JPH0371510A - 透明導電膜 - Google Patents
透明導電膜Info
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- JPH0371510A JPH0371510A JP20719789A JP20719789A JPH0371510A JP H0371510 A JPH0371510 A JP H0371510A JP 20719789 A JP20719789 A JP 20719789A JP 20719789 A JP20719789 A JP 20719789A JP H0371510 A JPH0371510 A JP H0371510A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野１
本発明は透明導電膜に関し、特に液晶デイスプレィ、エ
レクトロルミネセンス、エレクトロクロミックデイスプ
レィ等の透明電極に用いるのに好適な透明導電膜に関す
る。
レクトロルミネセンス、エレクトロクロミックデイスプ
レィ等の透明電極に用いるのに好適な透明導電膜に関す
る。
〔従来の技術］
透明導電膜としては金、白金等の金属あるいは酸化錫、
酸化インジウム等の酸化物を基板上に成膜したものが知
られている。このなかで液晶表示等に用いられるのは酸
化インジウムに酸化錫を添加したＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉ
ｕｍｕ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ）が主流である。それは
ＩＴＯの高透明性、低抵抗性の他、エツチング性、化学
的安定性、基板への付着性等が良好なためである。
酸化インジウム等の酸化物を基板上に成膜したものが知
られている。このなかで液晶表示等に用いられるのは酸
化インジウムに酸化錫を添加したＩ Ｔ Ｏ（Ｉｎｄｉ
ｕｍｕ−Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ ）が主流である。それは
ＩＴＯの高透明性、低抵抗性の他、エツチング性、化学
的安定性、基板への付着性等が良好なためである。
原子価制御に基づく半導体化機構による透明導電膜の低
抵抗化技術はＩＴＯのほか、次の様な例がある。
抵抗化技術はＩＴＯのほか、次の様な例がある。
特開昭５９−１６３７０７ではＩＴＯに酸化ルテニウム
、酸化鉛、酸化銅を添加し、最も良い値として、比抵抗
０．７Ｘ １０−’Ω”ＣｌＲ５ｌＲ５光透過電８８％
を得ている。特開昭５９−７１２０５ではＩＴＯに酸化
りんを１．０１〜３ ｗｔ％添加し最も良い値として、
１０００大厚さにて抵抗０．３Ω／口（比抵抗３ Ｘ
１０−’Ω・Ｃ■）、光透過率９０％の特性を得ている
。特開昭６１−２９４７０３では酸化インジウムにフッ
化アルミニウムを添加し最も良い値として、６００大厚
さにて抵抗２２０Ω／口（１３Ｘ １０−’Ω・Ｃ１１
）、光透過率８５％の特性を得ている。特開昭６３−７
８４０４ではＩＴＯにフッ化アルミニウムを添加し最も
良い値として、 ｔｓｏｏＸ厚さにて５Ω／口（０，７
５Ｘ １０−’Ω・Ｃ■）、光透過率８４％の特性を得
ている。
、酸化鉛、酸化銅を添加し、最も良い値として、比抵抗
０．７Ｘ １０−’Ω”ＣｌＲ５ｌＲ５光透過電８８％
を得ている。特開昭５９−７１２０５ではＩＴＯに酸化
りんを１．０１〜３ ｗｔ％添加し最も良い値として、
１０００大厚さにて抵抗０．３Ω／口（比抵抗３ Ｘ
１０−’Ω・Ｃ■）、光透過率９０％の特性を得ている
。特開昭６１−２９４７０３では酸化インジウムにフッ
化アルミニウムを添加し最も良い値として、６００大厚
さにて抵抗２２０Ω／口（１３Ｘ １０−’Ω・Ｃ１１
）、光透過率８５％の特性を得ている。特開昭６３−７
８４０４ではＩＴＯにフッ化アルミニウムを添加し最も
良い値として、 ｔｓｏｏＸ厚さにて５Ω／口（０，７
５Ｘ １０−’Ω・Ｃ■）、光透過率８４％の特性を得
ている。
特開昭６３−１７８４１４にはＩＴＯに酸化テルルを添
