JPH04117411A - ポリα―オレフィンの製造方法 - Google Patents
ポリα―オレフィンの製造方法Info
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Landscapes
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ポリα−オレフィンの製造方法に関する。
従来の技術
マグネシウム、チタン、塩素及び電子供与性化合物を含
有する触媒成分を用いてポリα−オレフィンを製造する
場合、有機アルミニウム化合物と共に5i−0−C結合
を有する、或いは一般式%式% 有機珪素化合物を用いると、生成するポリマーの立体規
則性が向上することが知られている(例えば、特開昭5
4−94690号、同56−36203号、同57−6
3310号、同58−83016号、同62−1170
5号等公報)。
有する触媒成分を用いてポリα−オレフィンを製造する
場合、有機アルミニウム化合物と共に5i−0−C結合
を有する、或いは一般式%式% 有機珪素化合物を用いると、生成するポリマーの立体規
則性が向上することが知られている(例えば、特開昭5
4−94690号、同56−36203号、同57−6
3310号、同58−83016号、同62−1170
5号等公報)。
上記の刊行物に記載された有機珪素化合物を用いて得ら
れる重合体は、一般に分子量分布が狭い。
れる重合体は、一般に分子量分布が狭い。
発明が解決しようとする課頌
重合体の分子量分布を広げると、その重合体の剛性、流
動性、加工性等を向上することができる。
動性、加工性等を向上することができる。
重合体の分子量分布を広げる方法としては、重合条件の
異なる重合容器を複数用いる、いわゆる多段重合による
方法が一般に行われている。
異なる重合容器を複数用いる、いわゆる多段重合による
方法が一般に行われている。
しかし、多段重合法を採用すると、プロセスが複雑にな
り、重合体はコスト高となると共に、重合触媒の重合活
性は低下する。
り、重合体はコスト高となると共に、重合触媒の重合活
性は低下する。
本発明は、−段で分子量分布の広いポリα−オレフィン
を高収率で製造し得る方法を提供することを目的とする
。
を高収率で製造し得る方法を提供することを目的とする
。
課題を解決するための手段
本発明者らは、鋭意研究を行った結果、特定の有機珪素
化合物を二種併用した重合触媒を用いることにより、本
発明の目的が達成し得ることを見出して本発明に到達し
た。
化合物を二種併用した重合触媒を用いることにより、本
発明の目的が達成し得ることを見出して本発明に到達し
た。
発胡の要旨
すなわち、本発明は、
(A)マグネシウム、チタン、ハロゲン及び電子供与性
化合物を必須成分とする固体触媒成分、(B)有機金属
化合物及び (C)一般式 〔但し、R1は炭素数1〜10個の炭化水素基、0R3
SiR’3若しくはO3+R5s 、R2は炭素数1〜
10個の炭化水素基若しくは5iR63を示し、R3、
R4、R5及びR6はそれぞれ炭素数1〜10個の炭化
水素基を示す。] のジメトキシシラン化合物及び (ロ)一般式 %式% 〔但し、R7は炭素数2〜10個の炭化水素基若しくは
SiR”s 、R”は炭素数1〜10個の炭化水素基若
しくはSIR”3 、R9及びft1Dは同一か異なる
炭素数1〜10個の炭化水素基を示し、R11及びR1
2は炭素数1〜10個の炭化水素基を示す。〕 のアルコキシシラン化合物 からなる重合触媒の存在下、α−オレフィンを重合する
ことからなるポリα−オレフィンの製造方法にある。
化合物を必須成分とする固体触媒成分、(B)有機金属
化合物及び (C)一般式 〔但し、R1は炭素数1〜10個の炭化水素基、0R3
SiR’3若しくはO3+R5s 、R2は炭素数1〜
10個の炭化水素基若しくは5iR63を示し、R3、
R4、R5及びR6はそれぞれ炭素数1〜10個の炭化
水素基を示す。] のジメトキシシラン化合物及び (ロ)一般式 %式% 〔但し、R7は炭素数2〜10個の炭化水素基若しくは
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しくはSIR”3 、R9及びft1Dは同一か異なる
炭素数1〜10個の炭化水素基を示し、R11及びR1
2は炭素数1〜10個の炭化水素基を示す。〕 のアルコキシシラン化合物 からなる重合触媒の存在下、α−オレフィンを重合する
ことからなるポリα−オレフィンの製造方法にある。
固体触媒成分
本発明で用いられる重合触媒の一成分である固体触媒成
分(以下、成分Aという)は、マグネシウム、チタン、
ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とするが、こ
のような成分は通常マグネシウム化合物、チタン化合物
及び電子供与性化合物、更に前記各化合物がハロゲンを
有しない化合物の場合は、ハロゲン含有化合物を、それ
ぞれ接触することにより調製される。
分(以下、成分Aという)は、マグネシウム、チタン、
ハロゲン及び電子供与性化合物を必須成分とするが、こ
のような成分は通常マグネシウム化合物、チタン化合物
及び電子供与性化合物、更に前記各化合物がハロゲンを
有しない化合物の場合は、ハロゲン含有化合物を、それ
ぞれ接触することにより調製される。
(1)マグネシウム化合物
マグネシウム化合物は、一般式MgR’R2で表わされ
る。式において、R1及びR2は同一か異なる炭化水素
基、OR基(Rは炭化水素基)、ハロゲン原子を示す。
る。式において、R1及びR2は同一か異なる炭化水素
基、OR基(Rは炭化水素基)、ハロゲン原子を示す。
より詳細には、R1及びR2の炭化水素基としては、炭
素数1〜20個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、OR基としては、Rが炭素
数1〜12個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。
素数1〜20個のアルキル基、シクロアルキル基、アリ
ール基、アルアルキル基が、OR基としては、Rが炭素
数1〜12個のアルキル基、シクロアルキル基、アリー
ル基、アルアルキル基が、ハロゲン原子としては塩素、
臭素、ヨウ素、弗素等である。
それら化合物の具体例を下記に示すが、化学式において
、Me=メチル、Bt=エチル、Pr:プロビル、Bu
ニブチル、He:ヘキシル、Oat :オクチル、Ph
:フェニル、cyHe:シクロヘキシルをそれぞれ示す
。
、Me=メチル、Bt=エチル、Pr:プロビル、Bu
ニブチル、He:ヘキシル、Oat :オクチル、Ph
:フェニル、cyHe:シクロヘキシルをそれぞれ示す
。
MgMe2. MgEt2. Mg1−Prz 、 M
gBu2. MgHe2Mg[1ct2. MgBtB
u 、 MgPL 、 MgcyHe2゜Mg(OMe
)z 、 Mg(OBt)2. Mg(OBu)2.
Mg(OHe)a 。
gBu2. MgHe2Mg[1ct2. MgBtB
u 、 MgPL 、 MgcyHe2゜Mg(OMe
)z 、 Mg(OBt)2. Mg(OBu)2.
Mg(OHe)a 。
Mg((]0ct)z 、 Mg(OPh)2. Mg
(OcyHe)2゜BtMgCl 、 BuMgCl
、 HeMgC1、1−BuJCl 、 t−BuMg
Cl 、 PhMgC1、PhCH2MgCl 、 B
tMgBr 。
(OcyHe)2゜BtMgCl 、 BuMgCl
、 HeMgC1、1−BuJCl 、 t−BuMg
Cl 、 PhMgC1、PhCH2MgCl 、 B
tMgBr 。
BuMgBr 、 PhMgBr 、 BuMgI 、
BtOMgCI 。
BtOMgCI 。
BuOMgCI 、 )IeOMgCI 、 Ph0M
gCl 、 BtOMgBr 。
gCl 、 BtOMgBr 。
BuOMgBr 、 BtOMgl 、 MgC1z
、 MgBr2. Mg12゜上記マグネシウム化合物
は、成分Aを調製する際に、金属マグネシウム又はその
他のマグネシウム化合物から調製することも可能である
。
、 MgBr2. Mg12゜上記マグネシウム化合物
は、成分Aを調製する際に、金属マグネシウム又はその
他のマグネシウム化合物から調製することも可能である
。
その−例として、金属マグネシウム、ハロゲン化炭化水
素及び一般式X、、M (OR) a−6のアルコキシ
基含有化合物〔式において、Xは水素原子、ハロゲン原
子又は炭素数1〜20個の炭化水素基、Mは硼素、炭素
、アルミニウム、珪素又は燐原子、Rは炭素数1〜20
個の炭化水素基、mはMの原子価、m > n≧0を示
す。〕を接触させる方法が挙げられる。該アルコキシ基
含有化合物の一般式のX及びRの炭化水素基としては、
メチル(Me) エチル(Bt) 、プロピル(Pr
)、i−プロピル(1−Pr) ブチル(Bu)1−
ブチル(1−Bu) ヘキシル(He) オクチル
(0ct)等のアルキル基、シクロヘキシル(cyHe
) メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基、ア
リル、プロペニル、ブテニル等のアルケニル基、フェニ
ル(Ph) ト!Jル、キシリル基のアリール基、
フェネチル、3−フェニルプロピル等のアルアルキル等
が挙げられる。
素及び一般式X、、M (OR) a−6のアルコキシ
基含有化合物〔式において、Xは水素原子、ハロゲン原
子又は炭素数1〜20個の炭化水素基、Mは硼素、炭素
、アルミニウム、珪素又は燐原子、Rは炭素数1〜20
個の炭化水素基、mはMの原子価、m > n≧0を示
す。〕を接触させる方法が挙げられる。該アルコキシ基
含有化合物の一般式のX及びRの炭化水素基としては、
メチル(Me) エチル(Bt) 、プロピル(Pr
)、i−プロピル(1−Pr) ブチル(Bu)1−
ブチル(1−Bu) ヘキシル(He) オクチル
(0ct)等のアルキル基、シクロヘキシル(cyHe
) メチルシクロヘキシル等のシクロアルキル基、ア
リル、プロペニル、ブテニル等のアルケニル基、フェニ
ル(Ph) ト!Jル、キシリル基のアリール基、
フェネチル、3−フェニルプロピル等のアルアルキル等
が挙げられる。
これらの中でも、特に炭素数1〜10個のアルキル基が
望ましい。以下、アルコキシ基含有化合物の具体例を挙
げる。
望ましい。以下、アルコキシ基含有化合物の具体例を挙
げる。
0Mが炭素の場合の化合物
式C(OR)、に含まれる C(OMe)4. C(O
Bt)i 。
Bt)i 。
C(OPr) 4 、 C(OBu) a 、 [:
(旧−BU)4 、 C(OHe)4゜C(OOct)
i ’ 弐 XC(OR)3に含まれるHC(DMe
) !+HC(OBt)a 、 )Ic(OPr)s
、 HC(OBLI)3 、 IC(0)1e)+ 。
(旧−BU)4 、 C(OHe)4゜C(OOct)
i ’ 弐 XC(OR)3に含まれるHC(DMe
) !+HC(OBt)a 、 )Ic(OPr)s
、 HC(OBLI)3 、 IC(0)1e)+ 。
t(C(DPh)3; MeC(OMe)3. MeC
(OBtL 、 BtC(OMe)s。
(OBtL 、 BtC(OMe)s。
BtC(OBt)3 、 cyHeC(OBt)*
、 PhC(OMe)3 。
、 PhC(OMe)3 。
PhC(01Et)3 、CH2CIC(OEt)3
、MeCHBrC(OBt)a 。
、MeCHBrC(OBt)a 。
MeC)IcIc(OBtL ; CIC(OMe
)3 、 CIC(OBt)a 。
)3 、 CIC(OBt)a 。
CIC(Di−Bu)s 、 BrC(OBt)s ;
式X2C(OR)2に含まれるMeCH(OMe)2.
