WO2010035716A1 - 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 - Google Patents

透明導電膜製造用の酸化物焼結体 Download PDF

Info

Publication number
WO2010035716A1
WO2010035716A1 PCT/JP2009/066394 JP2009066394W WO2010035716A1 WO 2010035716 A1 WO2010035716 A1 WO 2010035716A1 JP 2009066394 W JP2009066394 W JP 2009066394W WO 2010035716 A1 WO2010035716 A1 WO 2010035716A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
oxide
resistivity
tin
indium
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/066394
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
正克 生澤
矢作　政隆
Original Assignee
日鉱金属株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日鉱金属株式会社 filed Critical 日鉱金属株式会社
Priority to CN2009801374930A priority Critical patent/CN102171159A/zh
Priority to JP2010530836A priority patent/JP4823386B2/ja
Priority to KR1020117008983A priority patent/KR101099414B1/ko
Priority to KR1020117021302A priority patent/KR101214422B1/ko
Priority to EP09816131A priority patent/EP2327673A4/en
Priority to US13/063,151 priority patent/US20110163277A1/en
Publication of WO2010035716A1 publication Critical patent/WO2010035716A1/ja

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
    • C04B35/457—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates based on tin oxides or stannates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/62605—Treating the starting powders individually or as mixtures
    • C04B35/62695—Granulation or pelletising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
    • C04B2235/3265—Mn2O3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3286—Gallium oxides, gallates, indium oxides, indates, thallium oxides, thallates or oxide forming salts thereof, e.g. zinc gallate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3287—Germanium oxides, germanates or oxide forming salts thereof, e.g. copper germanate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3293—Tin oxides, stannates or oxide forming salts thereof, e.g. indium tin oxide [ITO]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50—Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/54—Particle size related information
    • C04B2235/5418—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof
    • C04B2235/5445—Particle size related information expressed by the size of the particles or aggregates thereof submicron sized, i.e. from 0,1 to 1 micron
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/60—Aspects relating to the preparation, properties or mechanical treatment of green bodies or pre-forms
    • C04B2235/604—Pressing at temperatures other than sintering temperatures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
    • C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
    • C04B2235/6562—Heating rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/74—Physical characteristics
    • C04B2235/77—Density