加し、最も良い値として１． Ｉ Ｘ １０−’Ω・Ｃ
１１＋ノ抵抗の膜、特開昭６４−１０５０７にはＩＴＯ
に酸化ケイ素を０．１〜５ ｗｔ％添加し、最も良い値
として、１．９６ｘ ｉｏ−’Ω・Ｃｌ１１の抵抗の膜
の記載が見られる。
加し、最も良い値として１． Ｉ Ｘ １０−’Ω・Ｃ
１１＋ノ抵抗の膜、特開昭６４−１０５０７にはＩＴＯ
に酸化ケイ素を０．１〜５ ｗｔ％添加し、最も良い値
として、１．９６ｘ ｉｏ−’Ω・Ｃｌ１１の抵抗の膜
の記載が見られる。
一方、還元に基づく半導体化により透明導電膜の低抵抗
を計る例としては、Ｕ Ｓ Ｐ ４，３９９．１９４が
ある。
を計る例としては、Ｕ Ｓ Ｐ ４，３９９．１９４が
ある。
Ｕ Ｓ Ｐ ４．３９９．１９４では酸化インジウムに
酸化ジルコニウムを４０〜６０ ｗ ｔ、％添加し、比
抵抗４．４×ｉｎ−’Ω・ｃａｎ、光透過率８０％の特
性を得ている。
酸化ジルコニウムを４０〜６０ ｗ ｔ、％添加し、比
抵抗４．４×ｉｎ−’Ω・ｃａｎ、光透過率８０％の特
性を得ている。
透明導電膜の成膜方法としては真空蒸着、イオンブレー
ティング、スパッタリング等の物理蒸着法、熱分解等の
化学反応で成膜する化学蒸着法、スプレー、デイツプ等
による塗布法等がある。このなかで膜の緻密性が良く低
抵抗膜が容易に得られることから物理蒸着法、そのなか
でもスパッタリング法が主流となっている。
ティング、スパッタリング等の物理蒸着法、熱分解等の
化学反応で成膜する化学蒸着法、スプレー、デイツプ等
による塗布法等がある。このなかで膜の緻密性が良く低
抵抗膜が容易に得られることから物理蒸着法、そのなか
でもスパッタリング法が主流となっている。
［発明が解決しようとする課題１
ここ数年、ワープロ、テレビ用等に液晶表示が多用され
、その液晶画面の大型化が進んできた結果、従来の透１
１１１導電膜の比抵抗値を悪（することなく、光透過率
を向上させる必要が生じてきたにの際に、比抵抗値を低
抵抗で維持することは、電極の膜厚を薄くすることがで
き、そのため良好なエツチング性も可能となるのである
。透明導電膜の膜厚が２００ロスを越えるとエツチング
時間が長くなり、パターンの断線、膜表面状態の悪化に
よる抵抗不均一性等を起こし歩留りの低下をきたす。
、その液晶画面の大型化が進んできた結果、従来の透１
１１１導電膜の比抵抗値を悪（することなく、光透過率
を向上させる必要が生じてきたにの際に、比抵抗値を低
抵抗で維持することは、電極の膜厚を薄くすることがで
き、そのため良好なエツチング性も可能となるのである
。透明導電膜の膜厚が２００ロスを越えるとエツチング
時間が長くなり、パターンの断線、膜表面状態の悪化に
よる抵抗不均一性等を起こし歩留りの低下をきたす。
本発明は、従来使用されている透明導電膜の比抵抗２
Ｘ １０−’Ω・ｃｍは維持することは勿論、更により
低い比抵抗値のものを目指し、導電膜をより３くし、エ
ツチング時間を短縮するとともに歩留りを向上し、更に
光透過率として９０％程度を確保することを本発明の剛
的とし、先願にない元素の添加につき検討した。
Ｘ １０−’Ω・ｃｍは維持することは勿論、更により
低い比抵抗値のものを目指し、導電膜をより３くし、エ
ツチング時間を短縮するとともに歩留りを向上し、更に
光透過率として９０％程度を確保することを本発明の剛
的とし、先願にない元素の添加につき検討した。
［課題を解決するための手段］
本発明者はある金属酸化物にその金属と異なる価数の元
素を添加すると原子価制御により半導体化することに着
目し、酸化インジウム（Ｉｎ２０ａ ）を主成分とする
透明導電膜において、３価以外の元素を添加して低抵抗
化する際、３価のインジウムイオン半径より小さい元素
イオンで格子間イオンとして存在でき、格子の歪が大き
くならない様な元素の添加につき種々検討した結果、本
発明に到った。
素を添加すると原子価制御により半導体化することに着
目し、酸化インジウム（Ｉｎ２０ａ ）を主成分とする
透明導電膜において、３価以外の元素を添加して低抵抗
化する際、３価のインジウムイオン半径より小さい元素
