JPS5821256A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
- Publication number
- JPS5821256A JPS5821256A JP11960281A JP11960281A JPS5821256A JP S5821256 A JPS5821256 A JP S5821256A JP 11960281 A JP11960281 A JP 11960281A JP 11960281 A JP11960281 A JP 11960281A JP S5821256 A JPS5821256 A JP S5821256A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- hydrogenated amorphous
- amorphous silicon
- photoconductive layer
- electrophotographic photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08221—Silicon-based comprising one or two silicon based layers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は水素化アモルファス炭化ケイ素光導電層を有す
る電子写真感光体に関する。
る電子写真感光体に関する。
電子写真用儂形成部材に於ける光導電層を構成する光導
電材料としては、使用時に於いて、電気的特性が安定で
あること及び耐熱性を有すること更に人体に対して無公
害である事、高感度、高抵抗を有し、視感度にできる限
シ近いスペクトル特性を有することが重要な点である。
電材料としては、使用時に於いて、電気的特性が安定で
あること及び耐熱性を有すること更に人体に対して無公
害である事、高感度、高抵抗を有し、視感度にできる限
シ近いスペクトル特性を有することが重要な点である。
百年ら、従来の電子写真用倫形成部材の光導電層を構成
する材料O8・、 0(Is、 ZnO等の無機光導
電材料やポリ−Nビニルカルバゾール(pvx)、)リ
ニトロフルオレ/(丁Mν)等の有機光導電材料(op
O)は、1配の諸条件の総てを水準以上に必ずしも満足
しているとFi断言し―い。
する材料O8・、 0(Is、 ZnO等の無機光導
電材料やポリ−Nビニルカルバゾール(pvx)、)リ
ニトロフルオレ/(丁Mν)等の有機光導電材料(op
O)は、1配の諸条件の総てを水準以上に必ずしも満足
しているとFi断言し―い。
例えば1分光感度領域を広げる為K To 4’ As
+加えたB・系党導1層を有する電子写真用惨形成部
材#i、sg度ヤll*による電気的特性のt化が大き
くX光疲労が大きくなる為に複写画像の均−性中安定性
@0欠叶る欠点を有している。
+加えたB・系党導1層を有する電子写真用惨形成部
材#i、sg度ヤll*による電気的特性のt化が大き
くX光疲労が大きくなる為に複写画像の均−性中安定性
@0欠叶る欠点を有している。
面奄、 Bm、殊にムs、T・け人体に対して椿めて有
害f)i!!11度的にも弱いことから、複写画像中に
混入したiml写様内に飛散したヤして、人体KII触
する原因となる。
害f)i!!11度的にも弱いことから、複写画像中に
混入したiml写様内に飛散したヤして、人体KII触
する原因となる。
又、Se系光導電層は、光導電層として高暗抵抗を保有
する為にアモルファス状@に形成されるが8・O結晶化
が65℃と極めて低い温度で起る為に使用中に1にける
ms影形成プロセス中他の部材との摩擦熱の影譬を受け
て結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性
上にも欠点がある。
する為にアモルファス状@に形成されるが8・O結晶化
が65℃と極めて低い温度で起る為に使用中に1にける
ms影形成プロセス中他の部材との摩擦熱の影譬を受け
て結晶化を起し、暗抵抗の低下を招き易いという耐熱性
上にも欠点がある。
一方、ZnO,068@を光導電層構成材料として所■
バインダー系党導電層を有する像形成部材は、光導電層
の1気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決定す
るパラメーターが多く再現性が悪く歩留9の低下を招き
、又湿度依存性が着しく、電気的特性の劣化を来たし、
クリーニング性も良くない。
バインダー系党導電層を有する像形成部材は、光導電層
の1気的及び光導電的特性や物理的化学的特性を決定す
るパラメーターが多く再現性が悪く歩留9の低下を招き
、又湿度依存性が着しく、電気的特性の劣化を来たし、
クリーニング性も良くない。
本発明はかかる欠点を除去したもので、光導電層として
水素化アモルファス炭化ケイ素を用い。
水素化アモルファス炭化ケイ素を用い。
高感度で耐久性に優れた感光体を提供することを目的と
する。
する。
