JPS6331207Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は消去ヘツドに係り、特に高抗磁力テー
プ（メタルテープ）に適用されて、センターコア
とサイドコアを有する消去ヘツドのコアを一体状
に成形してセンターコアとサイドコア間の各ギヤ
ツプ部にスペーサーを挿入し、総じて４ギヤツプ
構造を有するコアとなし、サイドコア部の巻線を
互いに逆巻にして、消去コアの磁気回路における
磁界の干渉によるロスを防止し、消去効率を向上
させうる交流消去法による消去ヘツドを提供する
ことを目的とするものである。

従来の消去ヘツドとしては、第１図に示すもの
があつた。図において従来の高抗磁力テープ用消
去ヘツド１はＣ字型コア２と、コイル４を巻線し
たボビン５に挿通してなるＩ字型コア３を備え、
Ｃ字型コア、Ｉ字型コアを接合して、コア３の先
端両側面３ａ，３ｂに一対のギヤツプ６ａ，６ｂ
を形成している。しかるにこの従来消去ヘツド１
ではコア部をＣ字型コア２とＩ字型コア３とに２
分割したものであるため、巻線工程としてはコイ
ル４を巻装されたコイル５の穴部にＩ字型コア３
を挿通するのみであるから巻線を簡単に整例状態
に行なうことができる利点はあるものの、Ｃ字型
コア２とＩ字型コア３のフエライトコア素材を必
要とし、結果的に２部材のコア型材を要し、コス
ト的に一体構造のフエライトコア型材よりも不利
となつている。加えて、この二部材接合型コアを
有する消去ヘツドはコアの接合面で漏れ磁束が発
生し、消去ロスを生じるとともに、コア製作上各
コア型材の寸法精度が巌しく要求されこの点から
も生産上コスト上昇を含んだ要因となつている。

本考案は上記欠点を除去したものであり、以下
図面とともにその実施例につき説明する。

第２図は本考案になる消去ヘツドの基本的構成
を示す概略図であり、第３図は本考案消去ヘツド
の全体を示す分解斜視図で、第４図は本考案消去
ヘツドに使用されるギヤツプスペーサーの実施例
を示す拡大斜視図である。

第２図において、消去ヘツド７はセンターコア
９とサイドコア８，８ａ，８ｂを一体に成型され
たＥ字型コアからなり、ギヤツプ部１０，１１に
はバーマロイからなる磁性体のスペーサー１２
ａ，１２ｂを嵌挿し、全体として４つのギヤツプ
１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂを形成するとと
もに巻線１４はセンターコアとサイドコアの各間
１３ａ，１３ｂに直列状に巻線され、かつ巻線の
方向はセンターコア９を介して、互いに逆巻とな
るように巻線１４ａ，１４ｂされている構成を基
本とするものである。

すなわち本考案になる消去ヘツド７は記録テー
プ進入側と抜け側にそれぞれ複数のギヤツプ１０
ａ，１０ｂと１１ａ，１１ｂを備えたダブルギヤ
ツプ構造の消去ヘツドを並設したのと同様の構成
を施こして、高抗磁力テープの消磁に関し、ダブ
ルギヤツプ消去ヘツドを２回使用したことと同様
の効果を与えることにより、高抗磁力テープの消
磁を行なおうとする考案に係る。

さらに本考案に係る消去ヘツドコアの巻線に関
して説明すると、本考案のコア巻線はテープ進入
側巻線１４ａと抜け側巻線１４ｂとがセンターコ
ア９を介して直列に巻回接続され、かつ、進入側
巻線１４ａと抜け側巻線１４ｂの巻線方向は各巻
線によつて誘起される磁束がセンターコア９で互
いに干渉してロスを発生しないよう逆方向に巻線
されている。

加えて、巻線の回数に関し、テープ走行に対し
て侵入側の巻数と抜け側の巻数の比と消去効果に
明白な相関関係が見られ、侵入側の巻数が大きい
場合消去効果が劣化する。しかし抜け側の巻数が
大きい場合と同巻数の場合とは消去効果はほぼ同
レベルであることが側定されており、テープ進入
側と抜け側の巻線数による消去特性変化は第５図
に示すグラフのようになつている。第５図のグラ
フにおいて曲線Ａは進入側巻線数90回、抜け側巻
線数45回とした場合の消去効果を示し、この場合
消去効果は40dB位で通常要求される消去効果
60dB以上を満足することができない。曲線Ｂに
おいても同様であることがグラフより判明してい
る。さらに曲線ＣとＤに関して見ると、曲線Ｃは
テープ進入側と抜け側との巻線数を同数にした場
合であり、曲線Ｄは進入側よりも抜け側の巻線数
を大きくした場合の消去効果を示し、共にほぼ同
レベル（65dB〜70dB）で必要消去レベル60dB以
上を十分に満足しているものである。

従つて、これらの結果より消去ヘツド量産時の
工程管理上から、侵入側と抜け側巻線数は同数に
説定しても消去特性は満足できる消去ヘツドが得
られる。尚、この側定の条件としては、テープ速
度4.76cm／ｓ、録音周波数80Hz、消去周波数
100KHzで交流消去したものである。

次に、上述の結果から、第３図について、本考
案の具体的実施例につき、その構成及び組付けに
関して説明する。図において、センターコア９と
サイドコア８を有するＥ字型コアからなる消去ヘ
ツド７はサイドコア間１３ａ，１３ｂに渡つてコ
ア基部７′に、開口部１５′を有して１対の金属製
端子１６と共に樹脂によりインサート成形された
コイルボビン１５をコア基部７′を被覆するよう
に装着し、Ｅ字型コアのギヤツプ１０，１１を通
して巻線１４ａ，１４ｂをそれぞれ逆巻となるよ
うに同巻回数巻線し、巻線端部をコイルボビン１
５に設けた金属製端子１６に半田付されて巻線を
完了する。

