JPH0325870B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0325870B2
JPH0325870B2 JP18109283A JP18109283A JPH0325870B2 JP H0325870 B2 JPH0325870 B2 JP H0325870B2 JP 18109283 A JP18109283 A JP 18109283A JP 18109283 A JP18109283 A JP 18109283A JP H0325870 B2 JPH0325870 B2 JP H0325870B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
serial
section
register
output
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP18109283A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6072020A (ja
Inventor
Shoji Ishimoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP58181092A priority Critical patent/JPS6072020A/ja
Priority to US06/655,497 priority patent/US4633441A/en
Priority to DE8484111609T priority patent/DE3481879D1/de
Priority to EP84111609A priority patent/EP0135940B1/en
Publication of JPS6072020A publication Critical patent/JPS6072020A/ja
Publication of JPH0325870B2 publication Critical patent/JPH0325870B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1075Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for multiport memories each having random access ports and serial ports, e.g. video RAM
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/04Arrangements for selecting an address in a digital store using a sequential addressing device, e.g. shift register, counter
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C8/00Arrangements for selecting an address in a digital store
    • G11C8/18Address timing or clocking circuits; Address control signal generation or management, e.g. for row address strobe [RAS] or column address strobe [CAS] signals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Controls And Circuits For Display Device (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Digital Computer Display Output (AREA)
  • Memory System (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はメモリ回路に関する。
LSI技術を駆使したMOSランダムアクセスメ
モリ(RAM)はコンピユーターのメインメモリ
に主として使われてきたが、最近のパーソナルコ
ンピユータに代表されるオフイスオートメーシヨ
ン機器に大量に使われるようになつてきた。その
原因はビツト当りの単価が非常に安くなつてきた
ことにより画像処理用、特にCRT(陰極線管を用