ア毫ル7アス炭化ケイ素を電子写真感光体光導電層とし
て採用する場合を可視光での光感受性が高いことが要求
される。又、単層構造としてカールソン方式等の感光体
として採用する場合、さらに体積抵抗率が約10”Ω・
諺以上であることが要求される0本発明の水素化アモル
ファス炭化ケイ素は該水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有される水素濃度を調整する事によシ、前記要求を
十分に満足し得たので、以下実施例に基づいて本発明の
詳細な説明すゐ。
て採用する場合を可視光での光感受性が高いことが要求
される。又、単層構造としてカールソン方式等の感光体
として採用する場合、さらに体積抵抗率が約10”Ω・
諺以上であることが要求される0本発明の水素化アモル
ファス炭化ケイ素は該水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有される水素濃度を調整する事によシ、前記要求を
十分に満足し得たので、以下実施例に基づいて本発明の
詳細な説明すゐ。
1111に本発明の水素化アモルファス炭化ケイ素t)
製造atの蟹略を示す、10は配管、11はパx7’、
12Fiパイレックスガラスオたは石英ガラス製のチェ
ンバー、15ti高11alコイル、14はアルミニウ
ム(^t)、ニクロム(NiOr)、ニッケル。
製造atの蟹略を示す、10は配管、11はパx7’、
12Fiパイレックスガラスオたは石英ガラス製のチェ
ンバー、15ti高11alコイル、14はアルミニウ
ム(^t)、ニクロム(NiOr)、ニッケル。
クロム、ステンレス。ガラス、石英、透明電響を蒸着し
たガラス岬のドラム基板を適当な方法によって加熱され
る。15tj基板ホルダー、16Fi圧力針、17は基
板ホルダー支持棒で適当な方法で回転する。18FiI
&54MHmlたF14M11tsの高周波嘗澤%eF
iガス、Pは排気である0本発明の水素化アモルファス
炭化ケイ素シランは(8111,)、メタン(oIN、
)、水素(H,)lジボラン(B、H、) 、ホヌフイ
ン(pH,kfllf4b*に応シてマスフロークント
ローラ−により流量調整し、皺チェンバー12内を断電
の内圧に保ち、1高周波fii[18より該高周波コイ
AIBK高周波を印加し、#チェンバー内にグロー放電
′を起こさしめ該ガス群を分解し、所定の’IWIK保
った皺試料ドラム14上に析出させ得られる。又、81
B、 、 OH,、H,、B、11.、 PH,@
はあらかじめ−によって適当に希釈し用いた。以下1!
IK製作東件を示す。
たガラス岬のドラム基板を適当な方法によって加熱され
る。15tj基板ホルダー、16Fi圧力針、17は基
板ホルダー支持棒で適当な方法で回転する。18FiI
&54MHmlたF14M11tsの高周波嘗澤%eF
iガス、Pは排気である0本発明の水素化アモルファス
炭化ケイ素シランは(8111,)、メタン(oIN、
)、水素(H,)lジボラン(B、H、) 、ホヌフイ
ン(pH,kfllf4b*に応シてマスフロークント
ローラ−により流量調整し、皺チェンバー12内を断電
の内圧に保ち、1高周波fii[18より該高周波コイ
AIBK高周波を印加し、#チェンバー内にグロー放電
′を起こさしめ該ガス群を分解し、所定の’IWIK保
った皺試料ドラム14上に析出させ得られる。又、81
B、 、 OH,、H,、B、11.、 PH,@
はあらかじめ−によって適当に希釈し用いた。以下1!
IK製作東件を示す。
!!1
以下嵌2に81H,を50 secm 、 H,を45
0 mccm 。
0 mccm 。
OH,を15 seamの時に基板温度1丁B)を50
〜500℃の間で析出させた水素化アモルファス炭化水
素の光感受性を示す、光感受性はガラス基板上に水素化
アモルファス炭化水素薄膜を前記条件で析出し、鋏薄膜
上にくし形のアル(=つ五tWを蒸着し、該アルミニウ
ム電極間に電圧を印加し前記薄膜上に可視光を入射する
事によって該薄膜中を流れる電流値より決定した。
〜500℃の間で析出させた水素化アモルファス炭化水
素の光感受性を示す、光感受性はガラス基板上に水素化
アモルファス炭化水素薄膜を前記条件で析出し、鋏薄膜
上にくし形のアル(=つ五tWを蒸着し、該アルミニウ
ム電極間に電圧を印加し前記薄膜上に可視光を入射する
事によって該薄膜中を流れる電流値より決定した。
衰 2
X・・不良 Δ・・やや良 O・・良O・・非11
に良である。
に良である。
該条件で作成した水素化アモルファス膨化Φケイ素中に
含有される水素1m痩をうずフォードパッタスキャクリ
ング法及び赤外吸収法によって関ぺたところ1wI光感
受性は水素化アモルファス炭化ケイ素中に含有1れる水
素濃度に敏感tあった。
含有される水素1m痩をうずフォードパッタスキャクリ
ング法及び赤外吸収法によって関ぺたところ1wI光感
受性は水素化アモルファス炭化ケイ素中に含有1れる水
素濃度に敏感tあった。
この水嵩一度は前記種々製作条件で変化すゐが、1褒に
示す様に@に基板温度に敏感である。該水嵩化アモルフ
ァス炭化水素を電子写真感光体の光電層として用いる場