Definitions

  • the present invention relates to an oxide sintered body for producing a transparent conductive film formed as an electrode in a flat panel display or the like. Moreover, this invention relates to the transparent conductive film obtained using the said oxide sintered compact as a sputtering target, and its manufacturing method.
  • ITO (Indium Tin Oxide) films are superior to other transparent conductive films in features such as low resistivity, high transmittance, and ease of microfabrication. Used across disciplines. At present, most of the ITO film forming methods in industrial production processes are so-called sputter film forming methods in which sputtering is performed using an ITO sintered body as a target because it can be produced in a large area with good uniformity and productivity.
  • the crystallinity of the ITO film immediately after sputtering is amorphous, and fine processing such as etching is performed in an amorphous state, and then the thermal annealing treatment, In many cases, the ITO film is crystallized. This is because the ITO amorphous film is advantageous in production because the etching rate is an order of magnitude higher than the crystal chamber film, and the ITO crystal film can enjoy both advantages of low resistivity. Because.
  • the crystallization temperature of the ITO film is about 150 ° C., and most of the film is amorphous because it is only below this temperature, but it is among the particles flying to the substrate by sputtering. Some of them have a considerably high energy, and the transfer of energy after reaching the substrate causes the temperature of the film to become higher than the crystallization temperature, resulting in a portion where the film is crystallized.
  • the etching rate of the part is about two orders of magnitude lower than that of the amorphous part. It will remain, causing problems such as wiring shorts.
  • the moisture concentration in the sputtering chamber gradually decreases with the elapse of the sputtering time, even if the moisture concentration is initially appropriate, the concentration gradually becomes less than the appropriate concentration. A part of the film crystallizes.
  • the moisture concentration to be added is increased, the crystallization temperature when the film is crystallized by subsequent annealing becomes very high, There arises a problem that the resistivity of the obtained film becomes very high.
  • an amorphous stable transparent conductive material is used in part instead of an ITO film in which a crystalline film is easily formed.
  • an amorphous film is obtained by sputtering a target having a composition in which zinc is added to indium oxide, and the resistivity of the film is about 0.5 m ⁇ cm. The value is higher than that of the crystallized ITO film. Further, the film has an average visible light transmittance of about 85%, which is inferior to the ITO film. There is also a drawback that the film has poor moisture resistance.
  • Patent Document 1 describes a transparent conductive film characterized in that it contains indium oxide and tin oxide as main components and contains an oxide of at least one metal selected from the group consisting of magnesium and nickel. As a result, the film becomes dense and the electron mobility is increased to about 1.5 ⁇ 10 cm 2 ⁇ s ⁇ 1 ⁇ V ⁇ 1 . It is also described that moisture resistance and ultraviolet resistance can be improved by appropriately adding magnesium or nickel. It is described that the mixing ratio of the magnesium compound or nickel compound to the indium compound is preferably 0.05 or less when converted to incidium and magnesium or nickel M and expressed by the formula M / (M + In).
  • Patent Document 2 discloses that the resistivity of a transparent conductive film is reduced by adding nickel oxide to indium oxide. It is preferable that the amount of nickel oxide added is 2 to 25 mol% because the specific resistance is 2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less.
  • Patent Document 3 in order to provide an indium oxide-based sputtering target for a high-resistance transparent conductive film having a resistivity of about 0.8 to 10 ⁇ 10 ⁇ 3 ⁇ cm, insulative oxidation is performed on indium oxide or tin-doped indium oxide. The target containing a thing is shown and manganese oxide is mentioned as an example of an insulating oxide. However, Patent Document 3 does not describe a sputtering target for obtaining a low-resistance conductive film.
  • Patent Document 4 discloses a target for adding manganese to indium oxide or tin-doped indium oxide in a sintered body made of indium oxide and tin oxide, assuming that a sintered body containing manganese can achieve an extremely high sintering density. It is shown. It is described that manganese is adjusted so that the content in the finally obtained ITO sintered body is 5 to 5000 ppm.
  • the manganese content is preferably 10 to 500 ppm, and even in specific examples, only a maximum of 500 ppm is added.
  • Patent Document 5 discloses that the resistivity of a transparent conductive film is reduced by adding manganese oxide to indium oxide. It is preferable that the amount of manganese oxide added is 2 to 15 mol% because the specific resistance is 2 ⁇ 10 ⁇ 4 ⁇ cm or less.
  • Patent Document 6 shows a film containing trivalent cations in indium oxide, and aluminum is cited as an example. By doing so, it is described that a transparent conductive film having lower resistance and improved etching characteristics can be obtained.
  • the purpose of Patent Document 6 is to prevent a decrease in mobility due to ionized impurity scattering to obtain a low resistivity and workability, and in the examples, there is only an example of yttrium. . Therefore, it is completely unknown whether aluminum has the effect as claimed in the patent application.
  • Patent Document 7 states that “a transparent conductive film containing an In oxide as a main component and containing Ge or containing Ge and Sn becomes an amorphous film, and therefore etching is not possible. “Easy and excellent workability” (paragraph 0015). This is because, under certain film formation conditions, the addition of Ge is effective for amorphizing the In 2 O 3 film and does not impair the electrical resistivity and transmittance of the film (paragraph 0021).
  • the film formation conditions are as follows: “The film formation temperature is 100 to 300 ° C., the Ge addition amount is 2 to 12 atomic% with respect to the total of Ge amount and In amount, and the oxygen partial pressure is The film is formed at 0.02 mTorr or more ”(paragraph 0029).
  • an object of the present invention is an ITO-based amorphous transparent conductive film used for display electrodes for flat panel displays, which can be produced without adding water during sputtering without heating the substrate, and has high etching properties and low resistance. It is to provide a transparent conductive film that satisfies both of the efficiency improvement at a high level. Moreover, another subject of this invention is providing the sputtering target which can manufacture such a transparent conductive film.
  • the present inventors have increased the etching rate of the film and reduced the resistivity of the film by adding an appropriate concentration of an appropriate dopant. And found that a transparent conductive film capable of solving the above-mentioned problems can be obtained by sputtering a sintered body in which nickel or the like is added to indium oxide or tin-doped indium oxide at an appropriate concentration under predetermined conditions.
  • the present invention has been completed.
  • Indium oxide as a main component including at least one selected from nickel, manganese, aluminum, and germanium as the first additive element, and the total content of the first additive element is the sum of indium and the first additive element
  • An oxide sintered body characterized by being 2 to 12 atomic% based on the amount.
  • Indium oxide as a main component including at least one selected from nickel, manganese, aluminum, and germanium as the first additive element, including tin as the second additive element, and the total content of the first additive element being 2 to 12 atomic% with respect to the total amount of indium, the first additive element, and tin, and the tin content is 2 to 15 atomic% with respect to the total amount of indium and tin
  • An oxide sintered body characterized by the above.
  • the first feature of the present invention is that the added nickel or the like prevents crystallization due to the effect of cutting the network structure bond such as indium oxide.
  • the second feature of the present invention is that such a dopant that promotes amorphization simultaneously contributes to lowering the resistivity of the film and improves the etching characteristics.
  • the third feature of the present invention is that the addition of tin can further promote the reduction of the resistivity of the film.
  • the present invention by using a sputtering target in which nickel or the like is added to indium oxide or the like at an appropriate concentration, sputter film formation is performed under a predetermined condition without adding water during film formation and without heating the substrate. As a result, an amorphous film can be obtained. Further, the obtained film is amorphous as a whole, and is excellent in productivity because of a high etching rate. Further, since the resistivity of the film is low, it is suitable as a transparent conductive film.
  • the film When nickel, manganese, aluminum and germanium as the first additive element are added to indium oxide or tin-doped indium oxide, the film is prevented from crystallizing and has an effect of making the film amorphous. These may be added alone or in combination of two or more. However, if the total content of the first additive element is too small relative to the total amount of indium and the first additive element (if tin is doped, the total amount of indium, the first additive element and tin) There is almost no effect of making the film amorphous, and the sputtered film is partially crystallized. As a result, the etching rate is reduced and etching residues are generated. Conversely, if the total content of the first additive element is too large relative to the total amount of indium, the first additive element, and (tin), the resistivity of the amorphous film becomes high.