イオンで格子間イオンとして存在でき、格子の歪が大き
くならない様な元素の添加につき種々検討した結果、本
発明に到った。
すなわち、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）を主成分とす
る透明導電膜において、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）または
酸化リン（ｐａｏｓ）の一種を含有することを特徴とす
る透明導電膜を見出した。
る透明導電膜において、酸化ニッケル（Ｎｉｐ）または
酸化リン（ｐａｏｓ）の一種を含有することを特徴とす
る透明導電膜を見出した。
Ｉｎ□Ｏ８にＮｉＯあるいはＰ２Ｏ５を添加すると、抵
抗が下がる。特にＮｉＯを２〜２５ ｍｏ１％添加した
ときあるいはＰＪＳを１−１１−１Ｏ％添加したとき比
抵抗は２ Ｘ １０−’Ω・Ｃｌ１ｌ以下となり好まし
い。
抗が下がる。特にＮｉＯを２〜２５ ｍｏ１％添加した
ときあるいはＰＪＳを１−１１−１Ｏ％添加したとき比
抵抗は２ Ｘ １０−’Ω・Ｃｌ１ｌ以下となり好まし
い。
また従来のＩＴＯで添加されているＳｎＯ□の一部をＰ
２Ｏ，によって置換えても同様の良好な効果が得られる
。
２Ｏ，によって置換えても同様の良好な効果が得られる
。
この場合、ＩＴＯに含有されるＳｎｕｇは２０ ｍｏ１
％以下のものにつき効果がある。
％以下のものにつき効果がある。
透明導電膜の成膜法としては、スパッタリング法、電子
ビーム蒸着法が一般的であるが、他にイオンブレーティ
ング法、化学蒸着法、塗布法等があり、各成膜方法に適
した原料により適宜その方法が選ばれる。
ビーム蒸着法が一般的であるが、他にイオンブレーティ
ング法、化学蒸着法、塗布法等があり、各成膜方法に適
した原料により適宜その方法が選ばれる。
スパッタリング法、電子ビーム蒸着法では、蒸着材とし
て、インジウムと添加元素の酸化物の焼結体またはこれ
らの合金が用いられる。
て、インジウムと添加元素の酸化物の焼結体またはこれ
らの合金が用いられる。
蒸着材としての酸化物焼結体は、その原料として酸化物
、金属、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等が用いら
れ、これらのインジウムおよび添加元素を含む化合物を
ボールミル等により混合し、 ＮｉＯを添加したもの
は４００〜１４００’Ｃで、Ｐ２Ｏ，。
、金属、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硫酸塩等が用いら
れ、これらのインジウムおよび添加元素を含む化合物を
ボールミル等により混合し、 ＮｉＯを添加したもの
は４００〜１４００’Ｃで、Ｐ２Ｏ，。
を添加したものは４００〜７００℃で粉末状態で仮焼後
、ＰＶＡ、ＰＶＢ等のバインダーを加え、スプレードラ
イ等で造粒し、 ５００〜２．０００ ｋｇ／ ｃ ｄ
程度で成形して焼結して造られる。
、ＰＶＡ、ＰＶＢ等のバインダーを加え、スプレードラ
イ等で造粒し、 ５００〜２．０００ ｋｇ／ ｃ ｄ
程度で成形して焼結して造られる。
焼結温度はＮｉＯを添加したものは８００〜１６００℃
、Ｐ２Ｏ５を添加したものは４００〜７００℃である。
、Ｐ２Ｏ５を添加したものは４００〜７００℃である。
スパッタリングで成膜する場合には、蒸着材としての焼
結体または合金と被成膜基板とをセットした後ｌロー’
Ｔｏｒｒ以下に真空引きした後、酸素とＡｒとをモル比
にて０．５：９．５から４：６の範囲の割合で、特に合
金の場合には４：６程度の強い酸化性雰囲気で、Ｉ ｘ
１０−” 〜５ ｘ １０−”Ｔｏｒｒ程度まで混合
ガスを導入し、基板温度２００〜３５０℃で蒸着速度１
０λ／ｓｅｃ以下で成膜する。
結体または合金と被成膜基板とをセットした後ｌロー’
Ｔｏｒｒ以下に真空引きした後、酸素とＡｒとをモル比
にて０．５：９．５から４：６の範囲の割合で、特に合
金の場合には４：６程度の強い酸化性雰囲気で、Ｉ ｘ
１０−” 〜５ ｘ １０−”Ｔｏｒｒ程度まで混合
ガスを導入し、基板温度２００〜３５０℃で蒸着速度１
０λ／ｓｅｃ以下で成膜する。
