JP3087222B2 - 処理方法 - Google Patents
処理方法Info
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- JP3087222B2 JP3087222B2 JP4596899A JP4596899A JP3087222B2 JP 3087222 B2 JP3087222 B2 JP 3087222B2 JP 4596899 A JP4596899 A JP 4596899A JP 4596899 A JP4596899 A JP 4596899A JP 3087222 B2 JP3087222 B2 JP 3087222B2
- Authority
- JP
- Japan
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- processing
- processing liquid
- liquid supply
- wafer
- supply nozzle
- Prior art date
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- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する
処理方法に関するものである。
エハ等の被処理体の表面に現像液等の処理液を供給する
処理方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスの製造工程にお
いて、被処理体である半導体ウエハの表面に処理液とし
ての現像液を塗布する場合、処理液供給ノズルから半導
体ウエハに向けて現像液を吐出させている。
いて、被処理体である半導体ウエハの表面に処理液とし
ての現像液を塗布する場合、処理液供給ノズルから半導
体ウエハに向けて現像液を吐出させている。
【0003】すなわち、半導体ウエハを高速回転可能な
スピンチャックにて水平保持し、このスピンチャックの
上部に、半導体ウエハと対向するように処理液供給ノズ
ルを配設し、この処理液供給ノズルに列設された多数の
ノズル孔から半導体ウエハに向けて現像液をシャワー状
に吐出させて現像液を供給し、現像液を表面張力により
半導体ウエハ上に膜状に塗布している。
スピンチャックにて水平保持し、このスピンチャックの
上部に、半導体ウエハと対向するように処理液供給ノズ
ルを配設し、この処理液供給ノズルに列設された多数の
ノズル孔から半導体ウエハに向けて現像液をシャワー状
に吐出させて現像液を供給し、現像液を表面張力により
半導体ウエハ上に膜状に塗布している。
【0004】ところで、上記のように構成される処理液
供給ノズルのノズル孔からシャワー状に現像液を供給す
る構造のものにおいては、短時間で半導体ウエハ表面に
現像液を塗布するためには、現像液の供給圧を上げて現
像液の吐出流量を増加させる必要がある。そのため、現
像液が半導体ウエハの表面に衝撃を与え、半導体ウエハ
にダメージを与える虞れがあった。
供給ノズルのノズル孔からシャワー状に現像液を供給す
る構造のものにおいては、短時間で半導体ウエハ表面に
現像液を塗布するためには、現像液の供給圧を上げて現
像液の吐出流量を増加させる必要がある。そのため、現
像液が半導体ウエハの表面に衝撃を与え、半導体ウエハ
にダメージを与える虞れがあった。
【0005】そこで、出願人は、上記処理液供給ノズル
と半導体ウエハとを相対的に水平移動させることによっ
て、処理液供給ノズルにより現像液を押し広げて半導体
ウエハ表面に現像液を塗布する処理技術を既に開発した
(特開平5−13320号公報(特願平3−9080
号)参照)。これにより、半導体ウエハに衝撃を与えた
り、気泡を発生させることなく、迅速に所定の現像液を
ウエハに塗布することができ、また、少量の現像液で効
率良く処理を行うことができる。
と半導体ウエハとを相対的に水平移動させることによっ
て、処理液供給ノズルにより現像液を押し広げて半導体
ウエハ表面に現像液を塗布する処理技術を既に開発した
(特開平5−13320号公報(特願平3−9080
号)参照)。これにより、半導体ウエハに衝撃を与えた
り、気泡を発生させることなく、迅速に所定の現像液を
ウエハに塗布することができ、また、少量の現像液で効
率良く処理を行うことができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の処理装置においては、同一の孔径のノズル孔を
等間隔で列設するため、各ノズル孔から同一量の現像液
が吐出されることになる。塗布面積は半導体ウエハの中
心部に比較して外周部の塗布面積が広くなるので、外周
部の塗布面積に合せて現像液の吐出量を多くする必要が
ある。したがって、狭い塗布面積の中心部には必要以上
に多量の現像液が供給されるため、現像液の無駄が生じ