いた表示装置)の表示用に使われている。この表
示装置に使われるメモリ装置はCPUとCRTの間
にあつてCPUより表示用データを受取りあるい
はメモリからCPUへデータを送るとともにメモ
リはCRTに対してデータを送る。この時CPUか
らメモリ間のデータのヤリとりはランダムであ
り、そのスピードつまりアクセスタイム及びサイ
クルタイムはCPUのスピードに依存する。これ
に対してメモリからCRTへのデータの転送はシ
ーケンシヤルなアクセスのみでありランダム性は
必要ない。更にはそのスピードはCRTの表示サ
イズに依存する。つまりCRTの分解能かどの程
度必要かによつて決まる。現在8bit系パーソナル
コンピユータによく用いられるCRTの画面サイ
ズは640×400ドツト(dot)でありこの場合、1
画面上には640×400=256000dotあり、1dotあた
り約45NSのサイクルタイムになる。
現在の表示データ用RAM(以下VRAMと称す)
ではこれらのアプリケーシヨンに対しては非常に
効率の悪い使い方になる。それはCRTの表示期
間中は常にCRTに対して前記の例の場合45NS
データレイトでデータを送り続ける必要がある。
つまりこの期間中はRAMはCPUとのデータのや
りとりができず、VRAMの書き換えあるいは
CPUがVRAM内容を読むという操作が全くでき
ない。CPUとのデータのやりとりができるのは
CRTの表示期間からはずれるブランキング期間
のみに限られる。従つてシステム全体としての
CPU効率は非常に悪くなる。
このようなシステムに対しては対CPU用の入
出力系と対CRT用の出力系を持つたRAMが最も
適していると言える。このような2系統の入出力
系を持つたRAMをデユアルポートメモリと称し
ており、VRAM専用のメモリとして登場が待た
れている。
第1図を使つてデユアルポートメモリの概要を
説明する。メモリセル部6に対してX0,X1,…
Xmの行入力を持つ行アドレスバツフア1、ワー
ド線を選択する行デコーダ2、そしてこれらは制
御信号Rによつてコントロールされる。Y0,Y1
…,Ynの列入力を持つ列アドレスバツフア3、
特定のビツト線をデータバスライン5と接続する
列デコーダ4、制御信号Cによりコントロール
されデータバスラインのデータを出力OUTとし
て取り出す出力バツフア7および入力データIN
をデータバスライン5に書き込む入力バツフア8
が設けられる。以上は通常のRAMと全く同じで
以下RAM部と呼ぶ。セルアレイ6の各ビツト線
に対応してビツト線毎に記憶ビツトを有するレジ
スタ10を持ち、ビツト線との間にスイツチング
手段9を置きセルアレイ部とレジスタ間の信号の
伝達をコントロールする。レジスタへのデータの
転送は次の様に行なう。RAM部の任意ワード線
を選択し、センス動作完了時にビツト線は低レベ
ルあるいは高レベルになつておりこの状態でスイ
ツチング手段9を活性化しレジスタ10に各ビツ
ト線のデータを書込む。このレジスタは一例とし
てはシフトレジスタが考えられ、シフト制御信号
φS1により逐次出力SOがシリアル出力バツフア1
1を介して得られる。スイツチング手段9をスイ
ツチング部、レジスタ10、シリアル出力バツフ
ア11を以下シリアル部と称す。従つてRAM部
とシリアル部及びスイツチング部より構成される
チユアルポートRAMは2系統の入出力系を持
ち、かつビツト線からシリアル部レジスタへのデ
ータ転送時(以下データ転送サイクルと称す)を
除いて独立に動作できる。これは前記のCPUと
CRTに係わるVRAMとして適しているが、問題
点はシリアル部出力のデータの自由度が全くない
点である。シリアル部のシフトレジスタ10はデ
ータ自体をシフトレジスタ列の一端から読み出す
わけで読み出しは常に特定のビツトからしか開始
できない。これはシフトレジスタによるデータ転
送以外の方式、レジスタのレベルをリードバスラ
インを使つて読み出す方式でも同じである。この
問題はCRTの表示方法の制限をもたらす。CRT
の表示技術の一つとしてスクロール機能がある。
これは表示用VRAMエリアのうち一部のみを実
際の表示に使うもので表示データとしてはCRT
の表示サイズよりも大きくVRAM領域を確保し
てその一部を表示するものである。このような機
能に対してはシリアル部の出力はデータ転送後任
意の番地から開始する必要がある。更なる問題は
シリアル出力はブランキング期間以外はCRTの
ドツトレイトで連続的に出てくることが必要で、
RAM部からシリアル部へのデータ転送サイクル
において出力波形に空き時間あるいはアクセスタ
イムの遅れがあつてはならない。
本発明の目的はビデオRAMと呼ばれる画像用
メモリ、特にデユアルポートRAMに関して
