WO2007055231A1

WO2007055231A1 - ＳｎＯ２系スパッタリングターゲットおよびその製造方法

Info

Publication number: WO2007055231A1
Application number: PCT/JP2006/322253
Authority: WO
Inventors: Taizo Morinaka
Original assignee: Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.
Priority date: 2005-11-09
Filing date: 2006-11-08
Publication date: 2007-05-18
Also published as: TWI336731B; JP4851777B2; KR100948557B1; KR20070096017A; TW200718797A; JP2007131891A; CN101128618A

Abstract

　高い相対密度を有し、異常放電やパーティクルの発生を防止しながら、高い成膜速度で、低い比抵抗および高い透過率の両方を兼ね備えたスパッタ膜を形成することができる、高性能なスパッタターゲットの提供。　このスパッタリングターゲットは、ＳｎＯ２を主成分とし、Ｎｂ２Ｏ５およびＴａ２Ｏ５を合計量で１．１５～１０質量％含んでなり、Ｎｂ２Ｏ５／Ｔａ２Ｏ５の含有量質量比が０．１５～０．９０である、未焼結の成形体を１５５０～１６５０°Cで焼結することを含んでなる方法により製造される。

Description

SnO系スパッタリングターゲットおよびその製造方法

2

発明の背景

[0001] 発明の分野

本発明は、 SnO系スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関するものであ

2

り、具体的には、フラットパネルディスプレイ、抵抗式タツチパネル、太陽電池等の透明導電膜の形成に使用される SnO系スパッタターゲットおよびその製造方法に関す

2

るものである。

[0002] 普晋術

近年、 SnO系透明導電膜力フラットパネルディスプレイ、抵抗式タツチパネル、

2

太陽電池等の幅広い用途に用いられている。この SnO系透明導電膜は、工業的に

2

は、スプレー法や CVD法により製造されるのが主流である。し力し、これらの方法は、膜厚を大面積に均一化することには適しておらず、成膜プロセスの制御も困難であり、さらには成膜時に汚染物質である塩素系ガスを生成し得ることから、これらの欠点の無、新たな製造方法が求められて、る。

[0003] 一方、スパッタリング法による SnO系透明導電膜の製造も試みられている。しかし、

2

スパッタリングへの使用に耐えうる SnO系のスパッタターゲットの入手が困難なため

2

、広く普及していない。これは、 SnOが難焼結性の物質であるため、スパッタリング

2

への使用に好適な高密度焼結体の製造が困難であることによるものである。また、電極材として要求される低抵抗なスパッタ膜を得るために、 Sb Oを添カロして SnOの

2 3 2 比抵抗を下げた SnO系のスパッタターゲットも知られている力焼結性改善効果は

2

小さいものであった。

[0004] Ta、 Nb等を含有する、焼結密度が 4· OgZcm³以上の SnO系スパッタリングター

2

ゲットが知られている（例えば、特許文献 1 (特開 2000— 273622)参照)。また、 Ta 、 Nb等を含有する、比抵抗が 1 X 10⁷ Ω 'cm以下の SnO系スパッタリングターゲット

2

も知られて、る（特許文献 2 (特開 2000 - 281431)参照)。これらの文献の実施例において、スパッタリングターゲットの焼結は 1500°Cで行われている。しかしながら、近年需要が高まって、るプラズマディスプレイパネル (PDP)用の透明電極膜として要求される、低ヽ比抵抗および高、透過率の両方の特性を兼ね備えたスパッタ膜の製造を可能とする SnO系スパッタリングターゲットについては、未だ報告がなされて

2

いない。

[0005] 特許文献 1：特開 2000— 273622号公報

特許文献 2：特開 2000 - 281431号公報

発明の概要

[0006] 本発明者らは、今般、 SnOを主成分とし、 Nb Oおよび Ta Oを合計量で 1. 15

2 2 5 2 5

〜10質量％含んでなり、 Nb O /Ta Oの含有量質量比が 0. 15〜0. 90である、

2 5 2 5

未焼結の成形体を 1550〜1650°Cで焼結することにより、高い相対密度を有し、異常放電やパーティクルの発生を防止しながら、高い成膜速度で、低い比抵抗および高、透過率の両方を兼ね備えたスパッタ膜を形成することができる、高性能な SnO