るばかりか、中心部に供給された現像液が盛り上って処
理液供給ノズルに付着して残留し、パーティクルの発生
原因となると共に、半導体ウエハの汚染を招くという可
能性があり、改善すべき点があった。
この種の処理装置においては、同一の孔径のノズル孔を
等間隔で列設するため、各ノズル孔から同一量の現像液
が吐出されることになる。塗布面積は半導体ウエハの中
心部に比較して外周部の塗布面積が広くなるので、外周
部の塗布面積に合せて現像液の吐出量を多くする必要が
ある。したがって、狭い塗布面積の中心部には必要以上
に多量の現像液が供給されるため、現像液の無駄が生じ
るばかりか、中心部に供給された現像液が盛り上って処
理液供給ノズルに付着して残留し、パーティクルの発生
原因となると共に、半導体ウエハの汚染を招くという可
能性があり、改善すべき点があった。
【0007】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、被処理体の表面に処理液を均一に供給し、被処理体
の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供すること
を目的とするものである。
で、被処理体の表面に処理液を均一に供給し、被処理体
の汚染防止を図れるようにした処理方法を提供すること
を目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第1の処理方法は、被処理体を保持する
保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複
数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的
に移動して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法
において、 上記保持手段により上記被処理体を回転す
る工程と、 上記処理液供給ノズルを水平方向に揺動移
動する工程と、を有することを特徴とするものである
(請求項1)。
に、この発明の第1の処理方法は、被処理体を保持する
保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐出する複
数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルとを、相対的
に移動して処理液を上記被処理体上に供給する処理方法
において、 上記保持手段により上記被処理体を回転す
る工程と、 上記処理液供給ノズルを水平方向に揺動移
動する工程と、を有することを特徴とするものである
(請求項1)。
【0009】この発明の第2の処理方法は、被処理体を
保持する保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐
出する複数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルと
を、相対的に移動して処理液を上記被処理体上に供給す
る処理方法において、 上記保持手段により上記被処理
体を回転する工程と、 上記保持手段により上記被処理
体を回転すると共に、上記処理液供給ノズルを水平方向
に直線移動あるいは揺動移動させ処理液を塗布する工程
と、を有することを特徴とするものである(請求項
2)。
保持する保持手段と、上記被処理体の表面に処理液を吐
出する複数のノズル孔を列設する処理液供給ノズルと
を、相対的に移動して処理液を上記被処理体上に供給す
る処理方法において、 上記保持手段により上記被処理
体を回転する工程と、 上記保持手段により上記被処理
体を回転すると共に、上記処理液供給ノズルを水平方向
に直線移動あるいは揺動移動させ処理液を塗布する工程
と、を有することを特徴とするものである(請求項
2)。
【0010】この発明において、上記処理液供給ノズル
の処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定
する方が好ましい(請求項3)。また、上記処理液供給
ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル
孔から処理液を滲み出させるようにする方が好ましい
(請求項4)。
の処理液吐出部と被処理体表面との間を微小間隔に設定
する方が好ましい(請求項3)。また、上記処理液供給
ノズルに供給される処理液に所定圧力を与えて各ノズル
孔から処理液を滲み出させるようにする方が好ましい
(請求項4)。
【0011】この発明の処理方法によれば、処理液供給
ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手
段により被処理体を回転させると共に、処理液供給ノズ
ルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させることに
より、被処理体の中心部から外周部に亘り均一に処理液
を供給することができ、処理均一性の向上を図ることが
できる。
ノズルから被処理体に処理液を供給した状態で、保持手
段により被処理体を回転させると共に、処理液供給ノズ
ルを水平方向に直線移動あるいは揺動移動させることに
より、被処理体の中心部から外周部に亘り均一に処理液
を供給することができ、処理均一性の向上を図ることが
できる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施形態を図
面に基いて詳細に説明する。この実施形態はレジスト塗
布現像装置に適用したものである。
面に基いて詳細に説明する。この実施形態はレジスト塗
布現像装置に適用したものである。
【0013】図1に示すように、このレジスト塗布現像
装置は、被処理体例えば半導体ウエハW(以下、単にウ
エハという)に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット10と、処理機構ユニット10にウエ
ハWを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構1
とで主要部が構成されている。
装置は、被処理体例えば半導体ウエハW(以下、単にウ
エハという)に種々の処理を施す処理機構が配設された
処理機構ユニット10と、処理機構ユニット10にウエ
ハWを自動的に搬入・搬出するための搬入・搬出機構1
とで主要部が構成されている。
【0014】搬入・搬出機構1は、処理前のウエハWを
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するアー
ム4と、このアーム4をX,Y,Z(垂直)及びθ(回
転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハWがアライ
メントされかつ処理機構ユニット10との間でウエハW
の受け渡しがなされるアライメントステージ6とを備え
ている。
収納するウエハキャリア2と、処理後のウエハWを収納
するウエハキャリア3と、ウエハWを吸着保持するアー
ム4と、このアーム4をX,Y,Z(垂直)及びθ(回
転)方向に移動させる移動機構5と、ウエハWがアライ
メントされかつ処理機構ユニット10との間でウエハW
の受け渡しがなされるアライメントステージ6とを備え
ている。
【0015】処理機構ユニット10には、アライメント
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在に搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインアーム13
が設けられている。搬送路11の一方の側には、ウエハ
Wとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒー
ジョン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウエ
ハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるためのプリベーク機構15と、加熱処理されたウ
エハWを冷却する冷却機構16とが配設されている。ま
た、搬送路11の他方の側には、ウエハWの表面に処理
液例えば現像液を塗布するこの発明に係る処理装置であ
る現像機構17と、ウエハWの上にレジスト膜を塗布形
成する塗布機構18とが配設されている。
ステージ6よりX方向に形成された搬送路11に沿って
移動自在に搬送機構12が設けられている。搬送機構1
2にはY,Z及びθ方向に移動自在にメインアーム13
が設けられている。搬送路11の一方の側には、ウエハ
Wとレジスト膜との密着性を向上させるためのアドヒー
ジョン処理を行うアドヒージョン処理機構14と、ウエ
ハWに塗布されたレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるためのプリベーク機構15と、加熱処理されたウ
エハWを冷却する冷却機構16とが配設されている。ま
た、搬送路11の他方の側には、ウエハWの表面に処理
液例えば現像液を塗布するこの発明に係る処理装置であ
る現像機構17と、ウエハWの上にレジスト膜を塗布形
成する塗布機構18とが配設されている。
【0016】上記のように構成されるレジスト塗布現像
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のアーム4によってウエハキャリア2から搬出さ
れてアライメントステージ6上に載置位置決めされる。
次いで、アライメントステージ6上のウエハWは、搬送
機構12のメインアーム13に保持されて、各処理機構