次にギヤツプ１０，１１に両面を本案消去ヘツ
ドの消去ギヤツプを形成する厚さ30μｍの薄膜材
１７で被覆されたパーマロイからなる磁性体のス
ペーサー１２ａ，１２ｂをそれぞれギヤツプ１
０，１１に嵌挿固着して本考案の特徴である４ギ
ヤツプ１０ａ，１０ｂ，１１ａ，１１ｂを形成す
る。ここにおいてスペーサー１２ａ，１２ｂは高
周波μ特性がフエライトを比較して劣るパーマロ
イを使用しているため、スペーサー１２ａ，１２
ｂ部で過電流損による磁化量の飽和からくる発熱
温度上昇が問題となつており、この対策として、
第４図に示すようにスペーサー１２ａ，１２ｂに
それぞれスリツト１８a₁〜a₄，１８b₁〜b₃を設け
てパーマロイスペーサー１２ａ，１２ｂの体積を
減少させラミネート効果を持たせて過電流損低減
を計つている。さらにスリツト１８a₁〜a₄と１８
b₁〜b₃はスペーサー１２ａ，１２ｂを重ねた場
合、スリツト部が合致しないように互いにずらし
た位置に設けられてクロス消去により消去残りは
発生しない。また、テープ侵入側と抜け側に関す
るスペーサー１２ａ，１２ｂのスリツト数として
は、テープ侵入側スペーサー１２ａに４カ所のス
リツト１８a₁〜a₄を設け、抜け側スペーサー１２
ｂに３カ所のスリツト１８b₁〜b₃を設けている。
これは前記テープ侵入側と抜け側の巻線回数の巻
数比に対応したもので、テープ侵入側にはスペー
サーの断面積が少なくなるように４カ所のスリツ
ト１８a₁−a₄を設けたスペーサー１２ａとし、抜
け側にはスペーサーの断面積を大きくして磁束密
度を進入側よりも大きくするようにした３カ所の
スリツト１８b₁〜b₃を設けたスペーサー１２ｂと
しているものである。

次に、上記の構成で組みたてられた消去ヘツド
部７はケース体１６に挿入され、ケース体１６の
窓部１９で、案内突起２０の先端を押圧しながら
案内されて、ケース体１６の基準窓縁部２１に消
去ヘツド７の前部上面を接してギヤツプ１０ａ，
１０ｂ，１１ａ，１１ｂを突出させた状態で係止
される。ついでケース体１６内に消去ヘツド７を
組込んだ後ケース体１６後部の開口部（図示せ
ず）を金属端子１６を突出させて樹脂により封止
し、封完了後、ケース体１６の下部に設けた樹脂
注入口（図示せず）よりケース体１６内部に高熱
伝導性の樹脂を注入してケース体１６内の消去ヘ
ツド７を固着し、樹脂の固着後、ケース体１６の
窓部１９より突出した消去ヘツド７の前端部を第
４図点線で区別された各スペーサー１２ａ，１２
ｂの余部１２a′，１２b′と、窓部１９より漏出し
た高熱伝導性樹脂をともに研摩加工を施こして本
考案になる４ギヤツプを有する消去ヘツドを完成
させている。

これらから第６図に示すように高抗磁力テープ
に対する従来消去ヘツドと本考案消去ヘツドとの
消去特性を比較してみると、本考案による消去ヘ
ツドは従来消去ヘツドに比し、消去効果は10dB
程向上し、最大消去効果は約70dBとなつている
とともに高調波電流歪率も従来消去ヘツドに比し
てすぐれた特性をもつている。

従つて、本考案による消去ヘツドは前述したよ
うにコアを一体に形成するとともにセンターコア
とサイドコア間の巻線をＥ字型コアのギヤツプ部
を通して二カ所に行ない、加えて、各ギヤツプ部
にスペーサーを設けて４ギヤツプ構造からなる構
成とともに、スペーサー部にも過電流損による磁
束のロスや発熱による温度上昇に対する対策を施
こしたものであるから従来消去ヘツドに比して、
コア一体構造であることによりコアが安価であ
り、コア接合面がないため消去電流歪率が良好で
あるとともに高抗磁力テープに対して深い最大消
去効果の得られる消去ヘツドとなつている。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来消去ヘツドの概略図、第２図は本
考案消去ヘツドの概略図、第３図は本考案消去ヘ
ツドの全体を示す分解斜視図、第４図はギヤツプ
スペーサーの実施例を示す拡大斜視図。第５図は
巻線の巻線数をテープ侵入側と抜け側とで変化さ
せた場合の消去特性を示す曲線図、第６図は従来
消去ヘツドと本考案消去ヘツドとの消去特性比軸
曲線図。 ７，７……消去ヘツド、８，８ａ，８ｂ……サ
イドコア、９……センターコア、１０，１０ａ，
１０ｂ，１１，１１ａ，１１ｂ……ギヤツプ、１
２，１２ａ，１２ｂ……スペーサー、１２a′１２
b′……スペーサー余部、１４ａ，１４ｂ……巻
線、１７……薄膜材、１８a₁〜１８a₄，１８b₁〜
１８b₃……スリツト。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. センターコアとサイドコアを一体に成形してダ
   ブルギヤツプ構造とした消去ヘツドにおいて、前
   記ギヤツプ部に挿入されて４ギヤツプを形成する
   磁性体のスペーサーと、前記スペーサーには複数
   のスリツトが設けられていることを特徴とする消
   去ヘツド。