JP2005292768A - Tft基板及びスパッタリングターゲット及び液晶表示装置及び画素電極及び透明電極及びtft基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板1と、前記透明基板1上に設けられたAlを主成分とするゲート電極2と、前記透明基板1上に設けられたソース電極7と、前記透明基板1上に設けられたドレイン電極8と、透明基板1上に設けられたシリコン層と、前記透明基板1上に設けられた透明電極である画素電極9と、を備えた液晶表示装置用TFT基板において、前記画素電極9(透明電極)が、酸化インジウムと、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含む導電性酸化物であり、前記画素電極9は、前記Alを主成分とするゲート電極2及び前記ソース電極7及び前記ドレイン電極8からなる群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合している。
【選択図】 図1
Description
これは、本来、AlもITOをエッチングするエッチング液であるHCl−HNO3−H2O系エッチング液に溶解する性質を持っていることに起因する。エッチング液中のHNO3は、Al表面に薄いAl酸化膜を形成し、Alの溶出を防止する意味で添加されているが、ITO膜のエッチング時間が長かったり、Al堆積中に混入したAl膜中の不純物、異物などの欠陥部分が存在すると、局部電池反応によって、上記のAlの酸化効果が十分に作用しないものと考えられる。
一般にこのような構成を採用する場合は、Alゲート線/透明電極、Alソース・ドレイン電極/画素電極との問で接触抵抗が発生することが知られており、通常Al線をTi、Cr、Moなどのバリヤーメタルで覆うことが通常である。このような構成は、下記特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6等に記載されている。
また、Alに各種金属を添加した合金の利用が報告されているが、上記接触抵抗を小さくすることは非常に困難であると予想される。その理由は、Al自体表面に酸化皮膜を形成するからである。この酸化皮膜は絶縁体であり、この絶縁体が接触抵抗を大きくしていると考えられるからである。このような記載は、例えば、下記特許文献7、特許文献8、特許文献9に見られる。
(1)まず、本発明は、透明基板と、前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられたシリコン層と、前記透明基板上に設けられた画素電極と、を備えた液晶表示装置用TFT基板において、前記画素電極が、酸化インジウムと、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含む導電性酸化物であり、この前記画素電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とするTFT基板である。
Alを含むゲート線/透明電極、Alを含むソース・ドレイン電極/画素電極間には、今まで接触抵抗が発生していたが、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドの添加により、接触抵抗を減少させることができる。Alを含むゲート線、Alを含むソース・ドレイン電極に使用されるAl、もしくはAl合金は、Alを主成分としていれば、周期率表のIIIaからVIIIaの重金属もしくはランタノイド系金属を含んでいてもよい。このAlに含まれる元素としてはNd、Ni、Co、Zrなどが好適に用いられる。その含有量は、求められるAlゲート線、Alソース・ドレイン電極の性能にもよるが、0.1重量%〜0.5重量%の範囲がよい。より好ましくは0.5重量%〜2.0重量%である。
添加量が0.005未満では添加効果が小さく、Alを主成分とするゲート電極/透明電極が大きくなってしまう場合もある。ソース・ドレインがAlを含む場合は、Alソース・ドレイン電極/画素電極間の接触抵抗が大きくなってしまう場合もある。その一方、添加量が0.2超では、電極自体の抵抗が大きくなる場合や、電極のエッチング加工時に不良が発生してしまう場合もあるからである。
添加量が0.01未満では、その添加効果が小さく、却って抵抗が大きくなってしまう場合もあり、一方、添加量が0.3超では、抵抗が大きくなってしまう場合や、目的とする改善(Al電極との接触抵抗を小さくする)が困難な場合があるからである。また、スパッタリングターゲット中の結晶粒子の平均直径を10μm未満の大きさにすることによって、ノジュールの発生の少ないスパッタリングターゲットを構成することができる。好ましくは、直径を5μm以下の大きさにすることにより、ノジュールがほとんど発生せず、異常放電も生じにくいスパッタリングターゲットが得られる。
このように、本発明のTFT基板は、Alを含む電極と画素電極との接触抵抗を小さくでき、中間調の表示を良好に行うことができる液晶表示装置を構成するのに有用である。尚、後述する実施の形態で説明するTFTアレイ基板は、TFT基板の好適な一例に相当する。基板上にTFT(薄膜トランジスタ)をアレイ状に配置したものがTFTアレイ基板である。
(5)本発明は、 液晶表示装置用TFT基板に用いられ画素電極であって、液晶を駆動する前記画素電極をスパッタリング法で製造する際に用いるスパッタリングターゲットにおいて、酸化インジウムと、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含む導電性酸化物から成ることを特徴とするAlを主成分とする電極又は配線と電気的に接合可能な画素電極製造用スパッタリングターゲットである。
