JPH0210567Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

本考案は磁気記録媒体と摺動するコアの一部に
切欠きを設けた消去ヘツドに関するものである。
フイリツプス型カセツトテープのカセツトには、
主として磁気ヘツド又はピンチローラを挿入する
ための３つの大窓とセンサ等を挿入するための２
つの小窓を設けてある。しかし、テープレコーダ
の高級化、多機能化に伴つてデユアルキヤプスタ
ンやオートリバース機能を設けると、消去ヘツド
は前述した小窓に挿入して用いなければならなく
なる。このため磁気テープとの摺動部分が突出し
た形状の消去ヘツドを用いている。第１図ａは前
述の小窓を利用する消去ヘツドの内部を示した斜
視図である。第１図ａに示した従来の小窓用消去
ヘツドは、センタコア１、コイル２、サイドコア
３，４、（磁気ギヤツプ５ａ，５ｂ）、ブロツク６
から成るヘツド素体７を端子９ａ，９ｂを有する
ホルダ１０に取付け、コイル２の導線８ａ，８ｂ
を端子９ａ，９ｂにそれぞれ接続して構成してい
た。 第１図ｂは第１図ａの消去ヘツドからホルダ１
０を除去してヘツド素体７を矢印Ａ方向に向いて
見た側面図であり、第１図ｃは第１図ｂのヘツド
素体を矢印Ｂの方向に向いて見た平面図である。
ヘツド素体７はカセツトの小窓に挿入して用いる
ので極めて小型となり、このため第１図ａに示す
如く突出したコアの幅寸法Ｗを狭くしなければな
らず、センタコア１、サイドコア３，４の断面積
が小さくなる。コアの断面積が小さいとコイル２
に大きな電流を流した時に前記センタコア１、サ
イドコア３，４から成る磁気回路が磁気的に飽和
する。 そこで従来の消去ヘツドでは、コアの高さをト
ラツク寸法T₁よりも大きな寸法T₂に定めて磁気
回路の断面積を大きくしている。そして、センタ
コア１、サイドコア３，４に形成された磁気テー
プとの摺動部分を一部分切欠いてその切欠き部６
ａに板状の非磁性体ブロツク６を設けていた。し
かし、第１図ａ〜ｃに示した構成では本来の目的
を十分に達成する事が出来ず、ギヤツプ近傍に多
くの磁束を通そうとすると磁気回路の飽和とコア
間の漏れ磁束を生じ、後述の歪率が高くなつてい
た。 本考案の磁気ヘツドは前述の欠点を除去して磁
気回路の飽和とコア間の漏れ磁束を押さえ歪率を
低下させることを目的とする。その目的を達成す
るために、本考案では高透磁率物質から成る第１
のコアと、前記第１のコアに捲回したコイルと、
前記第１のコアを挟んで突合せることにより複数
の磁気ギヤツプを形成する高透磁率物質から成る
第２のコアと、前記第１のコアと第２のコアの摺
動面側で部分的に切り欠かれた切り欠き部に設け
た非磁性物質から成るブロツク部材とを有するヘ
ツドにおいて、前記第２のコアの切り欠きの底部
を前記コイル前端から該コイルの全長の1/2以下
までの深さ位置に設定して摺動面側に略コの字状
の切り欠き部を形成し、この切り欠き部に前記ブ
ロツク部材を設けた構成を採用したものである。 以下、図に示した実施例を用いて本考案の説明
を行なう。第２図ａは本考案第１実施例の消去ヘ
ツドを示した斜視図、第２図ｂは第２図ａの消去
ヘツドからホルダ２０とブロツク１６ａを除去し
てヘツド素体１７を矢印Ａの方向に向いて見た場
合の側面図である。また、第３図ａは本考案第２
実施例の消去ヘツドを示した斜視図、第３図ｂは
第３図ａの消去ヘツドからホルダ２０とブロツク
１６ｂを除去してヘツド素体１８を矢印Ａの方向
に向いて見た場合の側面図である。そして第４図
は第２図ｂ，第３図ｂに示したヘツド素体１７，
１８を矢印Ｂの方向に向いて見た場合（両者は同
じになる）の平面図である。 第２図ａ，第３図ａにおいて、高透磁率物質
（例えばセンダスト，フエライト等）から成るセ
ンタコア（第１のコア）１１にコイル１２を捲回
