JPH03117211A - 半導体素子の駆動回路 - Google Patents

半導体素子の駆動回路

Info

Publication number
JPH03117211A
JPH03117211A JP1254882A JP25488289A JPH03117211A JP H03117211 A JPH03117211 A JP H03117211A JP 1254882 A JP1254882 A JP 1254882A JP 25488289 A JP25488289 A JP 25488289A JP H03117211 A JPH03117211 A JP H03117211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
voltage
power supply
turn
drive circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP1254882A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2910859B2 (ja
Inventor
Yoshio Kamei
亀井　良雄
Minami Takeuchi
竹内　南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP1254882A priority Critical patent/JP2910859B2/ja
Priority to EP19900310491 priority patent/EP0420582A3/en
Priority to US07/587,807 priority patent/US5089719A/en
Publication of JPH03117211A publication Critical patent/JPH03117211A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2910859B2 publication Critical patent/JP2910859B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04—Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0412—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/04123—Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/567—Circuits characterised by the use of more than one type of semiconductor device, e.g. BIMOS, composite devices such as IGBT

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、制御電極端子付きの半導体素子をターンオン
、ターンオフするための駆動回路に関する。
（従来の技術） 一般に半導体素子を高周波でスイッチング動作させる場
合、浮遊容量や浮遊インダクタンスが高速動作を妨げる
大きい原因となる。電力用の電流スイッチング素子であ
るＩＧＢＴを例にとってこのことを以下に図面を用いて
説明する。
第３図は、Ｉ　ＧＢＴ７とそのゲート駆動回路を示して
いる。１はターンオン用電源、１１はターンオフ用電源
であり、２．１２は電流制限抵抗であり、４．１４は電
源を切り替えるスイッチである。ＩＧＢＴ７のゲート・
ソース間には浮遊容量７８．漏れ抵抗７２が存在する。
ゲート駆動回路内には、高速動作時に問題となる浮遊イ
ンダクタンス３，１３．５が存在する。
第４図はこの様なゲート駆動回路の動作タイミング図で
ある。浮遊インダクタンス３，１３．５の影響によって
