JPH0355872A - 多結晶シリコン膜上絶縁膜の形成方法 - Google Patents
多結晶シリコン膜上絶縁膜の形成方法Info
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- JPH0355872A JPH0355872A JP19336589A JP19336589A JPH0355872A JP H0355872 A JPH0355872 A JP H0355872A JP 19336589 A JP19336589 A JP 19336589A JP 19336589 A JP19336589 A JP 19336589A JP H0355872 A JPH0355872 A JP H0355872A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成する方法
に於いて、特に絶縁膜の膜厚均一性の優れた形成方法に
関する． 〔発明の概要〕 本発明は、多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成する工程
に於いて、多結晶シリコン膜を形或後、ＢＢｒ３を不純
物拡散して、前記多結晶シリコン膜をＰ十型にした後に
前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成することにより
膜厚均一性の優れた絶縁膜を提供するものである． 〔従来の技術〕 第２図（ａｌ〜（Ｃｌは一般的な多結晶シリコン膜上の
酸化膜の形成工程順を示す断面図である６インチＰ型シ
リコン基板１１を用い、シリコン酸化膜１２を形成し、
多結晶シリコン膜１３を形成する（第２図ｔａｌ参照）
．この後、リン拡敗１４により多結晶シリコン膜１３を
Ｎ十型化する（第２図山）参照〉。次に多結晶シリコン
酸化膜１５を形或する（第２図（Ｃｌ参照）． 〔発明が解決しようとする課題〕 リン拡散法によりＮ十型化された多結晶シリコン膜の表
面に形成される熱酸化膜には以下の欠点があった． Ｎ十型の多結晶シリコン膜の酸化速度は単結晶シリコン
と比較して非常に大きい．従って酸化炉の出し入れの際
にウエハ内に不均一に形成される外気熱酸化膜、及びウ
エハ内の多結晶シリコン層のリン濃度のばらつきにより
、ウエノ＼内で不均一な酸化膜厚となる。従来の多結晶
シリコン酸化膜の形或方法によるウエハ面内の酸化膜厚
均一性を第３図中に破線で示す。第３図は縦軸に６イン
チウエハ面内の酸化膜厚均一性、横軸に多結晶シリコン
酸化膜形成回数をとったものである。
に於いて、特に絶縁膜の膜厚均一性の優れた形成方法に
関する． 〔発明の概要〕 本発明は、多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成する工程
に於いて、多結晶シリコン膜を形或後、ＢＢｒ３を不純
物拡散して、前記多結晶シリコン膜をＰ十型にした後に
前記多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成することにより
膜厚均一性の優れた絶縁膜を提供するものである． 〔従来の技術〕 第２図（ａｌ〜（Ｃｌは一般的な多結晶シリコン膜上の
酸化膜の形成工程順を示す断面図である６インチＰ型シ
リコン基板１１を用い、シリコン酸化膜１２を形成し、
多結晶シリコン膜１３を形成する（第２図ｔａｌ参照）
．この後、リン拡敗１４により多結晶シリコン膜１３を
Ｎ十型化する（第２図山）参照〉。次に多結晶シリコン
酸化膜１５を形或する（第２図（Ｃｌ参照）． 〔発明が解決しようとする課題〕 リン拡散法によりＮ十型化された多結晶シリコン膜の表
面に形成される熱酸化膜には以下の欠点があった． Ｎ十型の多結晶シリコン膜の酸化速度は単結晶シリコン
と比較して非常に大きい．従って酸化炉の出し入れの際
にウエハ内に不均一に形成される外気熱酸化膜、及びウ
エハ内の多結晶シリコン層のリン濃度のばらつきにより
、ウエノ＼内で不均一な酸化膜厚となる。従来の多結晶
シリコン酸化膜の形或方法によるウエハ面内の酸化膜厚
均一性を第３図中に破線で示す。第３図は縦軸に６イン
