JPH03141677A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03141677A JPH03141677A JP1280493A JP28049389A JPH03141677A JP H03141677 A JPH03141677 A JP H03141677A JP 1280493 A JP1280493 A JP 1280493A JP 28049389 A JP28049389 A JP 28049389A JP H03141677 A JPH03141677 A JP H03141677A
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
の外側が別の外部樹脂で被覆されたような二重構造のモ
ールドパッケージを有する半導体装置(以後「二重モー
ルド半導体装置」と呼ぶ)の樹脂封止方法に関するもの
である。
説明する。第2図に示したのはこの装置の一種の樹脂封
止後の断面である。本装置はリードフレーム上に発光ダ
イオード素子2とフォトトランジスタ素子3を組込んだ
ものであり、内部樹脂4は両者間の光信号伝達の為に透
光性を有し、外部樹脂5は外乱光を防ぐために遮光性を
有している。この様に、この種の装置は性質の異なる樹
脂によって二度封止されて製造されることが特徴であり
、内部の素子は必ずしも第2図に限定されるものではな
い。
する。
際に使用する封入金型と共に第3図上つ断面A−Aで切
断した断面図である。
19に装着して型締めを行い、内部樹脂用ゲー)15か
ら樹脂を圧入する。樹脂は金型19内に作られた内部樹
脂用キャビティ12の内部に充填され内部樹脂11が形
成される。またそれと同時に樹脂はリードフレームのリ
ード部分13によって囲まれた部分にも流れるが、タイ
バー14によって塞き止められるため、結果として第3
図中に斜線で示したリード間バu16とゲート周囲バリ
20の箇所にリードフレームの板厚分の樹脂バリを生ず
る。
止を行う前に前記のリード間バリ16とゲート周囲バリ
20をポンチ等で0.1 mm以下の精度で打ち抜く工
程である。
樹脂封止後の平面図であり、第6図は第4図と同様の断
面B−Hによる断面図である。外部樹脂封止の方法は内
部樹脂封止の方法と同様であり、外部樹脂用ゲート25
より樹脂を圧入して外部樹脂用キャビティ25の内部に
充填して外部樹脂21を形成する。
電気的に絶縁する。
点を有する。
とができず、かつ、高精度の打ち抜きを必要とする。な
ぜならゲート周囲バリ20が残っていると外部樹脂封止
を行うことができないし、リード間バリ16が残ってい
ると内部樹脂を外部樹脂で完全に被覆することができな
いからである。
る。
欠陥につながる恐れがある。その理由を再度第3図にて
説明する。内部樹脂は金型のわずかな隙間からでも洩れ
やすい性質を持つので、前記リード間バリ16の外周の
リードフレーム上に厚さ数ミクロンの薄バ’J18が発
生しやすい。この部分は外部樹脂21の外縁部にあるた
め、これをそのままにして外部樹脂封止を行うと薄バリ
18のある箇所の型締めが不完全となり新たな樹脂洩れ
を起こす恐れがあった。さらに内部樹脂の洩れがタイバ
ー14を越えて第3図に示す装置外装部バリ17となっ
た場合は半導体装置の外装半田メツキ部分に樹脂が付着
することとなり、半田メツキネ良の原因となっていた。
すべく考え出されたものである。すなわち、使用するリ
ードフレームはリード間を連結する第一のタイバーと平
行して第二のタイバーを有するもとのする。内部樹脂封
止後に、半導体素子に近い側の第一のタイバーを切断し
、しかる後に外部樹脂封止を行い次いで残る第二のタイ
ツ・−を切断するものである。しかも上記の第一のタイ
バーの切断部分は外部樹脂封止を行った後には外部樹脂
の内側に封入されるような位置に設けられる。
を参照して説明する。
レームに一次樹脂封止を行った後の平面図である。リー
ドフレームのリード部分13は第のタイバー31とそれ
に平行な第二のタイバー32で連結されており、第二の
タイバー32は半導体素子(図示せず)からは、より遠
く位置している。また第一のタイバー31は図中想像線
で示した外部樹脂21の内側に位置しており、外部樹脂
封止後は樹脂内部に隠されて見ることばてきない。
用いて説明する。
様にして内部樹脂用ゲート35より樹脂を圧入した結果
、第7図の様な内部樹脂11が形成され、図の斜線部に
リード間バリ36とゲート周囲バリ40が発生する。ま
た、もし樹脂洩れが発生した場合でも樹脂は斜線部37
にとどまって装置の外装半田メツキ部には到達しない。
38を設けることにより、その部分についてはゲート周
囲バリ40は発生していない。
。これは単に連結部分を切り離すだけであるので0.3
mm程度の精度で十分であり、また第一のタイバー3
1の幅も0.3 mm程度と細いため、小型のプレスで
十分である。このような切断プレス・切断型は単独の設
備とせず、例えば樹脂成形機の一部に組込むことができ
る。
である。第一のタイバー31の切断部分およびリード間
バリ36およびゲート周囲バリ40は外部樹脂21の内
側に封入されるため、最終製品になった場合には外から
は見えない効果がある。
の実施例では内部樹脂11は他の内部樹脂と隣接してお
らす、内部樹脂用ケート15と外部樹脂用ケート25も
離れているため、前述のダムフロック38が不要である
という利点がある。
点を解決するものである。
要としない第一タイバーの切断に置き換え高価な専用設
備とそれに要する工数を削減する効果を有する。
は外部樹脂のキャヒティ内に来るため、外部樹脂封止時
に新たな樹脂洩れを誘発することなく、安定した品質の
半導体装置を提供できるという効果も有している。
び内部樹脂封止後の状態を示す平面図、第2図は二重モ
ールド半導体装置の構造を示す断面図、第3図は従来の