RAM部からシリアル部へのデータ転送後、シリ
アル部の読出し開始番地を任意に設定でき、かつ
シリアル部の出力データがこのようなデータ転送
時も遅れることなく連続的に取り出されるメモリ
回路を提供することにある。
本発明の基本回路を第2図に示す。また第3図
に制御信号タイミング、第4図に内部タイミング
論理図を示す。RAM部100は通常のRAMと
全く同一である。行アドレスバツフア101、行
デコーダ102によりセル部106の任意のワー
ド線WLを行アドレス入力X0,X1,…Xmのレベ
ルに応じて選択する。所定のワード線WLの選択
の後ワード線上と直交するビツト線BL上にセル
109の保持レベルに応じた差電圧が生じ、セン
ス動作により微小信号を増幅し低レベルあるいは
高レベルとする。列側の選択は同様にして列アド
レスバツフア103、列デコーダ104に行なわ
れる。列デコーダ出力により選択ビツト線をI/
Oバスライン105と接続し、書込み時は入力バ
ツフア108により、読出し時は出力バツフア1
07により各機能が逐行される。第5図aに列ア
ドレスバツフア103のバツトを、第5図bに列
アドレスバツフア出力により駆動される列デコー
ダ105の1ビツトを示す。なおYiは列アドレ
ス入力、refは基準電位で電源電位Vcc=5Vの時、
約1.5Vにセツトされる。
シリアル部200はシリアルアクセス用レジス
タ201、シリアルアドレス選択用カウンター2
04、このカウンター出力により1つのレジスタ
の選択を行なうシリアルデコーダ203、レジス
タの保持レベルを読出すリードバスライン20
2、出力バツフア206により構成され、更に列
アドレスバツフア103よりの出力をカウンタの
制御のためにスイツチング手段205を介してカ
ウンターに接続される。第4図に本実施例で用い
るタイミング信号の構成を示す。,は
周知のマルチストローブ方式RAMにおける基本
クロツクであり、それぞれ行系、列系の回路を制
御する。はデータ転送を制御するクロツクで
ある。はレジスタ制御のための基本クロツク
である。
第6図を参照してシリアルカウンタ204の説
明を行なう。フリツプフロツプで構成されるバイ
ナリーカウンター300、インクリメント動作を
行なう制御回路302,303及びバイナリーカ
ウンター出力を第4図に示すシリアルクロツク
SC系SC1〜SC4と同期をとるためのバツフア3
01より構成されている。n+1段のカウンター
の場合この回路がn+1段にあり2n+1のバイナリ
ーカウントを行なうことができる。更にバイナリ
ーカウンター出力Ci,にスイツチングトランジ
スタQ300,Q301を介して列アドレス出力
Ayi,に接続される。これによりカウンター
出力を列アドレス入力により制御するためで、こ
のスイツチングトランジスタによりシリアル動作
の開始アドレスが列アドレスバツフアで任意に設
定できる。制御タイミングDTはアドレスデータ
を転送する時以外はオフ状態となり完全に切離さ
れる。シリアル制御信号に同期したシリアル
カウンタ出力SAi,は第7図aに示すシリア
ルデコーダに接続されスイツチング信号SSOを発
生する。シリアルレジスタは第8図に示すような
フリツプフロツプによる保持回路が考えられる。
あるいは単なる容量によるレベル保持回路でも実
現できる。第7図bにスイツチングトランジスタ
Q400,Q401によりレジスタデータをリー
ドバツフアライン401,402に読み出し、デ
ータアンプ403により増幅する。シリアル出力
バツフアは第7図cによりリードバスライン40
1,402を受けて出力SOを出す。
RAM部からシリアル部へのデータ転送時の内
部動作を説明する。データ転送の制御はによ
り行なわれる。第3図のタイミング図において、
時刻Aでが立下りデータ転送サイクルがスタ
ートする。の活性化を受け行アドレスRをセ
ツトした後、行制御信号が活性化するが、
この時の行アドレスはワード線選択のために使わ
れる。によつて実行される内部動作、つま
りリフレツシユ動作は通常サイクルと同じであ
る。アドレス入力は行アドレスを行アドレスバツ
フアにラツチ後、シリアル動作のデータ転送後の
スタートアドレスをセツトし、の立下りで
列アドレスを列アドレスバツフアにラツチする。
通常のRAM部のライト/リードサイクルに必要
なビツト線選択用列アドレスはデータ転送時には
必要でないため、シリアル部でデータ転送直後に
必要なシリアル部のスタートアドレスに使うわけ
である。従つてこのアドレスデータは列アドレス
バツフア103で真補信号に変換した後、シリア
ル部カウンターにスイツチングゲート205を介
して転送する。ただしシリアル部の連続アクセス