この際、０□分圧がＬ記の値より低過ぎると、膜の透過
率が低く抵抗値も高い。０２分圧が高くなると透過率が
高くなり、抵抗値は低下してくるが、高くなり過ぎると
抵抗値は、逆に増加する。また、基板温度も２００℃未
満では透過率、抵抗値が劣り、 ３５０℃を越えるとま
た抵抗値が劣る。蒸着速度が■０ス／ｓｅｃを越えても
膜の透過率、抵抗値が劣る。
率が低く抵抗値も高い。０２分圧が高くなると透過率が
高くなり、抵抗値は低下してくるが、高くなり過ぎると
抵抗値は、逆に増加する。また、基板温度も２００℃未
満では透過率、抵抗値が劣り、 ３５０℃を越えるとま
た抵抗値が劣る。蒸着速度が■０ス／ｓｅｃを越えても
膜の透過率、抵抗値が劣る。
以上のことを考慮しつつ、膜の透過率が９０％以上で、
もっとも低い抵抗値をとるスパッタリング条件を選ぶこ
とになる。
もっとも低い抵抗値をとるスパッタリング条件を選ぶこ
とになる。
また、電子ビーム蒸着法で成膜する場合には。
Ａｒガスは導入しないが酸素ガスを導入し、基板加熱す
ることは、スパッタリングと同様で、蒸着速度は電子ビ
ームの電圧、電流、ビーム径で決まる。０□分圧、基板
温度、蒸着速度を適当に選び、透過率９０％以上で抵抗
値の最も低い膜を得る。最初の到達真空度としては１０
−’ＴｏｒｒＬｕ下とし、その後の０□分圧をＯ，５Ｘ
１０−’〜４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、基板温度２０
０〜４００℃、蒸着速度０．５〜１０７％ ／ ｓｅｅ
が適当な条件である。
ることは、スパッタリングと同様で、蒸着速度は電子ビ
ームの電圧、電流、ビーム径で決まる。０□分圧、基板
温度、蒸着速度を適当に選び、透過率９０％以上で抵抗
値の最も低い膜を得る。最初の到達真空度としては１０
−’ＴｏｒｒＬｕ下とし、その後の０□分圧をＯ，５Ｘ
１０−’〜４ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ、基板温度２０
０〜４００℃、蒸着速度０．５〜１０７％ ／ ｓｅｅ
が適当な条件である。
スパッタリング、電子ビーム蒸着法、化学蒸着法、塗面
法等の成膜法のうちではスパッタリングが最も広い添加
量の範囲で低抵抗膜が得られることが知られている。
法等の成膜法のうちではスパッタリングが最も広い添加
量の範囲で低抵抗膜が得られることが知られている。
被成膜基板としては、ガラス、プラスチックのシートや
フィルム等あるいは、それらに保護膜や機能性膜を施し
たもの等が用いられる。
フィルム等あるいは、それらに保護膜や機能性膜を施し
たもの等が用いられる。
〔実施例Ｊ
以下１本発明を実施例にて詳しく説明する。
実施例１〜５、比較例１〜２
Ｉｎｚ０３に対しＮｉＯを添加するものにつき、表・Ｌ
に示す組成になる様に、ＩｎｚＬとＮｉＯとを秤量し、
エタノールを加え５０％スラリー濃度にてナイロン製ボ
ールミルで４８時時間式混合した。得られたスラリーを
６０℃にて乾燥し、１４００℃で大気中で１０時間仮焼
した。次に、それをナイロン製ボールミルにて２４時時
間式粉砕した。この粉砕粉に対し、２，５％ＰＶＡ水溶
液を２０ｗｔ％加えて、スプレードライヤにて、平均粒
径２０μに造粒した。
に示す組成になる様に、ＩｎｚＬとＮｉＯとを秤量し、
エタノールを加え５０％スラリー濃度にてナイロン製ボ
ールミルで４８時時間式混合した。得られたスラリーを
６０℃にて乾燥し、１４００℃で大気中で１０時間仮焼
した。次に、それをナイロン製ボールミルにて２４時時
間式粉砕した。この粉砕粉に対し、２，５％ＰＶＡ水溶
液を２０ｗｔ％加えて、スプレードライヤにて、平均粒
径２０μに造粒した。
この顆粒を１ｔｏｎ／ｃｒｒ１′で加圧成形し、直径７
０ｎｍ＋ｍφ、厚さｌ Ｏｍｍの成形体を得た。
０ｎｍ＋ｍφ、厚さｌ Ｏｍｍの成形体を得た。
この成形体を大気中にて１４５０℃で１５時間焼成し、
スパッタリングターゲットを造った。
スパッタリングターゲットを造った。
このターゲットを高周波マグネトロンスパッタリング装