このようなスパッタリングターゲットを使用することにより、上記構成のTFT基板を効率的に製造することができる。また、スパッタリングターゲット中の結晶粒子の平均直径を10μm未満の大きさにすることにより、ノジュールの発生がほとんどないスパッタリングターゲットを実現することができる。また、エッチング性を改良し、透過率を向上した画素電極を製造することができる。好ましくは、結晶粒子の平均直径を5μm以下の大きさにすることによって、ノジュールの発生も少なく、異常放電も生じにくいスパッタリングターゲットが得られる。
酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、酸化ガリウムを添加することにより、目的に合わせて導電性酸化物の導電性を改善することができる場合がある。また、この添加によって、エッチング加工性を改善できる場合もある。また、この添加によって、透過率を改善することができる場合もある。
また、スパッタリングターゲット中の結晶粒子の平均直径を10μm未満の大きさにすることにより、ノジュールの発生がほとんどないスパッタリングターゲットを実現することができる。好ましくは、結晶粒子の平均直径を5μm以下の大きさにすることによって、ノジュールの発生も少なく、異常放電も生じにくいスパッタリングターゲットが得られる。
添加量が0.01未満では、その添加効果が小さく、却って抵抗が大きくなってしまう場合もあり、一方、0.3超では、抵抗が大きくなってしまう場合や、目的とする改善(Alを含む電極との接触抵抗を小さくする)が困難な場合があるからである。
(9)本発明は、TFT基板と、液晶と、を備えた液晶表示装置において、前記TFT基板は、透明基板と、前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、前記透明基板上に設けられたソース電極と、前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、前記透明基板上に設けられたシリコン層と、前記透明基板上に設けられ、前記液晶を駆動する画素電極と、前記ゲート電極及び前記ソース電極・前記ドレイン電極を保護する透明電極と、を備え、前記画素電極又は前記透明電極は、酸化インジウムと、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、を含む導電性酸化物であり、この前記画素電極又は前記透明電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とする液晶表示装置である。
添加量が0.005未満では添加効果が小さく、Alを主成分とするゲート電極/透明電極、Alソース・ドレイン電極/画素電極間の接触抵抗が大きくなる場合があり、添加量が0.2超では、スパッタリング時に異常放電を起こす場合や、電極自体の抵抗が大きくなる場合や、電極のエッチング加工時に不良が発生する場合もあるからである。また、添加量が0.2超では、液晶表示装置の駆動時に中間調の表示品位が低下する場合があるからである。
酸化スズ、酸化亜鉛、酸化ゲルマニウム、酸化ガリウムを添加することにより、目的に合わせて導電性酸化物の導電性を改善することができる場合がある。また、この添加によって、エッチング加工性を改善できる場合もある。また、この添加によって、透過率を改善することができる場合もある。
また、スパッタリングターゲット中の結晶粒子の平均直径を10μm未満の大きさにすることにより、ノジュールの発生がほとんどないスパッタリングターゲットを実現することができるので、それを用いて液晶表示装置を製造すれば、表示欠陥の少ない液晶表示装置が得られる。好ましくは、結晶粒子の平均直径を5μm以下の大きさにすることによって、ノジュールの発生も少なく、異常放電も生じにくいスパッタリングターゲットが得られ、このスパッタリングターゲットを用いればより一層、表示欠陥の少ない液晶表示装置を製造することができる。
添加量が0.01未満では、その添加効果が小さく、却って抵抗が大きくなってしまう場合もあり、一方、0.3超では、抵抗が大きくなってしまう場合や、目的とする改善(Al電極との接触抵抗を小さくする)が困難な場合があるからである。
次に、画素電極の発明についてその構成を述べる。以下示す発明は、上述したTFT基板等に用いられる画素電極であり、その作用・効果は、上述したTFT基板等と同様である。
次に、透明電極の発明についてその構成を述べる。
(21)本発明は、TFT基板を製造する方法において、前記透明基板上に前記導電性酸化物を堆積し、前記導電性酸化物の薄膜を形成するステップと、前記形成した前記導電性酸化物の薄膜を蓚酸を含む水溶液でエッチングすることによって、前記透明電極を形成するステップと、を含むことを特徴とするTFT基板の製造方法である。
このような構成によって、ソース電極等がAlで構成されている場合でも、透明電極の成形時(エッチング時)に、Alを含むソース電極等が溶出してしまうことを防止することができる。このような作用・効果は、他のエッチング液を用いた下記発明でも同様である。
(24)また、本発明は、前記ランタノイドが、Ce、Nd、Er、Hoから選ばれた1種又は2種以上のランタノイドであることを特徴とする請求項1〜23のいずれかに記載のTFT基板、又は、透明電極製造用スパッタリングターゲット、又は、液晶表示装置、又は、画素電極、又は透明電極、又は、TFT基板の製造方法である。
また、本発明によれば、Alを含むゲート/透明電極、又は、Alを含むソース・ドレイン/画素電極を直接接触・接合させてもその間の接触抵抗を従来より低い値に抑えることができ、中間調の表示が可能な液晶表示装置を提供することができる。
本実施の形態では、まず、液晶表示装置に用いられるTFTアレイ基板中の透明導電膜を形成するのに必要なスパッタリングターゲットの製造を下記A.(実施例1−実施例7)で説明する。このA.では第1群M1中、WとMoを利用した例について説明する。また、B.では比較例を説明する。C.では各透明導電膜とAlとの接触抵抗の測定結果を示す。また、D.では、TFTアレイ基板の製造について説明する。そして、E.では、第1群M1中の他の金属、すなわちNi、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドに関する説明を行う(実施例10−23)。
