JPS6161386B2 - - Google Patents
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- JPS6161386B2 JPS6161386B2 JP1940680A JP1940680A JPS6161386B2 JP S6161386 B2 JPS6161386 B2 JP S6161386B2 JP 1940680 A JP1940680 A JP 1940680A JP 1940680 A JP1940680 A JP 1940680A JP S6161386 B2 JPS6161386 B2 JP S6161386B2
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- layer
- film
- electrophotographic photoreceptor
- conductive substrate
- gas
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08278—Depositing methods
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真感光体の製造方法に関する
ものである。
ものである。
従来、電子写真感光体として、Se、CdS、ZnO
等の無機光導電材料やポリビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料が一般的に使用されている。
等の無機光導電材料やポリビニルカルバゾール
（PVK）、トリニトロフルオレノン（TNF）等の
有機光導電材料が一般的に使用されている。
しかしながら、長波長領域での感度不足、公害
材料である等の問題点を有している。
材料である等の問題点を有している。
本発明は上記問題点を解決するための新規な電
子写真感光体を提供するものである。
子写真感光体を提供するものである。
電子写真感光体として必須な条件は、帯電され
た電荷が転写等の後処理完了まで保持されなけれ
ばならず、この電荷保持能力は感光体の暗抵抗値
が高ければ高い程優れている。現在この暗抵抗値
は装置条件にもよるが1012Ω・cm以上であること
が要望されている。
た電荷が転写等の後処理完了まで保持されなけれ
ばならず、この電荷保持能力は感光体の暗抵抗値
が高ければ高い程優れている。現在この暗抵抗値
は装置条件にもよるが1012Ω・cm以上であること
が要望されている。
ところで、シランガスのグロー放電分解法によ
つて作製された無定形非晶質（アモルフアス）Si
膜は長波長に良好な感度を有する光導電体である
ことがしられている。しかしながら、この暗抵抗
率は108〜1010Ω・cmと低く電子写真感光体とし
ては適当ではない。
つて作製された無定形非晶質（アモルフアス）Si
膜は長波長に良好な感度を有する光導電体である
ことがしられている。しかしながら、この暗抵抗
率は108〜1010Ω・cmと低く電子写真感光体とし
ては適当ではない。
本発明はこのように暗抵抗が不十分であるとさ
れているアモルフアスSiを改善し、かつ多層構造
により高感度な電子写真感光体とするものであ
る。
れているアモルフアスSiを改善し、かつ多層構造
により高感度な電子写真感光体とするものであ
る。
すなわち、アモルフアスSi膜の光導電性は成膜
時における基板の温度に強く依存し、基板温度を
高くするにつれて光感度は増大し、基板温度250
℃で明抵抗率は1000 lxの光に対し105Ω・cmを示
す。一方、この基板温度で暗抵抗率は108〜109
Ω・cmと低い。逆に基板温度が100℃前後と低い
場合は暗抵抗率が1010〜1011Ω・cmと高く明抵抗
率は1000 lxの光で107〜108Ω・cmと低い。
時における基板の温度に強く依存し、基板温度を
高くするにつれて光感度は増大し、基板温度250
℃で明抵抗率は1000 lxの光に対し105Ω・cmを示
す。一方、この基板温度で暗抵抗率は108〜109
Ω・cmと低い。逆に基板温度が100℃前後と低い
場合は暗抵抗率が1010〜1011Ω・cmと高く明抵抗
率は1000 lxの光で107〜108Ω・cmと低い。
そこで本発明では、第１に基板温度80−130℃
でアモルフアスSiの成膜を行う時にシランガス中
に酸素を混入させることによつてアモルフアスSi
膜中にＨ−Si−Ｏ化合物を形成し、高抵抗化を図
るようにしている。この場合モノシラン
（SiH4）ガス中の酸素（O2）ガス含有量が0.5体積
％以下であると形成したアモルフアスシリコン膜
の暗抵抗率が1012Ω・cm以下であり、一方６体積
％を越えると光導電材料の明抵抗率が増大しすぎ
