JPH02198165A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置に適用して有効な技術に関するも
ので、例えば、多層配線層を有する半導体装置に利用し
て有効な技術に関するものである。

［従来の技術］ 近年の半導体装置においては高速化が年々要求されてき
ており、それに伴って消費電力が増大し、１１１ｇノイ
ズが発生するようになってきている。

そこで、従来は、半導体基板表面に拡散層を形成しこの
拡散層によりコンデンサを構成するようにしたり、また
半導体チップ外に外付部品としてコンデンサを取付ける
ようにしたり、また電源用の配線層中をできるだけ大き
くし電流抵抗を減らすようにしたりして、上記電源ノイ
ズを除去するようにしていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、上記対策においては次のような問題点が
ある。

すなわち、半導体基板表面に拡散層を形成しこの拡散層
によりコンデンサを構成する場合においては、ノイズ除
去機能を上げようと該拡散層を大きくすると寄生サイリ
スタ効果が生じ、ラッチアップが発生してしまうという
問題がある。

また、半導体チップ外に外付部品としてコンデンサを取
付ける場合においては、取り付は時期、レイアウト等を
新たに考慮しなければならず、実装が煩雑となり難しい
。

また、電源用の配線層中をできるだけ大きくし電流抵抗
を減らすようにする場合においては、装置自体を大きく
しなければならなくなり、最近の高集積化に逆行してし
まう。

本発明は係る問題点に鑑みなされたものであって、ラッ
チアップ、実装等の問題を考慮することなく電源ノイズ
の除去が図られ、しかも高集積化が可能な半導体装置を
提供することを目的としている。

［課題を解決するための手段］ 水量において開示される発明のうち代表的なものの概要
を説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、多層配線層を有する半導体装置の電源用の配
線層を絶縁膜を介して重ね合わせるよう配置したもので
ある。

［作用］ 上記した手段によれば、電源用の配線層を絶縁膜を介し
て重ね合わせるよう配置したので、この配線層間におい
て電源間容量が形成されるという作用により、ラッチア
ップ、実装等の問題を考慮することなく電源ノイズの除
去を図るという上記目的が達成されることになる。

また、上述のように、電源用の配線層は絶縁膜を介して
重ね合わせられているので、その重ね合わされている配
線層の分面積を縮小できるという作用により、高集積化
を可能とするという上記目的が達成されることになる。

［実施例］ 以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

第１図には本発明に係る半導体装置の実施例の平面図が
、第２図には第１図中のＡ−Ａ矢視図がそれぞれ示され
ている。その概要を説明すれば以下のとおりである。

第１図、第２図はＭＯ８型トランジスタの形成される半
導体装置の一部を示している。

第１図において、符号４はチップ本体を、Ｖｃｃはチッ
プ本体４に電源を供給する供給電源を、Ｖｓｓは接地電
源（グランド電位）を、斜線５は供給電源Ｖｃｃに接続
される供給電源用配線層を、斜線６は接地電源Ｖｓｓに
接続される接地電源用配線層をそれぞれ示しており、斜
線５，６が重なっている部位においては、上記供給電源
用配線Ｎ５と接地電源用配線層６とが重なり合っている
ことを示している。これら供給電源用配線層５と接地電
源用配線Ｎ６とは、同図に示されるように、チップ４の
周辺部位に配置されている。上記接地電源用配置層６は
、第２図に示されるように、基板８上のフィールド絶縁
膜９上面に形成される１暦目のアルミニウム配線層であ
り、一方、供給電源用配線層５は１層目のアルミニウム
配線層６上の絶縁膜７上面に形成される２層目のアルミ
ニウム配線層である。

このように本実施例においては、電源用の配線層５，６
を絶縁膜７を介して重ね合わせるよう配置しているので
、第３図に示されるように供給電源用配置層５と接地電
源用配線層６との間に電源間容量３が形成されるように
なり、電源ノイズの除去が可能となっている。

ここで、第２図における符号１ｏは基板８表面に形成さ
れる拡散層を、１１は絶縁膜７と同層で、電源用の配線
Ｍ５，６間以外の部位に形成される他の絶縁膜をそれぞ
れ示しており、同図に示されるように、絶縁膜７は、絶
縁膜７と同層で、電源用の配線層５，６間以外の部位に
形成される他の絶縁膜１１に比べて薄く形成されている
。従って、ここに形成される電源間容量は、絶縁膜７の
厚さを絶縁膜１１の厚さと同じにした場合より非常に大
きくなっており、電源ノイズの除去がさらに確実になさ
れようになっている。

このように構成される半導体装置によれば次のような効
果を得ることができる。

すなわち、電源用の配線層５，６を絶縁膜７を介して重
ね合わせるよう配置したので、この配線層５，６間にお
いて電源間容量が形成されるという作用により、ラッチ
アップ、実装等の問題を考慮することなく電源ノイズの
除去を図ることが可能となる。

また、上述のように、電源用の配線層５，６は絶縁膜７
を介して重ね合わせられているので、その重ね合わされ
ている配線層の分面積を縮小できるという作用により、
高集積化を図ることが可能となる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが１本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

例えば、上記実施例おいては、配ｇ暦が２暦の場合にお
ける適用例が述べられているが、３層以上の配線層を有
する半導体装置に対しても適用可能であり、要は接地電
源用配線Ｎ６と供給電源用配線層５とを絶縁膜７を介し
て重ね合わせるよう配置するように構成すれば良い。

また、上記実施例おいては、絶縁膜７は、電源用の配線
Ｎ５，６間以外の部位に形成される同層の他の絶縁膜１
１に比べて薄く形成されているが、同店の他の絶縁膜１
１の厚さと同じであっても良い。

また、上記実施例おいては、ＭＯ８型トランジスタの形
成される半導体装置に対する適用例が述べられているが
、バイポーラ型トランジスタ等の形成される半導体装置
に対しても適用可能である。

また、上記実施例おいては、電源用の配線層５゜６をア
ルミニウムとしているが、アルミニウムに限定されるも
のではない。

［発明の効果］ 本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである
。

すなわち、電源用の配線層を絶縁膜を介して重ね合わせ
るよう配置したので、この配線層間において電源間容量
が形成されることになる。その結果、ラッチアップ、実
装等の問題を考慮することなく電源ノイズの除去を図る
ことが可能となる。

また、上述のように、電源用の配線層は絶縁膜を介して
重ね合わせられているので、その重ね合わされている配
線層の分面積を縮小できる。その結果、該半導体装置の
高集積化を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る半導体装置の実施例の平面図。 第２図は第１図中のＡ−Ａ矢視図、 第３図は同上装置を表す回路図である。 ５．６・・・・電源用の配線層、７・・・・絶縁膜。 第　　１　　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、多層配線層を有する半導体装置において、電源用の
   配線層を絶縁膜を介して重ね合わせるよう配置したこと
   を特徴とする半導体装置。 ２、前記絶縁膜は、電源用の配線層間以外の部位に形成
   される同層の他の絶縁膜に比べて薄く形成されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
   。 ３、前記電源用の配線層は、半導体チップの周辺部位に
   配置されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項記載の半導体装置。