  • the total content of the first additive element is 2 to 12 atomic% with respect to the total amount of indium, the first additive element, and (tin), and 4 to 8 atomic% from the viewpoint of obtaining a low film resistivity.
  • the content is 5 to 7 atomic%.
  • nickel is preferable. This is because nickel has a high effect of reducing the resistivity of the amorphous film as compared with the other first additive elements, and also has a high function of increasing the etching rate.
  • the tin concentration range suitable as ITO is such that the tin concentration Sn is 2 to 15 atomic%, preferably 8 to 12 atomic%, with respect to the total amount of indium and tin.
  • oxide sintered body The manufacturing method of the oxide sintered body will be described below.
  • indium oxide powder as a raw material oxide powder of the first additive element and, if necessary, tin oxide powder are weighed at a predetermined ratio and mixed. To do. If the mixing is insufficient, the manufactured target has a high resistivity region and a low resistivity region due to segregation of the first additive element, and abnormal discharge such as arcing due to charging in the high resistivity region during sputtering film formation. Is likely to occur.
  • a material other than the oxide form may be used as a raw material, but an oxide is preferable from the viewpoint of handling.
  • the atmospheric gas may be in the air because it is not necessary to take into consideration the oxidation of the raw material.
  • indium oxide and the oxide of the first additive element may be pre-fired as a mixed powder.
  • the mixed powder is finely pulverized. This is for uniform dispersion of the raw material powder in the target.
  • the presence of a raw material having a large particle size means that the composition is uneven depending on the location.
  • the fine pulverization is desirably performed until the average particle size (D50) of the raw material powder is 1 ⁇ m or less, preferably 0.6 ⁇ m or less.
  • water is added to the mixed powder, and the mixture is finely pulverized with zirconia beads having a diameter of 1 mm for about 1.5 to 3.0 hours as a slurry having a solid content of 40 to 60% by weight.
  • the mixed powder is granulated. This is to improve the fluidity of the raw material powder and to make the filling state during press molding sufficiently satisfactory.
  • PVA polyvinyl alcohol
  • serving as a binder is mixed at a rate of 100 to 200 cc per 1 kg of slurry, under conditions of granulator inlet temperature 200 to 250 ° C., outlet temperature 100 to 150 ° C., disk rotation speed 8000 to 10,000 rpm. Granulate.
  • press molding is performed.
  • a mold having a predetermined size is filled with granulated powder, and a compact is obtained at a surface pressure of 700 to 900 kgf / cm 2 .
  • the surface pressure is 700 kgf / cm 2 or less, a molded article having a sufficient density cannot be obtained, and it is not necessary to make the surface pressure 900 kgf / cm 2 or more.
  • the sintering temperature is 1450 to 1600 ° C.
  • the holding time is 4 to 10 hours
  • the heating rate is 4 to 6 ° C./min
  • the temperature is lowered by furnace cooling.
  • the sintering temperature is lower than 1450 ° C.
  • the density of the sintered body is not sufficiently increased, and when it exceeds 1600 ° C., the life of the furnace heater is reduced.
  • the holding time is shorter than 4 hours, the reaction between the raw material powders does not proceed sufficiently, the density of the sintered body does not increase sufficiently, and if the sintering time exceeds 10 hours, the reaction has occurred sufficiently, so it is unnecessary. Waste of energy and time is generated, which is not preferable in production.
  • the sintered body thus obtained has a relative density of 98 to 100%, for example, about 99.9%, and a bulk resistance of about 0.1 to 3.0 m ⁇ cm, for example, about 0.13 m ⁇ cm.
  • the manufacturing method of a sputtering target is demonstrated below.
  • the thickness is processed to about 4 to 6 mm, and the diameter is processed to a size corresponding to the sputtering device, and is made of copper.
  • a sputtering target can be obtained by bonding an indium alloy or the like as a bonding metal to the backing plate.
  • the sputtering film forming method will be described below.
  • the transparent conductive film of the present invention uses the sputtering target of the present invention, the argon gas pressure is 0.4 to 0.8 Pa, the distance between the target and the substrate is 50 to 110 mm, the glass or the like is used as a substrate, and the sputtering power is increased.
  • the target size is 8 inches, it can be obtained by sputtering film formation at 200 to 900 W.
  • the sputtering method is preferably DC magnetron sputtering.
  • the distance between the substrates is shorter than 50 mm, the kinetic energy of the target constituent element particles reaching the substrate becomes too large, the damage to the substrate is great, the film resistivity increases, and the film is partially crystallized. There is a possibility.
  • the distance between the target and the substrate is longer than 110 mm, the kinetic energy of the target constituent element particles reaching the substrate becomes too small, a dense film is not formed, and the resistivity increases.
  • Appropriate ranges for argon gas pressure and sputtering power are as described above for the same reason. Further, when the substrate temperature is also heated, the film is easily crystallized. Therefore, the film obtained can be made amorphous by appropriately selecting these sputtering conditions.
  • the film characteristic evaluation method will be described below.
  • the crystallinity of the transparent conductive film obtained as described above is determined by the presence or absence of a peak as shown by the crystalline film by X-ray diffraction measurement (XRD measurement) of the film, or by etching the film with oxalic acid. It can be confirmed whether or not an etching residue as shown in FIG. That is, in the X-ray diffraction measurement, when there is no specific peak due to indium oxide or ITO crystal and there is no etching residue, it can be determined that the film is amorphous.
  • the resistivity of the film can be obtained by Hall measurement.
  • the amorphous film according to the present invention may have a resistivity of 1.8 m ⁇ cm or less, preferably may have a resistivity of 1.0 m ⁇ cm or less, and more preferably has a resistivity of 0.6 m ⁇ cm or less. For example, it has a resistivity of 0.1 to 0.6 m ⁇ cm.
  • D50 average particle diameter
  • PVA polyvinyl alcohol
  • the granulated powder was filled in a mold having a predetermined size so as to have an 8-inch target diameter, and pressed at a surface pressure of 780 kgf / cm 2 to obtain a molded body. Then, the compact was heated to 1540 ° C. at a heating rate of 5 ° C./min, held at 1540 ° C. for 5 hours, and then cooled down to perform furnace cooling. Cylindrical grinding of the outer periphery of the oxide sintered body obtained under the above conditions, surface grinding of the surface side to a thickness of about 5 mm and a diameter of 8 inches, and bonding with indium as a bonding metal on a copper backing plate Thus, a sputtering target was obtained.
  • the sputtering target is attached to a sputtering apparatus of model SPF-313H manufactured by Canon Anelva, the argon gas pressure is 0.5 Pa, the distance between the target and the substrate is 80 mm, a non-alkali glass is used as the substrate, and the sputtering power is set in a state where the substrate is not heated.
  • the resistivity of the film was 1.2 m ⁇ cm and the etching rate was 15 ⁇ / sec. These results are shown in Table 1. Further, the transmittance at a wavelength of 550 nm was 90%.
  • Example 2 to 30 The sintered body composition of Example 1 was changed as shown in Table 1, and the other conditions were the same as in Example 1 except for Examples 2 to 30. In all these cases, the film after film formation was amorphous and transparent, and there was no etching residue. However, manganese oxide (Mn 2 O 3 ) was used as the Mn supply source, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) was used as the Al supply source, and germanium oxide (GeO 2 ) was used as the germanium supply source.
  • Mn 2 O 3 manganese oxide
  • Al 2 O 3 aluminum oxide
  • GeO 2 germanium oxide
  • the films after film formation were all amorphous, and the film resistivity was nickel, manganese, aluminum, germanium, and various dopant concentrations at the time of simultaneous addition of nickel and manganese. As the total dopant concentration increased, it decreased and then increased. The dopant concentration that gave the lowest resistivity was about 6 at%. And the resistivity of these films
  • Example 31 to 60 In Examples 31 to 60, the sintered body composition of Example 1 was changed as shown in Table 2, and the other conditions were the same as in Example 1. Examples 1 to 30 were cases where various dopants were added to indium oxide, while Examples 31 to 60 were examples where various dopants were added to tin-doped indium oxide. Tin oxide (SnO 2 ) was used as the Sn supply source.
  • the crystallinity of the film after film formation is all amorphous, and the film resistivity is various in nickel, manganese, aluminum, germanium, and nickel and manganese at the same time.
  • the dopant concentration or the total dopant concentration increased, it decreased and then increased.
  • the dopant concentration giving the lowest resistivity was about 6 at%.
  • the resistivity of the film was further reduced as compared with the case where tin was not added.
  • membranes is low enough and is comparable as the resistivity of ITO film
  • the etching rate of the film monotonously increased as the amount of each dopant added increased.
  • Comparative Examples 1 to 12 In Comparative Examples 1 to 12, the sintered body composition of Example 1 was changed as shown in Table 3, and the other conditions were the same as those of Example 1.
  • Comparative Example 11 since the tin concentration was appropriate, the film resistivity was low and good, but since the first additive element was not included, a part of the film after sputter deposition was crystallized. In other words, an etching residue was generated during etching.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

　フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜であって、基板無加熱でスパッタ時に水添加することなく製造でき、高いエッチング性と低抵抗率化の双方を高い次元で満足する透明導電膜を提供する。酸化インジウムを主成分とし、第一添加元素としてニッケル、マンガン、アルミニウムおよびゲルマニウムから選択される１種以上を含み、第一添加元素の含有量の合計が、インジウムと第一添加元素の合計量に対して、２～１２原子％であることを特徴とする酸化物焼結体。

Description

透明導電膜製造用の酸化物焼結体
　本発明は、フラットパネルディスプレイ等において、電極として形成される透明導電膜製造用の酸化物焼結体に関する。また本発明は、当該酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用いて得られる透明導電膜及びその製造方法に関する。
　ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）膜は、低抵抗率、高透過率、微細加工容易性等の特徴が、他の透明導電膜より優れていることから、フラットパネルディスプレイ用表示電極をはじめとして、広範囲の分野にわたって使用されている。現在、産業上の生産工程におけるＩＴＯ膜の成膜方法の殆どは、大面積に均一性、生産性良く作製できることから、ＩＴＯ焼結体をターゲットとしてスパッタする、いわゆるスパッタ成膜法である。
　ＩＴＯ透明導電膜を利用するフラットパネルディスプレイ製造プロセスにおいては、スパッタ直後のＩＴＯ膜の結晶性は非晶質で、非晶質の状態でエッチング等の微細加工を行い、その後の熱アニール処理で、ＩＴＯ膜を結晶化させている場合が多い。この理由は、ＩＴＯ非晶質膜は結晶室膜と比較して、エッチングレートが桁違いに大きいために生産上有利であり、かつＩＴＯ結晶膜は低抵抗率であるという両方の利点を享受できるからである。
　ＩＴＯターゲットをスパッタして得られる膜の殆どの部分は非晶質であるが、一部が結晶化してしまう場合が多い。この理由は、ＩＴＯ膜の結晶化温度は約１５０℃であり、膜の殆どの部分は、これ以下の温度にしかならないので非晶質であるが、スパッタで基板へ飛来してくる粒子の中には、かなり高いエネルギーを有するものがあり、基板到達後のエネルギーの授受によって、膜の温度が結晶化温度以上の高温となり、膜が結晶化してしまう部分が生じるからである。
　この様にＩＴＯ膜の一部に結晶化した部分が生じると、その部分はエッチング速度が、非晶質の部分より、約２桁程小さいため、その後のエッチングの際に、いわゆる、エッチング残渣として残ってしまい、配線ショート等の問題を引き起こしてしまう。
　そこで、スパッタ膜の結晶化を防ぎ、スパッタ膜全部を非晶質とする方法として、スパッタ時にチャンバー内にアルゴンなどのスパッタガスに加えて、水（Ｈ2Ｏ）を添加することが有効であることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
　しかし、水添加でのスパッタによって非晶質の膜を得ようとする方法には、数々の問題点がある。まず、スパッタ膜にパーティクルが発生してしまう場合が多い。パーティクルはスパッタ膜の平坦性や結晶性に悪影響を及ぼす。また、水を添加しなければパーティクルは発生しないことから、パーティクル発生の問題は水添加が原因である。
　さらに、スパッタチャンバー内の水分濃度は、スパッタ時間の経過に伴って、次第に低下してくるため、当初は適切な水分濃度であったとしても、次第に適切濃度に満たない濃度になってしまい、スパッタ膜の一部が結晶化してしまう。
　しかし、一方で、確実に非晶質のスパッタ膜を得るために、添加する水分濃度を高くしてしまうと、その後のアニールで膜が結晶化する際の結晶化温度が、非常に高くなり、得られる膜の抵抗率が、非常に高くなってしまうという問題が生じてしまう。
　つまり、スパッタ膜全部を非晶質とするために、水添加でのスパッタによると、常に、チャンバー内の水濃度を把握、制御する必要があるが、それは非常に困難であるとともに、大変な手間と労力を要してしまうのである。
　この様な問題を解決する試みとして、結晶性膜が作製されやすいＩＴＯ膜ではなく非晶質安定な透明導電材が一部では用いられている。例えば、酸化インジウムに亜鉛を添加した組成の焼結体をターゲットとして、当該ターゲットをスパッタして非晶質膜が得られることは知られているが、膜の抵抗率が約０．５ｍΩｃｍと、結晶化したＩＴＯ膜より高い値である。さらに、当該膜は可視光平均透過率が約８５％程度でありＩＴＯ膜より劣っている。また、膜の耐湿性が悪いという欠点もある。
　水や亜鉛を添加することなく非晶質膜を得ることを開示した先行技術としては以下が挙げられる。
　特許文献１には、酸化インジウムと酸化スズを主成分とし、マグネシウムおよびニッケルよりなる群から選択される少なくとも一種の金属の酸化物を含むことを特徴とする透明導電膜が記載されている。これによって、膜が緻密となり、電子移動度が１．５×１０ｃｍ2・ｓ-1・Ｖ-1程度と大きくなるとされる。また、マグネシウムまたはニッケルの添加割合を適切にすることにより、耐湿性および耐紫外線性を改善することができることも記載されている。インジウム化合物に対するマグネシウム化合物またはニッケル化合物の配合割合が、インシジウムとマグネシウムまたニッケルＭに換算して、かつ式Ｍ／（Ｍ＋Ｉｎ）で表すとき０．０５以下であることが好ましいと記載されている。
　特許文献２には、酸化インジウムに酸化ニッケルを添加することで、透明導電膜の抵抗率が低下することが開示されている。酸化ニッケルの添加量を２～２５ｍｏｌ％とすることで、比抵抗が２×１０-4Ωｃｍ以下になり好ましいとされる。
　特許文献３には、抵抗率が０．８～１０×１０-3Ωｃｍ程度の高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットを提供することを課題として、酸化インジウムあるいはスズドープ酸化インジウムに絶縁性酸化物を含有するターゲットが示されており、絶縁性酸化物の１例として、酸化マンガンが挙げられている。しかしながら、特許文献３には低抵抗導電膜を得るためのスパッタリングターゲットは記載されていない。
　特許文献４には、酸化インジウムおよび酸化錫からなる焼結体において、マンガンを含有する焼結体が、極めて高い焼結密度を達成できるとして、酸化インジウムあるいはスズドープ酸化インジウムにマンガンを添加するターゲットが示されている。マンガンは、最終的に得られるＩＴＯ焼結体中の含有量が５～５０００ｐｐｍになるように調整することが記載されている。マンガンの含有量は、好ましくは１０～５００ｐｐｍであり、具体例でも最大で５００ｐｐｍまでしか添加されていない。
　特許文献５には、酸化インジウムに酸化マンガンを添加することで、透明導電膜の抵抗率が低下することが開示されている。酸化マンガンの添加量を２～１５ｍｏｌ％とすることで、比抵抗が２×１０-4Ωｃｍ以下になり好ましいとされる。
　特許文献６には、酸化インジウムに三価陽イオンを含む膜が示されており、その１例としてアルミニウムが挙げられている。こうすることで、より低抵抗で、エッチング特性の改善された透明導電膜が得られることが記載されている。しかし、特許文献６の目的は、イオン化不純物散乱による移動度の低下を防止して、低抵抗率と加工性を得るためのものであり、かつ、実施例では、イットリウムの例があるのみである。従って、アルミニウムが、当該特許出願が主張するような効果を有するかどうかは全く不明である。
　特許文献７には、「Ｉｎの酸化物を主成分とする透明導電膜であって、Ｇｅを含有するもの、或いは、Ｇｅ及びＳｎを含有するものは、非晶質膜となり、そのためにエッチングが容易で加工性に優れている」（段落００１５）ことが記載されている。これは、「ある一定の成膜条件下では、Ｇｅの添加がＩｎ2Ｏ3膜の非晶質化に有効であり、しかも膜の電気抵抗率及び透過率を損なわない」（段落００２１）からであるとされ、そのような成膜条件とは「成膜温度を１００～３００℃にし、Ｇｅの添加量をＧｅ量とＩｎ量の合計に対して２～１２原子％にし、酸素分圧を０．０２ｍＴｏｒｒ以上にして成膜する」（段落００２９）ことである。「この際、成膜温度を１００℃未満、Ｇｅ添加量を２原子％未満にすると、Ｇｅによるキャリア電子放出による電気抵抗率の低下が充分でなく、電気抵抗率が０．０１Ωｃｍ超となる。」（段落００３０）ことも記載されている。
特開平０７－１６１２３５ 特開平０３－７１５１０ 特開２００３－１０５５３２ 特許第３４９６２３９号 特開平０３－７８９０７ 特開平０８－１９９３４３ 特許第３７８０１００号