14〜18へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処
理される。そして、処理後のウエハWはメインアーム1
3によってアライメントステージ6に戻され、更にアー
ム4により搬送されてウエハキャリア3に収納されるこ
とになる。
装置において、まず、処理前のウエハWは、搬入・搬出
機構1のアーム4によってウエハキャリア2から搬出さ
れてアライメントステージ6上に載置位置決めされる。
次いで、アライメントステージ6上のウエハWは、搬送
機構12のメインアーム13に保持されて、各処理機構
14〜18へと搬送され、レジスト塗布あるいは現像処
理される。そして、処理後のウエハWはメインアーム1
3によってアライメントステージ6に戻され、更にアー
ム4により搬送されてウエハキャリア3に収納されるこ
とになる。
【0017】次に、この発明に係る処理装置17につい
て説明する。上記処理装置17は、図1に示すように、
ウエハWを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回転可
能に保持するスピンチャック20(保持手段)と、この
スピンチャック20の上方に移動されてウエハWの表面
に処理液である現像液を供給する処理液供給ノズル21
と、スピンチャック20の一方側に配置されて不使用時
の処理液供給ノズル21を保持する待機手段23と、ス
ピンチャック20の他方側に配置されて現像処理後、ウ
エハWをリンスするためのリンス液供給ノズル24と、
処理液供給ノズル21をスピンチャック20上及び待機
手段23上に選択移動する移動手段例えばノズル移動機
構25とで主要部が構成されている。
て説明する。上記処理装置17は、図1に示すように、
ウエハWを吸着保持すると共に垂直移動及び水平回転可
能に保持するスピンチャック20(保持手段)と、この
スピンチャック20の上方に移動されてウエハWの表面
に処理液である現像液を供給する処理液供給ノズル21
と、スピンチャック20の一方側に配置されて不使用時
の処理液供給ノズル21を保持する待機手段23と、ス
ピンチャック20の他方側に配置されて現像処理後、ウ
エハWをリンスするためのリンス液供給ノズル24と、
処理液供給ノズル21をスピンチャック20上及び待機
手段23上に選択移動する移動手段例えばノズル移動機
構25とで主要部が構成されている。
【0018】上記処理液供給ノズル21は、図2及び図
3に示すように、ウエハWの直径とほぼ同じ長さに形成
された矩形容器26と、この矩形容器26の底部から下
方に向って突出される凸条部27に適宜間隔をおいて直
線状に列設される多数の細孔からなるノズル孔22と、
Oリング28を介して矩形容器26を気密に閉塞する開
閉可能な蓋体29とで構成されている。なお、蓋体29
には処理液供給管30が接続されており、図示しない処
理液供給源から不活性ガス(例えば窒素(N2))の気
体等によって所定圧で矩形容器26内に所定の現像液L
が圧送により供給可能となっている。
3に示すように、ウエハWの直径とほぼ同じ長さに形成
された矩形容器26と、この矩形容器26の底部から下
方に向って突出される凸条部27に適宜間隔をおいて直
線状に列設される多数の細孔からなるノズル孔22と、
Oリング28を介して矩形容器26を気密に閉塞する開
閉可能な蓋体29とで構成されている。なお、蓋体29
には処理液供給管30が接続されており、図示しない処
理液供給源から不活性ガス(例えば窒素(N2))の気
体等によって所定圧で矩形容器26内に所定の現像液L
が圧送により供給可能となっている。
【0019】上記各ノズル孔22の配列ピッチは、ノズ
ル孔22の列の中心部から外方に向かって順次縮小する
ようになっている。すなわち、図5に示すように、処理
液供給ノズル21のノズル孔22の列の中心部から外方
に向ってそのピッチが、 p1 >p2 >p3 >…pn-1 >pn の関係に形成されて、中心部から外方に向ってピッチが
より密となり、単位面積当りのノズル孔22の面積すな
わちノズル孔22の断面積の合計面積が漸次増大される
ように形成されている。具体的には、ノズル口径が0.
1〜1.0mm程度,例えば0.5mm、ノズル孔22の数
が数百個,例えば150個、ピッチが0.8〜2.0mm
程度,例えば中心側2.0mm,中間1.5mm,外方側
1.0mmである。
ル孔22の列の中心部から外方に向かって順次縮小する
ようになっている。すなわち、図5に示すように、処理
液供給ノズル21のノズル孔22の列の中心部から外方
に向ってそのピッチが、 p1 >p2 >p3 >…pn-1 >pn の関係に形成されて、中心部から外方に向ってピッチが
より密となり、単位面積当りのノズル孔22の面積すな
わちノズル孔22の断面積の合計面積が漸次増大される
ように形成されている。具体的には、ノズル口径が0.