チウエハ面内の酸化膜厚均一性、横軸に多結晶シリコン
酸化膜形成回数をとったものである。
ただしウエハ面内の酸化膜厚均一性は、ウエハ周辺部１
ｃｍを除いた上．中，下，左，右の５ポイントの測定結
果である。
ｃｍを除いた上．中，下，左，右の５ポイントの測定結
果である。
上記の問題点を解決するために多結晶シリコン膜を形成
した直後、リン拡散によりＮ十型化するのではなく、多
結晶シリコン膜を形成した後に、ボロン拡散法によりＰ
十型化してから多結晶シリコン酸化膜を形成する。
した直後、リン拡散によりＮ十型化するのではなく、多
結晶シリコン膜を形成した後に、ボロン拡散法によりＰ
十型化してから多結晶シリコン酸化膜を形成する。
上記のような形成工程順によって形戊された多結晶シリ
コン酸化膜は、ウエハ内で均一に酸化膜厚が形成される
． 多結晶シリコン膜からなる浮遊ゲートを有する不揮発性
メモリに於いて、浮遊ゲー・ト上の酸化膜厚が安定する
ので浮遊ゲート、制御ゲート間の容量も安定し、信頼性
の高い不揮発性メモリを提供できる． 〔実施例〕 以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する．第１図［
ａｌ〜ｔｅｌは本発明の多結晶シリコン酸化膜の形或工
程順を示す断面図である。６インチＰ型シリコン基板１
を用い、シリコン酸化膜２を形成し、多結晶シリコン膜
３を４０００人形成する（第１図ｔａ＋参照）。この後
、ＢＢｒ．による不純物拡散４をして多結晶シリコン膜
３をＰ十型にする（第１図山）参照〉．次に温度１００
０℃の酸素／窒素雰囲気中で多結晶シリコン熱酸化膜５
を形或する（第１図（Ｃｌ参照）． 本発明の多結晶シリコン酸化膜の形成方法によるウエハ
面内の酸化膜厚均一性を第３図中に実線で示す。第３図
から明らかなように本発明の多結晶シリコン酸化膜の膜
厚均一性は従来の多結晶シリコン酸化膜の膜厚均一性に
比べ大分良くなっているのがわかる。これはＮ＋の多結
晶シリコン上に形成される熱酸化膜は威長レートが非常
に速いのに対して、Ｐ十の多結晶シリコン上では単結晶
シリコン上と比較しても、ほとんど変わりがない．従っ
て酸化炉の出し入れの際にウエハ内に不均一に形成され
る外気熱酸化膜やウエハ内の多結晶シリコン層の不純物
濃度のばらつきなどによる酸化膜厚の不均一性を最小限
にすることが出来る．尚、多結晶シリコン膜形成後ＢＢ
ｒ３などによる不純物拡散によらずに、ＢＦ３などによ
るイオンインプランテーションによって多結晶シリコン
膜をＰ十型にすることも可能である。
コン酸化膜は、ウエハ内で均一に酸化膜厚が形成される
． 多結晶シリコン膜からなる浮遊ゲートを有する不揮発性
メモリに於いて、浮遊ゲー・ト上の酸化膜厚が安定する
ので浮遊ゲート、制御ゲート間の容量も安定し、信頼性
の高い不揮発性メモリを提供できる． 〔実施例〕 以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する．第１図［
ａｌ〜ｔｅｌは本発明の多結晶シリコン酸化膜の形或工
程順を示す断面図である。６インチＰ型シリコン基板１
を用い、シリコン酸化膜２を形成し、多結晶シリコン膜
３を４０００人形成する（第１図ｔａ＋参照）。この後
、ＢＢｒ．による不純物拡散４をして多結晶シリコン膜
３をＰ十型にする（第１図山）参照〉．次に温度１００
０℃の酸素／窒素雰囲気中で多結晶シリコン熱酸化膜５
を形或する（第１図（Ｃｌ参照）． 本発明の多結晶シリコン酸化膜の形成方法によるウエハ
面内の酸化膜厚均一性を第３図中に実線で示す。第３図
から明らかなように本発明の多結晶シリコン酸化膜の膜
厚均一性は従来の多結晶シリコン酸化膜の膜厚均一性に
比べ大分良くなっているのがわかる。これはＮ＋の多結
晶シリコン上に形成される熱酸化膜は威長レートが非常
に速いのに対して、Ｐ十の多結晶シリコン上では単結晶
シリコン上と比較しても、ほとんど変わりがない．従っ
て酸化炉の出し入れの際にウエハ内に不均一に形成され
る外気熱酸化膜やウエハ内の多結晶シリコン層の不純物
濃度のばらつきなどによる酸化膜厚の不均一性を最小限