への悪影響をさけるためスイツチングゲートはシ
リアル部制御信号と同期をとつて活性化する。ま
た列制御信号による動作は列アドレスバツ
フアさえ活性化すればよく、それ以降の動作を止
めることができる。ワード線の活性化後、センス
アンプによるビツト線の低レベルあるいは高レベ
ルへのリフレツシユが完了するとを高レベル
にする。この立上り点Dからの立下り点Eま
での間に次の2つの動作を行なう。
(1) データ転送ゲート150をオンし、ビツト線
BLのデータをレジスタ201に書き込む。
(2) スイツチングゲート205をオンし、列アド
レスバツフア103の出力データをカウンター
204にセツトする。
この2つの動作をシリアル制御クロツクの
立下りまでに完了することによりデータ転送直後
の1ビツト目の読出しスピードが遅れることな
く、出力データの連続性が保てるわけである。
以上のデータ転送サイクルが終つたあとは、
RAM部およびシリアル部の独立した動作が可能
になる。本実施例ではの立上りでデータ転送
を行なつたが、あるいはの立上り等の
他の制御信号のエツヂでもとの同期をとれば
可能である。更に本実施例ではRAM部及びシリ
アル部はそれぞれ1ビツトのみの入出力として説
明したが、多ビツト入出力を持つデバイスでの適
用はもちろん可能で、その上RAM部とシリアル
部のビツト構成は違つていても問題ない。
他の実施例としてはシリアル部の機能として読
出しのみでなく、書込みを含めた場合も実用的で
ある。この時にはレジスタの低レベルあるいは高
レベルをRAM部のビツト線に転送することによ
り、データ転送が可能である。RAM部が1トラ
ンジスタで構成されるダイナミツク型の場合デー
タ転送後、センス動作を行なうことにより、非常
に効率のよいデータ転送ができる。
以上述べたように、デユアルポートメモリにお
いてシリアル部のデータ転送後のスタートアドレ
スのセツトをRAM部の列アドレスバツフアを使
つて行なうことにより、自由度の大きいシリアル
データをRAM部とは独立して得られ、画像用メ
モリとしての性能が飛躍的に向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のメモリ回路を示す図、第2図は
本発明のデユアルポートメモリ回路を示すブロツ
ク図、第3図は第2図の回路の基本動作をわかり
やすく示したタイミング図である。第4図は本発
明を説明するために用いる基本回路のタイミング
発生のブロツク図である。第5図から第8図は本
発明を実現するために各構成部の具体例を示す図
であり、第5図a,bは列アドレスバツフア、列
デコーダー、第6図はシリアルカウンター、第7
図a,b,cはシリアル部のシリアル部のシリア
ルデコーダ、リードバスライン、出力バツフア、
第8図a,bはレジスタをそれぞれあらわしてい
る。 100……RAM部、200……シリアル部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 行アドレスで選択されるワード線と列アドレ
    スで選択されるビツト線とマトリクス状に配置さ
    れたメモリセルとを有するメモリセルアレイと、
    該セルアレイに対してランダムに書込みと読み出
    しができるランダムアクセス部と、前記ビツト線
    に対応して設けられたデータレジスタ及び前記デ
    ータレジスタのアクセス位置を指定する手段を含
    むシリアル部と、ビツト線データを該レジスタに
    転送するデータ転送部と、該ランダムアクセス部
    の列アドレス信号を該シリアル部の該指定手段に
    印加して該指定手段が最初に指定すべき該データ
    レジスタのアクセス位置を指定する手段と、該指
    定されたアクセス位置から該データレジスタの各
    アクセス位置を連続的に指定する手段とを有する
    ことを特徴とするデユアルポートメモリ回路。
JP58181092A 1983-09-29 1983-09-29 デュアルポ−トメモリ回路 Granted JPS6072020A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58181092A JPS6072020A (ja) 1983-09-29 1983-09-29 デュアルポ−トメモリ回路
US06/655,497 US4633441A (en) 1983-09-29 1984-09-28 Dual port memory circuit
DE8484111609T DE3481879D1 (de) 1983-09-29 1984-09-28 Doppeltor-speicheranordnung.