1〜1.0mm程度,例えば0.5mm、ノズル孔22の数
が数百個,例えば150個、ピッチが0.8〜2.0mm
程度,例えば中心側2.0mm,中間1.5mm,外方側
1.0mmである。
【0020】したがって、処理液供給ノズル21の中心
から外方に向ってノズル孔22からの現像液Lの吐出孔
の総面積換言すれば現像液Lの吐出量を漸次増大させる
ことができるので、現像液Lをウエハ表面上に均等に供
給することができる。
から外方に向ってノズル孔22からの現像液Lの吐出孔
の総面積換言すれば現像液Lの吐出量を漸次増大させる
ことができるので、現像液Lをウエハ表面上に均等に供
給することができる。
【0021】また、上記処理液供給ノズル21に設けら
れた凸条部27は、図2及び図3に示すように、先端に
向って先細り状のテーパー面27aが形成されており、
かつ凸条部27の先端には円弧状部27bが形成されて
いる。このように凸条部27に先細り状のテーパー面2
7aを形成することにより、ノズル孔22からウエハW
表面に現像液Lを塗布する際の現像液Lの跳ね上がり
(盛上り)高さHを、テーパー面を設けない場合に比べ
て少なくすることができ、現像液Lの凸条部27への付
着を少なくすることができる(図3参照)。また、凸条
部27の先端に例えば直径R=1mm程度の円弧状部27
bを形成することにより、処理液供給後に、処理液供給
ノズル21をウエハWから持上げる際の液切れを良好に
することができ、凸条部27への現像液Lの付着を少な
くすることができる。
れた凸条部27は、図2及び図3に示すように、先端に
向って先細り状のテーパー面27aが形成されており、
かつ凸条部27の先端には円弧状部27bが形成されて
いる。このように凸条部27に先細り状のテーパー面2
7aを形成することにより、ノズル孔22からウエハW
表面に現像液Lを塗布する際の現像液Lの跳ね上がり
(盛上り)高さHを、テーパー面を設けない場合に比べ
て少なくすることができ、現像液Lの凸条部27への付
着を少なくすることができる(図3参照)。また、凸条
部27の先端に例えば直径R=1mm程度の円弧状部27
bを形成することにより、処理液供給後に、処理液供給
ノズル21をウエハWから持上げる際の液切れを良好に
することができ、凸条部27への現像液Lの付着を少な
くすることができる。
【0022】一方、上記処理液供給ノズル21は、図6
に示すように、移動手段例えばノズル移動機構25によ
って直線移動すなわち左右に水平移動可能に形成されて
おり、現像液Lを吐出する際にスピンチャック20の水
平回転と処理液供給ノズル21の水平移動とが相俟って
ウエハWの表面に均等に現像液Lが供給されるようにな
っている。具体的には、水平移動速度が5〜20mm/se
c 、移動距離がウエハ中心から±3〜±5mm、スピンチ
ャックの回転数が20〜50rpm,例えば30rpm
である。
に示すように、移動手段例えばノズル移動機構25によ
って直線移動すなわち左右に水平移動可能に形成されて
おり、現像液Lを吐出する際にスピンチャック20の水
平回転と処理液供給ノズル21の水平移動とが相俟って
ウエハWの表面に均等に現像液Lが供給されるようにな
っている。具体的には、水平移動速度が5〜20mm/se
c 、移動距離がウエハ中心から±3〜±5mm、スピンチ
ャックの回転数が20〜50rpm,例えば30rpm
である。
【0023】この場合、処理液供給ノズル21を直線移
動すなわち水平方向に平行移動させて現像液Lをウエハ
W表面に供給しているが、必ずしも処理液供給ノズル2
1を左右に平行に水平移動させる必要はなく、例えば図
7に示すように、移動手段例えば回転機構32によって
揺動移動可能な揺動アーム31を設けると共に、処理液
供給ノズル21の一端を揺動アーム31にて支持し、揺
動アーム31を回転機構32によって左右に揺動させる
ようにしてもよい。
動すなわち水平方向に平行移動させて現像液Lをウエハ
W表面に供給しているが、必ずしも処理液供給ノズル2
1を左右に平行に水平移動させる必要はなく、例えば図
7に示すように、移動手段例えば回転機構32によって
揺動移動可能な揺動アーム31を設けると共に、処理液
供給ノズル21の一端を揺動アーム31にて支持し、揺
動アーム31を回転機構32によって左右に揺動させる
ようにしてもよい。
【0024】次に、この発明に係る処理装置の動作につ
いて説明する。まず、予め矩形容器26内に現像液Lを
供給し、矩形容器26内に現像液Lを満たした状態とし
ておき、処理液供給ノズル21を待機手段23に待機さ
せておく。そして、搬送機構12のメインアーム13に
よって搬送されるウエハWをスピンチャック20上に載
置し、図示しない真空手段によってウエハWをスピンチ
ャック20上に吸着保持する。
いて説明する。まず、予め矩形容器26内に現像液Lを
供給し、矩形容器26内に現像液Lを満たした状態とし
ておき、処理液供給ノズル21を待機手段23に待機さ
せておく。そして、搬送機構12のメインアーム13に
よって搬送されるウエハWをスピンチャック20上に載
置し、図示しない真空手段によってウエハWをスピンチ
ャック20上に吸着保持する。
【0025】次に、移動手段例えばノズル移動機構25
の駆動により、処理液供給ノズル21がウエハWの中心
位置付近まで水平移動された後、スピンチャック20と