にすることが出来る．尚、多結晶シリコン膜形成後ＢＢ
ｒ３などによる不純物拡散によらずに、ＢＦ３などによ
るイオンインプランテーションによって多結晶シリコン
膜をＰ十型にすることも可能である。
本発明は以上説明したように、ウェハサイズが６〜８イ
ンチと大きくなってもウェハ内で均一に酸化膜厚が形成
されることにより、多結晶シリコン膜からなる浮遊ゲー
トを有する不揮発性メモリに於いて、浮遊ゲート上の酸
化膜厚が安定するので、浮遊ゲート，制御ゲート間の容
量が安定し、信頼性の高い不揮発性メモリを量産するこ
とが出来る．
ンチと大きくなってもウェハ内で均一に酸化膜厚が形成
されることにより、多結晶シリコン膜からなる浮遊ゲー
トを有する不揮発性メモリに於いて、浮遊ゲート上の酸
化膜厚が安定するので、浮遊ゲート，制御ゲート間の容
量が安定し、信頼性の高い不揮発性メモリを量産するこ
とが出来る．
第１図＋ａｌ〜（Ｃｌは本発明の多結晶シリコン酸化膜
の形成工程順を示す断面図、第２図ｆａｌ〜（Ｃｌは従
来の多結晶シリコン酸化膜の形成工程順を示す断面図、
第３図は従来の多結晶シリコン酸化膜と本発明の多結晶
シリコン酸化膜の膜厚均一特性図である． Ｐ型シリコン基板 シリコン酸化膜 多結晶シリコン膜 ボロン拡敗 多結晶シリコン酸化膜 以上
の形成工程順を示す断面図、第２図ｆａｌ〜（Ｃｌは従
来の多結晶シリコン酸化膜の形成工程順を示す断面図、
第３図は従来の多結晶シリコン酸化膜と本発明の多結晶
シリコン酸化膜の膜厚均一特性図である． Ｐ型シリコン基板 シリコン酸化膜 多結晶シリコン膜 ボロン拡敗 多結晶シリコン酸化膜 以上
Claims (1)
- 多結晶シリコン膜を形成する工程と、前記多結晶シリ
コン膜をＰ＋型で形成する工程と、前記多結晶シリコン
膜上に熱酸化膜を形成する工程とからなる多結晶シリコ
ン膜上絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336589A JPH0355872A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 多結晶シリコン膜上絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19336589A JPH0355872A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 多結晶シリコン膜上絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0355872A true JPH0355872A (ja) | 1991-03-11 |
Family
ID=16306703
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19336589A Pending JPH0355872A (ja) | 1989-07-24 | 1989-07-24 | 多結晶シリコン膜上絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0355872A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020041251A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | ロイ エス．アール．エル．Ｒｏｊ Ｓ．Ｒ．Ｌ． | 製織用緯糸フィーダ内の緯糸反射型光学センサ |
-
1989
- 1989-07-24 JP JP19336589A patent/JPH0355872A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020041251A (ja) * | 2018-09-07 | 2020-03-19 | ロイ エス．アール．エル．Ｒｏｊ Ｓ．Ｒ．Ｌ． | 製織用緯糸フィーダ内の緯糸反射型光学センサ |
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