JPH04106944A - ウエハの試験方法 - Google Patents

ウエハの試験方法

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JPH04106944A
JPH04106944A JP22479490A JP22479490A JPH04106944A JP H04106944 A JPH04106944 A JP H04106944A JP 22479490 A JP22479490 A JP 22479490A JP 22479490 A JP22479490 A JP 22479490A JP H04106944 A JPH04106944 A JP H04106944A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
probe
tester
height
Prior art date
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Pending
Application number
JP22479490A
Other languages
English (en)
Inventor
Yuji Miyagi
雄治 宮城
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPH04106944A publication Critical patent/JPH04106944A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野1 本発明はウェハ検査工程におけるウェハの試験方法に関
し、特にウェハの測定結果に基づいてプローブカードの
特性検査をプローバに取付けた状態でテスタを用いて測
定しつつウェハの試験を行う方法に関する。
〔従来の技術1 従来におけるウェハ検査工程でのウェハの試験方法につ
いて第2図のフロー図を用いて説明する。
図において、プローバにウェハをセットし、測定条件を
設定するための操作10(以下「セットアツプ」と称す
。)を行う工程で不良が設定数連続して発生した場合に
プローバにアラームを発生させるための連続不良設定1
1を行い、同様に特定のBINが連続して発生したとき
プローバにアラームを発生させるための連続BIN設定
I2を行い一連のセットアツプ操作を終了させ、ウェハ
をロード13L、ステージに乗せアライメント14を行
い、プローバに接続したテスタを用いてウェハの測定を
開始15する。
テスタに接続したプローブカードのプローブが接触して
いるウェハ上のICの測定結果が良品か否かを判断+6
L、良品であれば現在測定していウェハの全ICの測定
が完了したか否かを判断17シ、全ICの測定が完了し
ていなければ次のICへインデックスし、再び測定を開
始15する。全ICの測定が完了したならば全ウェハを
測定したか否かを判断18し、まだ残っていればウェハ
をアンロードし、次のウェハをロード13シ、上記操作
を繰り返す。
ICの測定結果判断工6で不良品の場合は連続不良か否
かを判断19シ、連続不良でなければ連続BINか否か
を判断20シ、連続BINでなければ不良ICに対して
マーキング21を行い、残りのICがあるか否かを判断
171.、、同様に繰り返す。
連続不良の判断19あるいは、連続BINの判断20で
連続不良又は連続したBINの値がプローバに設定した
設定値に達した場合、基本的チエツク22としてプロー
ブカードのプローブとICのパッドの位置が合っている
か否かを判断し、合っていなければアライメントのズレ
又は特定のプローブのズレのいずれであるかを判断23
シ、アライメントズレの場合は、アライメント14から
操作を繰り返し、特定プローブがズしている場合は、プ
ローブカードの交換24を行い、測定中のウェハと残り
分のウェハについてセットアツプ10から行う。
基本的なチエツク22で問題がなければ測定を中断25
シ、テスタの機能チエツクを行いテスタの良否の判断2
6を行い、不良であればテスタの修理27を行う。この
判断においてテスタが正常であれば、プローバからプロ
ーブカードを外しチエツク28を行いプローブカード専
用の測定器でプローブの高さバラツキ、接触抵抗値、リ
ーク量の測定を行い良否の判断29を行い、プローブカ
ードに問題がなければ製品の問題30と判断し、測定続
行あるいは廃棄の選択を行って作業を続行する。
プローブカードを不良と判断したときはプローブカード
を交換3Iシ、測定中のウェハと残り分のウェハについ
てセットアツプ10から作業を行っていた。
[発明が解決しようとする課題] 最近のウェハ検査工程においては、DRAMのような大
量生産に合わせた多数個並列測定の比率の増大、ASI
C,TAB等に関してはプローブカードが多ビン化して
きいおり年々増加していく傾向にあるが、現在のプロー
ブカードの技術では、従来のシングル測定で、かつ少数
ビンのプローブカードと比較し、価格は5〜20倍位に
なったが、価格とは相反してプローブの長さの変化、プ
ローブピッチの縮小化、針量角度の多段化からプローブ
の寿命は従来よりも172〜1710位になっている。
従ってウェハ検査工程におけるプローブカードの信頼性
を従来のように得ることが困難になってきた。
このため測定時のコンタクト回数に対するプローブカー
ドのチエツク回数が増大し、テスタ、プローバの検査装
置そのものの性能、信頼性は向上しているのに稼動率が
向上しないという問題点があった。
またプローブカードのチエツク作業の増加により作業工
数も増加し、ウェハのテストコストも従来より上昇する
という問題点があった。
本発明の目的はプローブカードを外すことなく自動的に
良否を判定し、稼動率を向上させるウェハの試験方法を
提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
前記目的を達成するため、本発明に係るウェハの試験方
法においては、テスタによる最小分解能の電流値よりも
少ない電流が流れる程度の絶縁抵抗を有する絶縁板をス
テージに設置し、ステージ表面の高さとステージに乗せ
たウェハの厚さを容量センサーで測定し、その測定結果
を記憶し、かつ該ウェハをプローブカードのプローブに
接触させたときの高さを記憶し、ウェハの測定結果に基
づいて、ステージに設置した前記絶縁板を前記プローブ
の下まで移動させ、テスタに測定条件設定変更の信号を
出力し、記憶させた高さデータから絶縁板がプローブに
接触する高さを求め、該高さに任意設定値を加えた位置
までステージを上昇させ、テスタてプローブカードの特
性を検査させ、基準範囲内の値であるか否かを判断しな
からウェハの測定を行うものである。
[作用] テスタから受は取ったデータを基に連続した不良又は連
続したBINの値がプローバで設定した値に達した場合
、プローバのステージの一部に取付けられた絶縁板をプ
ローブに自動的に接触させ、テスタでプローブカードの
特性の検査を行う。
[実施例] 次に本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1) 第】図は本発明の一実施例を示すフロー図である。
図において、処理ステップ50〜61は第2図の従来例
における処理ステップ10〜21に対応するものであり
、説明を一部省略する。
まず、連続不良設定5I及び連続BIN設定52を行う
。次に、テスタによる最小分解能の電流値よりも少ない
電流が流れる程度の絶縁抵抗を有する絶縁板をステージ
の表面と同一高さに設置する。ここで、ウェハの径9位
置及び厚さを測定する容量センサーを用いて、ステージ
表面の高さとステージに乗せたウェハの厚さを測定し、
その測定結果をプローバの制御部に記憶させ、かつステ
ージ上のウェハをプローブカードのプローブに接触させ
たときの高さをプローバの制御部に記憶させる。
次にプローブカードのプローブをウェハ上の各rCに接
触させて特性測定を行う。
連続不良の判断59あるいは、連続BIN60で連続し
た不良又は連続したBINの値がプローバで設定した設
定値に達した場合、プローバの制御部よりテスタへIC
の測定プログラムからプローブカードの特性検査を行う
ためのプログラムに変更させる測定条件設定変更信号6
2を送り、またステージに取付けた絶縁板をプローブ下
へ移動63させ、プローブの制御部に記憶させた高さデ
ータから計算を行い適正な接触が得られるようにプロー
ブカードのプローブに絶縁板をコンタクト64させ、テ
ストスタート信号をテスタへ送り、交換したプログラム
を実行させ、プローブカードの絶縁板を用いたリーク量
の特性検査65を行い、プローブカードの良否を判断6
6シ、不良であればテスタのプログラムを測定プログラ
ムに戻すために測定条件設定信号72を送り、作業を中
断67aし、プローブカードを交換68シ、結果が良好
であれば同様に作業を中断67bし、テスタの機能チエ
ツクを行いテスタの良否の判断69を行い、不良であれ
ばテスタの修理70を行う。この判断においてテスタが
正常であれば製品の問題71と判断し、測定続行あるい
は廃棄の選択を行いウェハ検査工程の作業を続行させる
(実施例2) 実施例1で説明した絶縁板の一部にステージ表面と同一
高さになるように設置した導電性の高い ・金属(例え
ば金メツキしたプレート)(以下「プレートJと称す。
)を設けることにより、絶縁板だけではテスタを用いて
プローブカードのリーク量だけしか測定できなかったも
のをリーク量測定後プレーシ側にステージを動かし接触
位置を換えることにより自動的にプローブの高さバラツ
キ及び接触抵抗値も含んだ測定を行うことができるとい
う利点がある。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、ステージに絶縁板を取付
けることにより通常のウェハ測定において連続した不良
又は連続したBINが設定値に達した場合、プローブカ
ードを外すことなく自動的に良否を判定することもでき
、稼動率を従来より向上させることができる効果がある
またプローブカードのチエツク作業も同様に自動的に行
えるようになったので作業工数を減少させることができ
、ウェハのテストコストを下げることができる効果も有
する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明にかかるウェハの試験方法を示すフロー
図、第2図は従来例を示すフロー図である。 特許出願人  日本電気株式会社 V+

