JPH01315763A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はアモルファスシリコンカーバイド光導電層と有
機光半導体９層を積層して成る電子写真感光体に関する
ものである。

〔従来技術及びその問題点〕

電子写真感光体の光導電材料には、Ｓｅ、　５ｅ−Ｔｅ
＋＾、、Ｓ　＊ｓ、Ｚｎ０ｔＣｄＳ１アモルファスシリ
コンなどの無機材料と各種有機材料がある。そのなかで
最初に実用化されたものはＳｅであり、次いでＺｎＯ，
ＣｄＳ。

アモルファスシリコンも実用化された。他方、有機材料
ではＰＶＫ−ＴＮＦが最初に実用化され、その後、電荷
の発生並びに電荷の輸送という機能を別々の材料に分担
させるという機能分離型感光体が提案され、この機能分
離型感光体によって有機材料の開発が飛躍的に発展して
いる。

一方、無機光導電層の上に有機光半導体層を積層した電
子写真感光体も提案された。

例えばＳｅ層と有機光半導体層の積層型感光体があり、
既に実用化されたが、この感光体によれば、Ｓｅ自体有
害であり、しかも、長波長側の感度に劣るという欠点も
あった。

そこで、特開昭５６−１４２４１号にはアモルファスシ
リコンカーバイド光導電層と有機光半導体層から成る積
層型感光体が提案されており、この感光体によれば、上
記問題点を解消して無公害性並びに高光感度な特性が得
られた。

上記提案の電子写真感光体によれば、化学式Ｓｉ＋−−
ＣＸ　Ｈｙ　　（但し　０＜ｘ＜１　、０．０５≦ｙ　
≦０．２）で表わされるアモルファスシリコンカーバイ
ド層と、有機光半導体層が順次積層された構造から成る
。

しかしながら、本発明者等がこのような電子写真感光体
を製作し、その表面電位及び残留電位を測定したところ
、いずれも未だ満足し得るような特性が得られず、更に
改善を要することが判明した。

従って、本発明は軟土に鑑みて完成されたものであり、
その目的は高い表面電位が得られ、しかも残留電位を低
減させた電子写真感光体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、導電性基板上にアモルファスシリコン
カーバイド光導電層（以下、アモルファスシリコンカー
バイドをａ−３ｉＣと略す）と有機光半導体層が順次積
層された電子写真感光体において、前記ａ−ＳｉＣ光導
電層が第１の層領域並びに第２の層領域が順次形成され
た層構成であり、第１の層領域に最大含有量が１〜１１
００００ｐｐになるように且つ基板から感光体表面へ向
かって漸次減少するように周期律表第ＩＩＩａ族元素を
含有させ、更に第２の層領域に周期律表第Ｖａ族元素を
Ｏ〜５００ｐｐｍ含有させたことを特徴とする電子写真
感光体が提供される。

以下、本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を示しており、
同図によれば、導電性基板（１）の上にａ−３ｉＣ光導
電Ｎ（２）及び有機光半導体層（３）が順次積層されて
いる。そして、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）には電荷発生
という機能があり、他方の有機光半導体層（３）には電
荷輸送という機能がある。

本発明は、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）の内部に第１の層
領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）が順次形成されて
おり、第１の層領域（２ａ）に周期律表第ＩＩＩａ族元
素（以下、ＩＩＩａ族元素と略す）を所定の範囲内で含
有させ、しかも、第２の層領域（２ｂ）に周期律表第Ｖ
ａ族元素（以下、Ｖａ族元素と略す）を所定の範囲内で
含有させ、これにより、表面電位及び残留電位を改善し
たことが特徴である。

また、このようなＮＲＭ域を形成したことにより正帯電
用電子写真感光体となることも特徴である。

先ず、ａ−３ｉＣ光導電層（２）はアモルファス化した
Ｓｉ元素とＣ元素並びにこれらの元素のダングリングボ
ンド終端部に導入された水素（Ｈ）元素又はハロゲン元
素から成り、その組成式は下記の通りに設定するとよい
。

（Ｓｌｌ−Ｘ　Ｃｘ　）　ｒ−ｙ　Ａ　ｙ（但しＡはＨ
元素又はハロゲン元素） ０　＜　ｘ　＜　０．５ 好適には０．０１　＜　ｘ　＜　０．４最適には０．０
５　＜　ｘ　＜　０．２０．１　　＜　　ｙ　＜　　０
．５ 好適には０．２　＜　ｙ　＜　０．５ 最適には０．２５　＜　ｙ　＜　０．４５Ｘ値がＯ＜　
ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、光導電性が得られ、
更に０．０１　＜　ｘ　＜　０．４の範囲内に設定され
た場合には短波長側の光感度が高められ、しかも、光導
電性が顕著に高くなって光キャリアの励起機能が大きく
なる。