好ましくは、モリブデン原子が酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶してモリブデンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散しているのがよい。この場合は、スバッタリングにおいて放電も安定し、低抵抗の膜を得るために有効である。この低抵抗の膜は、請求の範囲の導電性酸化物の一例に相当する。
このように分散することにより、平均した結晶粒子の直径は、4.6μmであった。この直径は、画像処理により求めた。
このように分散することにより、平均した結晶粒子の直径は、4.2μmであった。この直径は画像処理により求めた。
まず、炉内容積0.1m3当たり5リットル/分の割合で焼結炉内に酸素を流入させ、1500℃で5時間保持した。この際、1000℃までは1℃/分、1000〜1500℃の間は3℃/分で昇温した。その後、酸素の流入を停止し、1500℃から1300℃までを10℃/分で降温した。その後、炉内容積0.1m3当たり10リットル/分の割合でArを流入させ、1800℃で3時間保持した後、放冷した。得られた焼結体の密度は、水を用いたアルキメデス法に従って測定し、理論密度から相対密度を算出した(表1参照)。尚、この際の理論密度は酸素欠陥のないIn2O3結晶(ビックスバイト型構造)とSnとMoの酸化物の重量分率より算出した。また、焼結体中のSnとMo含有量をICP発光分析法で定量分析したところ、原料粉末を混合する際の仕込み組成が維持されていることが確認できた。確認できた具体的な原子組成比率が表1に示されている。
次に、得られたそれぞれの焼結体を、スバッタ面をカップ砥石で磨き、直径152mm、厚さ5mmに加工して透明導電性薄膜用焼結体ターゲットを得た。これを、In系合金を用いてバッキングプレートに貼り合わせてスパックリング用ターゲットを製造した。
このように分散することにより、結晶粒子の平均直径は、4.5μmであった。この値は、画像処理により求めた。
このように分散することにより、平均した結晶粒子の直径は、4.2μmであった。この値は、画像処理により求めた。
得られた焼結体の破材を粉砕し、粉末X線解析測定を実施したところ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相とトルトバイタイト型構造のIn2Ge2O7相に起因する回折ピークのみ観察されたことから、本発明の特徴を有する酸化物焼結体と判断された。また、焼結体の微細組織のEPMA分析から、酸化インジウム相にはゲルマニウムが固溶していることが確認された。このように分散することにより、平均した結晶粒子の直径は、4.3μmであった。この直径の値は、画像処理により求めた。この焼結体を、直径101mm、厚さ5mmの大きさに加工し、スバッタ面をカップ砥石で磨いてターゲットを作製する。特に、無酸素銅製のバッキングプレートに金属インジウムを用いてボンディングすることによって、スパッタリングターゲットを構成した。
本発明の酸化物焼結体にGe元素を含ませる理由は、このようなターゲットから膜を作製すると、導電率が向上するからである。具体的に言えば、酸化インジウム膜中の原子価が4価であるインジウム位置に原子価4価のゲルマニウムが占有し、これによってキャリア電子を放出して導電率が増大するからである。
また、本発明では、上述のようにターゲット中のゲルマニウム元素を、Ge/In原子比で0.01以上0.3以下の範囲に規定しているが、その理由は、その範囲を逸脱すると、得られる薄膜の抵抗値が増大してしまうからである。
また、タングステン原子が酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することによって、タングステンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が、好ましい。原子レベルで分散している方が、スバッタリングにおいて放電が安定し、得られる透明導電性薄膜を低抵抗にするために有効だからである。この低抵抗の膜は、請求の範囲の導電性酸化物の一例に相当する。
これら3粉末をまず、表1に示すGa/In原子比、W/Inの組成の焼結体を得るように、In2O3粉末とGaO2粉末、WO3粉末を所定の割合で調合し、樹脂製ポットに入れ、湿式ボールミルで混合した。この際、硬質ZrO2ボールを用い、混合時間を24時間とした。混合後、得られたスラリーを取り出し、濾過、乾燥、造粒した。造粒物を冷間静水圧プレスで3ton/cm2の圧力をかけて成形した。
得られた焼結体の破材を粉砕し、粉末X線回折測定を実施したところ、ビックスバイト型構造の酸化インジウム相に起因する回折ピークのみ観察されたことから、本発明の特徴を有する酸化物焼結体と判断された。また、焼結体の微細組織のEPMA分析から、酸化インジウム相にはガリウムが固溶していることが確認された。このように分散することにより、平均した結晶粒子の直径は、4.6μmであった。この直径の値は、画像処理により求めた。この焼結体を、直径101mm、厚さ5mmの大きさに加工し、スパッタ面をカップ砥石で研磨し、ターゲットとした。そして、このターゲットを無酸素銅製のバッキングプレートに金属インジウムを用いてボンディングした。
これに対して、本発明に基づく上記ターゲットでは、ガリウムがインジウムサイトに置換固溶した酸化インジウム、ガリウム酸インジウム化合物のいずれも比抵抗値が低い、つまり高抵抗の粒子が存在しないため、投入パワーを増加させてもアーキングはほとんど生じない。このため、高投入電力による高速成膜が可能となる。
また、好ましくは、タングステン原子が酸化インジウムのインジウムサイトに置換固溶することにより、タングステンが酸化インジウム焼結体中に原子レベルで分散している方が好ましい。この理由は、スパッタリングにおいて放電が安定し、得られる透明導電性薄膜を低抵抗にするために有効だからである。この低抵抗の膜は、請求の範囲の導電性酸化物の一例に相当する。