EP84111609A EP0135940B1 (en) 1983-09-29 1984-09-28 Dual port memory circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58181092A JPS6072020A (ja) 1983-09-29 1983-09-29 デュアルポ−トメモリ回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6072020A JPS6072020A (ja) 1985-04-24
JPH0325870B2 true JPH0325870B2 (ja) 1991-04-09

Family

ID=16094683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58181092A Granted JPS6072020A (ja) 1983-09-29 1983-09-29 デュアルポ−トメモリ回路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4633441A (ja)
EP (1) EP0135940B1 (ja)
JP (1) JPS6072020A (ja)
DE (1) DE3481879D1 (ja)

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61239491A (ja) * 1985-04-13 1986-10-24 Fujitsu Ltd 電子装置
US4731758A (en) * 1985-06-21 1988-03-15 Advanced Micro Devices, Inc. Dual array memory with inter-array bi-directional data transfer
US5270981A (en) * 1985-07-30 1993-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Field memory device functioning as a variable stage shift register with gated feedback from its output to its input
JPS6242228A (ja) * 1985-08-19 1987-02-24 Nec Corp 表示情報処理システム
JPS6271385A (ja) * 1985-09-25 1987-04-02 Hitachi Ltd ビデオメモリ
JPH0727343B2 (ja) * 1985-09-25 1995-03-29 株式会社日立製作所 ビデオメモリ
JPS62137795A (ja) * 1985-12-09 1987-06-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
US4905189B1 (en) * 1985-12-18 1993-06-01 System for reading and writing information
JPH0642313B2 (ja) * 1985-12-20 1994-06-01 日本電気株式会社 半導体メモリ
JPS62152050A (ja) * 1985-12-26 1987-07-07 Nec Corp 半導体メモリ
JPH07111822B2 (ja) * 1986-03-07 1995-11-29 株式会社日立製作所 半導体記憶装置
JPS62226498A (ja) * 1986-03-28 1987-10-05 Hitachi Ltd 半導体記憶装置
JPS62252590A (ja) * 1986-04-24 1987-11-04 Ascii Corp メモリ装置
JPH0631927B2 (ja) * 1986-04-28 1994-04-27 株式会社日立製作所 表示データ転送方法及びディスプレイシステム
JPS62271291A (ja) * 1986-05-20 1987-11-25 Ascii Corp メモリ装置
JPS62287497A (ja) * 1986-06-06 1987-12-14 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
JPS62288888A (ja) * 1986-06-09 1987-12-15 ケンコンピュータ株式会社 Cd−rom用画像表示装置
JPS6326889U (ja) * 1986-08-04 1988-02-22
JPS6349984A (ja) * 1986-08-20 1988-03-02 Fanuc Ltd 画像処理装置
US4794464A (en) * 1986-09-02 1988-12-27 Eastman Kodak Company Video time division multiplexer with plural dual port memories
EP0262413B1 (en) * 1986-09-04 1992-07-22 Fujitsu Limited Memory device employing address multiplexing
US4799199A (en) * 1986-09-18 1989-01-17 Motorola, Inc. Bus master having burst transfer mode
JPH01130240A (ja) * 1987-11-16 1989-05-23 Yokogawa Hewlett Packard Ltd データ列発生装置
JPS63136391A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Nec Corp 半導体メモリ装置
JPS63276795A (ja) * 1986-12-16 1988-11-15 Mitsubishi Electric Corp 可変長シフトレジスタ
JPS63171496A (ja) * 1987-01-07 1988-07-15 Mitsubishi Electric Corp デユアルポ−トメモリ制御装置
EP0275884B1 (de) * 1987-01-23 1993-05-26 Siemens Aktiengesellschaft Halbleiterspeicher mit wahlfreiem Zugriff über zwei getrennte Ein/Ausgänge
US4823302A (en) * 1987-01-30 1989-04-18 Rca Licensing Corporation Block oriented random access memory able to perform a data read, a data write and a data refresh operation in one block-access time
US4789960A (en) * 1987-01-30 1988-12-06 Rca Licensing Corporation Dual port video memory system having semi-synchronous data input and data output
US4821226A (en) * 1987-01-30 1989-04-11 Rca Licensing Corporation Dual port video memory system having a bit-serial address input port
US4891795A (en) * 1987-05-21 1990-01-02 Texas Instruments Incorporated Dual-port memory having pipelined serial output
JPS63300491A (ja) * 1987-05-29 1988-12-07 Nec Corp メモリ装置
US4772956A (en) * 1987-06-02 1988-09-20 Eastman Kodak Company Dual block still video compander processor
US4774587A (en) * 1987-06-02 1988-09-27 Eastman Kodak Company Still video transceiver processor
JP2598916B2 (ja) * 1987-08-14 1997-04-09 シャープ株式会社 描画装置
JPH0748301B2 (ja) * 1987-12-04 1995-05-24 富士通株式会社 半導体記憶装置
US5587962A (en) * 1987-12-23 1996-12-24 Texas Instruments Incorporated Memory circuit accommodating both serial and random access including an alternate address buffer register
US5093807A (en) 1987-12-23 1992-03-03 Texas Instruments Incorporated Video frame storage system
US5157776A (en) * 1987-12-30 1992-10-20 Zenith Data Systems Corporation High speed memory for microcomputer systems
