JPS6030147A - 半導体ウェ−ハ - Google Patents
半導体ウェ−ハInfo
- Publication number
- JPS6030147A JPS6030147A JP13797383A JP13797383A JPS6030147A JP S6030147 A JPS6030147 A JP S6030147A JP 13797383 A JP13797383 A JP 13797383A JP 13797383 A JP13797383 A JP 13797383A JP S6030147 A JPS6030147 A JP S6030147A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- pellet
- pads
- displacement
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明Ｉｉ半導体ウェーハに関し、特にチェックパター
ンを備えたペレット領域を含む半導体ウェーハに関する
。
ンを備えたペレット領域を含む半導体ウェーハに関する
。
半導体集積回路（以下半導体ＩＣと記す）の製造工程に
半導体クエーハ検査が有り、半導体ウェーハ上に製作さ
れ、後で切断されたと＠１つのベレットになるＩＣベレ
ット領域（以下単にＩＣベレットと起す）が良品か不良
品かの選別を行なっている。
半導体クエーハ検査が有り、半導体ウェーハ上に製作さ
れ、後で切断されたと＠１つのベレットになるＩＣベレ
ット領域（以下単にＩＣベレットと起す）が良品か不良
品かの選別を行なっている。
半導体ウェーハの検査は、半導体ウェーハテストシステ
ムにより行なわれており、ＩＣテスターとウェーハプロ
ーバーより構成されている。ウェーハプローバーｔｉＩ
ｃペレットのポンディングパッドにプローブカードの探
針群を正！ｉ？ｉＫ接続させる為の装置である。
ムにより行なわれており、ＩＣテスターとウェーハプロ
ーバーより構成されている。ウェーハプローバーｔｉＩ
ｃペレットのポンディングパッドにプローブカードの探
針群を正！ｉ？ｉＫ接続させる為の装置である。
ＩＣテスターはＩＣベレットの電気特性を測定するもの
で、電圧印加電圧測定、電圧印加電流測定、電流印加電
圧測定等の測定機能が有る。
で、電圧印加電圧測定、電圧印加電流測定、電流印加電
圧測定等の測定機能が有る。
ウェーハ検査の工程は、ウェーハプローバーにより１コ
ースアライメント及び７アインアフイメントを行ないＩ
Ｃベレットのポンディングパッドにグローブカードの探
針を目合わせし、ＩＣテスターにスタート信号を出す。
ースアライメント及び７アインアフイメントを行ないＩ
Ｃベレットのポンディングパッドにグローブカードの探
針を目合わせし、ＩＣテスターにスタート信号を出す。
ＩＣテスターはスタート信号を受けてテス）ｋＷ行し、
良品、不良品信号とテストエンド信号を出す。ウェーハ
プローバーは良品、不良品信号による処理全行ない、テ
ストエンド信号によりテストの終了を認識する。
良品、不良品信号とテストエンド信号を出す。ウェーハ
プローバーは良品、不良品信号による処理全行ない、テ
ストエンド信号によりテストの終了を認識する。
テスト終了を認識すると５次のＩＣペレットにプローブ
カードの探針群を付文てを行ないスタート信号全ＩＣテ
スターに出す。
カードの探針群を付文てを行ないスタート信号全ＩＣテ
スターに出す。
この様にしてＩＣベレットの試験を次々に実行していき
半導体ウェーハの試験を完了させる。ところで、このウ
ェーハ検査工程でプローブカードの探針が接触したポン
ディングパッドには付文あとの傷かのこる。ところでこ
のウェーハ検査工程中に探針がポンディングパッドの測
定点よジ位置ずれしく以後針すれと記す）探針の先端が
ポンディングパッド以外の部分にかかると、その位置に
傷をつけてしまう。しかし探針の一部がポンディングパ
ッドに接触している限りでは電気特性測定上は何等支障
ないので測定は連続して進行してしまう。しかし針ずれ
によりポンディングパッド以外に傷のついたＩＣベレッ
トは電気特性が良品でも組立後の信頼性が低下するので
不良品としている。従って多くの不良品を出してしまう
とｂう問題が生ずる。
半導体ウェーハの試験を完了させる。ところで、このウ
ェーハ検査工程でプローブカードの探針が接触したポン
ディングパッドには付文あとの傷かのこる。ところでこ
のウェーハ検査工程中に探針がポンディングパッドの測
定点よジ位置ずれしく以後針すれと記す）探針の先端が
ポンディングパッド以外の部分にかかると、その位置に
傷をつけてしまう。しかし探針の一部がポンディングパ
ッドに接触している限りでは電気特性測定上は何等支障
ないので測定は連続して進行してしまう。しかし針ずれ
によりポンディングパッド以外に傷のついたＩＣベレッ