Ｔｈｉｎ　Ｓｏｌｉｄ　Ｆｉｌｍｓ　４４５　（２００３）　ｐ２３５～２４０
　以上で説明した様に先行技術として、酸化インジウムに亜鉛を添加した組成の焼結体をターゲットとして用いるものは、膜抵抗率が高い等の欠点を有しているために、解決策としては充分でない。
　また、特許文献１～７の何れにおいても、高いエッチング性と低抵抗率化の双方を十分に満足する透明導電膜は得られておらず、未だ改善の余地がある。
　そこで、本発明の課題は、フラットパネルディスプレイ用表示電極等に用いられるＩＴＯ系非晶質透明導電膜であって、基板無加熱でスパッタ時に水添加することなく製造でき、高いエッチング性と低抵抗率化の双方を高い次元で満足する透明導電膜を提供することである。また、本発明の別の課題はそのような透明導電膜を製造可能なスパッタリングターゲットを提供することである。
　本発明者らは、酸化インジウムあるいはスズドープ酸化インジウムに各種元素を添加した酸化物ターゲットについて、鋭意検討を重ねた結果、適切ドーパントの適切濃度添加による膜のエッチングレートの増加と膜の低抵抗率化という技術的思想に至り、酸化インジウムあるいはスズドープ酸化インジウムにニッケル等を、適切濃度添加した焼結体を所定の条件でスパッタすることで、上記課題を解決可能な透明導電膜が得られることを見出し、本発明を完成した。
　かかる知見を基礎として完成した本発明は以下のように特定することができる。
１）酸化インジウムを主成分とし、第一添加元素としてニッケル、マンガン、アルミニウムおよびゲルマニウムから選択される１種以上を含み、第一添加元素の含有量の合計が、インジウムと第一添加元素の合計量に対して、２～１２原子％であることを特徴とする酸化物焼結体。
２）酸化インジウムを主成分とし、第一添加元素としてニッケル、マンガン、アルミニウムおよびゲルマニウムから選択される１種以上を含み、第二添加元素としてスズを含み、第一添加元素の含有量の合計が、インジウムと第一添加元素とスズとの合計量に対して、２～１２原子％であり、スズの含有量が、インジウムとスズとの合計量に対して、２～１５原子％であることを特徴とする酸化物焼結体。
３）上記１）又は２）に記載の酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用い、スパッタすることを特徴とする非晶質膜の製造方法。
４）上記１）又は２）に記載の酸化物焼結体と同じ組成を有する非晶質膜。
　本発明の第一の特徴は、添加されたニッケル等が、酸化インジウム等のネットワーク構造結合を切断する効果により、結晶化を防止する点にある。また、本発明の第２の特徴は、このような非晶質化を促進するドーパントが、同時に膜の低抵抗率化に寄与するとともにエッチング特性を向上させる点にある。また、本発明の第３の特徴は、さらにスズを添加することで、膜の低抵抗率化を一層促進させることができる点にある。
　本発明によれば、酸化インジウム等にニッケル等を適切濃度添加したスパッタリングターゲットを用いて、成膜時に水を添加することなく、基板無加熱の状態で、所定の条件でスパッタ成膜することで、膜全体が非晶質の膜を得ることができる。また、得られた膜は全体が非晶質であり、エッチング速度が速いために生産性に優れており、さらに、膜の抵抗率が低いために、透明導電膜として適切である。
酸化物焼結体及び透明導電膜の組成
　第一添加元素としてのニッケル、マンガン、アルミニウム及びゲルマニウムは、酸化インジウム、又はスズドープ酸化インジウムに添加されると、膜の結晶化を妨げて、膜を非晶質化する効果がある。これらは単独で添加しても、２種以上を添加してもよい。ただし、第一添加元素の含有量の合計がインジウムと第一添加元素との合計量（スズをドープしている場合にはインジウムと第一添加元素とスズの合計量）に対して少なすぎると、膜を非晶質化させる効果が殆ど無く、スパッタした膜が、一部結晶化してしまう。そのため、エッチングレートが小さくなってエッチング残渣が発生してしまう。逆に、第一添加元素の含有量の合計がインジウムと第一添加元素と（スズと）の合計量に対して多すぎると、非晶質膜の抵抗率が高くなってしまう。
　そこで、第一添加元素の含有量の合計はインジウムと第一添加元素と（スズと）の合計量に対して２～１２原子％とし、低膜抵抗率を得る観点からは４～８原子％とするのが好ましく、５～７原子％とするのがより好ましい。
　第一添加元素の中でもニッケルが好ましい。ニッケルは他の第一添加元素と比較して非晶質膜の抵抗率を低くする効果が高く、また、エッチングレートを高める働きも高いためである。
　スズは酸化インジウムに添加されると、ｎ型ドナーとして働き、抵抗率を低下させる効果があり、市販のＩＴＯターゲットなどは、通常、スズ濃度Ｓｎがインジウムとスズとの合計量に対して約１０原子％である。スズ濃度が低すぎると、電子供給量が少なくなり、また、逆に多すぎると電子散乱不純物となって、どちらの場合も、スパッタによって得られる膜の抵抗率が高くなってしまう。従って、ＩＴＯとして適切なスズの濃度範囲は、スズ濃度Ｓｎがインジウムとスズとの合計量に対して２～１５原子％であり、好ましくは８～１２原子％である。
酸化物焼結体の製造方法
　以下に酸化物焼結体の製造方法について説明する。
　本発明の酸化物焼結体を製造するためには、まず、原料である酸化インジウム粉末、第一添加元素の酸化物粉末及び必要に応じて酸化スズ粉末を、所定の割合で秤量し、混合する。混合が不充分であると、製造したターゲットに第一添加元素の偏析により高抵抗率領域と低抵抗率領域が存在して、スパッタ成膜時に高抵抗率領域での帯電によるアーキング等の異常放電が起き易くなってしまう。原料として酸化物の形態以外のものを使用しても良いが、取り扱いの観点からは酸化物が好ましい。
　そこで、混合にはスーパーミキサーを用いて、毎分２０００～４０００回転程度の高速回転で、約２～５分程度の充分な混合を行うことが望ましい。なお、原料粉は酸化物であるために雰囲気ガスは、特に原料の酸化を防止する等の考慮が必要ないために大気でかまわない。
　なお、この段階で大気雰囲気中において、１２５０～１３５０℃、４～６時間保持の仮焼工程を入れて、原料間の固溶を促進させておくことも有効である。また、酸化インジウムと第一添加元素の酸化物を混合粉として、仮焼しておいても良い。
　次に、混合紛の微粉砕を行う。これは原料紛のターゲット中での均一分散化のためであり、粒径の大きい原料分が存在するということは、場所により組成むらが生じていることになる。
　従って、微粉砕は原料粉の粒径が平均粒径（Ｄ５０）が、１μｍ以下、好ましくは０．６μｍ以下となるまで行うことが望ましい。実際には、混合粉に水を加えて、固形分４０～６０重量％のスラリーとして、直径１ｍｍのジルコニアビーズで１．５～３．０時間程度の微粉砕を行う。
　次に、混合粉の造粒を行う。これは、原料粉の流動性を良くして、プレス成型時の充填状況を充分良好なものにするためである。バインダーの役割を果たすＰＶＡ（ポリビニルアルコール）をスラリー１ｋｇあたり１００～２００ｃｃの割合で混合して、造粒機入口温度２００～２５０℃、出口温度１００～１５０℃、ディスク回転数８０００～１００００ｒｐｍの条件で造粒する。
　次に、プレス成型を行う。所定サイズの型に造粒粉を充填し、面圧力７００～９００ｋｇｆ／ｃｍ2で成形体を得る。面圧力７００ｋｇｆ／ｃｍ2以下であると、充分な密度の成形体を得ることができず、面圧力９００ｋｇｆ／ｃｍ2以上にする必要も無く、無駄なコストやエネルギーを要するので生産上好ましくない。
　最後に焼結を行う。焼結温度は１４５０～１６００℃で、保持時間は４～１０時間、昇温速度は４～６℃／分、降温は炉冷で行う。焼結温度が１４５０℃より低いと、焼結体の密度が充分大きくならず、１６００℃を超えると炉ヒーター寿命が低下してしまう。保持時間が４時間より短いと、原料粉間の反応が充分進まず、焼結体の密度が充分大きくならず、焼結時間が１０時間を越えると、反応は充分起きているので、不必要なエネルギーと時間を要する無駄が生じて生産上好ましくない。
　昇温速度が４℃／分より小さいと、所定温度になるまでに不必要に時間を要してしまい、昇温速度が６℃／分より大きいと、炉内の温度分布が均一に上昇せずに、むらが生じてしまう。この様にして得られた焼結体の密度は、相対密度で９８～１００％、例えば約９９．９％、バルク抵抗は０．１～３．０ｍΩｃｍ、例えば約０．１３ｍΩｃｍ程度となる。
スパッタリングターゲットの製造方法
　以下にスパッタリングターゲットの製造方法について説明する。
　上記の様な製造条件によって得られた酸化物焼結体の外周の円筒研削、面側の平面研削をすることによって厚さ４～６ｍｍ程度、直径はスパッタ装置に対応したサイズに加工し、銅製のバッキングプレートに、インジウム系合金などをボンディングメタルとして、貼り合わせることでスパッタリングターゲットとすることができる。