MeCH(OBt)2. CHz(OMe)z 。
式X2C(OR)2に含まれるMeCH(OMe)2.
MeCH(OBt)2. CHz(OMe)z 。
CL(OBt)z 、 CLCICH(01Et)
z 、 [:HCl2CH(口Bt) 2CC1s
CH(OBt)2 、CH2CICH(OBt)z、P
hCH(OBt)2 。
z 、 [:HCl2CH(口Bt) 2CC1s
CH(OBt)2 、CH2CICH(OBt)z、P
hCH(OBt)2 。
0Mが珪素の場合の化合物
式5i(OR)=に含まれる St (OMe) 1.
St (OEt) 4゜3i(OBu)a 、 5
i(Di−Bu)< 、 5i(OHe)4゜St(D
Oct)< 、 5i(OPh14’ 式XSi (
OR) sに含まれるH3i(OBtL 、 H3i
(OBu)s 、 1lsi(OHe)s 。
St (OEt) 4゜3i(OBu)a 、 5
i(Di−Bu)< 、 5i(OHe)4゜St(D
Oct)< 、 5i(OPh14’ 式XSi (
OR) sに含まれるH3i(OBtL 、 H3i
(OBu)s 、 1lsi(OHe)s 。
H3i(OPh)s ; MeSi(OMe)s 、
MeSi(OBt)+ 。
MeSi(OBt)+ 。
MeSi(OBu)s 、 BtSi(OBt)3.
Ph5i(OBt)s 。
Ph5i(OBt)s 。
BtSi(OPh)s ; CISiCl5i(O、C
l5i(OBt)s 。
l5i(OBt)s 。
Cl5i(OBu)s 、 Cl5i(OPh)a 、
Br5i(OBt)s ;式%式%) 0Mが硼素の場合の化合物 弐B (OR) 3に含まれるB(OBt)s 、 B
(OBu)s 。
Br5i(OBt)s ;式%式%) 0Mが硼素の場合の化合物 弐B (OR) 3に含まれるB(OBt)s 、 B
(OBu)s 。
B (OHe) s 、 B (OPh)−0■Mがア
ルミニウムの場合の化合物 式AI(OR)3に含まれる^1(OMeL 、^1(
OBtL 。
ルミニウムの場合の化合物 式AI(OR)3に含まれる^1(OMeL 、^1(
OBtL 。
^1(OPrL 、 AI(Di−Pr)s 、 AI
(OBu)s 。
(OBu)s 。
^1 (Ot−Bu) s 、^1(OHe)a 、
AI(OPh)a。
AI(OPh)a。
0Mが燐の場合の化合物
弐P (OR) 3に含まれるP(OMe)a 、 P
(OBt)s 。
(OBt)s 。
P (OBu) s 、 P (OHe) s 、 P
(OPh) s。
(OPh) s。
更に、前記マグネシウム化合物は、周期表第■族又は第
1IIa族金属(M)の有機化合物との錯体も使用する
ことができる。該錯体は一般式MgR’R2・n(MR
3,)で表わされる。該金属としては、アルミニウム、
亜鉛、カルシウム等であり、R3は炭素数1〜12個の
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルアル
キル基である。
1IIa族金属(M)の有機化合物との錯体も使用する
ことができる。該錯体は一般式MgR’R2・n(MR
3,)で表わされる。該金属としては、アルミニウム、
亜鉛、カルシウム等であり、R3は炭素数1〜12個の
アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルアル
キル基である。
又、mは金属Mの原子価を、nは0.1〜10の数を示
す。MR”、で表わされる化合物の具体例としては、^
1Mes 、^IEts 、 A11−Bu3. Al
Ph3゜ZnMez 、 2nBtz 、 ZnBua
、 ZnPhz 、 CaBt2゜[:aPh2等が
挙げられる。
す。MR”、で表わされる化合物の具体例としては、^
1Mes 、^IEts 、 A11−Bu3. Al
Ph3゜ZnMez 、 2nBtz 、 ZnBua
、 ZnPhz 、 CaBt2゜[:aPh2等が
挙げられる。
(2)チタン化合物
チタン化合物は、二価、三価及び四価のチタンの化合物
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジェトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。
であり、それらを例示すると、四塩化チタン、四臭化チ
タン、トリクロルエトキシチタン、トリクロルブトキシ
チタン、ジクロルジェトキシチタン、ジクロルジブトキ
シチタン、ジクロルジフェノキシチタン、クロルトリエ
トキシチタン、クロルトリブトキシチタン、テトラブト
キシチタン、三塩化チタン等を挙げることができる。こ
れらの中でも、四塩化チタン、トリクロルエトキシチタ
ン、ジクロルジブトキシチタン、ジクロルジフェノキシ
チタン等の四価のチタンハロゲン化物が望ましく、特に
四塩化チタンが望ましい。
(3)電子供与性化合物
電子供与性化合物としては、カルボン酸類、カルボン酸
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート類
、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ素
およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエーテ
ル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられる。
無水物、カルボン酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化
物、アルコール類、エーテル類、ケトン類、アミン類、
アミド類、ニトリル類、アルデヒド類、アルコレート類
、有機基と炭素もしくは酸素を介して結合した燐、ヒ素
およびアンチモン化合物、ホスホアミド類、チオエーテ
ル類、チオエステル類、炭酸エステル等が挙げられる。
これのうちカルボン酸類、カルボン酸無水物、カルボン
酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコール類
、エーテル類が好ましく用いられる。
酸エステル類、カルボン酸ハロゲン化物、アルコール類
、エーテル類が好ましく用いられる。
カルボン酸の具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン
酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、ピバリン酸
、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等の脂肪族モ
ノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸等の脂肪族
ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシカルボン酸、シ
クロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘキセンモノカル
ボン酸、シス−1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、
シス−4−メチルシクロヘキセン−1,2−ジカルボン
酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、トルイル酸、アニ
ス酸、p−第三級ブチル安息香酸、ナフトエ酸、ケイ皮
酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸
、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメリド酸、ヘミメリ
ト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、メリト酸等の芳香
族多価カルボン酸等が挙げられる。
酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、カプロン酸、ピバリン酸
、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸等の脂肪族モ
ノカルボン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジ
ピン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸等の脂肪族
ジカルボン酸、酒石酸等の脂肪族オキシカルボン酸、シ
クロヘキサンモノカルボン酸、シクロヘキセンモノカル
ボン酸、シス−1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、
シス−4−メチルシクロヘキセン−1,2−ジカルボン
酸等の脂環式カルボン酸、安息香酸、トルイル酸、アニ
ス酸、p−第三級ブチル安息香酸、ナフトエ酸、ケイ皮
酸等の芳香族モノカルボン酸、フタル酸、イソフタル酸
、テレフタル酸、ナフタル酸、トリメリド酸、ヘミメリ
ト酸、トリメシン酸、ピロメリト酸、メリト酸等の芳香
族多価カルボン酸等が挙げられる。
カルボン酸無水物としては、上記のカルボン酸類の酸無
水物が使用し得る。
水物が使用し得る。
カルボン酸エステルとしては、上記のカルボン酸類のモ
ノ又は多価エステルが使用することができ、その具体例
として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、イソ酪
酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピバリン酸イソブ
チル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタク
リル酸エチル、メタクリル酸イソブチル、マロン酸ジエ
チル、マロン酸ジイソブチル、コハク酸ジエチル、コハ
ク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチル、グルタル酸ジエ
チル、グルタル酸ジブチル、グルタル酸ジイソブチル、
アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジブチル、セバシ
ン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、マレイン酸ジイソブチル、フマル酸モノメチル
、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソブチル、酒石酸ジ
エチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジイソブチル、シクロ
ヘキサンカルボン酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸
エチル、p−)ルイル酸メチル、p−第三級ブチル安息
香酸エチル、p−アニス酸エチル、α−ナフトエ酸エチ
ル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケイ皮酸エチル、フタ
ル酸モノメチル、フタル酸モノブチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジヘキシル、フタ
ル酸ジオクチル、フタル酸ジ2−エチルヘキシル、フタ
ル酸ジアリル、フタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジエ
チル、イソフタル酸ジイソブチル、テレフタル酸ジエチ
ル、テレフタル酸ジブチル、ナフタル酸ジエチル、ナフ
タル酸ジブチル、トリメリト酸トリエチル、トリメリド
酸トリブチル、ピロメリト酸テトラメチル、ピロメリト
酸テトラエチル、ピロメリト酸テトラブチル等が挙げら
れる。
ノ又は多価エステルが使用することができ、その具体例
として、ギ酸ブチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、イソ酪
酸イソブチル、ピバリン酸プロピル、ピバリン酸イソブ
チル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタク
リル酸エチル、メタクリル酸イソブチル、マロン酸ジエ
チル、マロン酸ジイソブチル、コハク酸ジエチル、コハ
ク酸ジブチル、コハク酸ジイソブチル、グルタル酸ジエ
チル、グルタル酸ジブチル、グルタル酸ジイソブチル、
アジピン酸ジイソブチル、セバシン酸ジブチル、セバシ
ン酸ジイソブチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジ
ブチル、マレイン酸ジイソブチル、フマル酸モノメチル
、フマル酸ジエチル、フマル酸ジイソブチル、酒石酸ジ
エチル、酒石酸ジブチル、酒石酸ジイソブチル、シクロ
ヘキサンカルボン酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸
エチル、p−)ルイル酸メチル、p−第三級ブチル安息
香酸エチル、p−アニス酸エチル、α−ナフトエ酸エチ
ル、α−ナフトエ酸イソブチル、ケイ皮酸エチル、フタ
ル酸モノメチル、フタル酸モノブチル、フタル酸ジブチ
ル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジヘキシル、フタ
ル酸ジオクチル、フタル酸ジ2−エチルヘキシル、フタ
ル酸ジアリル、フタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジエ
チル、イソフタル酸ジイソブチル、テレフタル酸ジエチ
ル、テレフタル酸ジブチル、ナフタル酸ジエチル、ナフ
タル酸ジブチル、トリメリト酸トリエチル、トリメリド
酸トリブチル、ピロメリト酸テトラメチル、ピロメリト
酸テトラエチル、ピロメリト酸テトラブチル等が挙げら
れる。
カルボン酸ハロゲン化物としては、上記のカルボン酸類
の酸ハロゲン化物が使用することができ、その具体例と
して、酢酸クロリド、酢酸プロミド、酢酸アイオダイド
、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、酪酸プロミド
、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリド、ピバリン酸
プロミド、アクリル酸クロリド、アクリル酸プロミド、
アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸クロリド、メタ
クリル酸プロミド、メタクリル酸アイオダイド、クロト
ン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロン酸プロミド、
コハク酸クロリド、コハク酸プロミド、グルタル酸クロ
リド、グルタル酸プロミド、アジビン酸りロリド、アジ
ピン酸プロミド、セバシン酸クロリド、セバシン酸プロ
ミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸プロミド、フマ
ル酸クロリド、フマル酸プロミド、酒石酸クロリド、酒