し、高透磁率物質から成るサイドコア（第２のコ
ア）１３（第２図）又は１４（第３図）をセンタ
コア１１と突合わせてテープ摺動面に磁気ギヤツ
プ１５ａ，１５ｂを形成する。磁気ギヤツプ１５
ａ，１５ｂの部分は不図示の磁気テープ（磁気記
録媒体）と摺動して磁気テープ上に記録されてい
る情報の消去を行なう。そして、サイドコア１３
又は１４には図示の切欠き部１３ａ又は１４ａを
設け、その切欠き部にブロツク１６ａ又は１６ｂ
（非磁性物質）を取付ける。そして、センタコア
１１、コイル１２、サイドコア１３又は１４、ブ
ロツク１６ａ又は１６ｂはヘツド素体１７又は１
８を形成する。前記ヘツド素体は端子１９ａ，１
９ｂを設けたホルダ２０の凹部２０ａに取付ける
が、図示した如くヘツド素体の一部分を保持する
ことによつて磁気テープ（不図示）側に突出した
部分を形成させる。そして、コイル１２の導線部
分１２ａ，１２ｂは端子１９ａ，１９ｂにハンダ
付け等によつてそれぞれ接続する。このように構
成した消去ヘツドは、前述の磁気テープ側に突出
した部分をカセツトの小窓に挿入て磁気テープと
摺動させる事が出来る。 第４図ａは第２図ｂと第３図ｂにおいてヘツド
素体を矢印Ｂの方向に向いて見た場合の平面図で
あり、第２図ａ，第３図ｂに示したブロツク１６
ａ，１６ｂの部分が略コの字状（交叉した斜線部
分１６）を成している。第４図ｂは第２図ａにお
いて、ヘツド素体を矢印Ｂとは逆の方向に向いて
見たヘツド素体の上面の平面図である。第４図ｃ
は第４図ｂに対応する等価回路である。 第４図ｃにおいて、○〜はコイル１２に対応し、
Φ１１はセンタコア１１を通る磁束、Φ１３はサ
イドコア１３を通る磁束を示している。R_gはギ
ヤツプ部の磁気抵抗であり、R_bgは後部ギヤツプ
部の磁気抵抗である。また、Ｒ₁はギヤツプ近
傍の漏洩磁気抵抗でありＲ₂は後部ギヤツプ近
傍の漏洩磁気抵抗である。更に、Ｒ_AとＲ_Bは
後述する切り欠き部の切り欠き量に対応して変化
する漏洩磁気抵抗である。 第５図ａ〜ｃはヘツド素体の側面図であり、第
５図ａは第１図ｂに示した如き従来の消去ヘツド
のヘツド素体であつて、図の左端近傍で磁束が乱
れる事により漏れ磁束が発生して歪率が高くな
る。第５図ｂで切欠き部を１３ａ（実線）とした
ものは第２図ｂに示した本考案第１実施例であ
り、第５図ｂで切欠き部を１４ａ（破線）とした
ものは第３図ｂに示した本考案第２実施例であ
る。第２図ｂ，第３図ｂに示すようにコイル１２
の長さをＬ、切込みの長さを（コイル１２の前
端１２ｃからテープ摺動部分と反対方向に測つた
長さ）とするとき、第５図(b)は≦Ｌ／２を満足
したものである。 このような本考案の構成では、第５図ａのよう
な図の左端近傍における磁束の乱れがなく、ま
た、後述するような磁気回路の飽和も少ないので
漏れ磁束が少なくて歪率が改善される。第５図ｃ
は＞Ｌ／２としたものであつて、図の左半分に
おいて磁気回路が飽和し易く、漏れ磁束が発生し
て歪率が高くなる。 ここで第５図ａ〜ｃにおける漏れ磁束と飽和に
ついて、第４図ｃに示した等価回路を用いて説明
する。まず、第５図ａに示すヘツド素体２１の構
造は、サイドコア４が不図示のセンタコア（第１
図の符号１）に対して広い面積で対向している。
そのために第４図ｃに示す漏洩磁気抵抗Ｒ_Aと
Ｒ_Bは共に低くて漏れ磁束が多い構造である。
次に、第５図ｂに示すヘツド素体２２の構造は、
サイドコアが浅く切り欠かれている為に前述した
センタコアとの対向する面積が減少し、第４図ｃ
では漏洩磁気抵抗Ｒ_Aを高くした事になる。そ
のために漏れ磁束が減少する。 更に、第５図ｃに示すヘツド素体２３の構造
は、サイドコアが深く切り欠かれている為に前述
したセンタコアとの対向する面積がより一層減少
し、第４図ｃに示す漏洩磁気抵抗Ｒ_AとＲ_Bは
共に高くなつて漏れ磁束が少ない構造である。こ
