermined degree of vacuum, and then the cut-off valve 9 is opened in the CO2 plasma cleaning], and the mass flow controller is 7 instructs the mass flow valve 8 to control the flow rate of oxygen gas, and introduces the oxygen gas into the etching chamber 5. Moreover, at this time, the pressure gauge 6 keeps the oxygen gas pressure in the room constant. Next, a high frequency power source is applied to the electrodes to generate plasma, ionize the oxygen gas, remove metal adhering to the inner wall, and exhaust the oxygen gas to the outside. Next, after a predetermined period of time has elapsed, the processing operation is started again at [start].
以上説明したように本発明は、室内に酸素ガスを導入し
、プラズマイオン化し、内壁に付着する汚れを除去する
手段を設けることによって、エツチング室を大気に戻す
ことなくクリーニングを行なうことができるスパッタリ
ング装置が得られるという効果がある。As explained above, the present invention provides a sputtering method that can clean the etching chamber without returning it to the atmosphere by introducing oxygen gas into the chamber, ionizing the plasma, and removing dirt adhering to the inner wall. This has the effect of providing a device.
第１図は本発明の一例を示すスパッタリング装置のブロ
ック図、第２図は第１図のスパッタリング装置の動作を
説明するための流れ図である。
１．２・・・スパッタリング図、３・・・セパレート室
、４・・・ロードロック室、５・・・エツチング室、６
・・・圧力計、７・・・マスフローコントローラ、８・
・・マスフローバルブ、９・・・カットバルブ。FIG. 1 is a block diagram of a sputtering apparatus showing an example of the present invention, and FIG. 2 is a flowchart for explaining the operation of the sputtering apparatus of FIG. 1. 1.2...Sputtering diagram, 3...Separate chamber, 4...Load lock chamber, 5...Etching chamber, 6
...Pressure gauge, 7...Mass flow controller, 8.
...Mass flow valve, 9...Cut valve.
Claims (1)
を備えるスパッタリング装置において、前記高周波プラ
ズマエッチング室に酸素ガスを導入する配管及び仕切弁
と、この室内の酸素の圧力を一定に保つ圧力制御弁とを
備え、前記高周波プラズマを発生し、前記室内を清掃す
ることを特徴とするスパッタリング装置。A sputtering apparatus comprising a high frequency plasma etching chamber and a sputtering chamber, comprising piping and a gate valve for introducing oxygen gas into the high frequency plasma etching chamber, and a pressure control valve for keeping the pressure of oxygen in the chamber constant; A sputtering apparatus characterized in that the chamber is cleaned by generating high-frequency plasma.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977490A JPH04154121A (en) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | Sputtering apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27977490A JPH04154121A (en) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | Sputtering apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04154121A true JPH04154121A (en) | 1992-05-27 |
Family
ID=17615731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27977490A Pending JPH04154121A (en) | 1990-10-18 | 1990-10-18 | Sputtering apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04154121A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012197518A (en) * | 2007-03-22 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film-forming apparatus, and cleaning method of mask using the same |
| CN113265640A (en) * | 2020-01-29 | 2021-08-17 | 佳能特机株式会社 | Film forming apparatus and electronic device manufacturing apparatus |
-
1990
- 1990-10-18 JP JP27977490A patent/JPH04154121A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012197518A (en) * | 2007-03-22 | 2012-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Film-forming apparatus, and cleaning method of mask using the same |
| CN113265640A (en) * | 2020-01-29 | 2021-08-17 | 佳能特机株式会社 | Film forming apparatus and electronic device manufacturing apparatus |
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