石酸プロミド、シクロヘキサンカルボン酸クロリド、シ
クロヘキサンカルボン酸プロミド、1−シクロヘキセン
カルボン酸クロリド、シス−4−メチルシクロヘキセン
カルボン酸クロリド、シス−4−メチルシクロヘキセン
カルボン酸プロミド、塩化ベンゾイル、臭化ベンゾイル
、p−)ルイル酸クロリド、p−トルイル酸プロミド、
p−アニス酸クロリド、p−アニス酸プロミド、α−ナ
フトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、ケイ皮酸プロミ
ド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブロミド、イソフ
タル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロミド、テレフタ
ル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリドが挙げられる。
の酸ハロゲン化物が使用することができ、その具体例と
して、酢酸クロリド、酢酸プロミド、酢酸アイオダイド
、プロピオン酸クロリド、酪酸クロリド、酪酸プロミド
、酪酸アイオダイド、ピバリン酸クロリド、ピバリン酸
プロミド、アクリル酸クロリド、アクリル酸プロミド、
アクリル酸アイオダイド、メタクリル酸クロリド、メタ
クリル酸プロミド、メタクリル酸アイオダイド、クロト
ン酸クロリド、マロン酸クロリド、マロン酸プロミド、
コハク酸クロリド、コハク酸プロミド、グルタル酸クロ
リド、グルタル酸プロミド、アジビン酸りロリド、アジ
ピン酸プロミド、セバシン酸クロリド、セバシン酸プロ
ミド、マレイン酸クロリド、マレイン酸プロミド、フマ
ル酸クロリド、フマル酸プロミド、酒石酸クロリド、酒
石酸プロミド、シクロヘキサンカルボン酸クロリド、シ
クロヘキサンカルボン酸プロミド、1−シクロヘキセン
カルボン酸クロリド、シス−4−メチルシクロヘキセン
カルボン酸クロリド、シス−4−メチルシクロヘキセン
カルボン酸プロミド、塩化ベンゾイル、臭化ベンゾイル
、p−)ルイル酸クロリド、p−トルイル酸プロミド、
p−アニス酸クロリド、p−アニス酸プロミド、α−ナ
フトエ酸クロリド、ケイ皮酸クロリド、ケイ皮酸プロミ
ド、フタル酸ジクロリド、フタル酸ジブロミド、イソフ
タル酸ジクロリド、イソフタル酸ジブロミド、テレフタ
ル酸ジクロリド、ナフタル酸ジクロリドが挙げられる。
又、アジピン酸モノメチルクロリド、マレイン酸モノエ
チルクロリド、マレイン酸モノメチルクロリド、フタル
酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸のモノアルキル
ハロゲン化物も使用し得る。
チルクロリド、マレイン酸モノメチルクロリド、フタル
酸ブチルクロリドのようなジカルボン酸のモノアルキル
ハロゲン化物も使用し得る。
アルコール類は、一般式ROHで表わされる。
式においてRは炭素数1〜12個のアルキル、アルケニ
ル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルである。
ル、シクロアルキル、アリール、アルアルキルである。
その具体例としては、メタノール、エタノール、プロパ
ツール、イソプロパツール、ブタノール、イソブタノー
ル、ペンタノール、ヘキサノール、オクタツール、2−
エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジルア
ルコール、アリルアルコール、フェノール、クレゾール
、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピルフェ
ノール、p−ターシャリ−ブチルフェノール、n−オク
チルフェノール等である。エーテル類は、一般式ROR
’で表わされる。式においてR,R’は炭素数1〜12
個のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール
、アルアルキルであり、Rと11はは同じでも異っても
よい。その具体例としては、ジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエ
ーテル、ジイソアミルエーテル、ジー2−エチルヘキシ
ルエーテル、ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル
、ブチルアリルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソ
ール、エチルフェニルエーテル等でアル。
ツール、イソプロパツール、ブタノール、イソブタノー
ル、ペンタノール、ヘキサノール、オクタツール、2−
エチルヘキサノール、シクロヘキサノール、ベンジルア
ルコール、アリルアルコール、フェノール、クレゾール
、キシレノール、エチルフェノール、イソプロピルフェ
ノール、p−ターシャリ−ブチルフェノール、n−オク
チルフェノール等である。エーテル類は、一般式ROR
’で表わされる。式においてR,R’は炭素数1〜12
個のアルキル、アルケニル、シクロアルキル、アリール
、アルアルキルであり、Rと11はは同じでも異っても
よい。その具体例としては、ジエチルエーテル、ジイソ
プロピルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソブチルエ
ーテル、ジイソアミルエーテル、ジー2−エチルヘキシ
ルエーテル、ジアリルエーテル、エチルアリルエーテル
、ブチルアリルエーテル、ジフェニルエーテル、アニソ
ール、エチルフェニルエーテル等でアル。
成分Aの調製法としては、■マグネシウム化合物(成分
1)、チタン化合物(成分2)及び電子供与性化合物(
成分3)をその順序に接触させる。■成分1と成分3を
接触させた後、成分2を接触させる。■成分1.成分2
及び成分3を同時に接触させる等の方法が採用し得る。
1)、チタン化合物(成分2)及び電子供与性化合物(
成分3)をその順序に接触させる。■成分1と成分3を
接触させた後、成分2を接触させる。■成分1.成分2
及び成分3を同時に接触させる等の方法が採用し得る。
又、成分2を用いて接触させる前にハロゲン含有化合物
と接触させることもできる。
と接触させることもできる。
ハロゲン含有化合物としては、ハロゲン化炭化水素、ハ
ロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を有するハロゲ
ン化珪素化合物、周期表第1[a族、IVa族、Va族
元素のハロゲン化物(以下、金属ハライドという。)等
が挙げられる。
ロゲン含有アルコール、水素−珪素結合を有するハロゲ
ン化珪素化合物、周期表第1[a族、IVa族、Va族
元素のハロゲン化物(以下、金属ハライドという。)等
が挙げられる。
ハロゲン化炭化水素としては、炭素数1〜12個の飽和
又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素のモノ
及びポリハロゲン置換体である。それら化合物の具体的
な例は、脂肪族化合物では、メチルクロライド、メチル
ブロマイド、メチルアイオダイド、メチレンクロライド
、メチレンブロマイド、メチレンアイオダイド、クロロ
ホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四塩化炭素、四
臭化炭素、画法化炭素、エチルクロライド、エチルブロ
マイド、エチルアイオダイド、1.2−ジクロルエタン
、1.2−ジブロムエタン、1.2−ショートエタン、
メチルクロロホルム、メチルブロモホルム、メチルヨー
ドホルム、1.1.2−)ジクロルエチレン、1.1.
2−)リブロモエチレン、1,1.2゜2−テトラクロ
ルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキサクロルエタン
、ヘキサブロモエタン、n−プロピルクロライド、1.
2−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプロピレン、オク
タクロロプロパン、デカブロモブタン、塩素化パラフィ
ンが、脂環式化合物ではクロロシクロプロパン、テトラ
クロルシクロペンタン、ヘキサクロロシクロペンタジェ
ン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳香族化合物では
クロルベンゼン、ブロモベンゼン、0−ジクロルベンゼ
ン、p−ジクロルベンゼン、ヘキサクロロベンゼン、ヘ
キサブロモベンゼン、ペンシトリクロライド、p−クロ
ロペンシトリクロライド等が挙げられる。これらの化合
物は、一種のみならず二種以上用いてもよい。
又は不飽和の脂肪族、脂環式及び芳香族炭化水素のモノ
及びポリハロゲン置換体である。それら化合物の具体的
な例は、脂肪族化合物では、メチルクロライド、メチル
ブロマイド、メチルアイオダイド、メチレンクロライド
、メチレンブロマイド、メチレンアイオダイド、クロロ
ホルム、ブロモホルム、ヨードホルム、四塩化炭素、四
臭化炭素、画法化炭素、エチルクロライド、エチルブロ
マイド、エチルアイオダイド、1.2−ジクロルエタン
、1.2−ジブロムエタン、1.2−ショートエタン、
メチルクロロホルム、メチルブロモホルム、メチルヨー
ドホルム、1.1.2−)ジクロルエチレン、1.1.
2−)リブロモエチレン、1,1.2゜2−テトラクロ
ルエチレン、ペンタクロルエタン、ヘキサクロルエタン
、ヘキサブロモエタン、n−プロピルクロライド、1.
2−ジクロルプロパン、ヘキサクロロプロピレン、オク
タクロロプロパン、デカブロモブタン、塩素化パラフィ
ンが、脂環式化合物ではクロロシクロプロパン、テトラ
クロルシクロペンタン、ヘキサクロロシクロペンタジェ
ン、ヘキサクロルシクロヘキサンが、芳香族化合物では
クロルベンゼン、ブロモベンゼン、0−ジクロルベンゼ
ン、p−ジクロルベンゼン、ヘキサクロロベンゼン、ヘ
キサブロモベンゼン、ペンシトリクロライド、p−クロ
ロペンシトリクロライド等が挙げられる。これらの化合
物は、一種のみならず二種以上用いてもよい。
ハロゲン含有アルコールとしては、−分子中に一個又は
二個以上の水酸基を有するモノ又は多価アルコール中の
、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の水素原子がハ
ロゲン原子で置換された化合物を意味する。ハロゲン原
子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素原子が挙げられ
るが、塩素原子が望ましい。
二個以上の水酸基を有するモノ又は多価アルコール中の
、水酸基以外の任意の一個又は二個以上の水素原子がハ
ロゲン原子で置換された化合物を意味する。ハロゲン原
子としては、塩素、臭素、ヨウ素、弗素原子が挙げられ
るが、塩素原子が望ましい。
それら化合物を例示すると、2−クロルエタノール、1
−クロル−2−プロパツール、3−クロル−1−プロパ
ツール、1−クロル−2メチル−2−プロパツール、4
−クロル−1ブタノール、5−クロル−1−ペンタノー
ル、6−クロル−1−ヘキサノール、3−クロル1.2
−プロパンジオール、2−クロルシクロヘキサノール、
4−クロルベンズヒドロール、(m、 o、 p)−ク
ロルベンジルアルコール、4−クロルカテコール、4−
クロル−(m、o)−クレゾール、6−クロル−(m、
o)−クレゾール、4−クロル−3,5−ジメチルフェ
ノール、クロルハイドロキノン、2−ベンジル−4−ク
ロルフェノール、4−クロル−1−ナフトール、(m、
o、p)−クロルフェノール、p−クロル−α−メチル
ベンジルアルコール、2−クロル−4−フェニルフェノ
ール、6−クロルチモール、4−クロルレゾルシン、2
−ブロムエタノール、3−ブロム−1−プロパツール、
1−ブルムー2−プロパツール、1−ブロム−2−ブタ
ノール、2−ブロム−p−クレゾール、1−ブロム−2
−ナフトール、6−ブロム−2−ナフトール、(m、o
、p)−ブロムフェノール、4−ブロムレゾルシン、(
m、o、p)フロロフェノール、p−イオドフェノール
=2゜2−ジクロルエタノール、2,3−ジクロル−1
−プロパツール、1.3−ジクロル−2−プロパツール
、3−クロル−1−(α−クロルメチル)−1−プロパ
ツール、2.3−ジブロム−1−プロパツール、1,3
−ジブロム−2プロパツール、2.4−ジブロムフェノ
ール、2.4−ジブロム−1−ナフトール=2.22−
トリクロルエタノール、1,1.1−トリクロル−2−
プロパツール、β、β、β−トリクロルーtert−ブ
タノール、2.3.4−)ジクロルフェノール、2,4
.5−)ジクロルフェノール、2.4.6−トリクロル
フエノール、2.4.6−)リブロムフェノール、2,
3゜5−トリブロム−2−ヒドロキシトルエン、2゜3
.5−)!Jブロムー4−ヒドロキシトルエン、2.2
.2−)リフルオロエタノール、α、α。
−クロル−2−プロパツール、3−クロル−1−プロパ
ツール、1−クロル−2メチル−2−プロパツール、4
−クロル−1ブタノール、5−クロル−1−ペンタノー
ル、6−クロル−1−ヘキサノール、3−クロル1.2
−プロパンジオール、2−クロルシクロヘキサノール、
4−クロルベンズヒドロール、(m、 o、 p)−ク
ロルベンジルアルコール、4−クロルカテコール、4−
クロル−(m、o)−クレゾール、6−クロル−(m、
o)−クレゾール、4−クロル−3,5−ジメチルフェ
ノール、クロルハイドロキノン、2−ベンジル−4−ク
ロルフェノール、4−クロル−1−ナフトール、(m、
o、p)−クロルフェノール、p−クロル−α−メチル
ベンジルアルコール、2−クロル−4−フェニルフェノ
ール、6−クロルチモール、4−クロルレゾルシン、2
−ブロムエタノール、3−ブロム−1−プロパツール、
1−ブルムー2−プロパツール、1−ブロム−2−ブタ
ノール、2−ブロム−p−クレゾール、1−ブロム−2
−ナフトール、6−ブロム−2−ナフトール、(m、o
、p)−ブロムフェノール、4−ブロムレゾルシン、(
m、o、p)フロロフェノール、p−イオドフェノール
=2゜2−ジクロルエタノール、2,3−ジクロル−1
−プロパツール、1.3−ジクロル−2−プロパツール
、3−クロル−1−(α−クロルメチル)−1−プロパ
ツール、2.3−ジブロム−1−プロパツール、1,3
−ジブロム−2プロパツール、2.4−ジブロムフェノ
ール、2.4−ジブロム−1−ナフトール=2.22−
トリクロルエタノール、1,1.1−トリクロル−2−
プロパツール、β、β、β−トリクロルーtert−ブ
タノール、2.3.4−)ジクロルフェノール、2,4
.5−)ジクロルフェノール、2.4.6−トリクロル
フエノール、2.4.6−)リブロムフェノール、2,
3゜5−トリブロム−2−ヒドロキシトルエン、2゜3
.5−)!Jブロムー4−ヒドロキシトルエン、2.2
.2−)リフルオロエタノール、α、α。
α−トリフルオロ−m−クレゾール、2.4゜6−ドリ
イオドフエノール:2,3,4.6テトラクロルフエノ
ール、テトラクロルハイドロキノン、テトラクロルビス
フェノールA%7トラブロムビスフエノールA、2,2
,3.3−テトラフルオロ−1−プロパツール、2.’