置にセットし、Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで真空に引
いた後、酸素とアルゴンガスをｎ＋ｏｌ比で１：９の割
合で５ Ｘ １０”３Ｔｏｒｒまで導入し、スライドグ
ラス（寸法７６Ｘ ２６Ｘ １ ｍｎ１）基板を３００
℃に加熱し、成膜速度３ス／ｓｅｅの条件で透明導電膜
を作成した。
置にセットし、Ｉ Ｘ １Ｏ−５Ｔｏｒｒまで真空に引
いた後、酸素とアルゴンガスをｎ＋ｏｌ比で１：９の割
合で５ Ｘ １０”３Ｔｏｒｒまで導入し、スライドグ
ラス（寸法７６Ｘ ２６Ｘ １ ｍｎ１）基板を３００
℃に加熱し、成膜速度３ス／ｓｅｅの条件で透明導電膜
を作成した。
得られた透明導電膜の膜厚、光透過率、比抵抗の特性を
測定し、それらを表・ｌに併記した。
測定し、それらを表・ｌに併記した。
膜厚は成膜時にマスキングし膜生成後、膜とマスキング
を除去した基板との段差をランクテーラーボブソン（構
製タリステップによる段差測定で求めた。
を除去した基板との段差をランクテーラーボブソン（構
製タリステップによる段差測定で求めた。
光透過率は、東海光学＠４製分光器にて５５０ｎｍ光の
透過率である。
透過率である。
また、比抵抗は膜とに直線−Ｌに４ケ所導線を半田付け
し、４端子法により測定した。
し、４端子法により測定した。
膜化後の組成は厳密にはスパッタリングターゲット組成
よりずれるが、添加元素の含量のずれは、±０．０５
ｍｏ１％程度であることを化学分析により確めた。
よりずれるが、添加元素の含量のずれは、±０．０５
ｍｏ１％程度であることを化学分析により確めた。
表・ｌでわかる様にＮｉＯの添加量が増ずに従い、比抵
抗が次第に減少するが９．５ ｍｏ１％程度を越えると
逆に比抵抗は増加した。
抗が次第に減少するが９．５ ｍｏ１％程度を越えると
逆に比抵抗は増加した。
表・ｌに示した範囲では光透過率は９０％以上であり、
ＮｉＯの添加量が２〜２５ ｍｏ１％の範囲で従来のＩ
ＴＯの値２ Ｘ １０−’Ω・ＣＪより優れた比抵抗を
示した。
ＮｉＯの添加量が２〜２５ ｍｏ１％の範囲で従来のＩ
ＴＯの値２ Ｘ １０−’Ω・ＣＪより優れた比抵抗を
示した。
実施例６〜ＩＯ１比較例２〜４
Ｉｎ２ｏｉにｐ２ｏ、を添加するものにつき、表・ｌに
示す組成に対し、仮焼温度４００℃、焼成温度５５０℃
としたほかは実施例１〜５と同様にスパッタリングター
ゲットを造り、同一条件でスパッタリングし、透明導電
膜を作成した。それらの膜特性も表・ｌに示した。
示す組成に対し、仮焼温度４００℃、焼成温度５５０℃
としたほかは実施例１〜５と同様にスパッタリングター
ゲットを造り、同一条件でスパッタリングし、透明導電
膜を作成した。それらの膜特性も表・ｌに示した。
ｐ２ｏ、の添加量が増すに従い、比抵抗はまずは減少し
ていくが、６ｍｏ１％を越えると逆に増加した。
ていくが、６ｍｏ１％を越えると逆に増加した。
ＰｚＯｓの添加３１１．１〜１０ ｍｏ１％のａｉｌｉ
囲で比抵抗２Ｘ １０−’Ω・Ｃｌ１１未満の優れた特
性を示した。
囲で比抵抗２Ｘ １０−’Ω・Ｃｌ１１未満の優れた特
性を示した。
実施例１１〜１３
ＩｎＪｓにＳｎｕｇを添加したＩＴＯにつきその５ｎＯ
ｚの添加の一部に対し、ＰｚＯｓを添加したものとして
表・１に示す組成のもので検討した。スパッタリングタ
ーゲットの造り方およびスパッタリング条件は実施例６
〜１０と同様にした。その膜特性値も表・ｌに示した。
ｚの添加の一部に対し、ＰｚＯｓを添加したものとして
表・１に示す組成のもので検討した。スパッタリングタ
ーゲットの造り方およびスパッタリング条件は実施例６
〜１０と同様にした。その膜特性値も表・ｌに示した。
（以下余白）
〔発明の効果１
本発明のＮｉＯまたはＰ２Ｏ，のＩｎｚＯａに対する添
加による透明導電膜は、従来のＩＴＯの膜特性を凌ぐ特
性を有し、膜厚を薄くすることが可能となり、エツチン
グ性の改善、更にはそれに伴う歩留りの向上を来たすも
のである。
加による透明導電膜は、従来のＩＴＯの膜特性を凌ぐ特
性を有し、膜厚を薄くすることが可能となり、エツチン
グ性の改善、更にはそれに伴う歩留りの向上を来たすも