上記実施例1−実施例7との比較のための例を以下示す。この比較例の内容も表1に示されている。
以下の相違点を除き、上記実施例3とほぼ同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
実施例3と異なる点は、材料としてWO3を用いず、その結果タングステン(W)がスパッタリングターゲットに含まれていない点である。その他の事項は実施例3と同様である。作製したスパッタリングターゲットの相対密度は99%であり、平均粒径は12.8μmであった(表1)。これらの測定は実施例3と同様にして行った。
以下の相違点を除き、上記実施例5とほぼ同様にしてスパッタリングターゲットを作製した。
実施例5と異なる点は、材料としてWO3を用いず、その結果タングステン(W)がスパッタリングターゲットに含まれていない点である。さらに異なる点は、Znの原子組成比([Zn]/([Zn]+[In]))が0.16である点である。ここで、[Zn]は、亜鉛の原子の数を表し、[In]はインジウムの原子の数を表す。その他の事項は実施例5と同様である。作製したスパッタリングターゲットの相対密度は98%であり、平均粒径は3.8μmであった(表1)。これらの測定は実施例5と同様にして行った。
さらに、上記比較例1及び比較例2で得られたスパッタリングターゲットに関しても、同様に測定を行った。その結果も表1に示されている。
まず、透光性のガラス基板1上に金属Al(99%Al、1%Nd)を高周波スパッタによって膜厚1500オングストロームに堆積する。これを燐酸−酢酸−硝酸系水溶液をエッチング液として用いたホトエッチング法によって所望の形状のゲート電極2及びゲート電極2に連なるゲート電極配線2aを形成した。
続いてα−Si:H(n)膜6をSiH4−H2−PH3系の混合ガスを用いて膜厚3000オングストローム堆積する。次にこの上に、Cr/Al二層膜を膜厚0.1μmのCr、0.3μmのAlの順に真空蒸着法、又は、スパッタリング法によって堆積する。
この後、ホトエッチング法にて、ソース電極7及びドレイン電極8間と、透明電極つまり画素電極(画素電極パターン9)とのコンタクトホール12等を形成する。
以下、第1群中のNi、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドに関する実施例を説明する。下記実施例10−23においては、それぞれ実施例1又は2、及び実施例3、5で示した手順を実行し、スパッタリングターゲットを作成し、相対密度、平均粒径を測定した。その結果が表2に示されている。また、実施例8と同様の手順を用いてAlとの接触抵抗を測定した。この結果も表2に示されている。
・上述した例では、第1群M1中、W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドのいずれか1種のみ利用した場合の例を示したが、2種以上利用しても、同様の作用・効果を奏することは言うまでもない。
・上述した例では、第2群M2中、Sn、Zn、Ge、Gaのいずれか1種のみ利用した場合の例を示したが、2種以上利用しても、同様の作用・効果を奏することは言うまでもない。
2 ゲート電極
2a ゲート電極配線
3 ゲート絶縁膜
4 α−Si:H(i)膜
5 ゲート絶縁膜
6 α−Si:H(n)膜
7 ソース電極
8 ドレイン電極
9 画素電極パターン
10 透明樹脂レジスト
12 コンタクトホール
14 ゲート線取り出し部
16 ソース・ドレイン線取り出し部
Claims (24)
- 透明基板と、
前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、
前記透明基板上に設けられたソース電極と、
前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、
前記透明基板上に設けられたシリコン層と、
前記透明基板上に設けられた透明電極と、
を備えた液晶表示装置用TFT基板において、前記透明電極が、
酸化インジウムと、
W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、
を含む導電性酸化物であり、この前記透明電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とするTFT基板。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第1群M1から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M1]/([In]+[M1])が0.005〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項1記載のTFT基板。ここで、前記式中の[M1]は、第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 前記導電性酸化物が、酸化インジウムの他に、
スズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウム、から成る第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のTFT基板。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第2群M2から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M2]/([In]+[M2])が0.01〜0.3の範囲にあることを特徴とする請求項3記載のTFT基板。ここで、前記式中の[M2]は、第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属、すなわちスズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウムのいずれか1種又は2種以上の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 液晶表示装置用TFT基板に用いられ透明電極であって、液晶を駆動する前記透明電極をスパッタリング法で製造する際に用いるスパッタリングターゲットにおいて、
酸化インジウムと、
W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、
を含む導電性酸化物から成ることを特徴とするAlを主成分とする電極又は配線と電気的に接合可能な透明電極製造用スパッタリングターゲット。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第1群M1から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M1]/([In]+[M1])が0.005〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項5記載のスパッタリングターゲット。ここで、前記式中の[M1]は、第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 前記導電性酸化物が、酸化インジウムの他に、
スズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウム、から成る第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項5又は6記載のスパッタリングターゲット。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第2群M2から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M2]/([In]+[M2])が0.01〜0.3の範囲にあることを特徴とする請求項7記載のスパッタリングターゲット。ここで、前記式中の[M2]は、第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属、すなわちスズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウムのいずれか1種又は2種以上の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- TFT基板と、液晶と、を備えた液晶表示装置において、
前記TFT基板は、
透明基板と、
前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、
前記透明基板上に設けられたソース電極と、
前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、
前記透明基板上に設けられたシリコン層と、
前記透明基板上に設けられ、前記液晶を駆動する画素電極と、
前記ゲート電極及びソース電極・前記ドレイン電極を保護する透明電極と、
を備え、前記画素電極又は透明電極は、
酸化インジウムと、
W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、
を含む導電性酸化物であり、この前記画素電極又は透明電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第1群M1から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M1]/([In]+[M1])が0.005〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項9記載の液晶表示装置。ここで、前記式中の[M1]は、第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 前記導電性酸化物が、酸化インジウムの他に、
スズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウム、から成る第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項9又は10記載の液晶表示装置。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第2群M2から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M2]/([In]+[M2])が0.01〜0.3の範囲にあることを特徴とする請求項11記載の液晶表示装置。ここで、前記式中の[M2]は、第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属、すなわちスズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウムのいずれか1種又は2種以上の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 透明基板と、
前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、
前記透明基板上に設けられたソース電極と、
前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、
前記透明基板上に設けられたシリコン層と、
前記透明基板上に設けられた画素電極と、
前記ゲート電極及び前記ソース電極・前記ドレイン電極を保護する透明電極と、
を備えた液晶表示装置用TFT基板に用いられ、液晶を駆動する前記画素電極において、
酸化インジウムと、
W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、
を含む導電性酸化物であり、
さらに、前記画素電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とする画素電極。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第1群M1から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M1]/([In]+[M1])が0.005〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項13記載の画素電極。ここで、前記式中の[M1]は、第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 前記導電性酸化物が、酸化インジウムの他に、
スズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウム、から成る第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項13又は14記載の画素電極。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第2群M2から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M2]/([In]+[M2])が0.01〜0.3の範囲にあることを特徴とする請求項15記載の画素電極。ここで、前記式中の[M2]は、第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属、すなわちスズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウムのいずれか1種又は2種以上の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 透明基板と、
前記透明基板上に設けられたAlを主成分とするゲート電極と、
前記透明基板上に設けられたソース電極と、
前記透明基板上に設けられたドレイン電極と、
前記透明基板上に設けられたシリコン層と、
前記透明基板上に設けられた画素電極と、
前記ゲート電極及び前記ソース電極・前記ドレイン電極を保護する透明電極と、
を備えた液晶表示装置用TFT基板に用いられる前記透明電極において、
酸化インジウムと、
W、Mo、Ni、Nb、Fe、Pt、Pd、ランタノイドから成る第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物と、
を含む導電性酸化物であり、
さらに、前記透明電極は、前記Alを主成分とするゲート電極及び前記ソース電極及び前記ドレイン電極から成る群から選ばれる少なくとも1の電極と直接接合していることを特徴とする透明電極。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第1群M1から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M1]/([In]+[M1])が0.005〜0.2の範囲にあることを特徴とする請求項17記載の透明電極。ここで、前記式中の[M1]は、第1群M1から選択された1種又は2種以上の金属の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 前記導電性酸化物が、酸化インジウムの他に、
スズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウム、から成る第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属の酸化物を含むことを特徴とする請求項17又は18記載の透明電極。 - 前記導電性酸化物中、インジウムに対する前記第2群M2から選択された金属の酸化物の原子組成比率である[M2]/([In]+[M2])が0.01〜0.3の範囲にあることを特徴とする請求項19記載の透明電極。ここで、前記式中の[M2]は、第2群M2から選択された1種又は2種以上の金属、すなわちスズ、亜鉛、ゲルマニウム、ガリウムのいずれか1種又は2種以上の原子の数を表す。また、前記式中の[In]はインジウムの原子の数を表す。
- 請求項1〜4のいずれかに記載のTFT基板を製造する方法において、
前記透明基板上に前記導電性酸化物を堆積し、前記導電性酸化物の薄膜を形成するステップと、
前記形成した前記導電性酸化物の薄膜を蓚酸を含む水溶液でエッチングすることによって、前記透明電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載のTFT基板を製造する方法において、
前記透明基板上に前記導電性酸化物を堆積し、前記導電性酸化物の薄膜を形成するステップと、
前記形成した前記導電性酸化物の薄膜を燐酸・酢酸・硝酸を含む水溶液でエッチングすることによって、前記透明電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載のTFT基板を製造する方法において、
前記透明基板上に前記導電性酸化物を堆積し、前記導電性酸化物の薄膜を形成するステップと、
前記形成した前記導電性酸化物の薄膜を硝酸セリウムアンモニウム塩を含む水溶液でエッチングすることによって、前記透明電極を形成するステップと、
を含むことを特徴とするTFT基板の製造方法。 - 前記ランタノイドが、Ce、Nd、Er、Hoから選ばれた1種又は2種以上のランタノイドであることを特徴とする請求項1〜23のいずれかに記載のTFT基板、又は、透明電極製造用スパッタリングターゲット、又は、液晶表示装置、又は、画素電極、又は透明電極、又は、TFT基板の製造方法。
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