2 系スパッタターゲットを製造できるとの知見を得た。

[0007] したがって、本発明は、高、相対密度を有し、異常放電やパーティクルの発生を防止しながら、高い成膜速度で、低い比抵抗および高い透過率の両方を兼ね備えたスノッタ膜を形成することができる、高性能な SnO系スパッタターゲットを製造すること

2

をその目的としている。

[0008] そして、本発明による SnO系スパッタリングターゲットの製造方法は、

2

SnOを主成分とし、 Nb Oおよび Ta Oを合計量で 1. 15〜10質量％含んでなり

2 2 5 2 5

、 Nb O /Ta Oの含有量質量比が 0. 15〜0. 90である、未焼結の成形体を用意

2 5 2 5

し、

該成形体を 1550〜1650°Cで焼結すること

を含んでなる方法である。

[0009] また、本発明による SnO系スパッタリングターゲットは、 SnOを主成分とし、 Nb O

2 2 2 5 および Ta Oを合計量で 1. 15〜10質量％含んでなり、 Nb O /Ta Oの含有量

2 5 2 5 2 5

質量比が 0. 15〜0. 90である、 SnO系スパッタリングターゲットであって、

2

X線源として CuK aを用いた X線回折により、回折角 2 0力 ¾2〜23° および 28〜 29° における Nb Oに起因するピークが実質的に観察されないものである。

2 5

図面の簡単な説明 [0010] [図 1]実施例 2および比較例 6で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られたスパッタ膜についての、ァニール後の比抵抗および透過率ピーク値と、酸素流量 (分圧)との関係を示す図である。

[図 2]実施例 4で作製されたスパッタリングターゲットの X線回折を示す図である。

[図 3]実施例 8で作製されたスパッタリングターゲットの X線回折を示す図である。

[図 4]比較例 7で作製されたスパッタリングターゲットの X線回折を示す図である。発明の具体的説明

[0011] SnO系スパッタリングターゲットの製诰方法

2

本発明の方法においては、まず、 SnOを主成分とし、 Nb Oおよび Ta Oを合計

2 2 5 2 5 量で 1. 15〜10質量％含んでなり、 Nb O /Ta Oの含有量質量比が 0. 15〜0. 9

2 5 2 5

0である、未焼結の成形体を用意する。 Nb Oおよび Ta Oが合計量で 1. 15〜： L0

2 5 2 5

質量％であると、焼結密度を向上させながら、固溶できない Taおよび Nbの増加による膜比抵抗の上昇を防止して低い膜比抵抗を実現しやすくなる。好ましい Nb Oお

2 5 よび Ta Oの合計量は、 1. 15〜8質量％であり、より好ましくは 3. 5〜6質量％、さら

2 5

に好ましくは 4〜6質量％である。また、 Nb O /Ta Oの含有量質量比を 0. 15〜0

2 5 2 5

. 90とすることにより、液相焼結により高密度化に寄与する Nb O量を確保して焼結

2 5

密度の低下を防止しながら、スパッタ成膜した膜比抵抗の上昇を防止することができる。好ましい Nb O /Ta Oの含有量質量比は、 0. 15〜0. 60であり、より好ましく

2 5 2 5

は 0. 17〜0. 33であり、さらに好ましくは 0. 20〜0. 33である。

[0012] 本発明において未焼結の成形体は、上記組成を含む原料粉を成形したものであればいかなる方法により成形されたものであってもよぐ例えば、 SnO粉末、 Nb O粉

2 2 5 末、 Ta O粉末を上記組成を満たすような配合量比で混合して原料粉を調製し、こ

2 5

の原料粉を成形することにより作製することができる。

[0013] 本発明の好ましい態様によれば、原料粉を用いた未焼結体の成形体は、原料粉にバインダーを添加して所定の形状を付与し易くするのが好ましい。このようなバインダ一としては、加熱により消失ないし飛散する公知のバインダーであれば限定されず、ポリビニルアルコール水溶液等が使用可能である。したがって、この態様にあっては、焼結に先立ち、バインダーが飛散ないし消失するように、未焼結の成形体が乾燥され、その後加熱 (脱脂）されるのが好ましい。乾燥および加熱の方法は限定されるものではないが、先ず 50〜130°Cで 5〜30時間乾燥を行い、次いで 500〜800°Cで 6 〜24時間加熱して脱脂を行うのが好ま、。

[0014] 本発明の好ましい態様によれば、未焼結の成形体は、焼結密度をさらに向上させるため、 Fe O、 NiO、 CoO、 In O、またはこれらの混合物をさらに含有することが