処理液供給ノズル21とを相対的に上下動させ、処理液
供給ノズル21底面の凸条部27の先端とウエハW表面
との間が微小間隔,例えば0.5〜2.0mmの範囲とな
るように設定する。
の駆動により、処理液供給ノズル21がウエハWの中心
位置付近まで水平移動された後、スピンチャック20と
処理液供給ノズル21とを相対的に上下動させ、処理液
供給ノズル21底面の凸条部27の先端とウエハW表面
との間が微小間隔,例えば0.5〜2.0mmの範囲とな
るように設定する。
【0026】そして、処理液供給管30から所定圧力,
例えば0.5〜1.0Kg/cm2 で矩形容器26内に所定
の現像液Lを供給することにより、各ノズル孔22から
滲み出させるようにして現像液Lは、処理液供給ノズル
21の中心部すなわちウエハWの中心部には少なく、外
周部は多く供給される。この際、スピンチャック20に
よりウエハWを低速例えば30rpmで約1/2回転さ
せると共に、処理液供給ノズル21を直線移動あるいは
揺動移動させて、処理液供給ノズル21とウエハWとを
相対的に水平方向に移動させることにより、ウエハW上
に帯状に供給された現像液Lは、処理液供給ノズル21
の凸条部27によって押し広げられてウエハW表面全体
に均等に塗布される。このように、ウエハW表面に現像
液Lを供給して塗布した後、処理液供給ノズル21は上
昇し、待機手段23に退避されて処理作業は終了する。
例えば0.5〜1.0Kg/cm2 で矩形容器26内に所定
の現像液Lを供給することにより、各ノズル孔22から
滲み出させるようにして現像液Lは、処理液供給ノズル
21の中心部すなわちウエハWの中心部には少なく、外
周部は多く供給される。この際、スピンチャック20に
よりウエハWを低速例えば30rpmで約1/2回転さ
せると共に、処理液供給ノズル21を直線移動あるいは
揺動移動させて、処理液供給ノズル21とウエハWとを
相対的に水平方向に移動させることにより、ウエハW上
に帯状に供給された現像液Lは、処理液供給ノズル21
の凸条部27によって押し広げられてウエハW表面全体
に均等に塗布される。このように、ウエハW表面に現像
液Lを供給して塗布した後、処理液供給ノズル21は上
昇し、待機手段23に退避されて処理作業は終了する。
【0027】なお、上記実施形態では、この発明に係る
処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像装置に適用
した場合について説明したが、必ずしもレジスト塗布現
像装置である必要はなく、レジスト以外の処理液の供給
装置にも適用でき、また、被処理体は半導体ウエハ以外
に例えばLCDガラス基板、CD等の基板にも適用でき
ることは勿論である。
処理装置を半導体ウエハのレジスト塗布現像装置に適用
した場合について説明したが、必ずしもレジスト塗布現
像装置である必要はなく、レジスト以外の処理液の供給
装置にも適用でき、また、被処理体は半導体ウエハ以外
に例えばLCDガラス基板、CD等の基板にも適用でき
ることは勿論である。
【0028】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明の処理
方法によれば、以下のような効果が得られる。
方法によれば、以下のような効果が得られる。
【0029】処理液供給ノズルから被処理体に処理液を
供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させる
と共に、処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるい
は揺動移動させることにより、被処理体の中心部と外周
部に均一に処理液を供給することができ、処理均一性の
向上を図ることができる。
供給した状態で、保持手段により被処理体を回転させる
と共に、処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるい
は揺動移動させることにより、被処理体の中心部と外周
部に均一に処理液を供給することができ、処理均一性の
向上を図ることができる。
【図1】この発明に係る処理装置を適用したレジスト塗
布現像装置の概略平面図である。
布現像装置の概略平面図である。
【図2】この発明における被処理体と処理液供給ノズル
を示す分解斜視図である。
を示す分解斜視図である。
【図3】処理液供給ノズルの断面図である。
【図4】処理後に処理液供給ノズルを持上げた状態の要
部断面図である。
部断面図である。
【図5】この発明における処理液供給ノズルのノズル孔
の一例を示す底面図である。
の一例を示す底面図である。
【図6】処理液供給ノズルの処理液供給状態の一例を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図7】処理液供給ノズルの処理液供給状態の別の実施
例を示す斜視図である。
例を示す斜視図である。
20 スピンチャック(保持手段) 21 処理液供給ノズル 22 ノズル孔 25 ノズル移動機構(移動手段) 31 揺動アーム(移動手段) 32 回転機構(移動手段) L 現像液(処理液) W 半導体ウエハ(被処理体) p1 ,p2 ,〜pn 配列ピッチ
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI // B05C 11/08 B05C 11/08