、ＩＧＢＴ７のゲートの浮遊容量７１の充電、放電の際
の電流上昇率が制限されるが、図ではこの電流上昇率の
大きい場合を破線で、小さい場合を実線で示している。
時刻ｔ。でオン制御信号が与えられたとすると、電流上
昇率が小さいときのＩＧＢＴ７のターンオン開始までの
時間１．　−１．、およびターンオン開始からオン状態
になるまでのスイッチング時間ｔ２１、　　はそれぞれ
、電流上昇率が大きい場合のターンオン開始までの時間
ｉ＋　　　ｉｏｓおよびターンオン開始からオン状態間
での時間１２−１．より大きい。
オン制御信号を印加したときからＩＧＢＴ７がターンオ
ン動作を開始するまでの時間ｉ１　　　ｊｏ＋１１−１
．は無駄時間である。ＩＧＢＴ７の駆動周波数を高くす
ると、駆動周期に対するこの無駄時間が長くなり、高周
波駆動が妨げられることになる。またＩ　ＧＢＴ７がオ
フ状態からオン状態に移行するスイッチング時間ｔ２−
ｔ１．ｔ２−１．　　は、Ｉ　ＧＢＴ７の電力損失と密
接な関係にあり、このスイッチング時間が長いとＩＧＢ
Ｔ７の電力損失が大きくなってやはり高周波駆動が出来
なくなる。したがって、Ｉ　ＧＢＴ７の高周波駆動を行
うためには、高い電流上昇率でオン制御信号を与えるこ
とが必要になる。
ところで、オン制御信号の電流上昇率は、電源１の電圧
Ｅと、回路のインダクタンス３，５の和しによって決ま
り、Ｅ／Ｌで定義される。浮遊インダクタンスの値しは
、回路を組み立てたときの部品や配線のインダクタンス
で決まり、物理的な条件からこの値は数百ｎＨとなる。
またオン制御信号用の電源１の電圧Ｅは、ＩＧＢＴ７の
ゲート・ソース間耐圧より高くすることができないがら
、これは十数Ｖである。したがって電流上昇率は、数十
Ａ／μ５４３８程度に制限される。なおここでＩ　ＧＢ
Ｔ７のゲート・ソース間耐圧とは、破壊限界ではなく、
信頼性を劣化させずに済む許容限界電圧の意である。
ここまで、ＩＧＢＴ７のターンオン動作を説明したが、
ターンオフ動作についても、電圧、電流の極性が逆にな
ることを除けば事情は同じである。
すなわちオフ制御信号を時刻ｔ、に印加したとき、電流
上昇率が大きいときのＩ　ＧＢＴ７のターンオフ開始ま
での時間ｊ４　　＊３、およびターンオフ開始からオフ
状態になる間でのスイッチング時間ｔ、−ｔ、４はそれ
ぞれ、電流上昇率が小さい場合のターンオフ開始までの
時間１４−１．、およびターンオン開始からオン状態ま
での時間１、　−１４　より小さい。そしてターンオン
動作の場合と同様、Ｉ　ＧＢＴ７を高周波駆動しようと
すると高い電流上昇率が必要になるが、回路の浮遊イン
ダクタンスとＩＧＢＴ７の耐圧により制限される電源電
圧のため、十分に大きい電流上昇率を得ることが出来な
い。
Ｉ　ＧＢＴ７がオン或いはオフの定常状態になった後は
、ゲート・ソース間の洩れ抵抗７２にそれぞれ、第４図
に示す微小電流’　１１％　＋　　ｌ　ＩＩｍが供給さ
れれば良い。この点でＩＧＢＴは電圧制御型と呼ばれる
。
ゲート部がｐｎ接合で構成されるＧＴＯ等の電流スイッ
チング素子でも同様の問題がある。
ＧＴＯは電流制御型と呼ばれ、ＩＧＢＴとは異なって定
常状態を保つための制御電流を多く必要とする。しかし
、高速駆動を行うためにはゲート駆動回路に高い電流上
昇率を必要とすること、それが耐圧や回路の浮遊インダ
クタンス等によって制限されること、はＩＧＢＴの場合
と同様である。
（発明が解決しようとする課題） 以上のように、制御電極端子付き半導体素子を高速にタ
ーンオン、ターンオフ駆動しようとすると、ゲート駆動
には高い電流上昇率が要求されるが、素子の耐圧から電
源電圧を高くすることが制限され、また駆動回路の浮遊
インダクタンスが無視できないため、十分に高い電流上
昇率を得ることができない、という問題があった。
本発明はこの様な問題を解決して、高速のターンオン、
ターンオフ動作を可能とした半導体素子の駆動回路を提
供することを目的とする。
