JPH04118074A - 塗布装置および塗布方法 - Google Patents

塗布装置および塗布方法

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JPH04118074A JP2237664A JP23766490A JPH04118074A JP H04118074 A JPH04118074 A JP H04118074A JP 2237664 A JP2237664 A JP 2237664A JP 23766490 A JP23766490 A JP 23766490A JP H04118074 A JPH04118074 A JP H04118074A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、塗布装置に関する。
（従来の技術） 従来、この種の塗布装置としては、例えば、半導体製造
装置において半導体ウェハ上にレジスト液を塗布するレ
ジスト液塗布装置がある。
このレジスト液塗布装置は、一般に半導体ウェハを吸着
して回転させるスピンチャックと、このスピンチャック
上の半導体ウェハを収容するカップとによりレジスト液
の塗布処理用の処理ユニットを構成するとともに、上記
カップ内の半導体ウェハ上にレジスト液を吐出するレジ
ストノズルを備えたものとなっている。
そして、上記レジストノズルよりレジスト液を半導体ウ
ェハ上に滴下し、半導体ウェハをスピンチャックにて高
速回転させることにより、遠心力によって半導体ウェハ
上にレジスト膜を均一に塗布するようにしている。
（発明が解決しようとする課題） 上記従来の塗布装置にあっては、１つの処理ユニットに
対して、１つのレジストノズルを用いており、１枚の半
導体ウェハに対してレジストノズルよりレジスト液を吐
出した後、半導体ウェハに対する一連の塗布工程が終了
するまで、レジストノズルを待機させていた。そして、
その半導体ウェハへの塗布工程が終了した後、次の半導
体ウェハを搬入してレジストノズルにて次の半導体ウェ
ハにレジスト液を吐出することとしていたため、レジス
トノズルによるレジスト液の吐出間隔が長く、レジスト
ノズルの次の滴下までの待機中にレジストノズルの先端
部におけるレジスト液が固化しやすく、このレジスト液
の固化によって半導体ウェハのレジスト膜に不均一が生
じ、製品品質にばらつきが生じて、製品の歩留まりが低
下してしまうという問題があった。
また、従来では特開昭５８−１２４２４１号公報及び特
開昭６２−１９５１１８号公報に示されるように、処理
ユニットを２個配列するようにして２倍の処理効率を図
るようにしたものも知られているが、この場合にあって
も１つの処理ユニットに対して１つのレジストノズルが
設けられており、従って上述の例と同じくレジスト液の
吐出間隔が長く、レジストノズル先端部のレジスト液の
固化による製品歩留まりの低下が生じるという問題があ
る上に、装置全体の構造が複雑となり、さらにはそれぞ
れの処理ユニットで別々のレジストノズルを用いるため
、レジスト液塗布処理の均一化が図り難いという問題が
あった。
そこで本発明は、ノズルからの塗布液の吐出間隔を短く
して塗布液がノズルの先端部で同化する等して劣化する
のを減少させ、製品歩留まりを向上させることができる
と共に、装置全体の構造を簡単にし、さらには各処理ユ
ニットでのレジスト液塗布処理の均一化を図ることので
きる塗布装置を提供することを、その解決課題としてい
る。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、支持体に設けられた被塗布材にノズルを介し
て塗布液を供給して塗布する塗布装置において、 上記被塗布材を支持する支持体を複数設けると共に、こ
の複数の支持体に共用される単一の上記ノズルを有し、
上記ノズルを移動機構により各チャック上方に移動可能
としたことを特徴とする。
（作用） 本発明の塗布装置にあっては、複数の支持体に対して１
つのノズルを設け、このノズルを移動機構によって各支
持体上方に移動可能にすることにより、上記複数の支持
体上の被塗布材に対して単一のノズルより順次塗布液を
供給させれば、一方の支持体において塗布液供給後の塗
布処理中にも他方の支持体上の被塗布材にノズルからの
塗布液供給がなし得、その結果ノズルの待機時間が短く
なり、それだけノズルの待機中におけるノズル先端部の
塗布液の固化等の劣化を減少させることができるばかり
でなく、適量の塗布液の供給が可能となる。
また、複数の支持体に対して１つのノズルで済むため、
装置全体の構造を簡略にすることが可能となる。
さらに、複数の支持体上の被塗布材に対して１つのノズ
ルから供給して塗布するため、塗布処理の均一化を図る
ことが可能となる。
また、複数の支持体を設けた場合の、各支持体間での塗
布品質のばらつきを低減するためには、複数の支持体を
同一処理雰囲気内に設定すればよい。
（実施例） 以下、本発明を半導体ウェハのレジスト液塗布装置に適
用した実施例について、図面を参照して説明する。
まず、本実施例のレジスト液塗布装置は、第１図、第２
図に示すように、２つの処理ユニット１０．１０と、１
つのレジストノズル１２とを備えている。
各処理ユニット１０は、支持体例えばスピンチャック１
４と、カップ１６とを備えている。
スピンチャック１４は、真空吸着などによって半導体ウ
ェハ１８を載置し仮固定し、これを高速回転させるよう
、モータ２０の出力軸に固定されて回転駆動されるよう
になっている。
モータ２０は、加速性に優れた高性能モータで構成され