2 3 2 2 3

できる。これらの金属酸化物を添加する場合、その合計添力卩量は 100〜7000ppmとするの力 S好ましく、より好ましく ίま 350〜7000ppm、さらに好ましく ίま 700〜7000pp mである。

[0015] 本発明の別の好ま、態様によれば、未焼結の成形体は、スパッタリングターゲットの比抵抗をさらに低下させるため、 Al O、 SiO、 Y O、またはそれらの混合物をさ

2 3 2 2 3

らに含有することができる。これらの金属酸化物を添加する場合、これらの金属酸ィ匕物、 Nb O、および Ta Oの合計添カ卩量が 20質量％以下となるような添カ卩量とする

2 5 2 5

のが好ましい。

[0016] 本発明の更に別の好ましい態様によれば、未焼結の成形体は、焼結密度をさらに向上させるため、 Ga O、 Bi O、 Mn O、 Fe O、 NiO、 CoO、またはそれらの混合

2 3 2 3 2 3 2 3

物をさらに含有することができる。これらの金属酸化物を添加する場合、これらの金属酸化物、 Nb O、および Ta Oの合計添カ卩量が 20質量％以下となるような添カ卩量と

2 5 2 5

するのが好ましい。

[0017] 次に、本発明の方法においては、上記の通り用意された未焼結の成形体を 1550 〜1650°Cで焼結する。この温度範囲内で焼結を行うことにより、液相焼結が充分に進行して焼結密度を高くすることができ、スパッタ膜にぉ、て比抵抗値最小時の透過率を高くすることができ、さらには、 SnOの溶融を防止して所望の形状の焼結体の

2

作製を行い易くすることができる。好ましい焼結温度は 1550〜1600°Cである。この温度範囲内においては、焼結体内部の温度差を小さくできるので、焼結体の反りを有効に防止して生産性を更に向上することができる。

[0018] 本発明の好ましい態様によれば、焼結は、 2〜20時間行われるのが好ましぐより好ましくは 3〜 12時間であり、さらに好ましくは 4〜8時間である。この範囲内であると、電力消費量を抑制し、かつ高い生産性を確保しながら、充分に焼結を行うことができる。

[0019] 本発明の好ましい態様によれば、焼結は、高い焼結密度を確保するために酸素含有雰囲気下で行われるのが好ましぐ例えば、酸素加圧雰囲気下、酸素雰囲気下、あるいは大気雰囲気下でが行うことができる。

[0020] SnO系スパッタリングターゲット

2

上述した本発明の製造方法により製造された SnO系スパッタリングターゲットは、 S

2

ηθを主成分とし、 Nb Oおよび Ta Oを合計量で 1. 15〜10質量％含んでなり、 N

2 2 5 2 5

b O /Ta Oの含有量質量比が 0. 15〜0. 90でなり、 X線源として CuK a線（ λ =

2 5 2 5

1. 54050Α)を用!/、た X線回折により、回折角 2 0力 22〜23° および 28〜29° における Nb Oに起因するピークが実質的に観察されないものであることができるが、

2 5

本発明の製造方法により製造されたものであれば必ずしもこれに限定されるものではない。すなわち、本発明の製造方法において、未焼結の成形体は 1550〜1650°C で焼結されるが、本発明者らの知見によれば、この範囲内の焼結温度で得られる焼結体にあっては、 X線源として Cuを用いた X線回折により、回折角 2 Θ力 22〜23° および 28〜29° における Nb Oに起因するピークが観察されない。このような本発

2 5

明の SnO スパッ

2系タリングターゲットは、高い相対密度を有し、異常放電やパーティクルの発生を防止しながら、高い成膜速度で、低い比抵抗および高い透過率の両方を兼ね備えたスパッタ膜を形成することができる。

[0021] 本発明の好ま、態様によれば、上記 X線回折の測定は、 X線回折装置 (MXP3、 MAC Science社製）を用いて、管電圧： 40kV、管電流： 30mA、サンプリング間隔 : 0. 02° 、スキャン速度: 4°CZ分、発散スリット： 1° 、散乱スリット： 1° 、受光スリット : 0. 3mmの条件で行われるのが好ましい。そして、本発明の好ましい態様によれば、上記好適条件での X線回折により、回折角 2 Θ力 ¾2〜23° および 28〜29° において X線強度 (Intensity)の最高値が 100未満であるのが好ましい。なお、もし仮に上記好適条件の X線回折よりも更に高い感度の X線回折により Nb Oに起因するピ