［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 本発明に係る半導体素子の制御駆動回路では、オンゲー
ト駆動回路またはオフゲート駆動回路の少なくとも一方
について、高い電流上昇率を得るための高電圧？！！源
と、これと併設されて素子の定常状態を保持するための
用いられる低電圧電源を有する。そしてこれらの電源を
時間制御して素子の制御電極端子に供給するためのスイ
ッチ回路が設けられる。また高電圧電源から素子の耐圧
を越える電圧が印加されるのを防止するため、好ましく
は素子の制御電極端子に電圧制限手段が設けられる。
（作用） 本発明によれば、高電圧電源によって高い電流上昇率の
オン制御信号またはオフ制御信号を素子の制御電極端子
に供給することができ、高速のターンオン、ターンオフ
動作ができる。素子の制御電極端子に電圧制限手段を設
ければ、高電圧電源の出力電圧が素子の耐圧を越えるも
のであっても、素子の破壊や信頓性低下は防止される。
（実施Ｎ） 以下、本発明の詳細な説明する。
第１図は一実施例のＩＧＢＴゲート駆動回路である。第
３図と対応する部分には第３図と同一符号を付して詳細
な説明は省略する。
オンゲート駆動回路側の電源は、併設された低電圧電源
１．と高電圧電源１２により構成されている。これらの
電源出力はそれぞれ電流制限抵抗２０，２□を介し、Ｍ
ＯＳＦＥＴ等の切り替えスイッチ４Ｉ、４□を介してＩ
ＧＢＴ７のゲート端子に供給されるようになっている。
高電圧電源１□は、数百Ａ／μＳｅｅを越える電流上昇
率の電流をＩ　ＧＢＴ７に供給できるように、その出力
電圧がＩ　ＧＢＴ７のゲート・ソース間耐圧を越える値
に設定されている。ここに耐圧とは、先にも述べたよう
に破壊限界ではなくて、信頼性を劣化させないような許
容限界電圧の意味である。低電圧電源１．は、Ｉ　ＧＢ
Ｔ７の定常オン状態を維持するに十分な電流を供給でき
る値に設定されている。
オフゲート駆動回路側も同様に、低電圧電源１１１と高
電圧電源１１２とから構成され、これらが電流制限抵抗
１２１，１２２を介し、ＭＯＳＦＥＴ等の切り替えスイ
ッチ１４１１４２を介してＩＧＢＴ７のゲート端子に供
給されるようになっている。高電圧電源１１２は、数百
へ／μＳｅｅを越える電流上昇率の電流をＩＧＢＴ７に
供給できるように、その出力電圧がＩＧＢＴ７のゲート
・ソース間耐圧を越える値に設定されている。低電圧電
源１１１は、ＩＧＢＴ７の定常オフ状態を維持するに十
分な電流を供給できる値に設定されている。ダイオード
８．１８はそれぞれ、高電圧電源１□、１１□から低電
圧電源１．．１１１への電流の回り込みを防止する逆流
素子用として設けられている。
ＩＧＢＴ７のゲート・ソース間にはツェナー・ダイオー
ドの逆直列回路６１を用いた電圧制限手段６が設けられ
ている。高電圧電源１□、１１□の出力電圧がＩＧＢＴ
７のゲート・ソースｍ１に直接印加されると、ＩＧＢＴ
７が破壊し、或いは信頼性が低下するためである。
ＩＧＢＴ７のゲート・ソース間には浮遊容量７１．１ｉ
Ｉ２１れ抵抗７２が存在し、ゲート駆動回路内には浮遊
インダクタンス３１１　３２．１３．１３２．５が存在
し、電圧制限手段６にも並列に漏れ抵抗６□が存在する
。
このように構成されたゲート駆動回路の動作を、第２図
のタイミング図を用いて次に説明する。ターンオン時は
、時刻ｔ１でスイッチ４１゜４２がオンし、ターンオン
用電源１１．１２からＩＧＢＴ７のゲート・ソース間の
浮遊容量７１に電流が供給される。高電圧電源１□から
の電流が低電圧電、１１！１１からの電流より十分に上
昇率が高く、はぼ高電圧電源１２で決まる数百Ａ／μ５
（３ｅを越える電流上昇率をもって浮遊容量７．が充電
される。この浮遊容量７．の充７１ｉ？！圧がＩＧＢＴ
７のしきい値電圧に達すると、ｌ　ＧＢＴ７はターンオ
ン状態に入る（時刻１＋　　）。その後浮遊容量７．の
充電電圧が電圧制限手段６により決まる制限電圧値Ｖ、
に達すると（時刻ｔ２）、それ以降浮遊容量７１の電圧