、その上側にフランジ２２フランジ２２を有し、このフ
ランジ２２によって塗布装置内の適宜位置に固定されて
いる。なお、このフランジ２２は、図示しない温調器に
よって温度調整が可能であって、モータ２０の発熱を上
側に伝達しないように構成することもできる。
カップ１６は、レジスト液のスピン塗布時に塗布液例え
ばレジスト液が装置外部や隣の半導体ウェハ上にへ飛散
することを防止するために、半導体ウェハ１８の周囲を
覆うように形成されている。
このカップ２２は、上下動可能であって、レジスト液塗
布時には図示する位置まで上昇されて停止し、半導体ウ
ェハ１８の搬入８時には上記位置よりも下降するように
なっている。なお、カップ２２の下面には、図示しない
ドレイン管及び排気管が接続されている。
レジストノズル１２は、各処理ユニット１０のスピンチ
ャック１４に支持される半導体ウェハ１８上方で、半導
体ウェハ１８のほぼ中心位置に近付いてレジスト液を供
給例えば滴下するようになっている。
また、このレジストノズル］２は、移動機構としてのス
キャナ２４によって、待機位置Ａと各処理ユニット１０
上のレジスト液吐出位置Ｂ間で移動例えば往復移動自在
になっている。例えば、２つの処理ユニット１０におけ
るレジスト液の塗布処理サイクルを半サイクルずつずら
し、待機位置から最初の処理ユニット１０上にレジスト
ノズル１２を移動させてレジスト液を吐出した後、−旦
待機位置Ｂにレジストノズル１２を戻し、その後次の処
理ユニット１０上にレジストノズル］２を移動させてレ
ジスト液を吐出するようにしている。
また、待機位置Ｂにおいては、最初の処理ユニット１０
から次の処理ユニット１０に処理工程が移行するまでの
間やロットの切れ目などでレジストノズル１２からのデ
ィスペンスが所定時間実行されない場合に、レジストノ
ズル１２先端部でレジスト液が長時間空気と接触するこ
とにより固まってしまうのを防止するためのダミーディ
スペンスを実行するようになっている。なお、待機位置
Ｂにはレジストノズル１２のダミーディスペンスを実行
する待機ブロック２６が配設されており、上記スキャナ
２４はこの待機ブロック２６上のレジストノズル１２を
把持するため上下動かつ左右移動可能にされている。ま
た、多少の待機期間が予想される場合のため、レジスト
溶剤雰囲気中に待機させるようにしても良い。
また、レジストノズル１２へのレジスト液の供給系とし
て、第３図に示すように、レジスト液収容部２８、Ｎ２
加圧部３０及びレジスト液収容部２８からレジストノズ
ル１２に至る配管３２からなっている。なお、配管３２
には、開閉用のバルブＶｌ、サックバックバルブＶ２な
どが設けられている。　サックバックバルブｖ２は、　
　レジストノズル１２からのレジスト液吐出後、レジス
トノズル１２先端部で表面張力によって露出しているレ
ジスト液をレジストノズル１２内に引き戻すためのバル
ブであり、レジスト液の固化を防止するためのものであ
る。
次に、本実施例の作用を説明する。
まず、レジストノズル１２が待機位置Ｂにある状態にお
いて、一方の処理ユニット１０のスピンチャック１４上
に半導体ウェハ１８が搬入されると、スキャナ２４か移
動してレジストノズル１２を待機位置Ｂの待機ブロック
２６より把持して取り出し、スキャナ２４かレジストノ
ズル］２を把持したまま上記一方のスピンチャック］４
に載置された半導体ウェハ１８上まで移動する。
そして、この位置でレジストノズル１２より半導体ウェ
ハ１８上にレジスト液を滴下してスピンチャック１４の
回転による遠心力で半導体ウェハ１８にレジスト液を均
一に塗布する。
次いで、レジストノズル１２によるレジスト液の滴下後
、スキャナ２４の移動によってレジストノズル１２を待
機位置Ｂまて移動させ、待機ブロック２６にレジストノ
ズル１２を支持させる。その間に、一方の処理ユニット
１ｏではレジスト液滴下後の一連の処理が続行される。
次に、例えば上記一方の処理ユニット１ｏの塗布処理サ
イクルと半サイクルはど遅らせて他方の処理ユニット１
０の塗布処理を行なうようにしておけば、上記一方の処
理ユニット１０へのレジスト液の吐出後半サイクルはど
遅れて他方の処理ユニット１０に半導体ウェハ１８が搬
入されることとなる。
そして、他方の処理ユニット１０に半導体ウェハ１８が
搬入されると、スキャナ２４が上記待機位置Ｂにあるレ
ジストノズル１２を把持して取り出し、上記他方の処理
ユニット１０のスピンチャック１４上にある半導体ウェ
ハ１８の上方まで移動させ、その位置でレジストノズル
１２よりレジスト液を滴下してスピンチャック１４の回
転によりレジスト液を塗布するようにしている。
このように、２つの処理ユニット１０に対し１つのレジ
ストノズル１２を共用にすることによって、レジストノ
ズル１２からのレジスト液の吐出間隔を短くすることが
でき、従ってレジスト液の吐出間隔が長い場合における
レジストノズル１２先端部でのレジスト液の固化を減少
させることが可能となるものである。
また、レジストノズル１２が１つでも足りるため、装置
全体の構造が簡単である。
さらに、２つの処理ユニット１０に対してレジストノズ
ル１２を共用にするため、レジスト液も共通となり、２
つの処理ユニット１０ｍ１での処理の均一化が期待でき
ることとなる。もちろん処理ユニット１０は２つに限ら
ず多数設け、ノズル］２も複数設け、それぞれのノズル
１２の担当ユニット１０を規定しても良いし、複数のノ
ズル共用ユニット１０を設け、コンピュータ管理で移動
させても良い。
第４図及び第５図には他の実施例を示す。
この実施例では、２つの処理ユニット１０に対して１つ