3゜5.6−チトラフルオロフエノール、テトラフルオ
ロレゾルシン等が挙げられる。
イオドフエノール:2,3,4.6テトラクロルフエノ
ール、テトラクロルハイドロキノン、テトラクロルビス
フェノールA%7トラブロムビスフエノールA、2,2
,3.3−テトラフルオロ−1−プロパツール、2.’
3゜5.6−チトラフルオロフエノール、テトラフルオ
ロレゾルシン等が挙げられる。
水素−珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物としては
、)ISiCl、 、 )12si[:12. H3S
iC1。
、)ISiCl、 、 )12si[:12. H3S
iC1。
HCLSiCl、 、 HCzl(ssiclz 、
H(t−C4Hs)SiC1□。
H(t−C4Hs)SiC1□。
HCsHsSiC]2. H(CL)zsicl 、
H(i−CJ7)zsicILC2LSiC] 、 H
2(n−C2Hs)SiC1、H2(C6H4CH3)
SiC1、H3iC1(C611s)2等が挙げられる
。
H(i−CJ7)zsicILC2LSiC] 、 H
2(n−C2Hs)SiC1、H2(C6H4CH3)
SiC1、H3iC1(C611s)2等が挙げられる
。
金属ハライドとしては、B、 AI 、 Ga、 I
n。
n。
TI 、 Si 、 Ge、 Sn、 Pb、 As、
Sb、 Biの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が
挙げられ、特にBCl3 、 BBra 、 BI3
、 AlCl3 、 AlBr3゜GaC15、GaB
r+ 、 1nc1s 、 TlCl3 、5iC1a
。
Sb、 Biの塩化物、弗化物、臭化物、ヨウ化物が
挙げられ、特にBCl3 、 BBra 、 BI3
、 AlCl3 、 AlBr3゜GaC15、GaB
r+ 、 1nc1s 、 TlCl3 、5iC1a
。
5nC14、5bC1s 、 5bPs 等が好適で
ある。
ある。
成分1.成分2及び成分3、更に必要に応じて接触させ
ることのできるハロゲン含有化合物との接触は、不活性
媒体の存在下、又は不存在下、混合攪拌するが、機械的
に共粉砕することによりなされる。接触は40〜150
℃の加熱下で行うことができる。
ることのできるハロゲン含有化合物との接触は、不活性
媒体の存在下、又は不存在下、混合攪拌するが、機械的
に共粉砕することによりなされる。接触は40〜150
℃の加熱下で行うことができる。
不活性媒体としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等
の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素が使用し得る。
の飽和脂肪族炭化水素、シクロペンタン、シクロヘキサ
ン等の飽和脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の芳香族炭化水素が使用し得る。
本発明における成分Aの望ましい調製法は、特開昭63
−264607号、同58−198503号、同62−
146904号公報等に開示されている方法である。よ
り詳細には、■ (イ)金属マグネシウム、(ロ)ハロ
ゲン化炭化水素、(ハ)一般式X、、M(OR> 、、
の化合物(前記のアルコキシ基含有化合物と同じ)を接
触させることにより得られるマグネシウム含有固体を(
ニ)ハロゲン含有アルコールと接触させ、次いで(ホ)
電子供与性化合物及び(へ)チタン化合物と接触させる
方法(特開昭63−264607号公報)、 ■ (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた後
、(ハ)ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次いで(
ニ)電子供与性化合物と接触させ(必要に応じて更にハ
ロゲン化チタン化合物と接触させる)る方法(特開昭6
2−146904号公報) ■ (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた後
、(ハ)電子供与性化合物と接触させ、次いで(ニ)チ
タン化合物と接触させる方法(特開昭58−19850
3号公報)である。
−264607号、同58−198503号、同62−
146904号公報等に開示されている方法である。よ
り詳細には、■ (イ)金属マグネシウム、(ロ)ハロ
ゲン化炭化水素、(ハ)一般式X、、M(OR> 、、
の化合物(前記のアルコキシ基含有化合物と同じ)を接
触させることにより得られるマグネシウム含有固体を(
ニ)ハロゲン含有アルコールと接触させ、次いで(ホ)
電子供与性化合物及び(へ)チタン化合物と接触させる
方法(特開昭63−264607号公報)、 ■ (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた後
、(ハ)ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次いで(
ニ)電子供与性化合物と接触させ(必要に応じて更にハ
ロゲン化チタン化合物と接触させる)る方法(特開昭6
2−146904号公報) ■ (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素−
珪素結合を有するハロゲン化珪素化合物を接触させた後
、(ハ)電子供与性化合物と接触させ、次いで(ニ)チ
タン化合物と接触させる方法(特開昭58−19850
3号公報)である。
これらの内でも特に■の方法が最も望ましい。
上記のようにして成分Aは調製されるが、成分Aは必要
に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよく、更に乾燥
してもよい。
に応じて前記の不活性媒体で洗浄してもよく、更に乾燥
してもよい。
又、成分Aは、更に有機アルミニウム化合物の存在下、
オレフィンと接触させて成分A中に生成するオレフィン
ポリマーを含有させてもよい。有機アルミニウム化合物
としては、本発胡の触媒の一成分である後記の有機金属
化合物の中から選ばれる。
オレフィンと接触させて成分A中に生成するオレフィン
ポリマーを含有させてもよい。有機アルミニウム化合物
としては、本発胡の触媒の一成分である後記の有機金属
化合物の中から選ばれる。
オレフィンとしては、エチレンの他プロピレン、1−ブ
テン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン等のα
−オレフィンが使用し得る。
テン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン等のα
−オレフィンが使用し得る。
オレフィンとの接触は、前記の不活性媒体の存在下行う
のが望ましい。接触は、通常100℃以下、望・ましく
は−10〜+50℃の温度で行われる。成分A中に含有
させるオレフィンポリマーの量は、成分A1g当り通常
0.1〜100gである。
のが望ましい。接触は、通常100℃以下、望・ましく
は−10〜+50℃の温度で行われる。成分A中に含有
させるオレフィンポリマーの量は、成分A1g当り通常
0.1〜100gである。
成分Aとオレフィンの接触は、有機アルミニウム化合物
と共に電子供与性化合物を存在させてもよい。電子供与
性化合物は、成分Aを調製させる際に用いられる化合物
及び5i−0−C結合若しくは5i−N−C結合を有す
る有機珪素化合物等の中から選択される。オレフィンと
接触した成分Aは必要に応じて前記の不活性媒体で洗浄
することができ、又更に乾燥することができる。
と共に電子供与性化合物を存在させてもよい。電子供与
性化合物は、成分Aを調製させる際に用いられる化合物
及び5i−0−C結合若しくは5i−N−C結合を有す
る有機珪素化合物等の中から選択される。オレフィンと
接触した成分Aは必要に応じて前記の不活性媒体で洗浄
することができ、又更に乾燥することができる。
有機金属化合物
有機金属化合物(以下成分Bという。)は、周期表第1
族ないし第■族金属の有機化合物である。成分Bとして
は、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及びア
ルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中でも
特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得る
有機アルミニウム化合物としては、一般式R,,AlX
3−. (但し、Rはアルキル基又はアリール基、X
はハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を示し、n
は1≦n≦3の範囲の任意の数である。)で示されるも
のであり、例えばトリアルキルアルミニウム、ジアルキ
ルアルミニウムモノハライド、モノアルキルアルミニウ
ムシバライド、アルキルアルミニウムセスキハライド、
ジアルキルアルミニウムモノアルコキシド及びジアルキ
ルアルミニウムモノハイドライドなどの炭素数1ないし
18個、好ましくは炭素数2ないし6個のアルキルアル
ミニウム化合物又はその混合物もしくは錯化合物が特に
好ましい。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリ
エチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリ
イソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウムな
どのトリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミニウム
クロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルア
ルミニウムプロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイ
ド、ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキ
ルアルミニウムモノハライド、メチルアルミニウムジク
ロリド、エチルアルミニウムジクロリド、メチルアルミ
ニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エ
チルアルミニウムジアイオダイド、イソブチルアルミニ
ウムジクロリドなどのモノアルキルアルミニウムシバラ
イド、エチルアルミニウムセスキクロリドなどのアルキ
ルアルミニウムセスキハライド、ジメチルアルミニウム
メトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチ
ルアルミニウムフェノキシド、ジプロピルアルミニウム
エトキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシド、ジ
イソブチルアルミニウムフェノキシドなどのジアルキル
アルミニウムモノアルコキシド、ジメチルアルミニウム
ハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジ
プロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハ
イドライドが挙げられる。これらの中でも、トリアルキ
ルアルミニウムが、特にトリエチルアルミニウム、トリ
イソブチルアルミニウムが望ましい。又、これらトリア
ルキルアルミニウムは、その他の有機アルミニウム化合
物、例えば、工業的に入手し易いジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアル
ミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウムエトキ
シド、ジエチルアルミニウムハイドライド又はこれらの
混合物若しくは錯化合物等と併用することができる。
族ないし第■族金属の有機化合物である。成分Bとして
は、リチウム、マグネシウム、カルシウム、亜鉛及びア
ルミニウムの有機化合物が使用し得る。これらの中でも
特に、有機アルミニウム化合物が好適である。用い得る
有機アルミニウム化合物としては、一般式R,,AlX
3−. (但し、Rはアルキル基又はアリール基、X
はハロゲン原子、アルコキシ基又は水素原子を示し、n
は1≦n≦3の範囲の任意の数である。)で示されるも
のであり、例えばトリアルキルアルミニウム、ジアルキ
ルアルミニウムモノハライド、モノアルキルアルミニウ
ムシバライド、アルキルアルミニウムセスキハライド、
ジアルキルアルミニウムモノアルコキシド及びジアルキ
ルアルミニウムモノハイドライドなどの炭素数1ないし
18個、好ましくは炭素数2ないし6個のアルキルアル
ミニウム化合物又はその混合物もしくは錯化合物が特に
好ましい。具体的には、トリメチルアルミニウム、トリ
エチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリ
イソブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウムな
どのトリアルキルアルミニウム、ジメチルアルミニウム
クロリド、ジエチルアルミニウムクロリド、ジエチルア
ルミニウムプロミド、ジエチルアルミニウムアイオダイ
ド、ジイソブチルアルミニウムクロリドなどのジアルキ
ルアルミニウムモノハライド、メチルアルミニウムジク
ロリド、エチルアルミニウムジクロリド、メチルアルミ
ニウムジクロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エ
チルアルミニウムジアイオダイド、イソブチルアルミニ
ウムジクロリドなどのモノアルキルアルミニウムシバラ