2 5

ークが観察されたとしても、上記好適条件下での X線回折により Nb Oに起因するピ

2 5

ークが実質的に観察されない限り、本発明の範囲に包含される。

[0022] 本発明の好ましい態様によれば、 SnO系スパッタリングターゲットは、 90%以上の、アルキメデス法により測定される相対密度を有するのが好ましぐ好ましくは 93%以上、さらに好ましくは 96%以上である。このように高い相対密度を有することにより、スノッタリング中における異常放電やパーティクルの発生を有効に防止することができる。なお、このアルキメデス法による測定は室温で行われるのが好ましい。

[0023] 本発明の好ましい態様によれば、 SnO系スパッタリングターゲットは、膜比抵抗値

2

が I X 10~² Ω ' cm以下のスパッタ膜の製造に使用されるのが好ましい。本発明の Sn O系スパッタリングターゲットによれば、このように低い膜比抵抗値を確保しながら、

2

透過率の高!、スパッタ膜を製造することができる。

[0024] 本発明の好ましい態様によれば、 SnO系スパッタリングターゲットは、紫外可視分

2

光光度計により測定される波長 500〜600nmの光の透過率のピーク値が 96%以上であるスパッタ膜の製造に使用されるのが好ましい。本発明の SnO系スパッタリング

2

ターゲットによれば、このように高い光透過率を確保しながら、膜抵抗値の低いスパッタ膜を製造することができる。

実施例

[0025] 実施例 1

まず、以下の 3種類の原料粉末を用意した。

SnO粉末：純度 99. 99% (4N)、平均粒径 0. 7〜1.： L m、比表面積 2. 0〜2.

Ta O粉末：純度 99. 9% (3N)、平均粒径 0. 6〜0. 8 m、比表面積 2. 0〜3. 1

2 5

2 /

m / g

Nb O粉末：純度 99. 9% (3N)、平均粒径 0. 6〜1. O ^ m,比表面積 2. 1〜2. 7

2 5

2 /

m / g

[0026] 次いで、上記 SnO粉末 96. 5質量％と、上記 Ta O粉末 3質量％と、上記 Nb O

2 2 5 2 5 粉末 0. 5質量％とを、ボールミルで 21時間混合した。この混合粉にポリビニルアルコール水溶液を添加し、 400 X 800mm寸法の金型に充填し、 800kgZcm²の圧力にてプレス成形した。この成形体を 80°Cで 12時間乾燥させた後、 600°Cで 4時間脱脂した。この脱脂体を、大気雰囲気において、焼成温度 1600°Cで 4時間焼成し、焼結体を得た。この際、昇温速度および降温速度は共に 100°CZ時間に制御した。得られた焼結体をカ卩ェして、直径 6インチ（152mm)、厚さ 5mmの大きさの SnO系スパ

2 ッタリングターゲットとした。

[0027] 実施例 2〜 7ならびに比較例 1〜 5および 9

表 1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと以外は、実施例 1と同様にして、 SnO系スパッタリングターゲットを作製した。

2

[0028] 実施例 8

表 1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと、および焼成温度を 1550°Cにしたこと以外は、実施例 1と同様にして、 SnO系スノ ¾ /タリングターゲットを作製した。

2

[0029] 比較例 6および 7

表 1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと、および焼成温度を 1500°Cにしたこと以外は、実施例 1と同様にして、 SnO系スノ ¾ /タリングターゲットを作製した。

2

[0030] 比較例 8

表 1に示される組成比率で原料粉末を混合したこと、および焼成温度を 1700°Cにしたこと以外は、実施例 1と同様にして、焼結体としての SnO系スパッタリングターゲ

2

ットを作製を試みた。しかし、 SnOが溶融したため、形状が崩れ、所望の形状を得る

2

ことは出来な力つた。

[0031] 籠

実施例 1〜8ならびに比較例 1〜7および 9において作製されたスノッタターゲットについて、（1)〜（3)の評価を行った。

(1)相対密度の測定

各スパッタリングターゲットの相対密度をアルキメデス法によりを測定した。このとき、各原料の密度を SnO : 6. 95gZcm³、Ta O : 8. 74g/cm³, Nb O :4. 47g/c