JPH0211598U (ja) * 1988-06-28 1990-01-24
US5200925A (en) * 1988-07-29 1993-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Serial access semiconductor memory device and operating method therefor
US5267200A (en) * 1988-08-31 1993-11-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor memory device and operating method thereof with transfer transistor used as a holding means
JP2659228B2 (ja) * 1988-09-20 1997-09-30 富士通株式会社 半導体メモリ
US5051890A (en) * 1988-09-29 1991-09-24 Nec Corporation Program/data memory employed in microcomputer system
US5166903A (en) * 1988-10-25 1992-11-24 International Business Machines Corporation Memory organization with arrays having an alternate data port facility
US5150328A (en) * 1988-10-25 1992-09-22 Internation Business Machines Corporation Memory organization with arrays having an alternate data port facility
US5150327A (en) * 1988-10-31 1992-09-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory and video signal processing circuit having the same
US5222043A (en) * 1989-06-29 1993-06-22 Siemens Aktiengesellschaft Circuit configuration for identification of integrated semiconductor circuitries
JP3061060B2 (ja) * 1989-09-05 2000-07-10 株式会社東芝 マルチポートメモリ
JPH03237680A (ja) * 1990-02-13 1991-10-23 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
GB2245394A (en) * 1990-06-18 1992-01-02 Rank Cintel Ltd Video framestore selective addressing system
JP3179792B2 (ja) * 1990-07-04 2001-06-25 三菱電機株式会社 マルチ・ポート・ランダム・アクセス・メモリ
KR100214435B1 (ko) * 1990-07-25 1999-08-02 사와무라 시코 동기식 버스트 엑세스 메모리
JP2715004B2 (ja) * 1991-01-07 1998-02-16 三菱電機株式会社 半導体メモリ装置
US5224072A (en) * 1991-04-04 1993-06-29 Oki Electric Industry Co., Ltd. Read-only memory with few programming signal lines
JP3158286B2 (ja) * 1991-04-30 2001-04-23 ソニー株式会社 マルチポートメモリ
JPH05182454A (ja) * 1991-06-25 1993-07-23 Mitsubishi Electric Corp デュアルポートメモリ装置
US5325338A (en) * 1991-09-04 1994-06-28 Advanced Micro Devices, Inc. Dual port memory, such as used in color lookup tables for video systems
KR960006284B1 (ko) * 1991-10-03 1996-05-13 니뽄 덴끼 가부시끼가이샤 듀얼 포트 반도체 기억장치
US5315388A (en) * 1991-11-19 1994-05-24 General Instrument Corporation Multiple serial access memory for use in feedback systems such as motion compensated television
US5581279A (en) * 1991-12-23 1996-12-03 Cirrus Logic, Inc. VGA controller circuitry
JP3582082B2 (ja) * 1992-07-07 2004-10-27 セイコーエプソン株式会社 マトリクス型表示装置,マトリクス型表示制御装置及びマトリクス型表示駆動装置
US5900856A (en) * 1992-03-05 1999-05-04 Seiko Epson Corporation Matrix display apparatus, matrix display control apparatus, and matrix display drive apparatus
JPH05274862A (ja) * 1992-03-24 1993-10-22 Mitsubishi Electric Corp 半導体メモリ装置
EP0573800B1 (de) * 1992-06-09 1997-10-15 Siemens Aktiengesellschaft Integrierte Halbleiterspeicheranordnung
ATE159377T1 (de) * 1992-06-09 1997-11-15 Siemens Ag Integrierte halbleiterspeicheranordnung
US5432743A (en) * 1992-06-30 1995-07-11 Nec Corporation Semiconductor dynamic RAM for image processing
US5590307A (en) * 1993-01-05 1996-12-31 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Dual-port data cache memory
US5369617A (en) * 1993-12-21 1994-11-29 Intel Corporation High speed memory interface for video teleconferencing applications
JP3538841B2 (ja) 1994-11-17 2004-06-14 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
KR0156969B1 (ko) * 1995-05-15 1998-12-01 김주용 버스트 페이지 억세스 장치
US5715197A (en) * 1996-07-29 1998-02-03 Xilinx, Inc. Multiport RAM with programmable data port configuration
JP2000122919A (ja) 1998-10-13 2000-04-28 Mitsubishi Electric Corp プロセッサ及びメモリ制御方法
KR100326268B1 (ko) * 1998-10-28 2002-05-09 박종섭 디코딩시의동작마진확보를위한디코딩장치및그방법
US6222793B1 (en) 2000-06-06 2001-04-24 Intergrated Device Technology, Inc. Memory devices having a restore start address counter
KR100816915B1 (ko) * 2000-07-07 2008-03-26 모사이드 테크놀로지스, 인코포레이티드 일정한 액세스 레이턴시를 지닌 고속 dram 및 메모리 소자

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51147225A (en) * 1975-06-13 1976-12-17 Hitachi Ltd Semiconductor memory
JPS5727477A (en) * 1980-07-23 1982-02-13 Nec Corp Memory circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3771145B1 (en) * 1971-02-01 1994-11-01 Wiener Patricia P. Integrated circuit read-only memory
NL7309642A (nl) * 1973-07-11 1975-01-14 Philips Nv Geintegreerd geheugen.