イド、エチルアルミニウムセスキクロリドなどのアルキ
ルアルミニウムセスキハライド、ジメチルアルミニウム
メトキシド、ジエチルアルミニウムエトキシド、ジエチ
ルアルミニウムフェノキシド、ジプロピルアルミニウム
エトキシド、ジイソブチルアルミニウムエトキシド、ジ
イソブチルアルミニウムフェノキシドなどのジアルキル
アルミニウムモノアルコキシド、ジメチルアルミニウム
ハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジ
プロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアル
ミニウムハイドライドなどのジアルキルアルミニウムハ
イドライドが挙げられる。これらの中でも、トリアルキ
ルアルミニウムが、特にトリエチルアルミニウム、トリ
イソブチルアルミニウムが望ましい。又、これらトリア
ルキルアルミニウムは、その他の有機アルミニウム化合
物、例えば、工業的に入手し易いジエチルアルミニウム
クロリド、エチルアルミニウムジクロリド、エチルアル
ミニウムセスキクロリド、ジエチルアルミニウムエトキ
シド、ジエチルアルミニウムハイドライド又はこれらの
混合物若しくは錯化合物等と併用することができる。
又、酸素原子や窒素原子を介して2個以上のアルミニウ
ムが結合した有機アルミニウム化合物も使用可能である
。そのような化合物としては、例えば (C2H5)
2A10A1(C2H5) 2 。
ムが結合した有機アルミニウム化合物も使用可能である
。そのような化合物としては、例えば (C2H5)
2A10A1(C2H5) 2 。
(C4H9)2A10A1(C4H11)2 、 (
C2)1s)2AINAI(C2H5)22L 等を例示できる。
C2)1s)2AINAI(C2H5)22L 等を例示できる。
アルミニウム金属以外の金属の有機化合物としては、ジ
エチルマグネシウム、エチルマグネシウムクロリド、ジ
エチル亜鉛等の他 LiA1(CJs)4. LiA1(CtH+s)4
等の化合物が挙げられる。
エチルマグネシウム、エチルマグネシウムクロリド、ジ
エチル亜鉛等の他 LiA1(CJs)4. LiA1(CtH+s)4
等の化合物が挙げられる。
ジメトキシシラン化合物
本発明で用いられる重合触媒の一成分であるジメトキシ
シラン化合物(以下、成分Cという。
シラン化合物(以下、成分Cという。
は、前記一般式で表わされる。該式において、R1−R
6の炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルカ
ジェニル基、アリール基、アルアルキル基等が挙げられ
る。
6の炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、
シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアルカ
ジェニル基、アリール基、アルアルキル基等が挙げられ
る。
アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、i−
プロピル、ブチル、i−ブチル゛、S−ブチル、t−ブ
チル、アミル、i−アミル、t−アミル、ヘキシル、オ
クチル、2−エチルヘキシル、デシル基等が、アルケニ
ル基としては、ビニル、アリル、プロペニル、1−ブテ
ニル、1−ペンテニル、1−へキセニル、1−オクテニ
ル、1−デケニル、1−メチル−1−ペンチニル、1−
メチル−1−へブテニル等力、シクロアルキル基として
は、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘ
キシル基等が、シクロアルケニル基としては、シクロペ
ンテニル、シクロへキセニル、メチルシクロへキセニル
基等が、シクロアルカジェニル基としては、シクロペン
タジェニル、メチルシクロペンタジェニル、インデニル
基等が、アリール基としては、フェニル、トリル、キシ
リル基等が、アルアルキル基としては、ベンジル、フェ
ネチル、3−フェニルプロピル基等が挙げられる。
プロピル、ブチル、i−ブチル゛、S−ブチル、t−ブ
チル、アミル、i−アミル、t−アミル、ヘキシル、オ
クチル、2−エチルヘキシル、デシル基等が、アルケニ
ル基としては、ビニル、アリル、プロペニル、1−ブテ
ニル、1−ペンテニル、1−へキセニル、1−オクテニ
ル、1−デケニル、1−メチル−1−ペンチニル、1−
メチル−1−へブテニル等力、シクロアルキル基として
は、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘ
キシル基等が、シクロアルケニル基としては、シクロペ
ンテニル、シクロへキセニル、メチルシクロへキセニル
基等が、シクロアルカジェニル基としては、シクロペン
タジェニル、メチルシクロペンタジェニル、インデニル
基等が、アリール基としては、フェニル、トリル、キシ
リル基等が、アルアルキル基としては、ベンジル、フェ
ネチル、3−フェニルプロピル基等が挙げられる。
成分Cの具体例を、化学式にて以下に記載する。式にお
いて、Me:メチル、Bt:エチル、Pr:プロピル、
Buニブチル、Pt:ペンチル、Hex:ヘキシル、O
ct:オクチル、Dec二デシルを示す(成分りにおい
ても同じ)。
いて、Me:メチル、Bt:エチル、Pr:プロピル、
Buニブチル、Pt:ペンチル、Hex:ヘキシル、O
ct:オクチル、Dec二デシルを示す(成分りにおい
ても同じ)。
(Me)zsi(口Me)2 + (Bt)zsi
(OMe)z 、 (n PrLSi(OMe
)2. (i−Pr)28i(OMe)2. (n
−Bu)*Si(OMe)、 、 (i−Bu)2s
i(OMe>2. (s−Bu)2si(OMe)z
。
(OMe)z 、 (n PrLSi(OMe
)2. (i−Pr)28i(OMe)2. (n
−Bu)*Si(OMe)、 、 (i−Bu)2s
i(OMe>2. (s−Bu)2si(OMe)z
。
(t−Bu)zsi(OMe)2. (n−Pt)2
si(OMe)* 、 (n−Hex)zsi(OM
e)2 、 (Me)(Bt)Si(OMe)z
、 (Me)(nPr)Si(OMe)2 、 (
Me)(n−Bu)Si(OMe)s 、 (Me
)(t−Bu)Si(OMe)z 、 (Me)(
n−Hex)Si(OMe)2 、 (Et)(iP
r)Si(OMe)2 、 (Bt)(n−Bu)S
i(OMe)2 、 ([Et)(t−Bu)Si(
OMe)z 、 (Et)(n−Hex)Si(D
Me)2 、 (n−Pr)(i−Pr)Si(OM
e)z 、 (n−Pr)(t−Bu)Si(OM
e)2 。
si(OMe)* 、 (n−Hex)zsi(OM
e)2 、 (Me)(Bt)Si(OMe)z
、 (Me)(nPr)Si(OMe)2 、 (
Me)(n−Bu)Si(OMe)s 、 (Me
)(t−Bu)Si(OMe)z 、 (Me)(
n−Hex)Si(OMe)2 、 (Et)(iP
r)Si(OMe)2 、 (Bt)(n−Bu)S
i(OMe)2 、 ([Et)(t−Bu)Si(
OMe)z 、 (Et)(n−Hex)Si(D
Me)2 、 (n−Pr)(i−Pr)Si(OM
e)z 、 (n−Pr)(t−Bu)Si(OM
e)2 。
(n−Pr)(n−Pt)Si(OMe)2 、 (
n−Bu)(t−Bu)Si(OMe)2゜(i−Bu
)(t−Bu)Si(OMe)z 、 (t−Bu
)(t−Pt)Si(OMe)2゜(t−Bu)(s−
Pt)Si(OMe)z 、 (t−Pt)zsi
(OMe)z 。
n−Bu)(t−Bu)Si(OMe)2゜(i−Bu
)(t−Bu)Si(OMe)z 、 (t−Bu
)(t−Pt)Si(OMe)2゜(t−Bu)(s−
Pt)Si(OMe)z 、 (t−Pt)zsi
(OMe)z 。
[(n−Pr)(Me)CH〕 zsi(OMe)z
、 (t−Pt)(s−Pt)Si(OMe)a、
[:(Me)accH2:]zS+(OMe)z
。
、 (t−Pt)(s−Pt)Si(OMe)a、
[:(Me)accH2:]zS+(OMe)z
。
[:(Bt)(Me)CH−CL 〕 2si(OM
e)z 、 (t−Pt)[(Mr)sC−CH2
] Si(OMe)z 、C(n−Pr)(Me)
zC’)(t−Pt)Si(OMeL 、C(Bt)
(MeLC−CH2:] (t−Pt)Si(OMe
)a 、[:(n Pr)(Me)2C″] 2
Si (OMe)2 。
e)z 、 (t−Pt)[(Mr)sC−CH2
] Si(OMe)z 、C(n−Pr)(Me)
zC’)(t−Pt)Si(OMeL 、C(Bt)
(MeLC−CH2:] (t−Pt)Si(OMe
)a 、[:(n Pr)(Me)2C″] 2
Si (OMe)2 。
〔(計L)(Me)2cm1j(2] zsi(OM
e>z 、 〔(Me>3c・CaHil 2
Si(OMe)z 、 (t−Hex)[(Bt
)(Me)2c・CL ’] Si(OMe)2
; (MeaSi)(Me)Si(OMe)2 。
e>z 、 〔(Me>3c・CaHil 2
Si(OMe)z 、 (t−Hex)[(Bt
)(Me)2c・CL ’] Si(OMe)2
; (MeaSi)(Me)Si(OMe)2 。
(MesSi)(Bt)Si(OMe)2 、 (M
esSi)(i−Pr)Si(OMe)s 、 (
MesSi)(t−Bu)Si(OMelL 、
(Me+Si)(n−Bu)Si(OMe)2 、
(Me3Si)(s−Bu)Si(OMe)2 。
esSi)(i−Pr)Si(OMe)s 、 (
MesSi)(t−Bu)Si(OMelL 、
(Me+Si)(n−Bu)Si(OMe)2 、
(Me3Si)(s−Bu)Si(OMe)2 。
(Me3Si) (シクロペンチル)Si(OMe)z
、 (Me+5i)(シクロペンタジェニル)Si
(OMe) 、 (Me3si)2Si(OMe>2
、 (BtaSi)(Me)Si(口Me)2
、 (Bt+Si)(Bt)Si(OMe)a
、 (Bt3Si)(i−Pr)Si(OMe)+
。
、 (Me+5i)(シクロペンタジェニル)Si
(OMe) 、 (Me3si)2Si(OMe>2
、 (BtaSi)(Me)Si(口Me)2
、 (Bt+Si)(Bt)Si(OMe)a
、 (Bt3Si)(i−Pr)Si(OMe)+
。
(BtaSi)(t−Bu)Si(OMe)2. (
Bt+Si)(n−Bu)Si(OMe)2. (E
tsSi)(s−Bu)Si(OMe)2. (tE
t+5i)(シクロペンチル)Si(OMe)z 、
(Bt3Si)(シクロペンタジェニル)Si(OM
e) 、 (MesSi)2Si([]Me)2;(
Me3SiO)(Me)Si(OMe)z 、
(Me+SiO)(Bt)Si(DMe)z 、 (
Me3SiO)(i−Pr)Si(OMe)2. (
Me、SiO)(t−Bu)Si(OMe)z 、
(Bt+SiO)(Me)Si(OMe>z 。
Bt+Si)(n−Bu)Si(OMe)2. (E
tsSi)(s−Bu)Si(OMe)2. (tE
t+5i)(シクロペンチル)Si(OMe)z 、
(Bt3Si)(シクロペンタジェニル)Si(OM
e) 、 (MesSi)2Si([]Me)2;(
Me3SiO)(Me)Si(OMe)z 、
(Me+SiO)(Bt)Si(DMe)z 、 (
Me3SiO)(i−Pr)Si(OMe)2. (
Me、SiO)(t−Bu)Si(OMe)z 、
(Bt+SiO)(Me)Si(OMe>z 。
(BtsSiO)(Bt)Si(OMe)z 、 (
BtaSiO)(i−Pr)Si(OMe)2. (
Bt+SiO)(t−Bu)Si(OMe)2; (
BtO)(i−Pr)Si(OMe)z 、 (i−
PrO)(Me)Si(OMe)2. (i−PrO
)(n−Pr)Si(OMe>2. (n−Pro)
(t−Pt)Si(OMe)a 。
BtaSiO)(i−Pr)Si(OMe)2. (
Bt+SiO)(t−Bu)Si(OMe)2; (
BtO)(i−Pr)Si(OMe)z 、 (i−
PrO)(Me)Si(OMe)2. (i−PrO
)(n−Pr)Si(OMe>2. (n−Pro)
(t−Pt)Si(OMe)a 。
(i−Pro)(n−Hex)Si(OMe)z 、
(n−Bun)(Me)Si(OMe)2. (t
−Bun)(Me)Si(OMe)z 、 (s−B
uO)(Bt)Si(OMe)2. (i−Bun)
(i−Pr)Si(OMe)a 、 (t−Bun)
(tBu)Si(OMe)2. (n−Bun)(s
−Bu)Si(OMe)2゜(t−Bun)(n−Pt
)Si(OMe)+ 、 (n−PtO)(i−P
r)Si(OMe)2 、 (t−PtO)(t−B
u)Si(OMe)z 、 (t−PtO)(t
−Pt)Si(OMe>* 、 (t−PtO)(
Me)Si(OMe)z 。
(n−Bun)(Me)Si(OMe)2. (t
−Bun)(Me)Si(OMe)z 、 (s−B
uO)(Bt)Si(OMe)2. (i−Bun)
(i−Pr)Si(OMe)a 、 (t−Bun)
(tBu)Si(OMe)2. (n−Bun)(s
−Bu)Si(OMe)2゜(t−Bun)(n−Pt
)Si(OMe)+ 、 (n−PtO)(i−P
r)Si(OMe)2 、 (t−PtO)(t−B
u)Si(OMe)z 、 (t−PtO)(t
−Pt)Si(OMe>* 、 (t−PtO)(
Me)Si(OMe)z 。
(n−PtO)(Bt)Si(OMe)z 、 (
n−Hex)(Me)Si(OMe)z 。
n−Hex)(Me)Si(OMe)z 。
(n−Hex)(Bt)Si(OMe)2 、 (n
−HexO)(i−Pr)Si(OMe)2 、 (
n−HexO)(t−Bu)Si(OMe)z 、
(n−HexO)(n−Hex)Si(DMe)a
、 (n−HexO)(n−Oct)Si(OMe
)2゜(n−OctO)(Me)Si(OMe)2.
