JPH03141677A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、内部樹脂
の外側が別の外部樹脂で被覆されたような二重構造のモ
ールドパッケージを有する半導体装置（以後「二重モー
ルド半導体装置」と呼ぶ）の樹脂封止方法に関するもの
である。

〔従来の技術〕

まず、二重モールド半導体装置の従来の樹脂封止方法を
説明する。第２図に示したのはこの装置の一種の樹脂封
止後の断面である。本装置はリードフレーム上に発光ダ
イオード素子２とフォトトランジスタ素子３を組込んだ
ものであり、内部樹脂４は両者間の光信号伝達の為に透
光性を有し、外部樹脂５は外乱光を防ぐために遮光性を
有している。この様に、この種の装置は性質の異なる樹
脂によって二度封止されて製造されることが特徴であり
、内部の素子は必ずしも第２図に限定されるものではな
い。

次に、実際の封止と手順を第３図〜第６図を用いて説明
する。

第３図は内部樹脂封止後の平面図であり、第４図はこの
際に使用する封入金型と共に第３図上つ断面Ａ−Ａで切
断した断面図である。

まず、樹脂封止前のリードフレームｌを内部樹脂用金型
１９に装着して型締めを行い、内部樹脂用ゲー）１５か
ら樹脂を圧入する。樹脂は金型１９内に作られた内部樹
脂用キャビティ１２の内部に充填され内部樹脂１１が形
成される。またそれと同時に樹脂はリードフレームのリ
ード部分１３によって囲まれた部分にも流れるが、タイ
バー１４によって塞き止められるため、結果として第３
図中に斜線で示したリード間バｕ１６とゲート周囲バリ
２０の箇所にリードフレームの板厚分の樹脂バリを生ず
る。

２番目の工程として樹脂破断を行う。これは外部樹脂封
止を行う前に前記のリード間バリ１６とゲート周囲バリ
２０をポンチ等で０．１　ｍｍ以下の精度で打ち抜く工
程である。

３番目の工程として外部樹脂封止を行う。第５図は外部
樹脂封止後の平面図であり、第６図は第４図と同様の断
面Ｂ−Ｈによる断面図である。外部樹脂封止の方法は内
部樹脂封止の方法と同様であり、外部樹脂用ゲート２５
より樹脂を圧入して外部樹脂用キャビティ２５の内部に
充填して外部樹脂２１を形成する。

４番目の工程としてタイバー１４を切断し、各リードを
電気的に絶縁する。

〔発明が解決しようとする課題〕

ところが、上述した従来の樹脂封止方法は以下の様な欠
点を有する。

第１に、前述の第２の工程である樹脂破断工程を省くこ
とができず、かつ、高精度の打ち抜きを必要とする。な
ぜならゲート周囲バリ２０が残っていると外部樹脂封止
を行うことができないし、リード間バリ１６が残ってい
ると内部樹脂を外部樹脂で完全に被覆することができな
いからである。

従って樹脂破断という余計な工数および設備が必要とな
る。

第２に、内部樹脂封止の際の樹脂洩れが直ちに品質上の
欠陥につながる恐れがある。その理由を再度第３図にて
説明する。内部樹脂は金型のわずかな隙間からでも洩れ
やすい性質を持つので、前記リード間バリ１６の外周の
リードフレーム上に厚さ数ミクロンの薄バ’Ｊ１８が発
生しやすい。この部分は外部樹脂２１の外縁部にあるた
め、これをそのままにして外部樹脂封止を行うと薄バリ
１８のある箇所の型締めが不完全となり新たな樹脂洩れ
を起こす恐れがあった。さらに内部樹脂の洩れがタイバ
ー１４を越えて第３図に示す装置外装部バリ１７となっ
た場合は半導体装置の外装半田メツキ部分に樹脂が付着
することとなり、半田メツキネ良の原因となっていた。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の製造方法は、上記と樹脂封止方法の欠点を改善
すべく考え出されたものである。すなわち、使用するリ
ードフレームはリード間を連結する第一のタイバーと平
行して第二のタイバーを有するもとのする。内部樹脂封
止後に、半導体素子に近い側の第一のタイバーを切断し
、しかる後に外部樹脂封止を行い次いで残る第二のタイ
ツ・−を切断するものである。しかも上記の第一のタイ
バーの切断部分は外部樹脂封止を行った後には外部樹脂
の内側に封入されるような位置に設けられる。

〔実施例〕

次に本発明の一実施例に基づく製造方法について、図面
を参照して説明する。

第１図に示すのは本発明の一実施例で使用するリードフ
レームに一次樹脂封止を行った後の平面図である。リー
ドフレームのリード部分１３は第のタイバー３１とそれ
に平行な第二のタイバー３２で連結されており、第二の
タイバー３２は半導体素子（図示せず）からは、より遠
く位置している。また第一のタイバー３１は図中想像線
で示した外部樹脂２１の内側に位置しており、外部樹脂
封止後は樹脂内部に隠されて見ることばてきない。