（暗抵抗率に近づき）電子写真感光体としては好
ましくない。
でアモルフアスSiの成膜を行う時にシランガス中
に酸素を混入させることによつてアモルフアスSi
膜中にＨ−Si−Ｏ化合物を形成し、高抵抗化を図
るようにしている。この場合モノシラン
（SiH4）ガス中の酸素（O2）ガス含有量が0.5体積
％以下であると形成したアモルフアスシリコン膜
の暗抵抗率が1012Ω・cm以下であり、一方６体積
％を越えると光導電材料の明抵抗率が増大しすぎ
（暗抵抗率に近づき）電子写真感光体としては好
ましくない。
第二には、上記のように形成された第１層のア
モルフアスSi膜を200−250℃で熱処理することに
より、膜中の欠陥を減少させキヤリアの輸送効率
を増大させる。
モルフアスSi膜を200−250℃で熱処理することに
より、膜中の欠陥を減少させキヤリアの輸送効率
を増大させる。
さらに、第三には熱処理された上記第１層上に
基板温度200−250℃とし、酸素の含有量が0.1体
積％以下のシランガスにより第２層のアモルフア
スSi膜を成長させる。第２層のSi膜は、暗抵抗率
は低いが、高感度な光導電体であり、光キヤリア
発生効率が非常に高い膜である。
基板温度200−250℃とし、酸素の含有量が0.1体
積％以下のシランガスにより第２層のアモルフア
スSi膜を成長させる。第２層のSi膜は、暗抵抗率
は低いが、高感度な光導電体であり、光キヤリア
発生効率が非常に高い膜である。
以上のようにして形成された電子写真感光体の
構造を第１図に示す。図中、Ａは電極となる導電
性基体であり、Ｂは高抵抗で、かつ電荷輸送効率
の高い第１層のSi膜、Ｃは高感度でかつ光キヤリ
ア発生効率の高い第２層のSi膜である。この電子
写真感光体上をコロナ放電器Ｄにより一様に帯電
させ、光Ｅを所望のマスクＦ等を介するなどして
局所的に照射すると、第２層のSi膜Ｃで光キヤリ
アが発生し、その光キヤリアが第１層のSi膜Ｂへ
注入され、かつ該第１層Ｂに存在する高電界によ
り電極Ａへ非常に速く輸送され帯電電荷を消失さ
せる。以上のメカニズムにより本発明の電子写真
感光体は非常に高感度となることが理解される。
構造を第１図に示す。図中、Ａは電極となる導電
性基体であり、Ｂは高抵抗で、かつ電荷輸送効率
の高い第１層のSi膜、Ｃは高感度でかつ光キヤリ
ア発生効率の高い第２層のSi膜である。この電子
写真感光体上をコロナ放電器Ｄにより一様に帯電
させ、光Ｅを所望のマスクＦ等を介するなどして
局所的に照射すると、第２層のSi膜Ｃで光キヤリ
アが発生し、その光キヤリアが第１層のSi膜Ｂへ
注入され、かつ該第１層Ｂに存在する高電界によ
り電極Ａへ非常に速く輸送され帯電電荷を消失さ
せる。以上のメカニズムにより本発明の電子写真
感光体は非常に高感度となることが理解される。
実施例
（第１工程）
容量型の高周波グロー放電装置において、基板
ホルダに導電性基板を取付けた。次にこの装置の
真空室内の空気を排気した後、加熱ヒータにより
基板の温度を120℃まで上昇させた。そして４体
積％の酸素を含むシランガスを導入し、真空度５
×10-2Torrに維持して電力10Wの高周波
（13.56MHz）を放電電極に加えた。こうして、
基板上に厚さ2.8μｍの１層目のSi膜を形成し
た。
ホルダに導電性基板を取付けた。次にこの装置の
真空室内の空気を排気した後、加熱ヒータにより
基板の温度を120℃まで上昇させた。そして４体
積％の酸素を含むシランガスを導入し、真空度５
×10-2Torrに維持して電力10Wの高周波
（13.56MHz）を放電電極に加えた。こうして、
基板上に厚さ2.8μｍの１層目のSi膜を形成し
た。
（第２工程）
上記第１工程と同じ真空度を維持しつつ基板温
度を220℃まで上昇させ、１時間保持した。
度を220℃まで上昇させ、１時間保持した。
（第３工程）
酸素を含まないシランガス５×10-2Torrの真
空度によつて真空内の電囲気を置換し10Wの高周
波を放電電極に加えることにより第１工程で得ら
れた第１層のSi膜上に0.6μｍ膜厚の第１層のSi
膜を形成した。
空度によつて真空内の電囲気を置換し10Wの高周
波を放電電極に加えることにより第１工程で得ら
れた第１層のSi膜上に0.6μｍ膜厚の第１層のSi
膜を形成した。
以上の３工程により作製したアモルフアスSi膜
につき電子写真感光体としての特性を調べた。そ
の結果を第２図に示す この測定にあたり帯電を−5.5kVのコロナ放電
により行い、露光を波長0.6μｍで４μＷ／cm2の
光で行なつた。光減衰による半減時間は0.5secで
あつた。図中、横軸は時間、縦軸は感光体の表面
電位を夫々表わしている。
につき電子写真感光体としての特性を調べた。そ