(n−OctO)(n1員)Si(DMe) 2 、
(i−Pro) (シクロヘキシル) Si(OM
e)z 。
−HexO)(i−Pr)Si(OMe)2 、 (
n−HexO)(t−Bu)Si(OMe)z 、
(n−HexO)(n−Hex)Si(DMe)a
、 (n−HexO)(n−Oct)Si(OMe
)2゜(n−OctO)(Me)Si(OMe)2.
(n−OctO)(n1員)Si(DMe) 2 、
(i−Pro) (シクロヘキシル) Si(OM
e)z 。
(i−PrO) (シクロペンチル)Si(OMe)2
. (i−Pro)(シクロペンタジェニル)Si
(OMe) 、 (n−Bun)(シクロヘキシル)
Si(OMe)2. (n−Bun)(シクロペン
チル)Si(OMe)−、(n−Bun)(シクロペン
タジェニル)Si(OMe) 、 (i−BuO)(
シクロヘキシル)Si(OMe)z 、 (i−Bu
n)(シクロペンチル)Si(OMe)z(i−Bun
) (シクロペンタジェニル)Si(OMe)(t−B
un) (シクロヘキシル)Si (OMe) 2 L
(t−Bun)(シクロペンチル)Sl(OMe)
2 、 (t−Bun) (シクロペンタジェニル
)Si(OMe) 、 (t−PtO) (シクロヘ
キシル)Si(OMe)z 、 (t−PtO)(シ
クロペンチル)Si([]Me)2. (t−PtO
) (シクロペンタジェニル)Si(OMe)。
. (i−Pro)(シクロペンタジェニル)Si
(OMe) 、 (n−Bun)(シクロヘキシル)
Si(OMe)2. (n−Bun)(シクロペン
チル)Si(OMe)−、(n−Bun)(シクロペン
タジェニル)Si(OMe) 、 (i−BuO)(
シクロヘキシル)Si(OMe)z 、 (i−Bu
n)(シクロペンチル)Si(OMe)z(i−Bun
) (シクロペンタジェニル)Si(OMe)(t−B
un) (シクロヘキシル)Si (OMe) 2 L
(t−Bun)(シクロペンチル)Sl(OMe)
2 、 (t−Bun) (シクロペンタジェニル
)Si(OMe) 、 (t−PtO) (シクロヘ
キシル)Si(OMe)z 、 (t−PtO)(シ
クロペンチル)Si([]Me)2. (t−PtO
) (シクロペンタジェニル)Si(OMe)。
アルコキシシラン化合物
本発明で用いられる重合触媒の一成分であるジルコキシ
シラン化合物(以下、成分りという。
シラン化合物(以下、成分りという。
は、前記一般式で表わされる。該式において、R7−R
12の炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基
、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアル
カジェニル基、アリール基、アルアルキル基等が挙げら
れる。
12の炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基
、シクロアルキル基、シクロアルケニル基、シクロアル
カジェニル基、アリール基、アルアルキル基等が挙げら
れる。
アルキル基としては、メチル(但し R7の場合は除く
) エチル、プロピル、1−プロビノベブチノベ i−
ブチル、S−ブチル、t−ブチル、アミル、i−アミル
、t−アミル、ヘキシル、オクチル、2−エチルヘキシ
ル、デシル基等が、アルケニル基としては、ビニル、ア
リル、プロペニル、l−ブテニル、l−ペンテニル、1
−ヘキセニル、1−オクテニル、1−r’r二Rt、1
−メチル−1−ペンチニル、1−メチル−1−ヘプテニ
ル等が、シクロアルキル基としては、シクロペンチル、
シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル基等が、シクロ
アルケニル基としては、シクロペンテニル、シクロへキ
セニル、メチルシクロへキセニル基等が、シクロアルカ
ジェニル基トしては、シクロペンタジェニル、メチルシ
クロペンタジェニル、インデニル基等力、アリール基と
しては、フェニル、トリル、キシリル基等が、アルアル
キル基としては、ベンジル、フェネチル、3−フェニル
プロピル基等が挙げられる。R9及びRIOの炭化水素
基にあっては、アルキル基が望ましく、特にメチル及び
エチル基が望ましい。
) エチル、プロピル、1−プロビノベブチノベ i−
ブチル、S−ブチル、t−ブチル、アミル、i−アミル
、t−アミル、ヘキシル、オクチル、2−エチルヘキシ
ル、デシル基等が、アルケニル基としては、ビニル、ア
リル、プロペニル、l−ブテニル、l−ペンテニル、1
−ヘキセニル、1−オクテニル、1−r’r二Rt、1
−メチル−1−ペンチニル、1−メチル−1−ヘプテニ
ル等が、シクロアルキル基としては、シクロペンチル、
シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル基等が、シクロ
アルケニル基としては、シクロペンテニル、シクロへキ
セニル、メチルシクロへキセニル基等が、シクロアルカ
ジェニル基トしては、シクロペンタジェニル、メチルシ
クロペンタジェニル、インデニル基等力、アリール基と
しては、フェニル、トリル、キシリル基等が、アルアル
キル基としては、ベンジル、フェネチル、3−フェニル
プロピル基等が挙げられる。R9及びRIOの炭化水素
基にあっては、アルキル基が望ましく、特にメチル及び
エチル基が望ましい。
成分りの具体例を、以下に挙げる。
(BtO)2si(OMe)z 、 (n−Pr
o)zsi(口Me) 2(i−PrO)zsi(OM
e)a 、 (t−BuO)2si(OMe)s 。
o)zsi(口Me) 2(i−PrO)zsi(OM
e)a 、 (t−BuO)2si(OMe)s 。
(s−BuO)2si(OMe)z 、 (n−Bu
O)2si(OMe)z 。
O)2si(OMe)z 。
(i−BuO)Si(OMe)2. (t−PtO)
2si(DMe)z 、 (nPtO)2si(OM
e)2 、 (n−HexO)2si(OMe)*
、 (n−口ctO)zsi(OMe)2.
(n−DecO)2si(OMe)z 、 (n−
PrO)2Sx(OBt)2. (l−Pro)2s
i(0[!t)2. (t−fluo)*5i(OB
t)s 、 (s−BuO)zsi(OBt)2
、 (n−BuO)*Si(口at)2. (
i−BuO)2si(OEt)z 、 (t−PtO
)2si(OBt)s(n−PtO)zsi(OBt)
2. (n−HexO)sSi(OBt)2. (
nOctO)zsi(OBt)2. (n−DecO
)zsi(OEt)+ ; (E!to)(i−P
ro)Si(OMe)z 、 (BtO)(n−
BuO)Si(OMe)2゜(BtO)(s−BuO)
Si(OMe)2. (BtO)(n−PtO)Si
(OMe)z 、 (i−Pro)(n−BuO
)Si(OMe)2 、 (n−Pr口)(t−B
uO)Si(OMe)z 、 (t−BuO)(n
−[]uO)Si(OMe)2゜(s−BuO) (i
−BuO) 2si (OMe> 2 、 (t−
PLO) (n−PrO) Si(0M8>2 、
(n−PtO)(i−PrO)Si(OMe)z 、
(n−BuO)(t−PtO)Si(OMe)2.
(s−BuO)(s−PtO)Si(OMe)2゜
(i−BuO) (n−PtO) Si (OMe)
2 、 (t−PtO) (n−PtO) Si(OM
e)2. (t−PtO)(n−HexO)Si(O
Me)s 、 (Men)(i−PrO)Si(O
Bt)z 、 (Men)(n−BuO)Si(O
Bt)z 、 (i−PrO)(n−BuO)Si
(OBt)2. (n−Pro)(t−BuO)Si
(OBt)2 、 (t−BuO)(n−BuO)
Si(0已tL 、(s−BuO)(iBuO)Si
(OBt)2 、 (t−PtO)(n−Pro)S
t(OBt)z 。
2si(DMe)z 、 (nPtO)2si(OM
e)2 、 (n−HexO)2si(OMe)*
、 (n−口ctO)zsi(OMe)2.