は制限電圧Ｖｊに保持される。この後ターンオン用電源
からの電流は、電圧制限手段６に流れることになり、こ
の電流が電流制限抵抗２２で決まる値ｔｒ、に達すると
、以後電流はその値に保持される。
なお、ゲート・ソース間の浮遊容量７．１の電圧が制限
電圧Ｖ、に達した後は、ターンオン用電源から供給され
る電流はＩＧＢＴ７のターンオン動作に不要の電流であ
る。そこで時刻ｔ２後の適当な時刻ｔ３でスイッチ４２
をオフとして無駄な電流の供給を防止している。すなわ
ちターンオン用電源のうち高電圧電源１□はターンオン
初期にのみ用いられる。
時刻ｔ、以降は、低電圧電源１．からの電流のみが供給
され、ＩＧＢＴ７のゲート・ソース間電圧は一定値に保
持される。このとき、電圧制限手段６の電圧制限値を、
低電圧電源１．の出力電圧値とほぼ等しいか、それより
僅かに高い値に設定しておけば、電圧制限手段６にほと
んど電流を流す必要はない。定常オン状態でのゲート・
ソース間の漏れ抵抗７□に流れる電流１ｊｌｐおよび、
電圧制限手段６の漏れ抵抗６２に流れる電流ｉ１．。
は、低電圧電源１１による小さい電流に保持される。
ターンオフ動作は、電圧、電流の極性を逆転して考えれ
ばターンオン動作と同様である。すなわち時刻ｔ４でオ
ンゲート駆動回路側のスイッチ４１をオフ、オンゲート
駆動回路側のスイッチ１４１．１４２をオンとする。タ
ーンオフ用の高電圧電源１１２でほぼ決まる大きい電流
上昇率でＩＧＢＴ７にオフゲート信号が供給され、時刻
ｔ４　でターンオフ状態に入り、時刻ｔ５でＩＧＢＴ７
に印加される電圧が制限される。その後適当な時刻ｔ６
でスイッチ１４２がオフとなり、高電圧電源１１２から
の無駄な電流供給が停止される。すなわち定常オフ状態
でのゲート・ソース間の漏れ抵抗７□に流れる電流ｉ、
、、および電圧制限手段６の漏れ抵抗６２に流れる電流
ｉ１１．は低電圧電源１１．により決まる小さい値に保
たれる。
なお第２図に示したように、ターンオン時の時刻ｔ２お
よびターンオフ時の時刻ｔ、付近で、過渡的に電圧制限
手段６による制限電圧値以上の電圧が発生する。しかし
この過電圧発生は極めて短時間のものであるので、ＩＧ
ＢＴ７の特性に影響を与えることはない。
こうしてこの実施例によれば、ＩＧＢＴ７のターンオン
初期およびターンオフ初期に高電圧電源１□、１１□に
よって数百へ／μ５１３ｅの高い電流上昇率の電流が供
給され、これによりＩ　ＧＢＴ７の高速スイッチング動
作が可能になる。高電圧電源１２，１１２はそれぞれタ
ーンオフ初期およびターンオフ初期にのみ用いられるの
で、それ程の電流容量は必要とせず、したがって駆動回
路の大容量化やコスト上昇をもたらさない。またこれら
の高電圧電源１２．１１□の出力電圧値がＩ　ＧＢＴ７
の耐圧を越えるものであっても、電圧制限手段６によっ
てそれが直接ゲート・ソース間に印加されることはなく
、ＩＧＢＴ７の信頼性を損なうことはない。
本発明は上記実施例に限られるものではない。
例えば実施例では、ＩＧＢＴの駆動回路を説明したが、
ＭＯＳＦＥＴや絶縁ゲート型すイリスタ等他の電圧駆動
型の電流スイッチング素子、さらにＧＴＲやＧＴＯ等の
電流駆動型の電流スイツチング素子に同様に本発明を適
用することができる。
また実施例では、ターンオン、ターンオフの両しとも高
速化する場合を説明したが、本発明はオニゲート駆動回
路またはオフゲート駆動回路のい〕れか一方のみに適用
しても有効である。さらに５施例では電圧制限手段とし
てツェナーダイオ−１を用いたが、他の非線形特性を持
つ電圧１．１１限索らを用いてもよいし、或いは単に抵
抗を用いて電と制限用抵抗２１，２□、１２１，１２２
との分りにより制限電圧を得るようにしてもよい。さら
１・また、素子の耐圧が十分大きい場合には、電圧１１
限手段は必ずしも設けなくてもよく、その場合１も高い
電流上昇率を得るための高電圧電源と定り状態を維持す
るための低電圧電源の二種を用意することは有効である
。
その池水発明はその趣旨を逸脱しない範囲でＥ々変形し