2 2 5 2 5

m³として加重平均密度 (理論密度）を算出し、この加重平均密度を 100%として相対密度を算出した。その結果は、表 1に示される通りであった。

[0032] (2)成膜速度の測定

各スパッタリングターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートにメタルボンディングした。この時、スパッタリングターゲットのスパッタ面の中心線平均粗さ Raを測定したところ、 0. 6 m以下であった。また、各スパッタリングターゲットの組成を ICP分析したところ、原料として用いた混合粉の組成と同一であった。そして、メタルボンディングした各スパッタリングターゲットについて、以下に示される条件で、直流電源を用いたマグネトロンスパッタリングを行、、無アルカリガラス基板にスパッタ成膜した。

到達圧力： 1 X 10"⁴Pa

基板温度:室温

導入アルゴン分圧：0. 5Pa

導入酸素流量（分圧）： 0〜3sccm (0〜2 X 10^_2Pa)

直流印加電力： 300W

膜厚：約 140應

基板:無アルカリガラス

[0033] 形成された膜の厚さを触針式表面形状測定器 (Dektak6M、 ULVAC社製）により測定し、得られた厚さを成膜時間で割ることにより、成膜速度を算出した。導入酸素流量 Osccmの時における成膜速度の結果は、表 1に示される通りであった。

[0034] (3)膜比抵抗の測定

スパッタ成膜後、大気雰囲気において、 500°Cで 1時間ァニールを行った。それぞれの膜比抵抗の最小値を測定したところ、表 1に示される通りの結果が得られた。比抵抗は、シート抵抗測定器 (MCP— TP06P、ダイァインスツルメント社製）を用いて四探針法でシート抵抗を測定し、得られたシート抵抗に、触針式表面形状測定器 (D ektak6M、 ULVAC社製）により測定した膜厚を掛けることにより算出した。

[0035] (4)透過率の測定

実施例 2および 4ならびに比較例 6および 7について、透過率の測定を以下の通り行った。ァニール後に比抵抗値が最小となった酸素分圧条件の試料について、紫外可視分光光度計 (UV— 2550、島津社製）を用いて波長 300〜800nmの光の透過率を測定した。このとき、リファレンスとして、ブランクガラスを使用した。実施例 2および 4ならびに比較例 6および 7の全ての試料について波長 500〜600nmに透過率のピークが観察され、その透過率のピーク値は表 2に示される通りであった。

[0036] (5)ァニール後の比抵抗および透過率ピーク値の酸素流量 (分圧)依存性の評価実施例 2および比較例 6で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られた上記スパッタ膜についての、ァニール後の比抵抗および透過率ピーク値と、酸素流量（分圧）との関係は、図 1に示される通りとなった。図 1から分かるように、焼成が 1600 °Cで行われた実施例 2で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られたスパッタ膜の方力焼成が 1500°Cで行われた比較例 6で作製されたスパッタリングターゲットを用いて得られたスパッタ膜と比べて、低ヽ比抵抗が得られる導入酸素流量と高ヽ透過率が得られる導入酸素流量との差力、さぐ比抵抗が最小またはそれに近い酸素分圧下において同時に高い透過率を実現できることが分かる。すなわち、本発明のスパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜を行うことにより、低い比抵抗および高い透過率という二つの重要な性能を、広い導入酸素流量範囲、好ましくは 0. 8〜3 . Osccm以上、より好ましくは 0. 9〜2. 5sccm、さらに好ましくは 1. 0〜2. Osccm、最も好ましくは 1. 0〜1. 5sccmの導入酸素流量範囲、にわたつて、同時に実現できることが分力ゝる。

[表 1]

表

Sn0₂ Ta₂0₅ Nb₂0₅ Nb₂0₅+ Ta₂0₅ 焼結温度相

Nb₂0₅/Ta₂0₅

(wt%) (wt%) (wt%) (wt%) (°C) ( 実施例 1 96.5 3 0.5 0.17 4 1 600 9 実施例 2 96 3 1 0.33 4 1600 9 実施例 3 95 3 2 0.67 5 1600 9 実施例 4 94 5 1 0.20 6 1600 9 実施例 5 92 5 3 0.60 8 1600 9 実施例 6 90 8 2 0.25 10 1 600 9 実施例 7 90 1 0.15 0.15 1.15 1600 9 実施例 8 94 5 1 0.20 6 1550 9 比較例 1 93 3 4 1.33 7 1600 9 比較例 2 95 5 0 0_ 5 1600 7 比較例 3 90 5 5 1 .00 10 1600 9 比較例 4 91 8 1 0.13 9 1600 8 比較例 5 88 8 4 0.50 12 1600 9 比較例 6