の結果を第２図に示す この測定にあたり帯電を−5.5kVのコロナ放電
により行い、露光を波長0.6μｍで４μＷ／cm2の
光で行なつた。光減衰による半減時間は0.5secで
あつた。図中、横軸は時間、縦軸は感光体の表面
電位を夫々表わしている。
以上、本発明によれば長波長の光でかつ非常に
弱い光で帯電電荷を減少する特性を有し、高速な
レーザプリンタ等に用いて好適な電子写真感光体
を提供することができる。
弱い光で帯電電荷を減少する特性を有し、高速な
レーザプリンタ等に用いて好適な電子写真感光体
を提供することができる。
第１図は本発明により作製した電子写真感光体
の構造を例示した断面図である。Ａは電極、Ｂは
電荷輸送を担う第１のSi層、Ｃは電荷発生を担う
第２のSi層、Ｄはコロナ放電器である。 第２図は本発明によつて製造したアモルフアス
シリコン膜電子写真感光体の表面電位の変化を表
わす図である。
の構造を例示した断面図である。Ａは電極、Ｂは
電荷輸送を担う第１のSi層、Ｃは電荷発生を担う
第２のSi層、Ｄはコロナ放電器である。 第２図は本発明によつて製造したアモルフアス
シリコン膜電子写真感光体の表面電位の変化を表
わす図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シランガスを含有する気体中でグロー放電を
行い導電性基体表面に感光体層を形成する電子写
真感光体の製造方法において、酸素0.5〜６モル
％残部シランガスよりなり圧力が10-1〜10-3Torr
の気体中に、温度を80℃〜130℃に保つた上記導
電性基板を配置し、グロー放電を行うことにより
該導電性基板上に第１層を形成する工程、 次に上記気体中に温度を200℃〜250℃に保つた
導電性基体を所定時間放置する工程、 その後酸素０〜0.1モル％、残部シランガスよ
りなり圧力が10-1〜10-3Torrの気体中に温度を
200℃〜250℃に保つた導電性基体を配置し、グロ
ー放電を行うことにより上記第１層上に第２層を
形成する工程と含むことを特徴とする電子写真感
光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1940680A JPS56116036A (en) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | Manufacture of electrophotographic receptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1940680A JPS56116036A (en) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | Manufacture of electrophotographic receptor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56116036A JPS56116036A (en) | 1981-09-11 |
| JPS6161386B2 true JPS6161386B2 (ja) | 1986-12-25 |
Family
ID=11998369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1940680A Granted JPS56116036A (en) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | Manufacture of electrophotographic receptor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56116036A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56161551A (en) * | 1980-05-16 | 1981-12-11 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPH0812932B2 (ja) * | 1985-12-06 | 1996-02-07 | キヤノン株式会社 | フォトセンサアレイ |
-
1980
- 1980-02-19 JP JP1940680A patent/JPS56116036A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56116036A (en) | 1981-09-11 |
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