トは電気特性が良品でも組立後の信頼性が低下するので
不良品としている。従って多くの不良品を出してしまう
とｂう問題が生ずる。
ウェーハプロービングに於いて起る針ずれの原因として
は、 ウェーハプローバーは、ファインアライメントを行なう
のにレーザ光線全利用しているが、ウェーハの表面状態
に依存しており、ＩＣベレットの位置検出個所の表面状
態が粗れていて表面状態を誤認識した場合に針ずれとな
る。
は、 ウェーハプローバーは、ファインアライメントを行なう
のにレーザ光線全利用しているが、ウェーハの表面状態
に依存しており、ＩＣベレットの位置検出個所の表面状
態が粗れていて表面状態を誤認識した場合に針ずれとな
る。
又、プローブカードの探針が曲がってしまったり、プロ
ーバーのＸ軸及びＹ軸の送り機構、精度が劣化して累積
的にずれた場合にも針ずれの原因となる。
ーバーのＸ軸及びＹ軸の送り機構、精度が劣化して累積
的にずれた場合にも針ずれの原因となる。
以上の様な原因で起こる針ずれに対して従来の半導体ウ
ェーハテストシステムには、針ずれ全検出する機能がな
く、針ずれの検出は、作業者の目視による発見に依存し
ていた。この為、従来の半導体ウェーハテストシステム
は、自動化されたシステムであるにもかかわらず、正常
動作を確認する為に止めなければならなかった。この針
ずれの検出作業は、針ずれしていないときは、システム
の停止時間と作業者の工数からして大きな損失である。
ェーハテストシステムには、針ずれ全検出する機能がな
く、針ずれの検出は、作業者の目視による発見に依存し
ていた。この為、従来の半導体ウェーハテストシステム
は、自動化されたシステムであるにもかかわらず、正常
動作を確認する為に止めなければならなかった。この針
ずれの検出作業は、針ずれしていないときは、システム
の停止時間と作業者の工数からして大きな損失である。
又、針ずれを発見した場合でも、針ずれが発生して発見
されるまでの間の良品ＩＣペレットは針ずれによりポン
ディングパッド以外に傷を生じ不良品にしてしまってい
ることが多いという問題点があった。
されるまでの間の良品ＩＣペレットは針ずれによりポン
ディングパッド以外に傷を生じ不良品にしてしまってい
ることが多いという問題点があった。
図面を参照し従来例を更に詳しく説明する。第１図は従
来の半導体ウェーッ・に於いて、ポンディングパッドに
対して１個所が針ずれを起Ｃしている状況を示す図であ
る。図において、ＩＣペレットｌにはポンディングパッ
ド２が整列して多数個形成されており、グローブカード
の探針群の接触によリボンディングパッドに付文あと５
が形成されるが、左上のポンディングパッドでは針ずれ
により傷がポンディングパッド外に発生している。
来の半導体ウェーッ・に於いて、ポンディングパッドに
対して１個所が針ずれを起Ｃしている状況を示す図であ
る。図において、ＩＣペレットｌにはポンディングパッ
ド２が整列して多数個形成されており、グローブカード
の探針群の接触によリボンディングパッドに付文あと５
が形成されるが、左上のポンディングパッドでは針ずれ
により傷がポンディングパッド外に発生している。
通常ポンディングパッドの周囲はシリコン酸化［（Ｓｉ
０２）等の絶縁物にて構成されているので表面に針ずれ
が起り絶縁膜に傷がついても直ちに特性に関係すること
な（、ＩＣペレット１が電気特性で良品であるならば試
験結果は良品となる。
０２）等の絶縁物にて構成されているので表面に針ずれ
が起り絶縁膜に傷がついても直ちに特性に関係すること
な（、ＩＣペレット１が電気特性で良品であるならば試
験結果は良品となる。
しかしＩＣペレット１は１個所に針ずれが生じているの
で、組立て後の信頼性の問題から外観検査により不良品
とぜざるを得なくなり前に述べたような問題点が発生す
る。
で、組立て後の信頼性の問題から外観検査により不良品
とぜざるを得なくなり前に述べたような問題点が発生す
る。
本発明の目的は、上記した問題点全解決し、ＩＣベレッ
トの歩留りを向上し、半導体ウェーハテストシステムの
稼動率を向上し、作業工数を低減できる・半導体クエー
ハを提供することにある。
トの歩留りを向上し、半導体ウェーハテストシステムの
稼動率を向上し、作業工数を低減できる・半導体クエー
ハを提供することにある。
本発明の半導体ウェーッ・は、半導体集積回路の機能と
は関係のない導電性パターンをそれぞれのポンディング
パッドの周辺にこれと隣接絶縁して設けたベレット領域
金倉んで構成される。
は関係のない導電性パターンをそれぞれのポンディング
パッドの周辺にこれと隣接絶縁して設けたベレット領域
金倉んで構成される。
次に５本発明の実施例について１図面を参照して説明す
る。
る。
第２図、第３図は本発明の詳細な説明するための半導体
ウェーハの要部パターン模式図である。
ウェーハの要部パターン模式図である。