比較例 7 94 5 1 0.20 6 1500 6 比較例 8 94 5 1 0.20 6 1700 比較例 9 99.35 0.5 0.15 0.30 1 1600 9

CO

σ 焼密糸度透q

相度率対過oio口皿/ +^ez ^93s

/OiONe ^9s9z I ι CM CD

ο csi

σ <D O O

。 () () ()%c

実施例 2

o o O o

o o o o

CO 実施例 4 io 較例比 6

較例比 7

CD O

CM

co O CO o

CO CO CM

o O o o

o ^

^ %

z ^

°« $ CO in CO m O CD

？ 1 C

a>

(6) X線回折法による評価

実施例 4 8、および比較例 7で作製された厚さ 5mmのスパッタリングターゲットの X 線回折を X線回折装置 (MXP3、 MAC Science社製)を用いて、以下の条件で測定したところ、それぞれ図 2〜4に示される通りの結果が得られた。

線源： CuK a線（又 = 1. 54050A)

管電圧: 40kV

管電流： 30mA

回折角 2 Θの範囲： 20〜40°

サンプリング間隔： 0. 02°

スキャン速度: 4°CZ分

発散スリット： 1°

散乱スリット： 1。

受光スリット： 0. 3mm

[0040] 図 2〜4に示されるように、焼成が 1550°C以上で行われた実施例 4および 8のスパッタリングターゲットの X線回折にあっては、焼成が 1500°Cで行われた比較例 7のスパッタリングターゲットの X線回折で、回折角 2 0力 S22〜23° および 28〜29° に観察される Nb Oに起因するピークが観察されな力つた。なお、上記 2 Θ範囲における

2 5

X線回折強度 (Intensity)は表 3に示される通りであり、上記測定条件においては、 X線回折強度 (Intensity)の最高値が 100未満であれば Nb Oに起因するピークが

2 5

実質的に観察されな力つたと言うことができるであろう。このことから、本発明の組成範囲内においては、焼成が 1500°Cを超える温度、例えば 1550°C以上の温度、で行われることにより、 Nb Oに起因する X線回折ピークが消滅するものと考えられる。

2 5

[0041] [表 3] 表 3

Intensity最高値

2 Θ (° )

実施例 4 実施例 8 比較例 7

22〜23 61 67 279

28〜29 61 63 344

Claims

請求の範囲

[1] SnOを主成分とし、 Nb Oおよび Ta Oを合計量で 1. 15〜10質量％含んでなり

2 2 5 2 5

2 5 2 5

し、

該成形体を 1550〜1650°Cで焼結すること

を含んでなる、 SnO系スパッタリングターゲットの製造方法。

2

[2] 前記焼結が、 2〜20時間行われる、請求項 1に記載の方法。

[3] 前記焼結が、酸素含有雰囲気下で行われる、請求項 1に記載の方法。

[4] 前記未焼結の成形体がバインダーをさらに含んでなり、前記焼成に先立ち、前記バインダーが飛散ないし消失するように、前記未焼結の成形体が乾燥され、その後加熱される、請求項 1に記載の方法。

[5] SnOを主成分とし、 Nb Oおよび Ta Oを合計量で 1. 15〜10質量％含んでなり

2 2 5 2 5

、 Nb O /Ta Oの含有量質量比が 0. 15〜0. 90である、 SnO系スパッタリングタ

2 5 2 5 2

一ゲットであって、

X線源として CuK a線を用いた X線回折により、回折角 2 0力 ¾2〜23° および 28 〜29° における Nb Oに起因するピークが実質的に観察されない、 SnO系スパッ

2 5 2 タリングターゲット。

[6] アルキメデス法により測定される相対密度が 90%以上である、請求項 5に記載の S ηθ系スパッタリングターゲット。

2

[7] 膜比抵抗値が 1 X 10^_2 Ω 'cm以下のスパッタ膜の製造に使用される、請求項 5に記載の SnO系スパッタリングターゲット。

2

[8] 紫外可視分光光度計により測定される波長 500〜600nmの光の透過率のピーク値が 96%以上であるスパッタ膜の製造に使用される、請求項 5に記載の SnO系ス

2 パッタリングターゲット。

[9] 請求項 1〜4のいずれか一項に記載の製造方法により製造された、請求項 5に記載の SnO系スパッタリングターゲット。