(n−DecO)2si(OMe)z 、 (n−
PrO)2Sx(OBt)2. (l−Pro)2s
i(0[!t)2. (t−fluo)*5i(OB
t)s 、 (s−BuO)zsi(OBt)2
、 (n−BuO)*Si(口at)2. (
i−BuO)2si(OEt)z 、 (t−PtO
)2si(OBt)s(n−PtO)zsi(OBt)
2. (n−HexO)sSi(OBt)2. (
nOctO)zsi(OBt)2. (n−DecO
)zsi(OEt)+ ; (E!to)(i−P
ro)Si(OMe)z 、 (BtO)(n−
BuO)Si(OMe)2゜(BtO)(s−BuO)
Si(OMe)2. (BtO)(n−PtO)Si
(OMe)z 、 (i−Pro)(n−BuO
)Si(OMe)2 、 (n−Pr口)(t−B
uO)Si(OMe)z 、 (t−BuO)(n
−[]uO)Si(OMe)2゜(s−BuO) (i
−BuO) 2si (OMe> 2 、 (t−
PLO) (n−PrO) Si(0M8>2 、
(n−PtO)(i−PrO)Si(OMe)z 、
(n−BuO)(t−PtO)Si(OMe)2.
(s−BuO)(s−PtO)Si(OMe)2゜
(i−BuO) (n−PtO) Si (OMe)
2 、 (t−PtO) (n−PtO) Si(OM
e)2. (t−PtO)(n−HexO)Si(O
Me)s 、 (Men)(i−PrO)Si(O
Bt)z 、 (Men)(n−BuO)Si(O
Bt)z 、 (i−PrO)(n−BuO)Si
(OBt)2. (n−Pro)(t−BuO)Si
(OBt)2 、 (t−BuO)(n−BuO)
Si(0已tL 、(s−BuO)(iBuO)Si
(OBt)2 、 (t−PtO)(n−Pro)S
t(OBt)z 。
(n−PtO)(i−PrO)Si(OBt)z 、
(n−BuO)(t−PtO)Si(OBt)a
、 (s−BuO)(s−PtO)Si([1Bt
L 、 (i−BuO)(n−PtO)Si(OB
t)2 、 (t−PtO)(n−PtO)Si(O
Bt)z 。
(n−BuO)(t−PtO)Si(OBt)a
、 (s−BuO)(s−PtO)Si([1Bt
L 、 (i−BuO)(n−PtO)Si(OB
t)2 、 (t−PtO)(n−PtO)Si(O
Bt)z 。
(t−PtO)(n−HexO)Si(OEt)z
: (BtO)Si(口Me)3 。
: (BtO)Si(口Me)3 。
(i−Pro)Si([]Me)+、(n−BuO)S
i(OMe)3. (s−BuO)Si([1Me)
a 、 (i−BuO)Si(DMe)3. (t
−BuO)Si(CIMe)3 、 (t−PtO
)St(OMe>s 、 (n Pt0)Sl
(口Me)、。
i(OMe)3. (s−BuO)Si([1Me)
a 、 (i−BuO)Si(DMe)3. (t
−BuO)Si(CIMe)3 、 (t−PtO
)St(OMe>s 、 (n Pt0)Sl
(口Me)、。
(n−HexO)(OMe)s 、 (n−Oc
tO)Si(OMe)+ 、 (n−DecO)
Si(OMe)3 、 (Men)Si(OBt)
3 、 (i−PrO)Si(口Bt)3 、(n
−BuO)Si(OBt)、l 、 (s−BuO
)Si(口Bt)3 。
tO)Si(OMe)+ 、 (n−DecO)
Si(OMe)3 、 (Men)Si(OBt)
3 、 (i−PrO)Si(口Bt)3 、(n
−BuO)Si(OBt)、l 、 (s−BuO
)Si(口Bt)3 。
(i−BuO)Si (口Bt)3 、 (t−B
uO)Si(OBt)+ 、 (t−PtO)S
i(OBt)s 、 (n−PtO)Si(OBt
)+ 、 (+1−HexO)Si(DBt)s
、 (n−DctO)Si(DEt)s 、
(n−DecO)(DBt)3 ; MesSi
O3+ (OMe>3 、 Et3S+口S+ (
OMe)3 。
uO)Si(OBt)+ 、 (t−PtO)S
i(OBt)s 、 (n−PtO)Si(OBt
)+ 、 (+1−HexO)Si(DBt)s
、 (n−DctO)Si(DEt)s 、
(n−DecO)(DBt)3 ; MesSi
O3+ (OMe>3 、 Et3S+口S+ (
OMe)3 。
Me3SIO3l(OEt)3.Bt3StO3t(O
Et)3 、 (Me3S+0)2Si(OMe>
z 、 (Bts 5iO)+Si(OMe)
2 、 (EtsSi口)3Si(OBt)z
、 (Bt+Si[]LSi(OBt)2 :
Si(口Bt)、。
Et)3 、 (Me3S+0)2Si(OMe>
z 、 (Bts 5iO)+Si(OMe)
2 、 (EtsSi口)3Si(OBt)z
、 (Bt+Si[]LSi(OBt)2 :
Si(口Bt)、。
本発明で用いられる重合触媒は、成分A、成分B1成分
C及び成分りからなるが、それらの構成割合は、成分B
が成分A中のチタン1グラム原子当り1〜2.000グ
ラムモル、望ましくは20〜500グラムモル、成分C
及び成分りがそれらの合計量で成分B1モルに対して0
、001〜10モル、望ましくは0.01〜1.0モル
となるように用いられる。又、成分Cと成分りは、その
合計量のうち成分Cが10〜90モル%、好ましくは2
0〜80モル%、成分りが90〜10モル%、好ましく
は80〜20モル%となるようにそれぞれ用いられる。
C及び成分りからなるが、それらの構成割合は、成分B
が成分A中のチタン1グラム原子当り1〜2.000グ
ラムモル、望ましくは20〜500グラムモル、成分C
及び成分りがそれらの合計量で成分B1モルに対して0
、001〜10モル、望ましくは0.01〜1.0モル
となるように用いられる。又、成分Cと成分りは、その
合計量のうち成分Cが10〜90モル%、好ましくは2
0〜80モル%、成分りが90〜10モル%、好ましく
は80〜20モル%となるようにそれぞれ用いられる。
α−オレフィンの重合
本発明は、上記の重合触媒の存在下、α−オレフィンを
重合してポリα−オレフィンを製造するものである。
重合してポリα−オレフィンを製造するものである。
α−オレフィンとしては、炭素数3〜10個のα−オレ
フィンであり、プロピレン、1−ブテン、4−メチル−
1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン等が例示で
きる。
フィンであり、プロピレン、1−ブテン、4−メチル−
1−ペンテン、1−ヘキセン、1−オクテン等が例示で
きる。
本発明は、α−オレフィンの単独重合以外に、それらα
−オレフィン相互及び/又はエチレン等の炭素数2〜1
0個の他のモノオレフィン若しくは炭素数3〜10個の
ジオレフィンとのランダム共重合又はブロック共重合も
可能である。
−オレフィン相互及び/又はエチレン等の炭素数2〜1
0個の他のモノオレフィン若しくは炭素数3〜10個の
ジオレフィンとのランダム共重合又はブロック共重合も
可能である。
重合反応は、気相、液相のいずれでもよく、液相で重合
させる場合は、ノルマルブタン、イソブタン、ノルマル
ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の不活性炭化水素中及び液状子ツマー中で行うことがで
きる。重合温度は、通常−80℃〜+150℃、好まし
くは40〜120℃の範囲である。重合圧力は、例えば
1〜60気圧でよい。又、得られる重合体の分子量の調
節は、水素若しくは他の公知の分子量調節剤を存在せし
とることにより行われる。又、共重合においてα−オレ
フィンに共重合させる他のオレフィンの量は、α−オレ
フィンに対して通常30重量%迄、特に0.3〜15重
量%の範囲で選ばれる。本発明における重合反応は、連
続又はバッチ式反応で行い、その条件は通常用いられる
条件でよい。又、共重合反応は一段で行ってもよく、二
段以上で行ってもよい。
させる場合は、ノルマルブタン、イソブタン、ノルマル
ペンタン、イソペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタ
ン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等
の不活性炭化水素中及び液状子ツマー中で行うことがで
きる。重合温度は、通常−80℃〜+150℃、好まし
くは40〜120℃の範囲である。重合圧力は、例えば
1〜60気圧でよい。又、得られる重合体の分子量の調
節は、水素若しくは他の公知の分子量調節剤を存在せし
とることにより行われる。又、共重合においてα−オレ
フィンに共重合させる他のオレフィンの量は、α−オレ
フィンに対して通常30重量%迄、特に0.3〜15重
量%の範囲で選ばれる。本発明における重合反応は、連
続又はバッチ式反応で行い、その条件は通常用いられる
条件でよい。又、共重合反応は一段で行ってもよく、二
段以上で行ってもよい。
発明の効果
不発□明の方法により、成分C又は成分りをそれぞれ単
独で用いる場合に比べ、触媒重合活性を維持したまま分
子量分布の広いポリα−オレフィンを製造することがで
きる。
独で用いる場合に比べ、触媒重合活性を維持したまま分
子量分布の広いポリα−オレフィンを製造することがで
きる。
実施例
本発明を実施例及び応用例により具体的に説明する。な
お、例におけるパーセント (%)は特に断らない限り
重量による。
お、例におけるパーセント (%)は特に断らない限り
重量による。
ポリマーの分子量分布は、勲(重量平均分子量)/鮎(
数平均分子量)で示すが、それはGPCにより測定した
値である。
数平均分子量)で示すが、それはGPCにより測定した
値である。
実施例1
成分Aの調製
還流冷却器をつけた1βの反応容器に、窒素ガス雰囲気
下で、チップ状の金属マグネシウム(純度99.5%、
平均粒径L 6mm) 8.3 g及びn−ヘキサン2
50rdを入れ、68℃で1時間攪拌後、金属マグネシ
ウムを取出し、65℃で減圧乾燥するという方法で予備
活性化した金属マグネシウムを得た。
下で、チップ状の金属マグネシウム(純度99.5%、
平均粒径L 6mm) 8.3 g及びn−ヘキサン2
50rdを入れ、68℃で1時間攪拌後、金属マグネシ
ウムを取出し、65℃で減圧乾燥するという方法で予備
活性化した金属マグネシウムを得た。
次に、この金属マグネシウムに、n−ブチルエーテル1
40ml及びn−ブチルマグネシウムクロリドのn−ブ
チルエーテル溶液(1,75モル/Il)を0.5 i
ll!加えた懸濁液を55℃に保ち、更にn−ブチルエ
ーテル50m12にn−ブチルクロライド38.5−を
溶解した溶液を50分間で滴下した。攪拌下70℃で4
時間反応を行った後、反応液を25℃に保持した。
40ml及びn−ブチルマグネシウムクロリドのn−ブ
チルエーテル溶液(1,75モル/Il)を0.5 i
ll!加えた懸濁液を55℃に保ち、更にn−ブチルエ
ーテル50m12にn−ブチルクロライド38.5−を
溶解した溶液を50分間で滴下した。攪拌下70℃で4
時間反応を行った後、反応液を25℃に保持した。
次いで、この反応液にHC(DCJs)355.7社を
1時間で滴下した。滴下終了後、60℃で15分間反応
を行ない、反応生成固体をn−へキサン各300−で6
回洗浄し、室温で1時間減圧乾燥し、マグネシウムを1
9.0%、塩素を28.9%を含むマグネシウム含有固
体31.6 gを回収した。
1時間で滴下した。滴下終了後、60℃で15分間反応
を行ない、反応生成固体をn−へキサン各300−で6
回洗浄し、室温で1時間減圧乾燥し、マグネシウムを1
9.0%、塩素を28.9%を含むマグネシウム含有固
体31.6 gを回収した。
還流冷却器、攪拌機及び滴下ロートを取付けた300r
nf!の反応容器に、窒素ガス雰囲気下マグネシウム含
有固体6.3g及びn−へブタン50−を入れ懸濁液と
し、室温で攪拌しながら2.2.2−)リクロルエタノ
ール20mf(0,02ミリモル)とn−へブタン1l
rdの混合溶液を滴下ロートから30分間で滴下し、更
に80℃で1時間攪拌した。得られた固体を濾別し、室
温のn−へキサン各1’00mf2で4回洗浄し、更に
トルエン各100−で2回洗浄して固体成分を得た。
nf!の反応容器に、窒素ガス雰囲気下マグネシウム含
有固体6.3g及びn−へブタン50−を入れ懸濁液と
し、室温で攪拌しながら2.2.2−)リクロルエタノ
ール20mf(0,02ミリモル)とn−へブタン1l
rdの混合溶液を滴下ロートから30分間で滴下し、更
に80℃で1時間攪拌した。得られた固体を濾別し、室
温のn−へキサン各1’00mf2で4回洗浄し、更に
トルエン各100−で2回洗浄して固体成分を得た。
上記の固体成分にトルエン40m12を加え、更に四塩
化チタン/トルエンの体積比が372になるように四塩
化チタンを加えて90℃に昇温した。攪拌下、フタル酸
ジn−ブチル2mI!、とトルエン5rnlの混合溶液
を5分間で滴下した後、120℃で2時間攪拌した。得
られた固体状物質を90℃で濾別し、トルエン各100
−で2回、90℃で洗浄した。更に、新らたに四塩化チ
タン/トルエンの体積比が3/2になるように四塩化チ
タンを加え、120℃で2時間攪拌しした。得られた固
体物質を110℃で濾別し、室温の各100mfのn−
ヘキサンにて7回洗浄して成分A 5.5 gを得た。