のレジストノズル１２を用いると共に、上記２つの処理
ユニット１０を共通の容器４０内に配し、各処理ユニッ
ト１０を容器４０の同一雰囲気内に置くことにより、各
処理ユニット１０間で均一な処理を行うようにしている
。他の構成及び作用は上記実施例と同様であるのでその
説明を省略する なお、上記各実施例においては、塗布装置の一例として
半導体ウェハへのレジスト液塗布装置を示したが、この
例に限らず例えばマスクへのレジスト液塗布装置、現像
液の塗布装置、磁性材料の塗布装置など種々の塗布装置
に適用できるものである。
また、上記実施例では、処理ユニット１０を２つ用いた
場合について説明したが、これに限らず、３つ以上の処
理ユニットを用いるようにすることが可能である。
さらに、上記実施例では、スキャナ２４として左右にス
ライドするものを用いているが、この例に限らず揺動す
るタイプのものを用いることも可能である。
［発明の効果］ 以上説明したように、請求項１に記載の発明にあっては
、１つのノズルが複数の処理ユニットを担当するので、
その結果ノズルの待機時間が短くなり、それだけノズル
の待機中におけるノズル先端部の塗布液の固化等の劣化
を減少させ、塗布液を予め定められた適量だけ信頼性良
く供給できる効果がある。
また、複数のチャックに対して１つのノズルで済むため
、装置全体の構造を簡略にすることができるという効果
がある。
さらに、複数の支持体上の被塗布材に対して１つのノズ
ルから吐出して塗布するため、塗布処理の均一化を図る
ことができるという効果がある。
また、請求項２に記載の発明にあっては、複数の支持体
を共通容器内に配し、各支持体を同一雰囲気内に置くこ
ととしたため、各支持体を異なる雰囲気化に置いた場合
における塗布品質の差を解消して均一処理をなすことが
できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例に係る塗布装置を示す概略断
面図、 第２図は第１図の平面図、 第３図は第１図の塗布装置の概略説明図、第４図は他の
実施例に係る塗布装置を示す断面図、 第５図は第４図の平面図である。 １０・　・処理ユニット １２・　・レジストノズル １４・・・スピンチャック １６・・・カップ　１８・・・半導体ウエノ＼２４・・
・スキャナ　４０・・・容器 代理人　弁理士　　井　上　　−（他１名）第 ■ 図 第 図 第 図 第 図 第 図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）支持体に設けられた被塗布材にノズルを介して塗
    布液を供給して塗布する塗布装置において、上記被塗布
    材を支持する支持体を複数設けると共に、この複数の支
    持体に共用される単一の上記ノズルを有し、上記ノズル
    を移動機構により各チャック上方に移動可能としたこと
    を特徴とする塗布装置。
  2. （２）請求項１において、 上記複数の支持体を共通容器内に配し、各支持体を同一
    雰囲気内に置くことを特徴とする塗布装置。
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KR1019910015595A KR0158211B1 (ko) 1990-09-07 1991-09-06 도포장치 및 도포방법
US08/093,699 US5416047A (en) 1990-09-07 1993-07-20 Method for applying process solution to substrates

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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665200A (en) * 1994-09-09 1997-09-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6068881A (en) * 1998-05-29 2000-05-30 International Business Machines Corporation Spin-apply tool having exhaust ring
JP2008526033A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 共有分配を伴うコート／現像モジュール
JP2010034222A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニット、基板処理装置およびノズルの位置制御方法
JP2010034219A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2010087323A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
WO2012011411A1 (ja) * 2010-07-23 2012-01-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2013062330A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2016029703A (ja) * 2014-07-23 2016-03-03 東京エレクトロン株式会社 現像装置