て実施することができる。
［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、ゲート駆１回路に高
電圧電源と低電圧電源を設けることにＪって、制御電極
端子付きの半導体素子の高速スイッチング動作をおこな
わせる事ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例のＩＧＢＴ駆動回路を示す図
、 第２図はその動作を説明するためのタイミング図、 第３図は従来のＩＧＢＴ駆動回路を示す図、第４図はそ
の動作を説明するためのタイミング図である。 １、・・・低電圧電Ｆｊ、（オンゲート）　１２・・・
高電圧電源（オンゲート）、１１．・・・低電圧電源（
オフゲート）　　１１２・・・高電圧電源（オフゲート
）　　２＋、２□、１２１　１２□・・・電流制限抵抗
、４８，４２．１４＋　、１４□・・・スイッチ、６・
・・電圧制限手段、７・・・ＩＧＢＴ。 ８．１８・・・逆流素子ダイオード。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電流スイッチングを行う制御電極端子付き半導体
    素子の前記制御電極端子にオン制御信号を供給するオン
    ゲート駆動回路およびオフ制御信号を供給するオフゲー
    ト駆動回路を有し、オンゲート駆動回路またはオフゲー
    ト駆動回路の少なくとも一方が、前記制御電極端子に高
    い電流上昇率の制御電流を供給する高電圧電源と、この
    高電圧電源と併設されて前記制御電極端子に前記半導体
    素子の定常状態を保持するに足る制御電流を供給する低
    電圧電源と、前記高電圧電源の出力をターンオン初期ま
    たはターンオフ初期に前記制御電極端子に供給し、前記
    低電圧電源の出力を前記半導体素子の定常オン状態また
    定常オフ状態で前記制御電極端子に供給するスイッチ回
    路とを有することを特徴とする半導体素子の駆動回路。
  2. （２）電流スイッチングを行う制御電極端子付き半導体
    素子の前記制御電極端子にオン制御信号を供給するオン
    ゲート駆動回路およびオフ制御信号を供給するオフゲー
    ト駆動回路を有し、オンゲート駆動回路またはオフゲー
    ト駆動回路の少なくとも一方が、前記制御電極端子に高
    い電流上昇率の制御電流を供給する高電圧電源と、この
    高電圧電源と併設されて前記制御電極端子に前記半導体
    素子の定常状態を保持するに足る制御電流を供給する低
    電圧電源と、前記高電圧電源の出力をターンオン初期ま
    たはターンオフ初期に前記制御電極端子に供給し、前記
    低電圧電源の出力を前記半導体素子の定常オン状態また
    定常オフ状態で前記制御電極端子に供給するスイッチ回
    路とを有し、かつ、前記制御電極端子に電圧制限手段を
    有することを特徴とする半導体素子の駆動回路。
JP1254882A 1989-09-29 1989-09-29 半導体素子の駆動回路 Expired - Fee Related JP2910859B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1254882A JP2910859B2 (ja) 1989-09-29 1989-09-29 半導体素子の駆動回路
EP19900310491 EP0420582A3 (en) 1989-09-29 1990-09-25 Drive circuit for a semiconductor device
US07/587,807 US5089719A (en) 1989-09-29 1990-09-25 Drive circuit for a semiconductor device with high voltage for turn-on and low voltage for normal operation