続いて本発明の樹脂封止方法の手順を第７図〜第９図を
用いて説明する。

まず第１番目の工程である内部樹脂封止は従来と全く同
様にして内部樹脂用ゲート３５より樹脂を圧入した結果
、第７図の様な内部樹脂１１が形成され、図の斜線部に
リード間バリ３６とゲート周囲バリ４０が発生する。ま
た、もし樹脂洩れが発生した場合でも樹脂は斜線部３７
にとどまって装置の外装半田メツキ部には到達しない。

なお本実施例では金型内に板厚分の島状のタムブロック
３８を設けることにより、その部分についてはゲート周
囲バリ４０は発生していない。

次に２番目の工程として第一のタイバー３１を切断する
。これは単に連結部分を切り離すだけであるので０．３
　ｍｍ程度の精度で十分であり、また第一のタイバー３
１の幅も０．３　ｍｍ程度と細いため、小型のプレスで
十分である。このような切断プレス・切断型は単独の設
備とせず、例えば樹脂成形機の一部に組込むことができ
る。

３番目の工程である外部樹脂封止を終えた状態が第９図
である。第一のタイバー３１の切断部分およびリード間
バリ３６およびゲート周囲バリ４０は外部樹脂２１の内
側に封入されるため、最終製品になった場合には外から
は見えない効果がある。

第１０図は本発明の他の実施例を示す平面図である。こ
の実施例では内部樹脂１１は他の内部樹脂と隣接してお
らす、内部樹脂用ケート１５と外部樹脂用ケート２５も
離れているため、前述のダムフロック３８が不要である
という利点がある。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は従来の方法が有していた欠
点を解決するものである。

すなわち、第２の工程である樹脂破断工程を、精度を必
要としない第一タイバーの切断に置き換え高価な専用設
備とそれに要する工数を削減する効果を有する。

また樹脂洩れによる薄パリが発生した場合でも薄パリ部
は外部樹脂のキャヒティ内に来るため、外部樹脂封止時
に新たな樹脂洩れを誘発することなく、安定した品質の
半導体装置を提供できるという効果も有している。

【図面の簡単な説明】

ｖＪ１図は本発明の一実施例によるリードフレームおよ
び内部樹脂封止後の状態を示す平面図、第２図は二重モ
ールド半導体装置の構造を示す断面図、第３図は従来の
製造方法による内部樹脂封止後の平面図、第４図は内部
樹脂封止用金型と第３図の断面とを合わせて描いた断面
図、第５図は従来の製造方法による外部樹脂封止後の平
面図、第６図は外部樹脂封止用金型と第５図の断面とを
合わせて描いた断面図、第７図は本発明の一実施例によ
る製造方法において内部樹脂封止後の平面図、第８図は
内部樹脂封止用金型と第７図の断面とを合わせて描いた
断面図、第９図は本発明の一実施例による製造方法にお
いて外部樹脂封止後の平面図、第１Ｏ図は本発明の他の
実施例による内部樹脂封止後の平面図である。 ■・・・・・・リードフレーム、２・・・・・発光ダイ
オード素子、３・・・・・・フォトトランジスタ素子、
４・・・・・・内部樹脂、５・・・・・・外部樹脂、１
１・・・・・・内部樹脂、１２・・・・・・内部樹脂用
キャビティ、１３・・・・・・リードフレームのリード
部分、１４・・・・・・タイバー　１５・・・・・・内
部樹脂用ゲート、１６・・・・・・リード間パリ、１７
・・・・・・装置外装部パリ、１８・・・・・・リード
フレーム上の薄パリ、１９・・・・・・内部樹脂用金型
、２０・・・・・ゲート周囲パリ、２１・・・・・・外
部樹脂、２２・・・・・外部樹脂用キャビティ、２５・
・・・・・外部樹脂用ゲート、２９・・・・・・外部樹
脂用金型、３１・・・・・・第一タイバー、３２・・・
・・・第二タイバー　３５・・・・・内部樹脂用ゲート
、３６・・・・・・リード間パリ、３７・・・・第タイ
バーより洩れた樹脂、３８・・・・・タムブロック、４
０・・・・・・ゲート周囲パリ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　内部樹脂と外部樹脂の二重構造のモールドパッケージ
   を有する半導体装置において、リード間を連結する第一
   のタイバーと、前記第一のタイバーに平行で半導体素子
   からより遠くに位置する第二のタイバーとを有するリー
   ドフレームを使用し、内部樹脂封止後に前記第一のタイ
   バーを切断し、しかる後に外部樹脂封止を行い、次いで
   残る第二のタイバーを切断することを特徴とする半導体
   装置の製造方法。