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2949547B2 (ja) * 1993-02-08 1999-09-13 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3276449B2 (ja) * 1993-05-13 2002-04-22 富士通株式会社 回転塗布方法
US5518542A (en) * 1993-11-05 1996-05-21 Tokyo Electron Limited Double-sided substrate cleaning apparatus
US6833035B1 (en) * 1994-04-28 2004-12-21 Semitool, Inc. Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station
JP3196917B2 (ja) * 1994-06-17 2001-08-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US5902399A (en) * 1995-07-27 1999-05-11 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for improved coating of a semiconductor wafer
US5785905A (en) * 1995-09-11 1998-07-28 Charles Chang Method of making lipstick samplers
US5756155A (en) * 1996-01-22 1998-05-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Combination nozzle and vacuum hood that is self cleaning
JP3566475B2 (ja) * 1996-12-03 2004-09-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3445937B2 (ja) * 1998-06-24 2003-09-16 東京エレクトロン株式会社 多段スピン型基板処理システム
AT408930B (de) * 1999-01-13 2002-04-25 Thallner Erich Vorrichtung zur chemischen behandlung von wafern
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
US6796517B1 (en) 2000-03-09 2004-09-28 Advanced Micro Devices, Inc. Apparatus for the application of developing solution to a semiconductor wafer
US6551403B1 (en) * 2000-05-25 2003-04-22 Nec Electronics, Inc. Solvent pre-wet system for wafers
JP4343018B2 (ja) * 2004-04-20 2009-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板の処理方法及び基板の処理装置
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US20060130767A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Applied Materials, Inc. Purged vacuum chuck with proximity pins
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
KR100681315B1 (ko) * 2004-12-28 2007-02-15 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 웨이퍼 현상 장치
US7644512B1 (en) 2006-01-18 2010-01-12 Akrion, Inc. Systems and methods for drying a rotating substrate
US7470638B2 (en) * 2006-02-22 2008-12-30 Micron Technology, Inc. Systems and methods for manipulating liquid films on semiconductor substrates
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
CN108828898B (zh) * 2017-08-02 2021-06-04 长鑫存储技术有限公司 改善光刻胶涂覆过程中晶边缺陷的方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3904339A (en) * 1972-02-03 1975-09-09 Owens Corning Fiberglass Corp Apparatus for depositing materials on surfaces of revolution
US4158343A (en) * 1977-09-27 1979-06-19 Nordson Corporation Coater