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1254882A JP2910859B2 (ja) 1989-09-29 1989-09-29 半導体素子の駆動回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03117211A true JPH03117211A (ja) 1991-05-20
JP2910859B2 JP2910859B2 (ja) 1999-06-23

Family

ID=17271145

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1254882A Expired - Fee Related JP2910859B2 (ja) 1989-09-29 1989-09-29 半導体素子の駆動回路

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5089719A (ja)
EP (1) EP0420582A3 (ja)
JP (1) JP2910859B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11308084A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Meidensha Corp スイッチング素子のゲート駆動回路
JP2000031803A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Meidensha Corp スイッチング制御回路
JP2000232347A (ja) * 1999-02-08 2000-08-22 Toshiba Corp ゲート回路及びゲート回路制御方法
JP2004072424A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Denso Corp Ｍｏｓゲートトランジスタのゲート駆動回路
JP2005045590A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2005086917A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体駆動回路
US7538587B2 (en) 2004-11-10 2009-05-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
WO2010073461A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 株式会社アドバンテスト スイッチ装置
WO2010073489A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 株式会社アドバンテスト スイッチ装置、および試験装置
JP2011077462A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Hitachi Ltd 半導体駆動回路、及びそれを用いた半導体装置
JP2012228116A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Denso Corp 負荷駆動装置
JP2013229654A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Denso Corp ゲート駆動回路
JP7031078B1 (ja) * 2021-06-16 2022-03-07 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0534013B1 (en) * 1991-09-27 1997-03-19 Alcatel Bell-Sdt S.A. Low-loss resonant circuit for capacitance driver
JP2956319B2 (ja) * 1991-11-07 1999-10-04 富士電機株式会社 電圧駆動形スイッチング素子の逆バイアス制御回路
US5296765A (en) * 1992-03-20 1994-03-22 Siliconix Incorporated Driver circuit for sinking current to two supply voltages
US5502610A (en) * 1993-09-02 1996-03-26 Micrel, Inc. Switching regulator having high current prevention features
US5672988A (en) * 1994-04-15 1997-09-30 Linear Technology Corporation High-speed switching regulator drive circuit
CA2172890C (en) * 1995-06-06 2005-02-22 Harold R. Schnetzka Switch driver circuit
JP3067687B2 (ja) * 1997-05-08 2000-07-17 富士電機株式会社 Ｉｇｂｔ駆動回路
CN1078971C (zh) * 1997-05-23 2002-02-06 株式会社东芝 使用mos栅型半导体元件的电力变换装置
JP3432425B2 (ja) * 1998-08-05 2003-08-04 株式会社東芝 ゲート回路
US6166591A (en) * 1998-12-11 2000-12-26 E.C.I. Telecom Ltd. FET gate biasing control device for power amplifier
US6900557B1 (en) * 2000-01-10 2005-05-31 Diversified Technologies, Inc. High power modulator
US6300829B1 (en) * 2000-01-21 2001-10-09 Harris Corporation RF power amplifier system having inductive steering
JP4321330B2 (ja) * 2003-07-02 2009-08-26 株式会社デンソー ゲート駆動回路
GB2410630A (en) * 2004-01-28 2005-08-03 Bombardier Transp Gmbh A driver providing slow turn-off for unsaturated IGBT switches
JP4496988B2 (ja) * 2005-02-21 2010-07-07 株式会社デンソー ゲート駆動回路
JP5206757B2 (ja) * 2010-10-07 2013-06-12 株式会社デンソー 電子装置
BR112013026936A2 (pt) * 2011-04-21 2016-12-27 Ge Energy Power Conversion Technology Ltd circuito de acionamento e método de acionamento
FR2979771B1 (fr) 2011-09-01 2013-09-13 Converteam Technology Ltd Convertisseur de puissance elevee comprenant des interrupteurs de faible puissance et un dispositif de commande des interrupteurs pour la generation d'une impulsion avec une valeur de reference et au moins deux valeurs de commande
US8471600B2 (en) * 2011-09-30 2013-06-25 Infineon Technologies Ag Detection of the zero crossing of the load current in a semiconductor device
DE102011087087A1 (de) * 2011-11-25 2012-08-30 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Ansteuerschaltung zur Ansteuerung eines Leistungshalbleiterschalters
US20130187684A1 (en) * 2012-01-25 2013-07-25 Raytheon Company Fast gate driver for silicon carbide junction field-effect (jfet) switching devices
WO2016030954A1 (ja) 2014-08-25 2016-03-03 株式会社日立製作所 駆動回路、電力変換装置、およびモータシステム
DE102014114085B3 (de) * 2014-09-29 2015-12-03 Infineon Technologies Ag Ansteuerschaltung für rückwärtsleitfähige IGBTs
CN104579277A (zh) * 2014-12-31 2015-04-29 西南技术物理研究所 单板多路高压功率可控硅触发电路
US9590609B1 (en) * 2015-11-11 2017-03-07 Delphi Technologies Inc. Gate driver with short circuit protection
CN106027008B (zh) * 2016-05-30 2018-11-13 深圳芯能半导体技术有限公司 高压驱动电路的防贯通电路
DE102018003154A1 (de) * 2018-04-17 2019-10-17 Universität Stuttgart Gate-Treiberschaltung zur Steuerung der Verlustleistung von Leistungstransistoren, Sperrschichttemperaturregelungssystem und -verfahren
EP4115527A1 (en) * 2020-03-06 2023-01-11 Eaton Intelligent Power Limited Active gate driver for wide band gap power semiconductor devices
US11165422B2 (en) * 2020-04-01 2021-11-02 Delta Electronics, Inc. Gate driver circuit with reduced power semiconductor conduction loss