また、ｙ値が０．１以下の場合には膜質が低下し、これ
によって光導電性が著しく低下し、更に０゜２　＜　ｙ
　＜　０．５の範囲内に設定された場合には暗導電率が
小さくなり且つ光導電率が大きくなり、優れた光導電性
が得られ、また、基板との密着性にも優れる。

このａ−ＳｉＣ光導電層（２）には水素（ＩＩ）元素や
ハロゲン元素がダングリングボンド終端用に含有されて
いるが、これらの元素のなかではＨ元素が終端部に取り
込まれ易く、これによってバンドギャップ中の局在準位
密度が低減化されるという点で望ましい。

また、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）の厚みは０．０５〜５
ｐｍ、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定すればよ
（、この範囲であれば高い光感度が得られ、残留電位が
低くなる。

次に第１の層領域（２ａ）について、最大含有量が１〜
１１００００ｐｐ、好適には５００〜５０００ｐｐｍに
なるようにＩＩＩａ族元素を含有させ、しかも、そのド
ーピング分布を基板から感光体表面へ向かう層厚方向に
亘って漸次減少させ、これにより、ｐ形半導体となし、
ａ−５ｉＣ光導電層（２）で発生した光キャリア、特に
正電荷を基板側へスムーズに流すことができ、また、基
板側のキャリアがａ−ＳｉＣ光導電層（２）へ流入され
るのを阻止することができる。即ち、第１の層領域（２
ａ）は基板（１）に対して整流性を有するという点で非
オーミツク接触していると言える。

従って、この非オーミツク接触により表面電位が高くな
り、残留電位が低減する。

このように第１の層領域（２ａ）はＩＩＩａ族元素の最
大含有量により表わされるが、この最大含有量が１　ｐ
ｐｍ未満の場合には基板からのキャリア注入を阻止する
機能が小さくなり、そのために表面電位が高くならず、
１１００００ｐｐを超える場合には、この層領域の内部
欠陥が増大して膜質が低下し、表面電位の低下並びに残
留電位の上昇をきた丸上記■ａ族元素が１〜１１００ｐ
ｐの範囲内であれば、光感度の向上が顕著である。

また、第１の層領域（２ａ）はＩＩＩａ族元素最大含有
量とともに、その厚みでもって更に具体的に設定するの
が望ましい。

即ち、第１の層領域（２ａ）の厚みは０．０５〜５μｍ
、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するとよく、
この範囲内であれば残留電位を低減できるとともに感光
体の耐電圧を高めることができるという点で有利である
。

更に、第１の層領域（２ａ）は１［ａ族元素最大含有量
及び厚みとともに、そのＳｉＣ組成比を下記の通りに設
定するのが望ましい。

即ち、組成式Ｓｉ、、　Ｃ、で表わした場合、０．１＜
　ｘ　＜　０．５の範囲内に設定するとよく、この範囲
内であれば、表面電位を高め、しかも、基板との密着性
を高めることができる。

また、上記のようにＣ元素比率を設定するに当たって、
その比率を第２のＮ　ｊｆｆ域（２ｂ）に比べて大きく
するとよく、これは表面電位を高め、基板との密着性を
高めることができる点で有利である。

上記ＩＩＩａ族元素にはＢ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等がある
が、Ｂが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得
る点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られる
という点で望ましい。

第２の層領域（２ｂ）については、ＩＩＩａ族元素を０
〜５００ｐｐｍ、好適にはＯ〜１１００ｐｐ含有させ、
これにより、ａ−ＳｉＣ光導電層（２）の内部の有機光
半導体層（３）側にｎ形半導体層を形成し、この層（２
）で発生したキャリア、特に負電荷を有機光半導体層（
３）へスムーズに流すことができ、その結果、表面電位
が高くなり、残留電位が低減する。尚、上記ＩＩＩａ族
元素含有量がＯである場合には実質上含有しないことを
表わす。

