JPH01315758A

JPH01315758A - 電子写真感光体

Info

Publication number: JPH01315758A
Application number: JP33557488A
Authority: JP
Inventors: Takao Kawamura; 河村　孝夫; Yasuo Nishiguchi; 泰夫西口
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1988-03-24
Filing date: 1988-12-28
Publication date: 1989-12-20
Anticipated expiration: 2013-08-20
Also published as: JP2789100B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導゛体層を積層して成る電子写真感光体に関する
ものである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、　５ｅ−Ｔｅ
＋＾Ｈ５，２，ｚｎＯ，ＣｄＳ、アモルファスシリコン
などの無機材料と各種有機材料がある。そのなかで最初
に実用化されたものはＳｅであり、次いでＺｎＯ、Ｃｄ
Ｓ、アモルファスシリコンが実用化された。有機材料で
はＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、その後、電荷の
発生並びに電荷の輸送という機能を別々の材料に分担さ
せるという機能分離型感光体が提案され、この機能分離
型感光体によって有機材料の開発が飛躍的に発展してい
る。

また、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した電
子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Ｓｅ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、特開昭５６−１４２４１号にはアモルファスシ
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。

上記公報の電子写真感光体によれば、化学式Ｓｉ機先光
半導体層順次積層された構造から成る。

しかしながら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その表面電位及び残留電位を測定したところ
、いずれも未だ満足し得るような特性が得られず、更に
改善を要することが判明した。

従って、本発明は叙上に鑑みて完成されたものであり、
その目的は高い表面電位が得られ、しかも、残留電位を
低減させた電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコン
カーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカー
バイドをａ−ＳｉＣと略す）と有機光半導体層が順次積
層された電子写真感光体において、ａ−５ｉＣｉ導電層
が第１の層領域と第２の層領域が順次形成された層構成
であり、第１の層領域に周期律表第Ｖａ族元素を５．０
００ｐｐｍの範囲内で含有させるか、あるいは該層領域
が実質上含有せず、第２の層領域に周期律表第ＩＩＩａ
族元素を１〜１゜０００ｐｐｍの範囲内で含有させたこ
とを特徴とする電子写真感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−３ｉＣｉ導
電層（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されて
いる。ａ−３ｉＣ光導電Ｎ（２）には電荷発生という機
能があり、他方の有機光半導体層（３）には電荷輸送と
いう機能がある。

本発明は、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）の内部に第１の層
領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）が順次形成されて
おり、第１のＮ領域（２ａ）が周期律表第Ｖａ族元素（
以下、Ｖａ族元素と略す）を所定の範囲内で含有するか
、あるいは実質上含有せず、しかも、第２のＮ領域（２
ｂ）が周期律表第ｍ’ａ族元素（以下、ＩＩＩａ族元素
と略す）を所定の範囲内で含有し、これにより、表面電
位及び残留電位を改善したことが特徴である。

また、このような層領域を形成したことにより負帯電用
電子写真感光体となることも特徴である。

先ず、ａ−３ｉＣｉ導電層（２）はアモルファス化した
Ｓｔ元素とＣ元素並びにこれらの元素のダングリングボ
ンド終端部に導入された水素（Ｈ）元素又はハロゲン元
素から成り、その組成式は下記の通りに設定するとよい
。

（Ｓｉ、□Ｃつ）　＋−ｙ　Ａ　。

（但し＾はＨ元素又はハロゲン元素）０．０１＜ｘ＜０．５好適には　０．０５　＜　ｘ　＜　０．５最適には　０
．１　＜　Ｘ　＜　０．４０．１　　＜　Ｖ　＜　０．
５好適には　０．２　＜　ｙ　＜　０．５最適には　０．
２５　＜　ｙ　＜　０．４５ｘ値が０．０１　＜　ｘ　
＜　０．５の範囲内であれば、光導電性が得られ、０．
０５　＜　ｘ　＜　０．５の範囲内に設定された場合に
は短波長側の光感度が高められ、しかも、光導電性が顕
著に高くなって光キャリアの励起機能が大きくなる。

また、ｙ値が０．１以下の場合には膜質が低下し、これ
によって光導電性が著しく低下し、０．２＜ｙ　＜　０
．５の範囲内に設定された場合には暗導電率が小さくな
るとともに光導電性が大きくなり、優れた光導電性が得
られ、また、基板との密着性にも優れる。

このａ−５ｉＣ光導電Ｎ（２）には水素（Ｉ（）元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位密
度が低減化されるという点で望ましい。

また、ａ−３ｉＣ光導電層（２）の厚みは０．０５〜５
ｕｍ、好適には０．１〜３μＩの範囲内に設定すればよ
く、この範囲内であれば高い光感度が得られ、残留電位
が低くなる。

次に第１の層領域（２ａ）については、Ｖａ族元素をＯ
〜５．ＯＯＯｐｐｍ（なお、Ｏｐｐｍとは実質上含有し
ない場合である）、好適にはＯ〜３０００　ｐｐｍ含有
させ、これにより、ｎ形半導体となし、ａ−３ｉＣ光導
電層（２）で発生した光キャリア、特に負電荷を基板側
へスムーズに流すことができ、また、基板側のキャリア
がａ−３ｉＣ光導電層（２）へ流入するのが阻止できる
。即ち、第１の層領域（２ａ）は基板（１）に対して整
流性を有するという点で非オーミツク接触していると言
える。

従って、この非オーミツク接触により表面電位が高くな
り、残留電位が低減する。

かかるＶａ族元素が５．０００ｐｐｍを越える場合には
、この層領域の内部欠陥が増大して膜質が低下し、表面
電位の低下並びに残留電位の上昇をきたす。

また、第１の層領域（２ａ）はＶａ族元素含有量ととも
に、その厚みでもって更に具体的に設定するのが望まし
い。

即ち、第１の層領域（２ａ）の厚みは０．０５〜５μｍ
、好適には０．１〜３μＩの範囲内に設定するとよく、
この範囲内であれば残留電位を低減できるとともに感光
体の耐電圧を高めることができるという点で有利である
。

しかも、第１のＮｅＭ域（２ａ）はＶａ族元素含有量及
び厚みとともに、そのＳｉＣ組成比を下記の通りに設定
するのが望ましい。

即ち、組成式Ｓｔ、、　Ｃ、で表した場合、０．１〈ｘ
　＜　０．５の範囲内に設定するとよく、この範囲内で
あれば、表面電位を高め、基板との密着性を高めること
ができる。

また、上記のようにＣ元素比率を設定するに当たって、
その比率を第２のＮ　ｊｌ域（２ｂ）に比べて大きくす
るとよく、これは表面電位を高め、基板との密着性を高
めることができる点で有利である。

上記Ｖａ族元素にはＮ、　Ｐ、＾ｓ、Ｓｂ、［ｌｉがあ
るが、Ｐ元素が共有結合性に優れて半導体特性を敏感に
変え得る点で、その上、優れた帯電能と光感度が得られ
るという点で望ましい。

第２の層領域（２ｂ）については、ＩＩＩａ族元素を１
〜１　、　ＯＯＯｐｐｍ、好適には３０〜３００ｐｐｎ
含有させ、これにより、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）内部
の有機光導電層（３）側にＰ形半導体層を形成し、この
層（２）で発生した光キャリア、特に正電荷を有機光半
導体層（３）へスムーズに流すことができ、その結果、
表面電位が高くなり、残留電位が低減する。

かかるＵｉａ族元素がｉｐｐｍ未満の場合には帯電能を
向上させることができず、１　、０００ｐｐｍを越える
場合には光励起キャリアの発生能力が劣り、光感度が低
下する。

また、第２のＮ領域（２ｂ）はＩＩＩａ族元素含有量と
ともに、その厚みでもって更に具体的に設定するのが望
ましい。

即ち、第２の層領域（２ｂ）の厚みは０．０５〜５μｍ
、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するとよく、
この範囲内であれば、高い光感度が得られ、残留電位が
低くなる。

上記■ａ族元素にはＢ、ＡＩ、Ｇａ、　Ｉｎ等があるが
、８元素が共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え
得る点で、その上、優れた帯電能および光感度が得られ
るという点で望ましい。

上記の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−３
ｉＣ光導電層（２）にｐ−ｎ接合が形成され、そのため
、この層（２）で発生したキャリアのうち、正孔は有機
光半導体Ｎ（３）へ向かい、電子は基板（１）へ向かう
。従って、負帯電型の電子写真感光体となる。

このような負帯電型電子写真感光体においては、有機光
半導体層（３）に電子供与性化合物が選ばれ、この化合
物には例えば高分子量のものとして、ポリ−Ｎ−ビニル
カルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラ
セン、ピレン−ホルムアルデヒド縮重合体などがあり、
また、低分子量のものとしてオキサジアゾール、オキサ
ゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、ヒドラゾン
、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾール、ス
チルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリカーボネ
ート、ポリエステル、メタアクリル樹脂、ポリアミド、
アクリルエポシキ、ポリエチレン、フェノール、ポリウ
レタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ユリア樹脂
などのバインダに分散されて用いられる。

また、前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＯ５、ＡＩ等の
金属導電体、あるいはガラス、セラミックス等の絶縁体
の表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり、就
中、ＡＩがコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性とい
う点で有利である。

かくして本発明によれば、ａ−５ｉＣ光導電層にＶａ族
元素及びＩＩＩａ族元素が所定の範囲内で含有した１！
ｉｐｉ域を形成したことにより、表面電位及び残留電位
が改善され、そして、そのＳｉＣ元素比率を所定の範囲
内に設定して光感度が高められる。

本発明の電子写真感光体においては、第１の層領域（２
ａ）と第２の層領域（２ｂ）のそれぞれのＶａ族元素含
有量及び［Ｉ［ａ族元素含有量を層厚方向に亘って変化
させてもよい。その例を第６図〜第１５図に示す。

これらの図において、横軸は層厚方向であり、Ｓは基板
（１）と第１の層領域（２ａ）の界面、ｔは第１の層領
域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）の界面、Ｕは第２の
層領域（２ｂ）と有機光半導体層（３）の界面を表し、
また、縦軸はＶａ族元素又はＩＩＩａ族元素の含有量を
表わす。

このように第１の層領域（２ａ）又は第２の層領域（２
ｂ）で層厚方向に亘ってそれぞれＶａ族元素又はＩＩＩ
ａ族元素の含有量を変えた場合には、その元素含有量は
それぞれの層領域（２ａ）　（２ｂ）全体当たりの平均
含有量に対応する。

また、上記の通りにＶａ族元素又はＩＩＩａ族元素の含
有量を変えた場合、第１の層領域（２ａ）と第２の層領
域（２ｈ）の間に真性半導体層が形成される場合がある
。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ　−Ｓ’ｉ　Ｃ層を形成するにはグロー放電分解法、
イオンブレーティング法、反応性スパッタリング法、真
空蒸着法、ＣＶＤ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスには５ｉ１１ａ
＋５ｉｚＨ□５ｉＪｓ＋ＳｉＦ４，５ｉＣ１４＋５ｉｌ
ｌＣＩｔ等々があり、また、Ｃ元素含有ガスにはＣＬ、
Ｃ２Ｈ４，Ｃｚｌ１２＋Ｃ３Ｈ１１等々があり、就中、
Ｃ，Ｈ２は高速成膜性が得られるという点で望ましい。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図によ
り説明する。

図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タン
ク（６）、第４タンク（７）、第５タンク（８）にはそ
れぞれＳｉＨ４＋ＣｚＨｚ、ＰＨ：＋＋ＢｚＨ６（ＰＨ
：＋ガス及びＢＺＨ＆ガスはいずれも水素ガスで希釈さ
れている）及びＨ２が密封され、これらのガスは各々対
応する第１調製弁（９）、第２調製弁（１０）　、第３
調製弁（１１）、第４調製弁（１２）及び第５調製弁（
１３）を開放することにより放出される。この放出ガス
の流量はそれぞれマスフローコントローラ（１４）　（
１５）　（１６）　（１７）　（１８）により制御され
、各々のガスは混合されて主管（１９）へ送られる。尚
、（２０）　（２１）は止め弁である。

主管（１９）を通して流れるガスは反応管（２２）へ流
入されるが、この反応管（２２）の内部には容量結合型
放電用電極（２３）が設置され、また、筒状の成膜用基
板（２４）が基板支持体（２５）の上に載置され、基板
支持体（２５）がモータ（２６）により回転駆動され、
これに伴って基板（２４）が回転される。そして、電極
（２３）に電力５０ｗ　〜３Ｋｗ　、周波数１〜５０Ｍ
Ｈ２の高周波電力が印加され、しかも、基板（２４）が
適当な加熱手段により約２００〜４００℃、好適には約
２００〜３５０℃の温度に加熱される。また、反応管（
２２）は回転ポンプ（２７）と拡散ポンプ（２８）に連
結されており、これにより、成膜形成時に所要な減圧状
態（放電時のガス圧０．０１〜２．０Ｔｏｒｒ）が維持
される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
４）の上にａ−ＳｉＣ層を形成する場合、第１調製弁（
９）、第２調製弁（１０）　、第３調製弁（１１）及び
第５調製弁（１３）を開いてＳｉｌ＋４．ＣＪｚ、Ｐｌ
ｈ＋）Ｉｚの各々のガスを放出し、その放出量をマスフ
ローコントロ−ラ（１４）　（１５）　（１６）　（１
８）により制御し、各々のガスは混合されて主管（１９
）を介して反応管（２２）へ流入する。そして、反応管
内部の真空状態、基板温度及び電極印加用高周波電力を
所定の条件に設定するとグロー放電が発生し、ガスの分
解に伴ってＰ元素含有のａ−ＳｉＣ膜が基板上に高速に
形成する。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ−５ｉＣ層が形成
すると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成し、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液の
中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、自
然乾燥及び熱エージング（約１５０℃、約１時間）を行
うという方法であり、また、後者のコーティング法によ
れば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された感
光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１）第２図のグロー放電分解装置を用いて、ＳｉＨ４ガスを
２００ｓｅｃｍの流量で、ｌｈガスを２７０ｓｅｃｍの
流量で、そして、Ｃ２Ｈ２ガスの流量を変化させ、また
、ガス圧を０．６Ｔｏｒｒ　、高周波電力を１５０Ｗ、
基板温度を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ−
５ｊＣ膜（膜要約１μｍ）を形成した。

このようにａ−５ｉＣ膜のカーボン含有比率を変え、そ
して、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、また
、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図に示
す通りの結果が得られた。

第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちＳｉ＋−ＸＣ
Ｘのｙ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発光波
長５５０ｎｍ（光量５０μ−／ｃｍ”）の光に対する光
導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプロットで
あり、また、ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である。

上記各ａ−５ｉＣ膜について、その水素含有量を赤外吸
収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの結果
が得られた。

第４図中、横軸はＳｉ＋−ｘ　ＣＸのｙ値であり、縦軸
は水素含有量、即ち（Ｓｉｌ□Ｃ，）、−、ＩＩＶのｙ
値であり、○印はＳｉ原子に結合した水素量のプロット
であり、・印はＣ原子に結合した水素量のプロットであ
り、また、ｃ、ｄはそれぞれの特性曲線である。

第４図より明らかな通り、本例のａ−ＳｉＣ膜はいずれ
もｙ値が０．３〜０．４の範囲内にあることが判る。

また、第３図より明らかな通り、カーボン含有比率Ｘが
０．２　＜　Ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、光導電
率と暗導電率の比率が顕著に大きくなり、優れた光怒度
が得られることが判る。

（例２）次に本例においては、Ｓｉ）＋４ガスを２００ｓｅｃｍ
の流量で、Ｃ，Ｈ２ガスを２０ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２
ガスをＯ〜１０１０００ｓｃの流量で導入し、そして、
高周波電力を５０〜３００Ｗ、ガス圧を０．３〜１．２
Ｔｏｒｒに設定し、グロー放電によりａ−ＳｉＣ膜（膜
要約１μｍ）を形成した。

かくして、カーボン含有比率Ｘを０．３に設定し、そし
て、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−５ｉＣＭを形
成し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定し
たところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ち［５ｉｌ−ｘ　Ｃ８
］１□Ｎ、のｙ値であり、縦軸は導電率を表し、○印は
発光波長５５０ｎｍ　（光量５０μＷ／ｃｍ２）の光に
対する光導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプ
ロットであり、また、ｅ、ｆはそれぞれの特性曲線であ
る。

第５図より明らかな通り、ｙ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判る
。

（例３）グロー放電分解装置の反応管内部に表面研磨したアルミ
ニウム製平板（２５ｍｍ　Ｘ　５０ｍｍ）を設置し、そ
の平板の上に第１表に示す成膜条件により順次第１の層
領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）を形成する。

次いで、真空蒸着法により円板状（３ｍｍφ）のアルミ
ニウム電極を形成し、第１６図に示す通りの光導電部材
を製作した。同図中、（２９）及び（３ｏ）はそれぞれ
平板及びアルミニウム電極である。

（以下余白）このようにして成膜した第１の層領域（２ａ）及び第２
の層領域（２ｂ）について、それぞれのカーボン量をＸ
ＭＡ法により、また、Ｐ元素含有量及びＢ元素含有量を
二次イオン質量分析法により測定したところ、第２表に
示す通りの結果が得られた。

第２表かくして得られたａ−３ｉＣ光導電部材を第１６図に示
す通りアルミニウム電極（３０）側に電圧を印加し、平
板（２９）をアース側に導電させ、これによって電圧−
電流特性を測定したところ、第１７図に示す通りの結果
が得られた。

また、本例においては、第１の層領域を形成するに当た
ってＰＨ３ガスを導入せず、しかも、第２の層領域を形
成するに当たってＢ　、　Ｉ！　、ガスを導入せず、そ
の他は本例と全く同じ成膜条件に設定し、これにより、
Ｐ元素及びＢ元素を含有しないａ−３ｉＣ光導電部材を
製作し、これを比較例とし、その電圧−電流特性も測定
した。

第１７図中、横軸はアルミニウム電極（３０）に印加す
る電圧であり、縦軸は電流値であり、○印は本発明に係
るａ−３ｉＣ光導電部材の測定プロット、・印は比較例
のａ−５ｉＣ光導電部材の測定プロットであり、ｇ浦は
それぞれの特性曲線である。

第１７図より明らかな通り、本発明に係るａ−３ｉＣ光
導電部材によれば、アルミニウム電極（３０）に負の電
圧を印加しても電流がほとんど流れないが、その電極（
３０）に正の電圧を印加した場合には著しく大きな電流
が流れる。

（例４）（例３）と同じａ−３ｉＣ光導電層をアルミニウム基板
上多こ形成し、次いで、ポリカーボネートにヒドラゾン
系化合物を分散させた有機光半導体層（膜要約１５μｍ
）を形成し、電子写真感光体とした。

かくして得られた電子写真感光体の特性評価を電子写真
特性測定装置により測定したところ、優れた光感度及び
表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得られた。

（例５）上記（例４）の電子写真感光体を作製するに当たって、
（例３）の比較例をａ−５ｉＣ光導電層とし、更に同じ
有機光半導体層を形成して成る電子写真感光体を製作し
た。

この電子写真感光体の光感度を測定したところ、（例４
）の電子写真感光体に比べて約１０χ低下しており、ま
た、残留電位は約７χ大きくなった。

（例６）本例においては、第３表に示す成膜条件により第１の層
領域にＰ元素を含有しないａ−ＳｉＣ光導電層を形成し
、その他の成膜条件を（例３）及び（第４）と同様に設
定し、電子写真感光体とした。

〔以下余白〕

また、上記により得られたａ−５ｉＣ光導電層のカーボ
ン量及びＢ元素含有量を測定したところ、第４表に示す
通りの結果が得られた。

第４表かくして得られた電子写真感光体についても、優れた光
感度及び表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得
られた。

（例７）また本発明者等は（例４）の電子写真感光体を製作する
に当たって、ＰＨ，ガス流量とＢ、Ｈ，ガス流量を変化
させ、これにより、第５表に示す通りに第１の層領域の
Ｐ元素含有量並びに第２の層領域のＢ元素含有量を変え
た１５種類の電子写真感光体（感光体へ〜０）を作製し
た。

これらの電子写真感光体の光感度、表面電位並びに残留
電位を測定したところ、第５表に示す通りの結果が得ら
れた。

同表中、光感度は相対評価により◎印、０印、△印及び
ｘ印の４段階に区分し、◎印は最も優れた光感度が得ら
れた場合であり、Ｏ印は幾分価れた光感度が得られた場
合であり、Δ印は他に比べてわずかに劣る光感度になっ
た場合であり、×印は光感度が最も低下した場合である
。

表面電位の特性評価も◎印、○印、Δ印及びＸ印の４段
階に区分し、■印は最も高い表面電位が得られた場合で
あり、Ｏ印は幾分高い表面電位が得られた場合であり、
Δ印は他に比べて高い表面電位が認められなかった場合
であり、ｘ印は表面電位が最も低下した場合である。

また、残留電位についても４段階に相対評価しており、
■印は残留電位が最も小さくなった場合であり、０印は
残留電位の低下が幾分認められた場合であり、Δ印は他
に比べて残留電位の低減が認められなかった場合であり
、Ｘ印は残留電位が最も高くなった場合である。

＊印の感光体は本発明の範囲外のものである。

第１表より明らかな通り、感光体Ａ　−Ｃ、感光体Ｅ−
Ｌは優れた光感度が得られ、しかも、表面電位が高く、
残留電位の低減が認められた。

然るに、感光体り、Ｍ、Ｎは光感度及び表面電位が劣り
、また、感光体Ｏは光感度、表面電位並びに残留電位の
いずれの特性も改善されていないことが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、Ｂ−３
ｉＣ光導電層の内部にＶａ族元素とＩＩＩａ族元素を所
定の範囲内で含有された各Ｎ領域を形成したことにより
優れた光感度が得られ、表面電位を高め、しかも、残留
電位を低減させることができた。

また、この電子写真感光体によれば、ａ−３ｉＣ光導電
層が基板に対して非オーミツク接触であり、これにより
、−流樋能が高められ、高い表面電位並びに低い残留電
位の負帯電用電子写真感光体が提供できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面図
、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の概
略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示す
線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係を
示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す線
図であり、また、第６図、第７図、第８図、第９図、第
１０図、第１１図、第１２図、第１３図、第１４図及び
第１５図はアモルファスシリコンカーバイド光導電層の
層厚方向に亘るＶａ族元素含有量及びＩＩＩａ族元素含
有量を表わす線図である。第１６図は光導電部材の電圧
−電流特性を測定するための説明図、第１７図は電圧−
電流特性を示す線図である。１・・・導電性基板２・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層２ａ・・・第１の層領域２ｂ・・・第２の層領域３　・・・有機光半導体層第４図第５図０　０．１　０．２　０，３　０．４　０．５７Ｋ　Ｉ
Ｉ量（Ｓ」）５　　　　　　　　ｔ　　　　　　　　ｕ　　　　　　
　　Ｓ　　　　　　　と　　　　　　　シ手続補正書平成１年６月２３日

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド
光導電層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感
光体において、前記アモルファスシリコンカーバイド光
導電層が第１の層領域と第２の層領域が順次形成された
層構成であり、第１の層領域に周期律表第Ｖａ族元素を
５，０００ｐｐｍ以下の範囲内で含有させ、第２の層領
域に周期律表第IIIａ族元素を１〜１，０００ｐｐｍの
範囲内で含有させたことを特徴とする電子写真感光体。
（２）導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド
光導電層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感
光体において、前記アモルファスシリコンカーバイド光
導電層が第１の層領域と第２の層領域が順次形成された
層構成であり、第１の層領域は周期律表第Ｖａ族元素を
実質上含有せず、第２の層領域に周期律表第IIIａ族元
素を１〜１，０００ｐｐｍの範囲内で含有させたことを
特徴とする電子写真感光体。