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)テスタによる最小分解能の電流値よりも少ない電
    流が流れる程度の絶縁抵抗を有する絶縁板をステージに
    設置し、ステージ表面の高さとステージに乗せたウエハ
    の厚さを容量センサーで測定し、その測定結果を記憶し
    、かつ該ウエハをプローブカードのプローブに接触させ
    たときの高さを記憶し、ウエハの測定結果に基づいて、
    ステージに設置した前記絶縁板を前記プローブの下まで
    移動させ、テスタに測定条件設定変更の信号を出力し、
    記憶させた高さデータから絶縁板がプローブに接触する
    高さを求め、該高さに任意設定値を加えた位置までステ
    ージを上昇させ、テスタでプローブカードの特性を検査
    させ、基準範囲内の値であるか否かを判断しながらウエ
    ハの測定を行うことを特徴とするウエハの試験方法。
  2. (2)前記絶縁板の一部に導電抵抗値の低い金属を有す
    ることを特徴とする請求項第(1)項記載のウエハの試
    験方法。
JP22479490A 1990-08-27 1990-08-27 ウエハの試験方法 Pending JPH04106944A (ja)

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JP22479490A JPH04106944A (ja) 1990-08-27 1990-08-27 ウエハの試験方法

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JPH04106944A true JPH04106944A (ja) 1992-04-08

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ID=16819307

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JP22479490A Pending JPH04106944A (ja) 1990-08-27 1990-08-27 ウエハの試験方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111929566A (zh) * 2020-08-20 2020-11-13 厦门市三安集成电路有限公司 晶圆测试方法、装置及其控制设备

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111929566A (zh) * 2020-08-20 2020-11-13 厦门市三安集成电路有限公司 晶圆测试方法、装置及其控制设备

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