このように第２の層領域（２ｂ）はＶａ族元素の含有量
により表わされるが、その含有量が層厚方向に亘って不
均一になる場合には、その平均含有量で表示される。

かかるＶａ族元素がｓｏｏｐｐｍを超える場合には光励
起キャリアの発生能力が劣り、光感度が低下する。

また、第２の層領域（２ｂ）はＶａ族元素含有量ととも
に、その厚みでもって更に具体的に設定するのが望まし
い。

即ち、第２の層領域（２ｂ）の厚みは０．０５〜５μｍ
、好適には０．１〜３μｍの範囲内に設定するとよく、
この範囲内であれば高い光感度が得られ、残留電位が低
くなる。

上記Ｖａ族元素にはＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉがあるが
、Ｐが共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る
点で、その上、優れた帯電能並びに光感度が得られると
いう点で望ましい。

上記の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−Ｓ
ｔＣ光導電層（２）にｐ−ｎ接合が形成され、そのため
、このＮ（２）で発生したキャリアのうち、電子は有機
光半導体層（３）へ向かい、一方、正孔は基板（１）へ
向かう。従って、正帯電型の電子写真感光体となる。

このような正帯電型電子写真感光体においては、有機光
半導体層（３）に電子吸引性化合物が選ばれ、この化合
物には例えば２．４．７−ドリニトロフルオレノンなど
がある。

また、前記基板（１）には銅、黄銅、ＳＯＳ　、　Ａｔ
等の金属導電体、あるいはガラス、セラミックス等の絶
縁体の表面に導電体薄膜をコーティングしたものがあり
、就中、ＡＩがコスト面並びにａ−ＳｉＣ層との密着性
という点で有利である。

かくして本発明によれば、ａ−５ｉＣ光導電層にＩＩＩ
ａ族元素又はＶａ族元素が所定の範囲内で含有されたＦ
ＪｅＩ域を形成したことにより、表面電位及び残留電位
が改善され、更にこの光導電層のＳｉＣ元素比率を所定
の範囲内に設定して光感度が高められる。

また、本発明の電子写真感光体については第１２図に示
す通り、第２の層領域（２ｂ）と有機光半導体層（３）
の間にＣ元素を多く含有する層領域を形成してもよく、
このカーボン（Ｃ）元素高含有Ｎ　ｊｉＵ域が形成され
た場合、第２のＮ領域（２ｂ）と有機光半導体Ｎ（３）
の間の暗導電率の差が顕著に小さくなり、これにより、
両層（２ｂ）　（３）の間でキャリアがトラップされな
くなる。

即ち、第２の層領域（２ｂ）の暗導電率は約１０−”〜
１０−”（Ω・ｃｍ）−’であり、他方の有機光半導体
層（３）の暗導電率は約１０”　”〜１０−　”　（Ω
・Ｃｍ）　−’であり、そのために第２の層領域（２ｂ
）で発生したキャリアは暗導電率の大きな差により有機
光半導体層（３）へスムーズに流れなくなる。従って、
本発明者等はＣ元素高含有層領域（２Ｃ）を形成し、こ
れにより、その層領域（２ｃ）の暗導電率を小さくし、
両層（２ｂ）’（３）の間で暗導電率の差を小さくでき
、その結果、光感度及び残留電位の両特性が改善される
ことを見い出した。

このようなＣ元素高含有層領域（２Ｃ）は下記の通りＣ
元素含有比率と厚みにより表わされる。

Ｃ元素含有比率はＳｉ、□ＣＸのｘ値で０．２　＜　Ｘ
＜　０．５　、好適には０．３　＜　ｘ　＜　０．５の
範囲内に設定するとよ＜、ｘ値が０．２以下の場合には
両Ｎ　（２ｂ）（３）の間で暗導電率の差を所要通りに
小さくできず、これによって光感度及び残留電位のそれ
ぞれの特性を改善することができず、また、Ｘ値が０゜
５以上の場合には、ａ−５ｉＣ光導電層でキャリアがト
ラップされ易くなり、光感度特性が低下する。

また、厚みは１０〜２０００人、好適には５００〜１０
００人の範囲内に設定するとよく、１０人未満の場合に
は光感度及び残留電位のそれぞれの特性を改善すること
ができず、２０００人を超えた場合には残留電位が大き
くなる傾向になる。

このような第２の層領域（２ｂ）並びにＣ元素高含有層
領域（２ｃ）のそれぞれのＣ元素含有量は層厚方向に亘
って変化させてもよい。例えば第６図〜第１１図に示す
例があり、これらの図において、横軸は層厚方向であり
、ａは第１の層領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）の
界面、ｂは第２の層領域（２ｂ）とＣ元素高含有層領域
（２ｃ）の界面、そして、ＣはＣ元素高含有層領域（２
ｃ）と有機光半導体層（３）の界面を表わし、また、縦
軸はＣ元素含有量を表わす。

このように第２の層領域（２ｂ）又はＣ元素高含有層領
域（２ｃ）の内部で層厚方向に亘ってＣ元素含有量を変
えた場合、そのＣ元素含有比率（Ｘ値）はそれぞれこの
層領域（２ｂ）　（２ｃ）全体当たりのＣ元素平均含有
比率に対応する。

更にまた、本発明の電子写真感光体においては、第１の
層領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）の両者ともにそ
れぞれのＩＩＩａ族元素含有量及びＶａ族元素含有量を
層厚方向に亘って変化させてもよい。その例を第１５図
〜第２０図に示す。

これらの図において、横軸は層厚方向であり、ｄは基板
（１）と第１の層領域（２ａ）の界面、ａは第１の層領
域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）の界面、ｅは第２の
層領域（２ｂ）と有機光半導体層（３）の界面を表わし
、また、縦軸はＩＩＩａ族元素又はＶａ族元素のそれぞ
れの含有量を表わす。

このように第１の層領域（２ａ）及び第２の層領域（２
ｂ）で層厚方向に亘ってＩＩＩａ族元素又はＶａ族元素
の含有量を変えた場合には、その元素含有量はそれぞれ
層領域（２ａ）　（２ｂ）全体当たりの平均含有量に対
応する。

また、上記の通りにＩＩＩａ族元素及びＶａ族元素の含
有量を変えた場合、第１の層領域（２ａ）と第２の層領
域（２ｂ）の間に真性半導体層が形成される。

次に本発明電子写真感光体の製法を述べる。

ａ−５ｉＣ層を形成するにはグロー放電分解法、イオン
ブレーティング法、反応性スパッタリング法、真空蒸着
法、ＣＶＤ法などの薄膜形成方法がある。

グロー放電分解法を用いる場合、Ｓｉ元素含有ガスとＣ
元素含有ガスを組合せ、この混合ガスをプラズマ分解し
て成膜形成する。このＳｉ元素含有ガスにはＳｉＨ４，
５ｉＪａ、５ｉＪａ、ＳｉＦ４，５ｉＣ１ｔ＋５ｉＨＣ
１ｚ等々があり、また、Ｃ元素含有ガスにはＣＨ４，、
Ｃ２Ｈ４，。

Ｃ２Ｈｚ、ＣＪｓ等々があり、就中、Ｃ，Ｌは高速成膜
性が得られるという点で望ましい。

本実施例に用いられるグロー放電分解装置を第２図によ
り説明する。

図中、第１タンク（４）、第２タンク（５）、第３タン
ク（６）、第４タンク（７）、第５タンク（８）にはそ
れぞれＳｉＨ４，ＣｚＨｚ、Ｐ）＋ｚ、ＢｚＨ６（ＰＩ
１３ガス及びＢＺＨ＆ガスはいずれも水素ガスで希釈さ
れている）及びＨ２が密封され、これらのガスは各々対
応する第１調整弁（９）、第２調整弁（１０）、第３調
整弁（１１）、第４調整弁（１２）及び第５調整弁（１
３）を開放することにより放出される。その放出ガスの
流量はそれぞれマスフローコントローラ（１４）　（１
５）　（１６）　（１７）　（１８）により制御され、
各々のガスは混合されて主管（１９）は送られる。尚、
（２１）　（２１）は止め弁である。

主管（１９）を通じて流れるガスは反応管（２２）へ流
入されるが、この反応管（２２）の内部には容量結合型
放電用電極（２３）が設置され、また、筒状の成膜用基
板（２４）が基板支持体（２５）の上に載置され、基板
支持体（２５）がモータ（２６）により回転駆動され、
これに伴って基板（２４）が回転される。そして、電極
（２３）に電力５０Ｗ　〜３Ｋｗ　、周波数１〜５０Ｍ
Ｈｚの高周波電力が印加され、しかも、基板（２４）が
適当な加熱手段により約２００〜４００℃、好適には約
２００〜３５０℃の温度に加熱される。また、反応管（
２２）は回転ポンプ（２７）と拡散ポンプ（２８）に連
結されており、これによってグロー放電による成膜形成
時に所要な真空状態（放電時のガス圧０．０１〜２．０
Ｔｏｒｒ）が維持される。

このような構成のグロー放電分解装置を用いて基板（２
４）の上に例えばