JP2778235B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の金属配線に関する。

〔従来の技術〕

近年半導体集積回路は、高集積度化が進み、金属配線
も２層,3層等の多層化が進んできている。一方、電気的
に基板に接続されていない配線（フローティング配線）
の扱いについては、単層配線の際には、なんら問題がな
かったことから、多層配線になっても制限がなかったの
が実状である。

第３図に、従来のフローティング配線の構造例を示
す。

第３図（ａ）は平面図、第３図（ｂ）は断面図であ
る。半導体素子は図示省略してある。信号配線５はボン
ディングワイヤー（図示省略）を通じてパッケージピン
（図示省略）と接続されている。又信号配線５はスルー
ホール６を通して、下層の信号配線７につながってい
る。この下層配線７は、シリコン基板１と接続がされて
いない。即ちフローティング配線となっている。又、信
号配線７の上には、プラズマ窒化膜３があり、更にその
上に電源配線４が存在している。

〔発明が解決しようとする課題〕 この従来のフローティング配線構造においては、静電
気が信号配線５に印加された時、フローティング状態と
なっている為逃げ場がなくなり、プラズマ窒化膜３のウ
ィークスポット８（下層に段差が存在する場所に存在す
る）を通じて電源配線４に放電し、結果的に信号配線５
と電源配線４がショートするという問題点があった。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置は、フローティング配線が電気的
に半導体基板に接続されている配線と重ならないことを
特徴とする構造を有している。

〔実施例〕

次に本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の一実施例であり、第１図（ａ）は平面図、第
１図（ｂ）は断面図である。この例ではフローティング
配線である信号配線５は、電源配線４と同層にしか存在
しておらず、従って静電気等でフローティング配線と電
源配線がショートすることは原理的にありえない。

第２図は、フローティング配線である信号配線５が電
源配線４の下層に存在する場合の実施例である。本例の
場合、下層の信号配線７と上層の電源配線４を重ねない
構造としている為、プラズマ窒化膜３のウィークスポッ
ト８上に電源配線が存在せず、従ってフローティング配
線と電源配線が静電気等でショートすることがない。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明はフローティング配線が電
気的に半導体基板に接続されている配線と垂直方向に交
わらない構造となっている為、静電気等により下地段差
によって生じる層間絶縁膜のウィークスポットを破壊
し、フローティング配線と電源配線がショートすること
がないという効果を有する。

第４図には本発明の効果を確認する為、静電破壊耐圧
を測定したデータを示す。これより判る様に、従来構造
では、静電破壊耐圧のバラツキが大きいが、本発明の構
造ではバラツキが少なく、充分な静電破壊耐圧を有す
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ），（ｂ）は本発明の一実施例の平面図及び
断面図、第２図（ａ），（ｂ）は他の実施例の平面図及
び断面図、第３図（ａ），（ｂ）は従来の構造における
平面図及び断面図である。第４図はフローティング配線
構造と静電破壊電圧の関係を示す図である。 尚図中の記号は以下の通りである。 １……シリコン基板、３……プラズマ窒化膜、４……電
源配線、５……信号配線、６……スルーホール、７……
信号配線、８……ウィークスポット。

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板に、１種あるいは複数種の半導
   体素子を１つあるいは複数備え、電気的に半導体基板に
   接続されていない金属配線と、電気的に半導体基板に接
   続されている電源配線とが絶縁膜を間に挟んで上下に存
   在する半導体装置において、前記金属配線が、電気的に
   半導体基板と接続されている前記電源配線と重ならない
   ことを特徴とする半導体装置。