のように、切り欠き量が増加するに従つて漏れ磁
束は次第に少なくなるが、それに伴つてサイドコ
アの中を通る磁束が飽和し易くなる。この飽和は
ひずみの発生の原因となる（昭和47年９月１日、
ラジオ技術社発行「ハイフアイテープレコーダ」
の第346頁を参照）一方、漏れ磁束が多いコアの
構造ではギヤツプの近傍で所定の消去磁界を得る
ために、コイルに多くの電流を流す事になつてヘ
ツドの発熱が増加する。次に、歪率特性の測定デ
ータを説明する。 第６図は第５図ａ〜ｃに示したヘツド素体２１
〜２３の歪率特性を示したグラフ図である。第６
図において第５図ｂに示す如く奥行き長さ≦
Ｌ／２としたヘツド素体２２では曲線２２ａの如
く歪率が最も低い。第５図ａに示した従来のヘツ
ド素体２１は曲線２１ａ、第５図ｃに示したヘツ
ド素体２３は曲線２３ａで表わされ、歪率の高い
事が分かる。 以上の説明（漏れ磁束及び飽和について）、及
び測定データ（歪率特性）をまとめると次の第１
表が得られる。

【表】 第１表において、第５図ａでは所定の消去磁界
を得る為にコイルに多くの電流を流さなければな
らないのでヘツドの発熱に対して冷却対策を講ず
る必要が生じる。また、第５図ｃではサイドコア
の中を通る磁束が飽和し、かつ、歪率が高いので
問題がある。 このように、第５図ａと第５図ｃではそれぞれ
問題点を有している。一方、第５図ｂ、つまり奥
行き長さ≦Ｌ／２の条件では漏れ磁束と歪率の
何れに関しても大きな問題点が存在せず、漏れ磁
束と飽和と歪率の三者を総合して考察すると、消
去ヘツドに適した構造である。 このように、本考案の消去ヘツドはサイドコア
の形状を変える事によつて製造コストを上げる事
なく、消去ヘツドにおける磁気回路の飽和とコア
間の漏れ磁束を低減させ、歪率を低くする事が出
来る。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは従来の小窓用消去ヘツドの斜視図、
第１図ｂは第１図ａに示したヘツド素体の側面
図、第１図ｃは第１図ｂに示したヘツド素体の平
面図、第２図ａは本考案第１実施例の消去ヘツド
の斜視図、第２図ｂは第２図(a)に示したヘツド素
体の側面図、第３図ａは本考案第２実施例の消去
ヘツドの斜視図、第３図ｂは第３図ａに示したヘ
ツド素体の側面図、第４図ａは第２図ｂ及び第３
図ｂに示したヘツド素体の底面の平面図、第４図
ｂは第２図ｂに示したヘツド素体の上面の平面
図、第４図ｃは第４図ｂに対応する等価回路図、
第５図ａ〜ｃはヘツド素体の側面図、第６図は消
去ヘツドの歪率特性を比較したグラフ図 尚、図において、１１……センタコア、１２…
…コイル、１２ａ，１２ｂ……導線、１３，１４
……サイドコア、１３ａ，１４ａ……切欠き部、
１５ａ，１５ｂ……磁気ギヤツプ、１６a.１６ｂ
……非磁性ブロツク、１７，１８，２２……ヘツ
ド素体、１９ａ，１９ｂ……端子、２０……ホル
ダ。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 高透磁率物質から成る第１のコアと、 前記第１のコアに捲回したコイルと、 前記第１のコアを挟んで突合わせることによ
   り複数の磁気ギヤツプを形成する高透磁率物質
   から成る第２のコアと、前記第１のコアと第２
   のコアの摺動面側で部分的に切り欠かれた切り
   欠き部に設けた非磁性物質から成るブロツク部
   材とを有するヘツドにおいて、前記第２のコア
   の切り欠きの奥行きを前記コイルの全長の1/2
   以下に設定し、該切り欠き部に設けた前記ブロ
   ツク部材の形状を略コの字状とした事を特徴と
   する消去ヘツド。 (2) 前記第２のコアの切り欠きの奥行き面を摺動
   面に対して傾斜して形成したことを特徴とする
   実用新案登録請求の範囲第１項記載の消去ヘツ
   ド。