製造方法による内部樹脂封止後の平面図、第4図は内部
樹脂封止用金型と第3図の断面とを合わせて描いた断面
図、第5図は従来の製造方法による外部樹脂封止後の平
面図、第6図は外部樹脂封止用金型と第5図の断面とを
合わせて描いた断面図、第7図は本発明の一実施例によ
る製造方法において内部樹脂封止後の平面図、第8図は
内部樹脂封止用金型と第7図の断面とを合わせて描いた
断面図、第9図は本発明の一実施例による製造方法にお
いて外部樹脂封止後の平面図、第1O図は本発明の他の
実施例による内部樹脂封止後の平面図である。 ■・・・・・・リードフレーム、2・・・・・発光ダイ
オード素子、3・・・・・・フォトトランジスタ素子、
4・・・・・・内部樹脂、5・・・・・・外部樹脂、1
1・・・・・・内部樹脂、12・・・・・・内部樹脂用
キャビティ、13・・・・・・リードフレームのリード
部分、14・・・・・・タイバー 15・・・・・・内
部樹脂用ゲート、16・・・・・・リード間パリ、17
・・・・・・装置外装部パリ、18・・・・・・リード
フレーム上の薄パリ、19・・・・・・内部樹脂用金型
、20・・・・・ゲート周囲パリ、21・・・・・・外
部樹脂、22・・・・・外部樹脂用キャビティ、25・
・・・・・外部樹脂用ゲート、29・・・・・・外部樹
脂用金型、31・・・・・・第一タイバー、32・・・
・・・第二タイバー 35・・・・・内部樹脂用ゲート
、36・・・・・・リード間パリ、37・・・・第タイ
バーより洩れた樹脂、38・・・・・タムブロック、4
0・・・・・・ゲート周囲パリ。
Claims (1)
- 内部樹脂と外部樹脂の二重構造のモールドパッケージ
を有する半導体装置において、リード間を連結する第一
のタイバーと、前記第一のタイバーに平行で半導体素子
からより遠くに位置する第二のタイバーとを有するリー
ドフレームを使用し、内部樹脂封止後に前記第一のタイ
バーを切断し、しかる後に外部樹脂封止を行い、次いで
残る第二のタイバーを切断することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28049389A JPH07105525B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28049389A JPH07105525B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03141677A true JPH03141677A (ja) | 1991-06-17 |
JPH07105525B2 JPH07105525B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=17625851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28049389A Expired - Lifetime JPH07105525B2 (ja) | 1989-10-26 | 1989-10-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07105525B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1764843A1 (en) * | 2005-09-14 | 2007-03-21 | Ariose Electronics Co., ltd. | Piezoelectric ceramic element and piezoelectric components using the same |
US7378776B2 (en) * | 2005-09-06 | 2008-05-27 | Ariose Electronics Co. Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric elements using the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02151082A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Sharp Corp | 光結合装置の製造方法 |
-
1989
- 1989-10-26 JP JP28049389A patent/JPH07105525B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02151082A (ja) * | 1988-12-01 | 1990-06-11 | Sharp Corp | 光結合装置の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7378776B2 (en) * | 2005-09-06 | 2008-05-27 | Ariose Electronics Co. Ltd. | Piezoelectric ceramic composition and piezoelectric elements using the same |
EP1764843A1 (en) * | 2005-09-14 | 2007-03-21 | Ariose Electronics Co., ltd. | Piezoelectric ceramic element and piezoelectric components using the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07105525B2 (ja) | 1995-11-13 |
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