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61254066A (ja) * 1985-04-30 1986-11-11 Fuji Electric Co Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
JPS6395722A (ja) * 1986-10-13 1988-04-26 Fuji Electric Co Ltd Ｉｇｂｔ素子の過電流保護回路
JPS6399424U (ja) * 1986-12-19 1988-06-28

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927332A (en) * 1975-02-24 1975-12-16 Rca Corp Drive circuit for controlling conduction of a semiconductor device
EP0009370A1 (en) * 1978-09-21 1980-04-02 WARD & GOLDSTONE LIMITED An electronic switch and method of operating it
US4433257A (en) * 1980-03-03 1984-02-21 Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha Voltage supply for operating a plurality of changing transistors in a manner which reduces minority carrier disruption of adjacent memory cells
JPS56136023A (en) * 1980-03-27 1981-10-23 Toshiba Corp Pulse amplifying circuit
US4362955A (en) * 1980-12-18 1982-12-07 Tektronix, Inc. Current boost circuit for a pulse generator output stage
JPS58175970A (ja) * 1982-04-08 1983-10-15 Fuji Electric Co Ltd スイッチング半導体素子への逆バイアス電流供給装置
US4551635A (en) * 1982-09-13 1985-11-05 Fuji Electric Company, Ltd. Circuit for driving the base of a transistor
JPS59103564A (ja) * 1982-12-03 1984-06-15 Toshiba Corp Ｇｔｏのオフゲート回路
JPS60182488A (ja) * 1984-02-29 1985-09-18 日本電気株式会社 駆動用電子回路
US4647797A (en) * 1984-08-23 1987-03-03 Ncr Corporation Assist circuit for improving the rise time of an electronic signal
DE3689445T2 (de) * 1985-02-08 1994-07-14 Toshiba Kawasaki Kk Schutzschaltung für einen Bipolartransistor mit isoliertem Gate.
CN1004184B (zh) * 1985-05-15 1989-05-10 东芝株式会社 导电率调制型mos场效应管的过电流保护电路
US4736121A (en) * 1985-09-10 1988-04-05 Sos Microelettronica S.p.A. Charge pump circuit for driving N-channel MOS transistors
DE3717253A1 (de) * 1986-05-26 1987-12-03 Hitachi Ltd Direkte parallelschaltung von abschaltbaren halbleiterelementen

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61254066A (ja) * 1985-04-30 1986-11-11 Fuji Electric Co Ltd ゲ−トタ−ンオフサイリスタのゲ−ト回路
JPS6395722A (ja) * 1986-10-13 1988-04-26 Fuji Electric Co Ltd Ｉｇｂｔ素子の過電流保護回路
JPS6399424U (ja) * 1986-12-19 1988-06-28