合は、水素濃度を5〜40原子数パーセント内に納める
のが崎に肝要である。
示す様に@に基板温度に敏感である。該水嵩化アモルフ
ァス炭化水素を電子写真感光体の光電層として用いる場
合は、水素濃度を5〜40原子数パーセント内に納める
のが崎に肝要である。
噛た、不純物として周期律褒−sb族ボロン(ト)。
アル建ニウム(ムt)、ガリウム(Ga) 、インジウ
ム(XIn)、 タリウム(’rj)郷を水素化アモル
ファス炭化水素に1D’〜104身子数パーセント、険
は不純物として周期律1eash族冑素(Nl、リン(
至)、ヒ嵩(ム・)、アンチモン(sb) 、 ビス
マス(Bt)岬tjkll化ア毫ルフγス嶽化水素KI
D→〜104 W十数パーセット混入する事によって光
感受性が数倍から数ケタ高める事ができ、皺不純物混入
範囲及び―紀水素濃度範囲内で水素化アモルファス炭化
ケイ素を作製する事によって非常に光感受性の高い電子
写真感光体を作製でき、該不純物の混入は非常に有用で
ある。
ム(XIn)、 タリウム(’rj)郷を水素化アモル
ファス炭化水素に1D’〜104身子数パーセント、険
は不純物として周期律1eash族冑素(Nl、リン(
至)、ヒ嵩(ム・)、アンチモン(sb) 、 ビス
マス(Bt)岬tjkll化ア毫ルフγス嶽化水素KI
D→〜104 W十数パーセット混入する事によって光
感受性が数倍から数ケタ高める事ができ、皺不純物混入
範囲及び―紀水素濃度範囲内で水素化アモルファス炭化
ケイ素を作製する事によって非常に光感受性の高い電子
写真感光体を作製でき、該不純物の混入は非常に有用で
ある。
$112閣に本実施例の水素化アモルファス膨化水素電
子感光体の断面図を示す、21は水素化ア峰ルファス脚
化ケイ素、22は前記基板である。
子感光体の断面図を示す、21は水素化ア峰ルファス脚
化ケイ素、22は前記基板である。
該水素化ア毫ル7アス巌化ケイ素は以下psK示す条件
で作製した。
で作製した。
表 5
壇た、鯖水素化アモルファス屓化ケイ素#iB、H。
Kよ抄メロンを30原子数ppm含有させた。また館試
料O水lI―度は10〜25原子数パーセントosis
内に&る。該試料1〜5をコロナ帯電器によって夫々暗
所で帯電しその表面電位表面電位の滅責を暗所1′一定
した。その結果を第3図に示す。
料O水lI―度は10〜25原子数パーセントosis
内に&る。該試料1〜5をコロナ帯電器によって夫々暗
所で帯電しその表面電位表面電位の滅責を暗所1′一定
した。その結果を第3図に示す。
&は試料1.bは試料2、Cは試料3を示す0表5に示
す様にメタンガスを増すに従って(試料1から試料5)
表面1位は増加し、水素化アモルファス炭化ケイ素中に
含有する炭素濃度が1j子数パ一セント以上のとき電子
感光体として十分な体積抵抗率を有する。オた。炭素濃
度が50Jl[十数パーセント以上のとtlは電子感光
体として必要な光感受性を有せず、電子感光体として特
性を満足するKFi、水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有する水素一度を5〜40原子数パーセント;巌嵩
−変を1〜45原子数パ一セント以内にすることが肝要
である。なシ脚素濃度はイオンマイクロブa−プ質量分
析によって検出した。
す様にメタンガスを増すに従って(試料1から試料5)
表面1位は増加し、水素化アモルファス炭化ケイ素中に
含有する炭素濃度が1j子数パ一セント以上のとき電子
感光体として十分な体積抵抗率を有する。オた。炭素濃
度が50Jl[十数パーセント以上のとtlは電子感光
体として必要な光感受性を有せず、電子感光体として特
性を満足するKFi、水素化アモルファス炭化ケイ素中
に含有する水素一度を5〜40原子数パーセント;巌嵩
−変を1〜45原子数パ一セント以内にすることが肝要
である。なシ脚素濃度はイオンマイクロブa−プ質量分
析によって検出した。
第4mK*SK示した試料1〜3を暗所でコロナ帯電1
14000ム〜8000 A の可視光を順次照射し
波長と光電流との関係を示した。dけ試料1、・け試料
2、fけ試料5を示す、メタンガスを順次増すととによ
シ光電流のピーク波長が短波長側に移に、電子写真@に
用いる光源によって炭素II!+1゛を適当に制御し、
最適な水素化アモルファス炭化ケイ素を用いれば、非常
に光感度な感光体が得られ有用である。
14000ム〜8000 A の可視光を順次照射し
波長と光電流との関係を示した。dけ試料1、・け試料
2、fけ試料5を示す、メタンガスを順次増すととによ
シ光電流のピーク波長が短波長側に移に、電子写真@に
用いる光源によって炭素II!+1゛を適当に制御し、
最適な水素化アモルファス炭化ケイ素を用いれば、非常
に光感度な感光体が得られ有用である。
本実施例においては、Bi H4,OHa 、 H冨、
Bt胸のガスを用いたが、Bi&の代わりにダイシラン
(81,11)、弗化シラン(81F+)、ジクロロシ
ラン(81H雪Ot冨)、OH4の代わ〉にエタン(C
雪H・)、ブーパン(Osli・)、エチレン(0冨E