　以下にスパッタリング成膜方法について説明する。
　本発明の透明導電膜は、本発明のスパッタリングターゲットを用いて、アルゴンガス圧を０．４～０．８Ｐａ、ターゲットと基板間隔を５０～１１０ｍｍ、ガラスなどを基板として無加熱で、スパッタパワーを、例えば、ターゲットサイズが８インチの場合は、２００～９００Ｗでスパッタ成膜することで得ることができる。スパッタ方式は直流マグネトロンスパッタとするのが好ましい。
　基板間隔が５０ｍｍより短いと、基板に到達するターゲット構成元素の粒子の運動エネルギーが大きくなりすぎて、基板へのダメージが大きく、膜抵抗率が増加してしまうとともに、膜が一部結晶化してしまう可能性がある。一方、ターゲットと基板間隔が１１０ｍｍより長いと、基板に到達するターゲット構成元素の粒子の運動エネルギーが小さくなりすぎて、緻密な膜が形成されず、抵抗率が高くなってしまう。アルゴンガス圧やスパッタパワーについての適切範囲も、同様の理由から上記の様になっている。また、基板温度も加熱すると膜が結晶化し易くなる。従って、これらのスパッタ条件を適切に選択することで、得られる膜を非晶質にすることができる。
膜の特性評価方法
　以下に膜の特性評価方法について説明する。
　上記の様にして得られた透明導電膜の結晶性の判定は、膜のＸ線回折測定（ＸＲＤ測定）で結晶性の膜が示すようなピークの有無、シュウ酸による膜のエッチングで結晶性の膜が示すようなエッチング残渣が生じるかどうかから確認することができる。つまり、Ｘ線回折測定で酸化インジウムまたはＩＴＯ結晶に起因する特有のピークがなく、エッチング残渣がない場合にその膜はアモルファスであると判定できる。
　シュウ酸による膜のエッチング方法は、例えば、シュウ酸二水和物（ＣＯＯＨ）2・２Ｈ2Ｏを純水と、シュウ酸：純水＝５：９５の重量比率で混合した液を、エッチャントとして、液温を４０℃に保つように恒温槽に入れて、膜付き基板を攪拌して行うことができる。
　また、膜の抵抗率はホール測定によって求めることができる。本発明に係る非晶質膜は、１．８ｍΩｃｍ以下の抵抗率を有することができ、好ましくは１．０ｍΩｃｍ以下の抵抗率を有することができ、より好ましくは０．６ｍΩｃｍ以下の抵抗率を有することができ、例えば０．１～０．６ｍΩｃｍの抵抗率を有する。
　以下に本発明を実施例でさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。すなはち、本願発明の技術的思想の範囲での、変更、他の実施態様は、全て本願発明に含まれるものである。
（実施例１）
　原料である酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）粉末及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）粉末を、原子数比でＩｎ：Ｎｉ＝９８：２となるように秤量し、大気雰囲気中でスーパーミキサーにより、毎分３０００回転、３分の混合を行った。
　次に、混合粉に水を加えて、固形分５０％のスラリーとして、直径１ｍｍのジルコニアビーズで２時間の微粉砕を行い、混合粉の平均粒径（Ｄ５０）を０．６μｍ以下とした。その後、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）をスラリー１ｋｇあたり１２５ｃｃの割合で混合して、造粒機入口温度２２０℃、出口温度１２０℃、ディスク回転数９０００ｒｐｍの条件で造粒した。
　さらに、８インチターゲット直径となる様な所定のサイズの型に造粒粉を充填し、面圧力７８０ｋｇｆ／ｃｍ2でプレスして成形体を得た。そして、成形体を昇温速度５℃／分で１５４０℃まで昇温させ、１５４０℃で５時間保持後、降温は炉冷とする焼結を行った。
　上記条件で得られた酸化物焼結体の外周の円筒研削、面側の平面研削をして、厚さ５ｍｍ程度、直径８インチとし、銅製のバッキングプレートに、インジウムをボンディングメタルとして、貼り合わせることでスパッタリングターゲットとした。
　上記スパッタリングターゲットをキヤノンアネルバ社製型式ＳＰＦ－３１３Ｈのスパッタ装置に取り付け、アルゴンガス圧を０．５Ｐａ、ターゲットと基板間隔を８０ｍｍ、無アルカリガラスを基板として、基板無加熱の状態で、スパッタパワーを７８５Ｗ、成膜時間２２秒で直流マグネトロンスパッタ成膜することで、膜厚約５５０Åの透明な膜を得た。上記膜のＸＲＤ測定を行った結果、結晶性を示すピークは認められず、膜は非晶質であった。
　また、膜をシュウ酸：純水＝５：９５の重量比率で混合した液をエッチャントとして、エッチングを行ったが、エッチング残渣は認められなかった。
　当該膜の抵抗率は１．２ｍΩｃｍ、エッチングレート１５Å／ｓｅｃであった。これらの結果を表１に示す。また、波長５５０ｎｍでの透過率は９０％であった。
（実施例２～３０）
　実施例１の焼結体組成を、各々表１の様に変化させて、その他の条件は、実施例１と同じ条件で行ったものが、実施例２～３０である。これら全ての場合について、成膜後の膜は非晶質で透明であり、エッチング残渣はなかった。ただし、Ｍｎ供給源は酸化マンガン（Ｍｎ2Ｏ3）、Ａｌ供給源は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、ゲルマニウム供給源は酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）をそれぞれ使用した。
　以上の結果から、これらの実施例では、成膜後の膜はいずれも非晶質であり、膜抵抗率は、ニッケル、マンガン、アルミニウム、ゲルマニウム及びニッケルとマンガンの同時添加時の各種ドーパント濃度または合計ドーパント濃度の増加に伴って、一旦低下した後に増加した。最低抵抗率を与えるドーパント濃度は、約６ａｔ％の場合であった。そして、これらの膜の抵抗率は充分低く、ＩＴＯ膜の抵抗率にも匹敵するほどの低さであり、透明導電膜として適切なものであった。
　一方、膜のエッチングレートは、各種ドーパントの添加量の増加につれて、単調に増加した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
（実施例３１～６０）
　実施例１の焼結体組成を、各々表２の様に変化させて、その他の条件は、実施例１と同じ条件で行ったものが、実施例３１～６０である。実施例１～３０は、酸化インジウムに各種ドーパントを添加した場合であったが、実施例３１～６０はスズドープ酸化インジウムへ各種ドーパントを添加した場合の実施例である。Ｓｎ供給源としては酸化スズ（ＳｎＯ2）を使用した。
　以上の結果から、これらの実施例では、成膜後の膜の結晶性はいずれも非晶質であり、膜抵抗率は、ニッケル、マンガン、アルミニウム、ゲルマニウム及びニッケルとマンガンの同時添加時の各種ドーパント濃度または合計ドーパント濃度の増加に伴って、一旦低下した後に増加した。最低抵抗率を与えるドーパント濃度は約６ａｔ％の場合であった。
　さらに、スズを添加した場合は、添加しない場合と比較して、膜の抵抗率が更に低下した。そして、これらの膜の抵抗率は充分低く、ＩＴＯ膜の抵抗率にも匹敵するほどの低さであり、透明導電膜として適切なものであった。
　一方、膜のエッチングレートは、各種ドーパントの添加量の増加につれて、単調に増加した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
（比較例１～１２）
　実施例１の焼結体組成を、各々表３の様に変化させて、その他の条件は、実施例１と同じ条件で行ったものが、比較例１～１２である。
　比較例１～５では、第一添加元素の濃度が低すぎるために、スパッタ成膜後の膜の一部が結晶化してしまい、エッチング時にエッチング残渣が発生してしまった。
　比較例６～９では、第一添加元素の濃度が高すぎるために、スパッタ成膜後の膜の抵抗率が高すぎて、透明導電膜としては適切でない。
　比較例１０では、スズの濃度が低すぎるために、膜が一部結晶化してしまって、エッチング時にエッチング残渣が発生してしまった。
　比較例１１では、スズ濃度は適切であるために、膜抵抗率は低くて良好であったが、第一添加元素が含まれていないため、スパッタ成膜後の膜の一部が結晶化してしまって、エッチング時にエッチング残渣が発生してしまった。
　比較例１２では、スズの濃度が高すぎるため、そして、第一添加元素を含んでいないため、エッチングレートが非常に小さくなってしまった。スズの濃度が高いので抵抗率も高めであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003