化チタン/トルエンの体積比が372になるように四塩
化チタンを加えて90℃に昇温した。攪拌下、フタル酸
ジn−ブチル2mI!、とトルエン5rnlの混合溶液
を5分間で滴下した後、120℃で2時間攪拌した。得
られた固体状物質を90℃で濾別し、トルエン各100
−で2回、90℃で洗浄した。更に、新らたに四塩化チ
タン/トルエンの体積比が3/2になるように四塩化チ
タンを加え、120℃で2時間攪拌しした。得られた固
体物質を110℃で濾別し、室温の各100mfのn−
ヘキサンにて7回洗浄して成分A 5.5 gを得た。
プロピレンの重合
攪拌機を取付けた1、51のステンレス製オートクレー
ブに、窒素ガス雰囲気下、上記で得られた成分A 11
.3 mgS71−ヘプタン11中に0.1モルのトリ
エチルアルミニウム(以下TEALと称する。)を含む
溶液4−及びn−へブタン11中に0.02モルのt−
ブトキシメチルジメトキシシランを含む溶液1.4rn
f!及びn−へブタン1β中に0.01モルのテトラエ
トキシシランを含む溶液1.2mlを混合し5分間保持
したものを入れた。次いで、分子量制御剤としての水素
ガス600mf及び液体プロピレン1βを圧入した後、
反応系を70℃に昇温しで、1時間プロピレンの重合を
行った。重合終了後、未反応のプロピレンをパージし、
白色のポリプロピレン粉末を得た。
ブに、窒素ガス雰囲気下、上記で得られた成分A 11
.3 mgS71−ヘプタン11中に0.1モルのトリ
エチルアルミニウム(以下TEALと称する。)を含む
溶液4−及びn−へブタン11中に0.02モルのt−
ブトキシメチルジメトキシシランを含む溶液1.4rn
f!及びn−へブタン1β中に0.01モルのテトラエ
トキシシランを含む溶液1.2mlを混合し5分間保持
したものを入れた。次いで、分子量制御剤としての水素
ガス600mf及び液体プロピレン1βを圧入した後、
反応系を70℃に昇温しで、1時間プロピレンの重合を
行った。重合終了後、未反応のプロピレンをパージし、
白色のポリプロピレン粉末を得た。
触媒の重合活性は21.1kg/g・成分へであった。
又、得られたポリプロピレンのPlw / 1ionは
7.5であった。
7.5であった。
実施例2〜5
第1表に示す成分C及び成分りをそれぞれ第1表に示す
割合で用いた以外は実施例1と同様にしてプロピレンの
重合を行い、それらの結果を第1表に示した。
割合で用いた以外は実施例1と同様にしてプロピレンの
重合を行い、それらの結果を第1表に示した。
比較例1〜7
成分C及び成分りを用いない以外は、実施例1と同様に
してプロピレンの重合を行い、それらの結果を第1表に
示した。
してプロピレンの重合を行い、それらの結果を第1表に
示した。
実施例7
成分Aの調製
市販のマグネシウムジェトキシド170gを直径12m
mのステンレス(SO3316)製ボール400個を収
容した内容積1.21のステンレス(SUS316)製
ミルポットに窒素ガス雰囲気下で入れ、このミルポット
を振とう器に装着した後、振幅10証、回転数142
Orpmで2時間振とうして接触を行い、粉砕物(I>
を得た。
mのステンレス(SO3316)製ボール400個を収
容した内容積1.21のステンレス(SUS316)製
ミルポットに窒素ガス雰囲気下で入れ、このミルポット
を振とう器に装着した後、振幅10証、回転数142
Orpmで2時間振とうして接触を行い、粉砕物(I>
を得た。
還流凝縮器、滴下ロート及び攪拌機を取付けた200r
d、のガラス製反応器を充分に窒素ガスで置換する。こ
の反応器に粉砕物(I)8.3g及びn−へブタン42
mj!を入れた後、室温で攪拌しながらトリクロルシラ
ン14.9 gとn−へブタン30−の混合溶液を滴下
ロートから30分間で滴下し、さらに、65℃で4時間
攪拌した。得られた固体を65℃で濾別し、室温のnヘ
プタン10〇−各2回、室温のトルエン100mJ2各
3回を10分間攪押下接触させて洗浄した後、反応固体
(I)のトルエンスラリーを得た。
d、のガラス製反応器を充分に窒素ガスで置換する。こ
の反応器に粉砕物(I)8.3g及びn−へブタン42
mj!を入れた後、室温で攪拌しながらトリクロルシラ
ン14.9 gとn−へブタン30−の混合溶液を滴下
ロートから30分間で滴下し、さらに、65℃で4時間
攪拌した。得られた固体を65℃で濾別し、室温のnヘ
プタン10〇−各2回、室温のトルエン100mJ2各
3回を10分間攪押下接触させて洗浄した後、反応固体
(I)のトルエンスラリーを得た。
反応固体(I>8.5gとトルエン26rn1からなる
トルエンスラリーにTiC1□51mfを添加し、20
分間かけて、内部温度を80℃まで昇温し、昇温後、フ
タル酸ジ−n−ブチル1゜7gとトルエン8−からなる
混合溶液を滴下ロートを用いて、15分間で滴下した。
トルエンスラリーにTiC1□51mfを添加し、20
分間かけて、内部温度を80℃まで昇温し、昇温後、フ
タル酸ジ−n−ブチル1゜7gとトルエン8−からなる
混合溶液を滴下ロートを用いて、15分間で滴下した。
その後、さらに115℃まで昇温し、同温度で2時間攪
拌した。デカンテーションにより上澄液を除去した後、
トルエン100−を用いて90℃の温度で10分間攪拌
して洗浄を2回行なった。次に、新たなトルエン2l−
1TIC1251−を加え、115℃2時間攪拌した。
拌した。デカンテーションにより上澄液を除去した後、
トルエン100−を用いて90℃の温度で10分間攪拌
して洗浄を2回行なった。次に、新たなトルエン2l−
1TIC1251−を加え、115℃2時間攪拌した。
得られた固体状物質を115℃で濾別し、各100艷の
室温のn−へブタンにて8回洗浄して、成分Aのへブタ
ンスラリーを得た。
室温のn−へブタンにて8回洗浄して、成分Aのへブタ
ンスラリーを得た。
プロピレンの重合
上記で得られた成分A1第2表に示す成分C1成分り及
びTEALの代りにトリイソブチルアルミニウムをそれ
ぞれ用い、かつ重合温度を80℃とした以外は、実施例
1と同様にしてプロピレンの重合を行い、その結果を第
2表に示した。
びTEALの代りにトリイソブチルアルミニウムをそれ
ぞれ用い、かつ重合温度を80℃とした以外は、実施例
1と同様にしてプロピレンの重合を行い、その結果を第
2表に示した。
実施例8
成分C及び成分りとして第2表に示す化合物を用いた以
外は、実施例7と同様にしてプロピレンの重合を行い、
その結果を第2表に示した。
外は、実施例7と同様にしてプロピレンの重合を行い、
その結果を第2表に示した。
比較例8.9
成分C又は成分りを用いない以外は、実施例7と同様に
してプロピレンの重合を行い、その結果を第2表に示し
た。
してプロピレンの重合を行い、その結果を第2表に示し
た。
第1図は、本発駅で用いられる重合触媒の調製工程を示
すフローチャート図である。
すフローチャート図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (A)マグネシウム、チタン、ハロゲン及び電子供与性
化合物を必須成分とする固体触媒成分、 (B)有機金属化合物及び (C)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、R^1は炭素数1〜10個の炭化水素基、OR
^3、SiR^4_3若しくはOSiR^5_3、R^
2は炭素数1〜10個の炭化水素基若しくはSiR^6
_3を示し、R^3、R^4、R^5及びR^6はそれ
ぞれ炭素数1〜10個の炭化水素基を示す。〕 のジメトキシシラン化合物及び (D)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、R^7は炭素数2〜10個の炭化水素基若しく
はSiR^1^1_3、R^8は炭素数1〜10個の炭
化水素基若しくはSiR^1^2_3、R^9及びR^
1^0は同一か異なる炭素数1〜10個の炭化水素基を
示し、R^1^1及びR^1^2は炭素数1〜10個の
炭化水素基を示す。〕 のアルコキシシラン化合物 からなる重合触媒の存在下、α−オレフィンを重合する
ことからなるポリα−オレフィンの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23575590A JP2873064B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | ポリα―オレフィンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23575590A JP2873064B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | ポリα―オレフィンの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04117411A true JPH04117411A (ja) | 1992-04-17 |
JP2873064B2 JP2873064B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=16990755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23575590A Expired - Fee Related JP2873064B2 (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | ポリα―オレフィンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2873064B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7521512B2 (en) | 2003-06-24 | 2009-04-21 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc | Catalyst composition and polymerization process using mixture of silane electron donors |
JP2014147109A (ja) * | 2014-04-07 | 2014-08-14 | Sony Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
US8923511B2 (en) | 1997-04-23 | 2014-12-30 | Sony Corporation | Enciphering apparatus and method, deciphering apparatus and method as well as information processing apparatus and method |
JP2015029243A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 情報処理装置および情報処理方法 |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23575590A patent/JP2873064B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8923511B2 (en) | 1997-04-23 | 2014-12-30 | Sony Corporation | Enciphering apparatus and method, deciphering apparatus and method as well as information processing apparatus and method |
US9467287B2 (en) | 1997-04-23 | 2016-10-11 | Sony Corporation | Enciphering apparatus and method, deciphering apparatus and method as well as information processing apparatus and method |
US7521512B2 (en) | 2003-06-24 | 2009-04-21 | Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Llc | Catalyst composition and polymerization process using mixture of silane electron donors |
JP2015029243A (ja) * | 2013-11-22 | 2015-02-12 | ソニー株式会社 | 情報処理装置および情報処理方法 |
JP2014147109A (ja) * | 2014-04-07 | 2014-08-14 | Sony Corp | 情報処理装置および情報処理方法 |
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---|---|
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