第２図において、工はＩＣベレット、２はボンアイング
パッド、３は針ずれ検出用のパターンでボンティングバ
ッドの周辺に絶縁パターン６により絶縁されて設けられ
ている。４は針ずれ検出用バッドである。
パッド、３は針ずれ検出用のパターンでボンティングバ
ッドの周辺に絶縁パターン６により絶縁されて設けられ
ている。４は針ずれ検出用バッドである。
以上の構成によるＩＣペレット１の検査にあたっては、
ウェーハテストシステムのプローブカードの探針群全ポ
ンディングパッドの上に位置させ電気的特性を測定する
が、上記探針がすべて所定のポンディングパッド上にあ
るときは正規の測定がされると共に探針はポンディング
パッド上から外れないため針ずれは何等生じない。
ウェーハテストシステムのプローブカードの探針群全ポ
ンディングパッドの上に位置させ電気的特性を測定する
が、上記探針がすべて所定のポンディングパッド上にあ
るときは正規の測定がされると共に探針はポンディング
パッド上から外れないため針ずれは何等生じない。
しかしながら第２図に示すようにポンディングパッドの
左上の探針がずれると図示のように針の傷がポンディン
グパッド外に生じ、ＩＣペレットは不良品となる。しか
し本ＩＣペレットには針ずれ検出用パターンが設けであ
るので探針によりポンディングパッドと針ずれ検出用パ
ターンは導通状態となり針ずれが生じたことが検出でき
る。
左上の探針がずれると図示のように針の傷がポンディン
グパッド外に生じ、ＩＣペレットは不良品となる。しか
し本ＩＣペレットには針ずれ検出用パターンが設けであ
るので探針によりポンディングパッドと針ずれ検出用パ
ターンは導通状態となり針ずれが生じたことが検出でき
る。
第４図は全探針が針ずれした場合全示し、各ボンティン
グバッド２と針ずれ検出用パターン３は従って、ＩＣテ
スターにより各ポンディングパッド２間及び各ボンティ
ングバッド２と針ずれ検出用パッド４との間の抵抗値を
測定し、導通状態であったならばＩＣテスターより傍報
償号を出し。
グバッド２と針ずれ検出用パターン３は従って、ＩＣテ
スターにより各ポンディングパッド２間及び各ボンティ
ングバッド２と針ずれ検出用パッド４との間の抵抗値を
測定し、導通状態であったならばＩＣテスターより傍報
償号を出し。
警報手段全動作させ５作業者に針ずれを知らせることが
できる。
できる。
第４図は本発明による針ずれ検出用パターンを設けたＩ
Ｃペレットの一例の要部の説明用拡大図である。図に於
いて、ポンディングパッド２と針ずれ検出用パターン３
は例えばシリコン酸化膜などの絶縁パターン６により絶
縁されている。しかもこれ全境界する絶縁パターンは狭
く形成されているので探針の接触により両者は容易に導
通状態となり針ずれが容易に検出できる。
Ｃペレットの一例の要部の説明用拡大図である。図に於
いて、ポンディングパッド２と針ずれ検出用パターン３
は例えばシリコン酸化膜などの絶縁パターン６により絶
縁されている。しかもこれ全境界する絶縁パターンは狭
く形成されているので探針の接触により両者は容易に導
通状態となり針ずれが容易に検出できる。
なお、針ずれ検出用パターンは半導体ウェーハ上の全て
のペレットに施こしても、また選ばれた個所のペレット
のみに施こしてもよい。
のペレットに施こしても、また選ばれた個所のペレット
のみに施こしてもよい。
以上説明したように本発明によれば、従来のＩＣテスタ
ーで検出不可能であった針ずれによる不良品の検出が可
能になりＩＣペレットの歩留りが向上し、また半導体ク
エー７１テストシステムの稼動率が向上し１作業者の作
業工数を低減できる半導体ウェーハを得ることができる
。
ーで検出不可能であった針ずれによる不良品の検出が可
能になりＩＣペレットの歩留りが向上し、また半導体ク
エー７１テストシステムの稼動率が向上し１作業者の作
業工数を低減できる半導体ウェーハを得ることができる
。
第１図は従来の半導体ウェーハに形成したＩＣペレット
のポンディングパッド及び針ずれにより生じｆｃ渇を示
す図、第２図、第３図は本発明の詳細な説明するための
半導体ウェーハの要部パターン模式図、第４図は本発明
の一実施例の要部パターン拡大図である。 ｌ・・・・・・ＩＣペレット、２・・・・・・ポンディ
ングパッド、３・・・・・・針ずれ検出用パターン、４
・・・・・・針ずれ検出用パッド、５−・・・・・針車
あと、６・・・・−・絶縁パターン。 畢Ｚ例 半３回 ＋４国
のポンディングパッド及び針ずれにより生じｆｃ渇を示
す図、第２図、第３図は本発明の詳細な説明するための
半導体ウェーハの要部パターン模式図、第４図は本発明
の一実施例の要部パターン拡大図である。 ｌ・・・・・・ＩＣペレット、２・・・・・・ポンディ
ングパッド、３・・・・・・針ずれ検出用パターン、４
・・・・・・針ずれ検出用パッド、５−・・・・・針車
あと、６・・・・−・絶縁パターン。 畢Ｚ例 半３回 ＋４国