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11308084A (ja) * 1998-04-20 1999-11-05 Meidensha Corp スイッチング素子のゲート駆動回路
JP2000031803A (ja) * 1998-07-15 2000-01-28 Meidensha Corp スイッチング制御回路
JP2000232347A (ja) * 1999-02-08 2000-08-22 Toshiba Corp ゲート回路及びゲート回路制御方法
JP2004072424A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Denso Corp Ｍｏｓゲートトランジスタのゲート駆動回路
JP2005045590A (ja) * 2003-07-23 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US7151401B2 (en) 2003-07-23 2006-12-19 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor apparatus
JP2005086917A (ja) * 2003-09-09 2005-03-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体駆動回路
US7538587B2 (en) 2004-11-10 2009-05-26 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Power semiconductor device
WO2010073461A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 株式会社アドバンテスト スイッチ装置
WO2010073489A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 株式会社アドバンテスト スイッチ装置、および試験装置
JP5331822B2 (ja) * 2008-12-26 2013-10-30 株式会社アドバンテスト スイッチ装置
TWI484755B (zh) * 2008-12-26 2015-05-11 Advantest Corp 切換裝置以及測試裝置
US9136834B2 (en) 2008-12-26 2015-09-15 Advantest Corporation Switching apparatus
JP2011077462A (ja) * 2009-10-02 2011-04-14 Hitachi Ltd 半導体駆動回路、及びそれを用いた半導体装置
JP2012228116A (ja) * 2011-04-21 2012-11-15 Denso Corp 負荷駆動装置
JP2013229654A (ja) * 2012-04-24 2013-11-07 Denso Corp ゲート駆動回路
JP7031078B1 (ja) * 2021-06-16 2022-03-07 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路
WO2022264299A1 (ja) * 2021-06-16 2022-12-22 三菱電機株式会社 ゲート駆動回路

Also Published As

Publication number Publication date
EP0420582A2 (en) 1991-04-03
EP0420582A3 (en) 1992-01-08
JP2910859B2 (ja) 1999-06-23
US5089719A (en) 1992-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH03117211A (ja) 半導体素子の駆動回路
US4692643A (en) Semiconductor switching device having plural MOSFET's, GTO's or the like connected in series
JP3604148B2 (ja) ブートストラップダイオードエミュレータを用いるブリッジ回路用ドライバ回路
KR100433799B1 (ko) 전압구동형 스위칭 소자의 게이트 구동회로
EP0649579B1 (en) Circuit for driving a half-bridge
JP4804142B2 (ja) 高速ゲート駆動回路
US4547686A (en) Hybrid power semiconductor switch
JP2000253646A (ja) 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
JPS63166315A (ja) Ａｃソリッドステート・スイッチ
US4967109A (en) High efficiency gate driver circuit for a high frequency converter
JPH0947015A (ja) 自己消弧形半導体素子の駆動回路
US4591734A (en) Integratable circuit for controlling turn-off voltage rate-of-change of non-regenerative voltage-controlled switching semiconductor devices
US5276357A (en) High efficiency quasi-square wave drive circuit for switching power amplifiers
JP3568848B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体素子のゲート回路
KR20040029082A (ko) 하프 브리지 회로 및 이를 포함하는 장치
EP0369180B1 (en) A circuit device, made up of a reduced number of components, for simultaneously turning on a plurality of power transistors
EP1069683B1 (en) Gate driving circuit for power semiconductor switch
KR200229676Y1 (ko) 아이지비티 인버터의 게이트 구동회로
JPH0722851A (ja) 零バイアス電流ローサイドドライバーコントロール回路
JP3333643B2 (ja) １方向性絶縁型スイッチング回路と双方向性絶縁型スイッチング回路
JPH07264844A (ja) 直流チョッパの並列接続時におけるロスレススナバ回路とその駆動方式
JPH0678525A (ja) ドライブ回路
WO2023162032A1 (ja) ゲート駆動回路およびこれを用いた電力変換装置
JP6370524B1 (ja) ゲート駆動回路
US10451665B2 (en) Pulse current application circuit and control method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees