JPH02144548A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド層と有機光半
導体層を積層して成る電子写真感光体に関するものであ
る。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料にはＳｅ、　５ｅ−Ｔｅ、
　Ａ９．２Ｓｅｔ、ＺｎＯ，ＣｄＳ、アモルファスシリ
コンなどの無機材料並びに各種有機材料があり、そのな
かでＳｅが最初に実用化され、次いでＺｎＯ，ＣｄＳ、
アモルファスシリコンも実用化された。一方、有機材料
においてはＰＶＫが最初に実用化され、その後、電荷の
発生並びに電荷の輸送という機能を別々の材料に分担さ
せる機能分離型感光体が提案された。

また、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した電
子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Ｓａ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、アモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体層から成る積層型感光体が捷寓され（特開昭
５６−１４２４１号参照）、これにより、上記問題点を
解決し２て無公害性並びに高光感度な特性が得られた。

しかしながら、上記提案の感光体においては、有機光半
導体層が表面に露出しており、しかも、その層の硬度は
比較的小さく、そのために長期間に亘って感光体表面の
摩耗が進行するという問題点がある。

また、上記感光体を長期間に亘って使用した場合、有機
光半導体層がコロナ放電に繰り返しさらされ、これによ
り、その層の表面が変質し、表面電位が低下したり、あ
るいは耐湿性が低下して感光体表面に水分が吸着し、電
荷潜像にボケが生じる場合があり、その結果、感光体の
信頼性を低下させるという問題点もある。

しかも、上記提案の感光体、並びに有機光半導体層を光
キヤリア発生層として用いた一般的な感光体、即ちｏｐ
ｃ感光体においては、負帯電用に使用されており、その
ため、コロナ放電によって帯電にムラが生じたり、ある
いはオゾンの発生量が多くなって感光体表面が劣化し、
その結果、コピー画像の画質が低下したり、また、感光
体の耐久性を劣化せしめている。

更に電子写真感光体の分野においては、光感度と表面電
位を向上させ、しかも、残留電位を低減させることが種
々の手段で鋭意努力されており、それらの緒特性の改善
が望まれる。

〔発明の目的〕

従って本発明は軟土に鑑みて完成されたものであり、そ
の目的は感光体表面の硬度を高め、また、電荷潜像にボ
ケが生じないようにし、長期信頼性を達成した電子写真
感光体を提供することにある。

本発明の他の目的は正帯電用の電子写真感光体を提供す
ることにある。

本発明の更に他の目的は光感度や表面電位を高め、残留
電位を低減させた高性能な電子写真感光体を提供するこ
とにある。

〔問題点を解決するだめの手段〕

本発明によれば、導電性基板上にＰ形伝導性の第１アモ
ルファスシリコンカーバイド層、有機光半導体層及び光
導電性を有する第２アモルファスシリコンカーバイド層
を順次積層した電子写真感光体であって、第２アモルフ
ァスシリコンカーバイド層の元素比率を組成式Ｓｉ＋−
ｘ　ＣｘのＸ値で０．０１　＜　ｘ　＜　０．５の範囲
内に設定したことを特徴とする電子写真感光体が提供さ
れる。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
導電性基板（１）の上にＰ形伝導性のアモルファスシリ
コンカーバイド（以下、ａ−３ｉＣと略す）半導体層（
２）、有機光半導体層（３）及びａ−５ｉＣ光導電Ｎ（
４）が順次積層されている。そして、ａ−３ｉＣ光導電
層（４）には電荷の発生という機能があり、有機光半導
体層（３）には電荷輸送という機能があり、また、Ｐ形
ａ−ＳｉＣ半導体ＪＷ　（２）により基板（１）からの
キャリアの注入が阻止できる。

本発明は上記のような層構成により感光体表面の硬度を
高め、しかも、光感度、表面電位及び残留電位などの電
子写真特性を改良し、また、長期安定性を達成したこと
が特徴である。そして、正帯電用電子写真感光体となる
点も特徴である。

先ず、ａ−ＳｉＣ光導電層（４）はアモルファス化した
Ｓｉ元素とＣ元素並びにこれらの元素のダングリングボ
ンド終端部に導入された水素（Ｈ）元素又はハロゲン元
素から成り、その組成式は下記の通りに設定するとよい
。

（５ｉｔ−ｘｃ　＋ｉ　）　　ｔ−Ｊ　ａ（但し＾は１
１元素又はハロゲン元素）０．０１　＜　ｘ　　＜　０
．５ 好適には０．０５　＜　ｘ　＜　０．５最適にはＱ、１
　＜　ｘ　＜　０．４ Ｑ、ｌ　＜　ａ　＜　０．５ 好適には０．２　＜　ａ　＜　０．５ 最適には０．２５　＜　ａ　＜　０．４５ｘ（ｌｌ！が
０．０１　＜　ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、有機
光半導体＠　（３）に比べて高い表面硬度が得られ、し
かも、優れた光導電性が得られる。そして、０．０５　
＜　ｘ　＜　０．５の範囲内に設定した場合には短波長
側の光感度が高められ、光導電性が顕著に高くなって光
キャリアの励起機能が大きくなる。

また、ａ値が０．１以下の場合には膜質が低下し、これ
によって光導電性が著しく低下し、そして、０．２　＜
　ａ　＜　０．５の範囲内に設定した場合には暗導電率
が小さくなるとともに光導電率が大きくなり、優れた光
導電性が得られる。

このａ−３ｉＣ光導電層（４）には水素（Ｈ）元素やノ
１０ゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかでＨ元素が終端部に取り込
まれ易（、バンドギャップ中の局在準位密度が低減化さ
れるという点で望ましい。

また、ａ−３ｉＣ光導電Ｎ（４）の厚みは０．０５〜５
ｔｔ１１好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定すれば
よく、この範囲内であれば高い光感度が得られ、残留電
位が低くなる。

他方、Ｐ形ａ−５ｉＣ半導体層（２）についてもアモル
ファス化したＳｔ元素とＣ元素並びにこれらの元素のダ
ングリングボンド終端部に導入された水素（１１）元素
又はハロゲン元素から成り、その組成式は半導体特性を
得るために下記の通りに設定するとよい。

（Ｓｔ＋−ｙＣｙ　　）　　＋−Ｊ　　ｂ（但しＢはＨ
元素又はハロゲン元素） ０．０１　　　＜ｙ　　　＜０．７ 好適には０．０５　＜　ｙ　＜　０．５最適には　０．
１　＜　ｙ　＜　０．４０．０５　＜　ｂ　＜　０．５ 好適には０．０５　＜　ｂ　＜　０．３最適には０．０
５　＜　ｂ　＜　０．２ｙ値が０．０１以下の場合には
基板（１）との密着性が低下し、そのためにピンホール
の発生もしくは膜の剥離が生じやすい。

ｙ値が０．７以上の場合には励起キャリアがトラップさ
れやすくなり、これによって残留電位が上昇する。

また、ｂ値が０．０５以下の場合にダングリングボンド
の補償が不十分となり、膜質が低下し、そのため、残留
電位が上昇する。

ｂ値が０．５以上の場合には基板（１）との密着性が低
下し、そのためにピンホールの発生もしくは膜の剥離が
生じやすい。

上記ａ−ＳｉＣ半導体１１５　（２）には周期律表第Ｉ
ＩＩａ族元素（以下、ＩＩＩａ族元素と略す）をドーピ
ングさせており、これによってＰ形伝導性を具備させる
、このドーピング量は１００〜１１００００ｐｐ、好適
には５００〜５０００ｐｐｍがよく、この範囲内であれ
ば、ａ−ＳｉＣ先導ｔ！（４）で発生した光キャリア、
特に正電荷を基板側へスムーズに流すことができ、また
、基板側のキャリア（負電荷）がａ−ＳｉＣ半導体層（
２）へ流入されるのを阻止することができる。

このようなＩＩＩａ族元素のドーピング量は、その分布
が層厚方向に亘って不均一である場合には、その平均含
有量でもって表わされる。

かかるＩＩＩａ族元素が１１００ｐｐ未満の場合には基
板からのキャリア流入を阻止する機能が小さくなり、そ
のために表面電位が高くならず９．１１００００ｐｐを
越える場合には、この層（２）の内部欠陥が増大して膜
質が低下し、表面電位の低下並びに残留電位の上昇をき
たす。

上記１１［ａ族元素にはＢ、ＡＸ、Ｇａ、　Ｉｎなどが
あるが、Ｂ元素が共有結合性に優れて半導体特性を敏感
に変え得る点で、その上、優れた帯電能が得られるとい
う点で望ましい。

このａ−３ｔＣ半導体層（２）の厚みは０．０５〜５μ
ｍ、好適には０．１〜３μ調の範囲内に設定すればよく
、この範囲内であれば、残留電位を低減できるとともに
感光体の耐電圧を高めることができる。

前記有機光半導体層（３）には電子供与性化合物が選ば
れ、この化合物には高分子量のものと１７で、ポリ−Ｎ
−ビニルカルボゾール、ポリビニルピレン、ポリビニル
アントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド縮重合体など
があり、また、低分子量のものどしてオキサジアゾール
、オキサゾール、ピラゾリン、トリフェニルメタン、ヒ
ドラゾン、トリアリールアミン、Ｎ−フェニルカルバゾ
ール、スチルベンなどがあり、この低分子物質は、ポリ
カーボネート、ポリエステル・メタアクリル樹脂、ポリ
アミド、アクリルエポキシ、ポリエチレン、フエ、ノー
ル、ポリウレタン、ブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、
ユリア樹脂などのバインダに分散して用いる。

また、有機光導電層（３）の厚みは１０〜５０８ｍ、好
適には１０〜３０μ鴎の範囲内に設定すればよく、この
範囲内であれば、高い表面電位が得られ、残留電位が低
くなる。

上記の積層型感光体においては、ａ−ＳｉＣ光導電層（
４）により高硬度特性が得られ、その高抵抗化により表
面電位を高めることができた。しかも、。

入射光は、このａ−ＳｉＣ光導電層（４）により受光さ
れ、ぞの発生キャリアは該Ｎ（４）の表面を帯電させる
。

また、ａ−ＳｉＣ光導電層（４）で発生した正帯電はと
有機光半導体層（３）及びａ−ＳｉＣ半導体層（２）を
介１〜で基板側へスムーズに流れる。

かくして本発明によれば、前記二種類のＳｉＣ層を形成
したことにより表面電位及び光感度を高め、残留電位を
低下させることができた。

しかも、有機光半導体層（３）が表面に露出していない
ので、感光体表面の変質がなく、これにより、高い表面
電位を維持することができ、また、耐湿性が高められて
電荷潜像にボケが生じない。

また本発明の電子写真感光体においては、正帯電型とし
て実用に供することができる。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−ＳｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＯ法などの薄膜形成方法などがある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをブラズ゛７分解
して成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスには５ｉＨｔ
、　５ｉｚＨｂ、　Ｓｔ　ＩＩＩ（ｌｌ＋　５ｉＦ４−
、５ｉＣ１ａｈ　５ｉＨＣｈ等々があり、また、Ｃ元素
含有ガスにはＣＩ＋４．、Ｃ，Ｌ、ＣｚｌｔｚｔｃＪｍ
等々があり、就中、ＣｚＨｚは高速成膜性が得られると
いう点で望ましい。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図によ
り説明する。

図中、第１タンク（５）、第２タンク（６）、第３タン
ク（７）及び第４タンク（８）にはそれぞれ５ｉＨ４Ｃ
ＺＨ工、”ｄＬ　（８２Ｈ＆が０．２ｉ濃度で水素希釈
されている）及びＨ２が密封され、これらのガスは各々
対応する第１調整弁（９）、第２調整弁（１０）、第３
調整弁（１１）及び第４調整弁（１２）を開放すること
により放出される。その放出ガスの流量はそれぞれマス
フローコントローラ（１３）　（１４）　（１５）（１
６）により制御され、各々のガスは混合されて主管（１
７）へ送られる。尚、（１８）は止め弁である。

主管（１７）を通じて流れるガスは反応管（１９）へ流
入されるが、この反応管（１９）の内部には容量結合型
放電用電極（２０）が設置され、また、筒状の成膜用基
板（２１）が基板支持体（２２）の上に載置され、基板
支持体（２２）がモータ（２３）により回転駆動され、
これに伴って基板（２２）が回転される。そして、電極
（２０）に電力５０Ｗ　〜３Ｋｗ　、周波数１〜５０Ｍ
！！ｚの高周波電力が印加され、しかも、基板（２１）
が適当な加熱手段により約２００〜４００℃、好適には
約２００〜３５０℃の温度に加熱される。また、反応管
（１９）は回転ポンプ（２４）　’拡散ポンプ（２５）
に連結されており、これによってグロー放電による成膜
形成時に所要な減圧状態（放電時のガス圧０．１〜２．
０Ｔｏｒｒ）が維持される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
１）の上にａ−ＳｉＣ層を形成する場合、第１調Ｉ弁（
９）　、第２１１整弁（１０）、第３　ｍｌｌ整弁（１
１）及び第４調整弁（１２）を開いて５ｉ）１４．Ｃｚ
ｌｌｚ＋ＩｈＬ、ｌｈの各々のガスを放出し、その放出
量をマスフローコントローラ（１３）　（１４）　（１
５）　（１６）により制御し、各々のガスは混合されて
主管（１７）を介して反応管（１９）へ流入さる。そし
て、反応管内部の減圧状態、基板温度、電極印加用高周
波電力をそれぞれ所定の条件に設定するどグロー放電が
発生し、ガスの分解に伴ってＢ元素含有のａ−ＳｉＣ膜
が基板上に高速に形成する。

上述した通り、ａ−ＳｉＣ層、即ちａ−ＳｉＣ半導体層
（２）を形成すると、次に核層（２）の上に有機光半導
体層（３）を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成し、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液の
中に浸漬し、次いで、一定の速度で引上げ、そして、自
然乾燥並びに熱エージング（約１５０℃、約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて溶媒に分散された感
光材を塗布し、然る後に熱風乾燥を行う。

次に、ｊ−記有機光半導体層の上に再びａ−ＳｉＣ層、
即ちａ−ＳｉＣ光導電Ｎ（４）を形成する。この層（４
）の形成方法は前述したａ−ＳｉＣ半導体層（２）の形
成方法と基本的に同じであるが、有機光半導体層が変質
しないように適宜成膜条件（例えば成膜温度）を設定す
るのがよい。

成膜温度を設定する場合、ａ−ＳｉＣ−半導体層（２）
の形成時における成膜温度に比べて、その上限に制約を
受けるという点が留意されるべきである。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いて、５ｉｌ（４ガス
を２００ｓｃｅｉの流量で、Ｈ２ガスを２７０ｓｅｃｍ
の流量で、そして、ｃｔｎ２ガスの流量を変化させ、ま
た、ガス圧を０．６Ｔｏｒｒ　、高周波電力を１５０−
１基板温度を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ
−ＳｉＣ膜（膜厚約１μｍ）を形成した。

このようにしてａ−５ｉＣ膜のカーボン含有比率を変え
、そして、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。

第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちＳｉ。

つＣ８のＸ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発
光波長５５０ｎｍ　（光量５０μｍ／ｃｍ”）に対する
光導電率のプロットであり、Φ印は暗導電率のプロット
であり、また、ｅ、ｄはそれぞれの特性曲線である。

更に上記各ａ−３ｔＣ膜について、その水素含有量を赤
外吸収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの
結果が得られた。

第４図中、横軸は５ｉｔ−ｘｃ　、のＸ値であり、縦軸
は水素含有量、即ち（Ｓｉ、−えＣ、）　、−、Ｈ、の
ａ値であり、○印はＳｉ原子に結合した水素量のプロッ
トであり、・印はＣ原子に結合した水素量のプロットで
あり、また、ｅ、ｆはそれぞれの特性曲線である。

第３図及び第４図より明らかな通り、本例のａ−５ｉＣ
膜はいずれもａ値が０．３〜０．４の範囲内にあること
が判る。また、カーボン含有比率Ｘが０．２＜　ｘ　＜
　０．５の範囲内であれば、光導電率と暗導電率の比率
が顕著に大きくなり、優れた光感度が得られることが判
る。

（例２） 次に本例においては、５ｉＨａガスを２００ｓｃｅｍの
流量で、Ｃ，Ｈ，ガスを２０ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガ
スを０へ・１０１０００ｓｃの流量で導入し、そして、
高周波電力を５０〜３００ｗ、ガス圧を０．３〜１　、
２Ｔｏｒｒに設定し、グロー放電によりａ−３ｉＣ膜（
膜厚約１μｌ１１）を形成した。

かくし７て、カーボン含有量比率Ｘを０．３に設定し、
そして、水素含有ｉａを変化させた種々のａＳｉＣ膜を
形成し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定
したところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ぢ（Ｓｉｏ、ｙ　Ｃ０
，３）　ｌ−ｍ　Ｈｍのａ値であり、縦軸は導電率を表
わし、○印は発光波長５５０ｎｍ（光量５０　ＩＩ　Ｗ
／ｃｍｚ）に対する光導電率のプロットであり、・印は
暗導電率のプロットであり、また、ｇ、ｈはそれぞれの
特性曲線である。

第５図より明らかな通り、ａ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判る
。

く　例　３） 本例においては、第１表に示す成膜条件によりアルミニ
ウム基板（１）上にａ−ＳｔＣ半轟体層（２）を形成し
、次いで、この層（２）の上にポリカーボネートにヒド
ラゾン系化合物を分散させた有機光半導体層（３）（膜
厚３０μｍ）を塗布形成し、続けてａＳｉＣ光導電層（
４）を形成した。

〔以下余白〕

上記製法により得られた電子写真感光体について、ａ−
ＳｉＣ層のカーボン量及びＢ元素含有型を×ＨＡ法によ
り測定したところ、ａ−ＳｉＣ光導電層（４）及び３．
ＳｔＣ半導体層（２）のそれぞれのカーボン量（Ｘ値、
ｙ値）はｘ　＝　０．２３　、ｙ　＝　０．１２であり
、また、ａ　−Ｓ　ｉ　Ｃ半導体層（４）にはｎ元素が
１１０００ｐｐ含まれていた。

かくして得られた電子写真感光体の特性を電子写真特性
測定装置により測定したところ、優れた光感度並びに高
い表面電位を示し、しかも、残留電位が顕著に小さ（な
った。

また、本例の電子写真感光体に対し２て１万回繰り返し
帯電させ、光感度及び残留電位を測定したところ、それ
らの特性に何ら変化が認められず、しかも、電荷潜像に
ボケが生じなかった。

（例４） 本例においては、（例３）の電子写真感光体よりａ−Ｓ
ｉＣ光導を層（４）を除いた電子写真感光体を製作した
。

この電子写真感光体の光感度を測定したところ、著しく
低下しており、実用に何等供し得ないことが判った。

（例５） 次に（例３）の電子写真感光体におけるａ−ＳｉＣ光導
電層（４）を製作するに当たって成膜条件に変え、第２
表に示す通り、そのＳｉ＋−ｘｃ　＊のＸ値を変えた６
種類の電子写真感光体を製作した。　ａ−５ｉＣ半導体
層（２）及び有機光半導体Ｎ（３）についてはいずれも
（例３）と同・−のものを形成した。

かくして得られた６種類の感光体の光感度、残留電位並
びに１万回の繰り返し帯電テスト後の性能を測定したと
ころ、第２表に示す通りの結果が得られた。

光感度の評価は３段階に区分しており、■印は最も優れ
ている場合であり、○印は若干劣っているが、実用レベ
ルを満足する場合であり、また、Δ印は実用上支障があ
るぐらいに劣化した場合である。

また、残留電位の評価についても◎印、Ｏ印及びΔ印の
３段階に区分しており、これらは上記光感度評価方法を
適用する。

１万回の繰り返し帯電テストを行った後には光感度の測
定と画像評価を行っており、光感度は上記評価基準を適
用し、そして、画像評価については、３段階に区分し、
◎印は電荷潜像にボケが金く生じなかった場合であり、
○印は僅かにボケが確認できたが、実用上何ら支障がな
い場合であり、△印はボケが顕著となって実用上支障が
ある場合である。

〔以下余白〕

第２表に示す結果より明らかな通り、本発明の感光体Ｂ
、Ｃ，Ｄ及びＥは良好な光感度及び残留電位が得られ、
しかも、１万回繰り返し帯電テスト後においても高光感
度特性を維持し、電荷潜像にボケが生じなかった。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、従来の
ものに比べて有機光半導体層の上にａ−ＳｉＣ表面層を
形成しており、これにより、感光体表面の硬度を高め、
また、電荷潜像にボケが生じなくなり、しかも、光感度
や表面電位を高め、残留電位を低減させた高性能且つ長
朋信願性の電子写真感光体を提供することができた。

また、本発明の電子写真感光体は正帯電用であり、その
ため、負帯電型感光体に比べて高画質のコピー画像が得
られ、しかも、高性能な電子写真特性が長期間に亘って
維持できる。

更にまた、有機光半導体層から成る従来の電子写真感光
体を正帯電用に用いる場合、その層は一般的に電子吸引
性化合物が使用されるため、その化合物の種類は現在比
較的少ない。しかし乍ら、本発明においては、電子供与
性化合物の有機光半導体層を用いて正帯電用に供するこ
とができ、そのため、その多く種類のなかから適切な化
合物を選ぶことができるという利点もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示す断面図、
第２図はグロー放電分解装置の説明図、第３図は導電率
特性を示す線図、第４図は水素含有量を示す線図、第５
図は導電率を示す線図である。 （１）　　・・・導電性基板 （２）・・・アモルファスシリコンカーバイド半導体層 （３）・・・有機光半導体層 （４）・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層 特許出願人（６６３）京セラ株式会社 代表者安城欽寿 同　　河村孝夫 ○ カー取゛シ古肩生半（て（４） カーボン冴肩比早（ズ櫃９ 第５図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基板上にＰ形伝導性の第１アモルファスシ
   リコンカーバイド層、有機光半導体層及び光導電性を有
   する第２アモルファスシリコンカーバイド層を順次積層
   した電子写真感光体であって、第２アモルファスシリコ
   ンカーバイド層の元素比率を組成式Ｓｉ＿１＿−＿ｘＣ
   ＿ｘのｘ値で０．０１＜ｘ＜０．５の範囲内に設定した
   ことを特徴とする電子写真感光体。
2. （２）第１アモルファスシリコンカーバイド層の厚みが
   ０．０５〜５μｍの範囲内である請求項（１）記載の電
   子写真感光体。
3. （３）第２アモルファスシリコンカーバイド層の厚みが
   ０．０５〜５μｍの範囲内である請求項（１）記載の電
   子写真感光体。
4. （４）有機光半導体層の厚みが１０〜５０μｍの範囲内
   である請求項（１）記載の電子写真感光体。
5. （５）第１アモルファスシリコンカーバイド層の元素比
   率が組成式Ｓｉ＿１＿−＿ｙＣ＿ｙのｙ値で０．０１＜
   ｙ＜０．７の範囲内である請求項（１）記載の電子写真
   感光体。
6. （６）第１アモルファスシリコンカーバイド層が周期律
   表第IIIａ族元素を１００〜１００００ｐｐｍ含有して
   いる請求項（１）記載の電子写真感光体。
7. （７）正帯電型である請求項（１）記載の電子写真感光
   体。