Claims (1)
- 半導体集積回路の機能とは関係のない導電性パターンを
それぞれのポンディングパッドの周辺にこれと隣接、絶
縁して設けたベレット領域を含むことを特徴とする半導
体ウェーハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13797383A JPS6030147A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 半導体ウェ−ハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13797383A JPS6030147A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 半導体ウェ−ハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030147A true JPS6030147A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15211066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13797383A Pending JPS6030147A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 半導体ウェ−ハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030147A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137350A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| US6413035B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-07-02 | Amada Company, Limited | Sheet working system |
| JP2005333128A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Samsung Electronics Co Ltd | プローブパッド、半導体素子の搭載された基板、半導体素子検査方法及び半導体素子テスター |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114349A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Detecting method for displacement in testing stage of wafer |
| JPS5843535A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Nec Corp | 半導体ウエハ− |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13797383A patent/JPS6030147A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114349A (en) * | 1980-02-15 | 1981-09-08 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Detecting method for displacement in testing stage of wafer |
| JPS5843535A (ja) * | 1981-09-09 | 1983-03-14 | Nec Corp | 半導体ウエハ− |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02137350A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| US6413035B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-07-02 | Amada Company, Limited | Sheet working system |
| JP2005333128A (ja) * | 2004-05-18 | 2005-12-02 | Samsung Electronics Co Ltd | プローブパッド、半導体素子の搭載された基板、半導体素子検査方法及び半導体素子テスター |
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