US4190015A (en) * 1977-12-08 1980-02-26 Machine Technology, Inc. Apparatus for dispensing liquid to spinning workpieces
JPS57135066A (en) * 1981-02-14 1982-08-20 Tatsumo Kk Rotary applying machine
JPS58124241A (ja) * 1982-01-21 1983-07-23 Nec Corp 半導体基板現像装置
JPS62195118A (ja) * 1986-02-21 1987-08-27 Hitachi Ltd フオトレジスト現像装置
JPH0451907Y2 (ja) * 1987-09-18 1992-12-07
JPH0669545B2 (ja) * 1987-11-23 1994-09-07 タツモ株式会社 塗布装置
JPH01276722A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Nec Corp 基板処理装置
US5002008A (en) * 1988-05-27 1991-03-26 Tokyo Electron Limited Coating apparatus and method for applying a liquid to a semiconductor wafer, including selecting a nozzle in a stand-by state
US5061144A (en) * 1988-11-30 1991-10-29 Tokyo Electron Limited Resist process apparatus
JPH0666255B2 (ja) * 1989-05-02 1994-08-24 三菱電機株式会社 スピン塗布装置及び方法
US4989345A (en) * 1989-12-18 1991-02-05 Gill Jr Gerald L Centrifugal spin dryer for semiconductor wafer

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5665200A (en) * 1994-09-09 1997-09-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus
US6068881A (en) * 1998-05-29 2000-05-30 International Business Machines Corporation Spin-apply tool having exhaust ring
JP2011139076A (ja) * 2004-12-22 2011-07-14 Sokudo Co Ltd 共有分配を伴うコート／現像モジュール
JP2008526033A (ja) * 2004-12-22 2008-07-17 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 共有分配を伴うコート／現像モジュール
JP4842280B2 (ja) * 2004-12-22 2011-12-21 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 共有分配を伴うコート／現像モジュール
JP2010034222A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニット、基板処理装置およびノズルの位置制御方法
JP2010034219A (ja) * 2008-07-28 2010-02-12 Sokudo Co Ltd 基板処理ユニットおよび基板処理装置
JP2010087323A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
WO2012011411A1 (ja) * 2010-07-23 2012-01-26 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
JP2012028571A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US8636915B2 (en) 2010-07-23 2014-01-28 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus and liquid processing method
JP2013062330A (ja) * 2011-09-13 2013-04-04 Tokyo Electron Ltd 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP2016029703A (ja) * 2014-07-23 2016-03-03 東京エレクトロン株式会社 現像装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2843134B2 (ja) 1999-01-06
KR0158211B1 (ko) 1999-02-18
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US5250114A (en) 1993-10-05

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