US4106109A (en) * 1977-02-01 1978-08-08 Ncr Corporation Random access memory system providing high-speed digital data output
US4161035A (en) * 1977-10-31 1979-07-10 Israel Electro-Optical Industry Ltd. Circuitry for displaying a constantly changing M-mode output on a raster scan display
US4120048A (en) * 1977-12-27 1978-10-10 Rockwell International Corporation Memory with simultaneous sequential and random address modes
US4402067A (en) * 1978-02-21 1983-08-30 Moss William E Bidirectional dual port serially controlled programmable read-only memory
US4347587A (en) * 1979-11-23 1982-08-31 Texas Instruments Incorporated Semiconductor integrated circuit memory device with both serial and random access arrays
US4344156A (en) * 1980-10-10 1982-08-10 Inmos Corporation High speed data transfer for a semiconductor memory

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51147225A (en) * 1975-06-13 1976-12-17 Hitachi Ltd Semiconductor memory
JPS5727477A (en) * 1980-07-23 1982-02-13 Nec Corp Memory circuit

Also Published As

Publication number Publication date
EP0135940B1 (en) 1990-04-04
EP0135940A3 (en) 1986-10-01
DE3481879D1 (de) 1990-05-10
JPS6072020A (ja) 1985-04-24
US4633441A (en) 1986-12-30
EP0135940A2 (en) 1985-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0325870B2 (ja)
US5023838A (en) Random access memory device with integral logic capability
JP5260511B2 (ja) シングルポートメモリセルを用いたデュアルポートsramメモリ
US4855959A (en) Dual port memory circuit
US4412313A (en) Random access memory system having high-speed serial data paths
EP0097778A2 (en) Digital storage
JPH04243085A (ja) 半導体記憶装置
US5146430A (en) Self-refresh system for use in a field memory device
US4870621A (en) Dual port memory device with improved serial access scheme
JPS6213758B2 (ja)
US5185719A (en) High speed dynamic, random access memory with extended reset/precharge time
JPH05274862A (ja) 半導体メモリ装置
US7298661B2 (en) Semiconductor memory device
US4837746A (en) Method and apparatus for resetting a video SRAM
JPH0816882B2 (ja) 半導体記憶装置
EP0454162A2 (en) Semiconductor memory device
US5654934A (en) Semiconductor memory employing a block-write system
EP0468135B1 (en) A high speed dynamic, random access memory with extended reset/precharge time
JP2566911B2 (ja) デユアルポ−トメモリ
JPS63123142A (ja) 半導体記憶装置
JPH0220995B2 (ja)
KR19990007860A (ko) 논리 연산을 이용하여 메모리에 저장된 데이터를수정하기 위한 회로, 시스템 및 방법
JPH1092172A (ja) データ読取り/書込み機能を有する半導体メモリ装置
JPH11232874A (ja) 半導体記憶装置
KR0165362B1 (ko) 연속적인 라이트 사이클에 의한 반도체 메모리 라이트 방법