Claims (4)
- 【請求項1】 被処理体を保持する保持手段と、上記被
処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設
する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を
上記被処理体上に供給する処理方法において、 上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、 上記処理液供給ノズルを水平方向に揺動移動する工程
と、 を有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項2】 被処理体を保持する保持手段と、上記被
処理体の表面に処理液を吐出する複数のノズル孔を列設
する処理液供給ノズルとを、相対的に移動して処理液を
上記被処理体上に供給する処理方法において、 上記保持手段により上記被処理体を回転する工程と、 上記保持手段により上記被処理体を回転すると共に、上
記処理液供給ノズルを水平方向に直線移動あるいは揺動
移動させ処理液を塗布する工程と、 を有することを特徴とする処理方法。 - 【請求項3】 上記処理液供給ノズルの処理液吐出部と
被処理体表面との間を微小間隔に設定したことを特徴と
する請求項1又は2記載の処理方法。 - 【請求項4】 上記処理液供給ノズルに供給される処理
液に所定圧力を与えて各ノズル孔から処理液を滲み出さ
せるようにしたことを特徴とする請求項1又は2記載の
処理方法。
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---|---|---|---|
JP4596899A JP3087222B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4596899A JP3087222B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 処理方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19910693A Division JP2976085B2 (ja) | 1993-07-16 | 1993-07-16 | 処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11317358A JPH11317358A (ja) | 1999-11-16 |
JP3087222B2 true JP3087222B2 (ja) | 2000-09-11 |
Family
ID=12734042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4596899A Expired - Fee Related JP3087222B2 (ja) | 1999-02-24 | 1999-02-24 | 処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3087222B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101637523B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2016-07-08 | (주)하이모 | 모발 염색 방법 및 그와 같이 제조된 모발 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7118943B2 (en) * | 2002-04-22 | 2006-10-10 | Seiko Epson Corporation | Production method of a thin film device, production method of a transistor, electro-optical apparatus and electronic equipment |
JP2009166000A (ja) * | 2008-01-18 | 2009-07-30 | Sk Electronics:Kk | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 |
CN104199260B (zh) * | 2014-09-24 | 2018-04-24 | 清华大学深圳研究生院 | 易装配静压出流显影喷嘴 |
-
1999
- 1999-02-24 JP JP4596899A patent/JP3087222B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101637523B1 (ko) * | 2014-09-12 | 2016-07-08 | (주)하이모 | 모발 염색 방법 및 그와 같이 제조된 모발 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11317358A (ja) | 1999-11-16 |
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