4)、プロピレン(0吐・)テトラメチルシラン(81
((Ha)4) 岬を用いても同様な効果が得られた
。
Bt胸のガスを用いたが、Bi&の代わりにダイシラン
(81,11)、弗化シラン(81F+)、ジクロロシ
ラン(81H雪Ot冨)、OH4の代わ〉にエタン(C
雪H・)、ブーパン(Osli・)、エチレン(0冨E
4)、プロピレン(0吐・)テトラメチルシラン(81
((Ha)4) 岬を用いても同様な効果が得られた
。
意見WRKよれば水素化アモルファス訳化ケイ素中に含
有する水素濃度を5〜40g−7111パーセント、炭
素濃度を1〜45原子数パー竜ントに納める事によって
高感度な電子写真感光体が得られ有用である。
有する水素濃度を5〜40g−7111パーセント、炭
素濃度を1〜45原子数パー竜ントに納める事によって
高感度な電子写真感光体が得られ有用である。
w41図は本発明の水素化アモルファス膨化ケイ素の製
造装曾の概略図である。− 蒙2111Fi本発明による実施例の水素化アモルファ
ス炭化ケイ素電子写真感光体の断面図である・第351
1#′1表面電位の時間便化である。 M4図は光電流の波長依存性を示した図である。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第2UA 時間 第3図 第4図
造装曾の概略図である。− 蒙2111Fi本発明による実施例の水素化アモルファ
ス炭化ケイ素電子写真感光体の断面図である・第351
1#′1表面電位の時間便化である。 M4図は光電流の波長依存性を示した図である。 以 上 出願人 株式会社 −訪精工舎 代理人 弁理士 最上 務 第2UA 時間 第3図 第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1) グロー放電分解法により生成される水素化ア
モルファス炭化ケイ素光導電層を有することを特徴とす
る電子写真感光体。 (2) 前記水素化アモルファス炭化ケイ素の組成比
を40〜90原子数パーセントケイ素、1〜45厚子数
パーセント炭素5〜40原子数パーセント水素とするこ
とを特徴とする特許請求の範11項記載の電子写真感光
体。 (蜀 前記水素化アモルファス炭化ケイ素に、周期律褒
*sb族の元素を混入することを特徴とする特許請求の
範11項又は第2項記載の電子写真感光体。 (4) 前記水素化アモルファス炭化ケイ素に、周期
律費115b族の元素を混入することを特徴とする特許
請求の範囲第1項又は#12項記載の電子写真感光体。 (5) 前記水素化アモルファス炭化ケイ素光導電層
は基板温度100℃〜450℃の下で形成されたもので
あゐ事を特徴とする特許請求の範囲第1項。 鮪2項、#5項あるいは館4項のいずれかに記載の電子
写真感光体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11960281A JPS5821256A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11960281A JPS5821256A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821256A true JPS5821256A (ja) | 1983-02-08 |
Family
ID=14765451
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11960281A Pending JPS5821256A (ja) | 1981-07-30 | 1981-07-30 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5821256A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
JPH01315758A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-12-20 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
-
1981
- 1981-07-30 JP JP11960281A patent/JPS5821256A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6059367A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-04-05 | ゼロツクス コーポレーシヨン | 調整した無定形ケイ素を含む電子写真装置 |
JPH01315758A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-12-20 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
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