JPH0225054A - マスタースライスlsi - Google Patents

マスタースライスlsi

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Publication number
JPH0225054A
JPH0225054A JP17551788A JP17551788A JPH0225054A JP H0225054 A JPH0225054 A JP H0225054A JP 17551788 A JP17551788 A JP 17551788A JP 17551788 A JP17551788 A JP 17551788A JP H0225054 A JPH0225054 A JP H0225054A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
master slice
basic cell
buffers
area
basic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP17551788A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Suemitsu
末光 啓一
Yoshihiro Okuno
奥野 義弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP17551788A priority Critical patent/JPH0225054A/ja
Publication of JPH0225054A publication Critical patent/JPH0225054A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、マスタースライスLSIにおいてその面積
を有効利用するチップ構造に関するものである。
〔従来の技術〕
従来のマスタースライスLSIは、チップ上で基本セル
を敷きつめ7c論理@J81tを実現するための長方形
の領域とその周辺のI / Oバッファ及びパッド領域
から構成されていた。
従来のマスタースライスLSIは、通常計算機を用いて
自動配置配線して回路を作る。各入出力はI10バッフ
ァ全通しパッドにつなぐ。このようにして半導体集積回
路が実現される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のマスタースライスLSIにおける基本セル領域の
四隅は使用頻度が低く、面積を無駄にすることが多いと
いうような問題点があった。(第3.4図の斜線部) この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体チップの面積を有効利用することを目
的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係るマスタースライスLSIは、基本m域を
多角形としたことによシ、自!1iyI配置配線で基本
セル須坂を有効に利用するものである。
〔作用〕
との発明におけるマスタースライスLSIは、基本セル
領域を多角形とすることによυ、チップの四角をI10
バッファ構成領域として使用され、各々のI/Oバッフ
ァの面積は同じで、機能及び駆動能力等を有する、形状
の異なるI/Oバッファが従来よυも数多く造れる。
〔実施例〕
以下、この発明を図について説明する。第1図はこの発
明の一実施例によるマスタースライスLSIを示す全体
図であり、図において、(1)は基本セル、(2)は配
線領域、(3)はバットである。第2図は第1図の部分
図であり、(4)はI10バッファである。
この発明はマスタースライスLSIを構成する基本セル
領* (1)で使用頻度が低い隅部を除くことにより実
現したものである。
上記隅部は第1図に示すように四隅に限る仁となく、必
要に応じて一隅であってもよい。
例えば、隅部の一つを除いた五角形管した内部基本セル
領域以外のすべての領域に周辺のI10バッファ及びI
/Oバットを形成することができる。
また、基本セルはバイポーラトランジスタ及び抵抗、あ
るいはMOS)ランジスタ及び抵抗からなるものが好ま
しく用いられる。
なお、上記実施例では、論理回路構成領域が入角形であ
る場合において説明したが、多角形、もしくけ円形(楕
円も含む)に近い多角形にしても上記実施例と同様の効
果含臭する。
〔発明の効果〕
以上のように、仁の発明によればチップ面積を増大させ
るととなく、多くの工/○バッファ及びパッドを造るこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるマスタースライスL
SIを示す全体図、第2図は第1図の部分図である。第
3図は従来のマスタースライスLSI奢示す全体図、第
4図は83図の部分図である0 図において、(1)は基本セル、(2)は配線領域、(
3)はパッド、(4)は工/○バッファである。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 複数の基本セルが配列をなして基本セル領域が形成され
    ていて、前記基本セル領域内の任意の基本セルによつて
    複数の論理セルが構成される内部基本セル領域と、その
    周辺をI/Oバッファ及びI/Oパッドを形成した長方
    形のチップ構造のマスタースライスLSIにおいて、内
    部基本セル領域の形状を五角形以上にしたことを特徴と
    するマスタースライスLSI。
JP17551788A 1988-07-13 1988-07-13 マスタースライスlsi Pending JPH0225054A (ja)

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JPH0225054A true JPH0225054A (ja) 1990-01-26

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013924A (en) * 1996-12-25 2000-01-11 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit and method for making wiring layout of semiconductor integrated circuit
JP2010187008A (ja) * 2010-04-12 2010-08-26 Fujitsu Semiconductor Ltd 半導体集積回路及び半導体集積回路の配線レイアウト方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6013924A (en) * 1996-12-25 2000-01-11 Fujitsu Limited Semiconductor integrated circuit and method for making wiring layout of semiconductor integrated circuit
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