Claims (4)

  1. 　酸化インジウムを主成分とし、第一添加元素としてニッケル、マンガン、アルミニウムおよびゲルマニウムから選択される１種以上を含み、第一添加元素の含有量の合計が、インジウムと第一添加元素の合計量に対して、２～１２原子％であることを特徴とする酸化物焼結体。
  2. 　酸化インジウムを主成分とし、第一添加元素としてニッケル、マンガン、アルミニウムおよびゲルマニウムから選択される１種以上を含み、第二添加元素としてスズを含み、第一添加元素の含有量の合計が、インジウムと第一添加元素とスズとの合計量に対して、２～１２原子％であり、スズの含有量が、インジウムとスズとの合計量に対して、２～１５原子％であることを特徴とする酸化物焼結体。
  3. 　請求項１又は２に記載の酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして用い、スパッタすることを特徴とする非晶質膜の製造方法。
  4. 　請求項１又は請求項２に記載の酸化物焼結体と同じ組成を有する非晶質膜。
PCT/JP2009/066394 2008-09-25 2009-09-18 透明導電膜製造用の酸化物焼結体 WO2010035716A1 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2009801374930A CN102171159A (zh) 2008-09-25 2009-09-18 透明导电膜制造用的氧化物烧结体
JP2010530836A JP4823386B2 (ja) 2008-09-25 2009-09-18 透明導電膜製造用の酸化物焼結体
KR1020117008983A KR101099414B1 (ko) 2008-09-25 2009-09-18 투명 도전막 제조용의 산화물 소결체
KR1020117021302A KR101214422B1 (ko) 2008-09-25 2009-09-18 투명 도전막 제조용의 산화물 소결체
EP09816131A EP2327673A4 (en) 2008-09-25 2009-09-18 OXIDE-BASED SINK TABLE FOR THE MANUFACTURE OF TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM
US13/063,151 US20110163277A1 (en) 2008-09-25 2009-09-18 Oxide sintered compact for preparing transparent conductive film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-246504 2008-09-25
JP2008246504 2008-09-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010035716A1 true WO2010035716A1 (ja) 2010-04-01

Family

ID=42059715

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/066394 WO2010035716A1 (ja) 2008-09-25 2009-09-18 透明導電膜製造用の酸化物焼結体

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20110163277A1 (ja)
EP (1) EP2327673A4 (ja)
JP (1) JP4823386B2 (ja)
KR (2) KR101214422B1 (ja)
CN (1) CN102171159A (ja)
TW (1) TWI387574B (ja)
WO (1) WO2010035716A1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011132582A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Jx Nippon Mining & Metals Corp 焼結体スパッタリングターゲット、光記録媒体用薄膜の製造方法及び光記録媒体用薄膜
JP2012107336A (ja) * 2010-05-06 2012-06-07 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム及びその製造方法
US9768316B2 (en) 2013-07-16 2017-09-19 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020100692A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 日東電工株式会社 光透過性積層体、タッチセンサおよび画像表示装置
TWI740216B (zh) * 2019-09-24 2021-09-21 光洋應用材料科技股份有限公司 銦錫鎳氧化物靶材及其製造方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371510A (ja) 1989-08-10 1991-03-27 Showa Denko Kk 透明導電膜
JPH0378907A (ja) 1989-08-21 1991-04-04 Showa Denko Kk 透明導電膜
JPH07161235A (ja) 1993-12-13 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法
JPH08199343A (ja) 1995-01-23 1996-08-06 Hitachi Ltd 透明導電膜
JP2003105532A (ja) 2001-06-26 2003-04-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
JP2003239063A (ja) * 2002-02-14 2003-08-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット
JP3496239B2 (ja) 1993-08-06 2004-02-09 東ソー株式会社 Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット
JP3780100B2 (ja) 1998-05-15 2006-05-31 株式会社神戸製鋼所 加工性に優れた透明導電膜

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61136954A (ja) * 1984-12-06 1986-06-24 三井金属鉱業株式会社 焼結性に優れた酸化インジウム系焼結体
JPS62202415A (ja) * 1984-12-06 1987-09-07 三井金属鉱業株式会社 酸化インジウム系透明導電膜の製造法
JPH0598436A (ja) * 1991-10-08 1993-04-20 Nikko Kyodo Co Ltd Ｉｔｏスパツタリングタ−ゲツト及びその製造方法
FR2683219A1 (fr) * 1991-10-30 1993-05-07 Saint Gobain Vitrage Int Substrat en verre muni d'une couche mince conductrice.
JPH08249929A (ja) * 1995-03-10 1996-09-27 Idemitsu Kosan Co Ltd 座標データ入力装置の入力パネル用透明電極膜
JP3589519B2 (ja) * 1995-11-30 2004-11-17 出光興産株式会社 タッチパネル
JP2000169220A (ja) * 1998-12-09 2000-06-20 Jiomatetsuku Kk 金属酸化物焼結体およびその用途
JP2002053952A (ja) * 2000-08-04 2002-02-19 Tosoh Corp スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2002050231A (ja) * 2000-08-04 2002-02-15 Geomatec Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途
JP3918721B2 (ja) 2002-03-27 2007-05-23 住友金属鉱山株式会社 透明導電性薄膜、その製造方法と製造用焼結体ターゲット、及び有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
JP3775344B2 (ja) * 2002-05-27 2006-05-17 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体
JP2006188392A (ja) 2005-01-06 2006-07-20 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 酸化物焼結体、透明導電性薄膜およびその実装素子
JP2008115024A (ja) * 2006-11-01 2008-05-22 Idemitsu Kosan Co Ltd 導電性酸化物粉体及び導電性酸化物粉体の製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0371510A (ja) 1989-08-10 1991-03-27 Showa Denko Kk 透明導電膜
JPH0378907A (ja) 1989-08-21 1991-04-04 Showa Denko Kk 透明導電膜
JP3496239B2 (ja) 1993-08-06 2004-02-09 東ソー株式会社 Ｉｔｏ焼結体およびスパッタリングターゲット
JPH07161235A (ja) 1993-12-13 1995-06-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 透明導電膜およびその製造方法
JPH08199343A (ja) 1995-01-23 1996-08-06 Hitachi Ltd 透明導電膜
JP3780100B2 (ja) 1998-05-15 2006-05-31 株式会社神戸製鋼所 加工性に優れた透明導電膜
JP2003105532A (ja) 2001-06-26 2003-04-09 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
JP2003239063A (ja) * 2002-02-14 2003-08-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 透明導電性薄膜とその製造方法及びその製造に用いるスパッタリングターゲット

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2327673A4 *
THIN SOLID FILMS, vol. 445, 2003, pages 235 - 240

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011132582A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Jx Nippon Mining & Metals Corp 焼結体スパッタリングターゲット、光記録媒体用薄膜の製造方法及び光記録媒体用薄膜
JP2012107336A (ja) * 2010-05-06 2012-06-07 Toyobo Co Ltd 透明導電性フィルム及びその製造方法
US9768316B2 (en) 2013-07-16 2017-09-19 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Also Published As

Publication number Publication date
EP2327673A1 (en) 2011-06-01
EP2327673A4 (en) 2012-05-23
KR20110053388A (ko) 2011-05-20
US20110163277A1 (en) 2011-07-07
KR101214422B1 (ko) 2012-12-21
TWI387574B (zh) 2013-03-01
JP4823386B2 (ja) 2011-11-24
KR20110111541A (ko) 2011-10-11
KR101099414B1 (ko) 2011-12-27
JPWO2010035716A1 (ja) 2012-02-23
TW201020226A (en) 2010-06-01
CN102171159A (zh) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4489842B2 (ja) 複合酸化物焼結体、アモルファス複合酸化膜の製造方法、アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜の製造方法及び結晶質複合酸化膜
JP4885274B2 (ja) アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜、アモルファス複合酸化膜の製造方法および結晶質複合酸化膜の製造方法
JP5296084B2 (ja) 透明導電膜製造用の酸化物焼結体
JP5269501B2 (ja) 酸化物焼結体及びそれからなるスパッタリングターゲット
TWI488826B (zh) An indium oxide sintered body, an indium oxide transparent conductive film, and a method for producing the transparent conductive film
TWI402365B (zh) 氧化銦錫靶材及其製造方法以及氧化銦錫透明導電膜及該膜的製造方法
JP4823386B2 (ja) 透明導電膜製造用の酸化物焼結体
JP5416991B2 (ja) 酸化物焼結体ターゲット、該ターゲットの製造方法、透明導電膜および該透明導電膜の製造方法
WO2013042747A1 (ja) 酸化物焼結体およびその製造方法並びに酸化物透明導電膜
TW201522689A (zh) 濺鍍靶及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980137493.0

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09816131

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE2 Request for preliminary examination filed before expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009816131

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010530836

Country of ref document: JP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117008983

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A