のである。
手
Claims (1)
- 酸化インジウム（Ｉｎ＿２Ｏ＿３）を主成分とする透明
導電膜において、酸化ニッケル（ＮｉＯ）または酸化リ
ン（Ｐ＿２Ｏ＿５）の一種を含有することを特徴とする
透明導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20719789A JPH0371510A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 透明導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20719789A JPH0371510A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 透明導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371510A true JPH0371510A (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=16535853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20719789A Pending JPH0371510A (ja) | 1989-08-10 | 1989-08-10 | 透明導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0371510A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5780755A (en) * | 1994-12-23 | 1998-07-14 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
| JP2005292768A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-10-20 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Ｔｆｔ基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びｔｆｔ基板の製造方法 |
| WO2009138774A1 (en) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Bizesp Limited | A process for the manufacture of a high density ito sputtering target |
| WO2010035716A1 (ja) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | 日鉱金属株式会社 | 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 |
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| US9028726B2 (en) | 2008-09-25 | 2015-05-12 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Oxide sintered compact for producing transparent conductive film |
| CN107327758A (zh) * | 2016-04-11 | 2017-11-07 | 美蓓亚三美株式会社 | 角度调整装置以及照明装置 |
-
1989
- 1989-08-10 JP JP20719789A patent/JPH0371510A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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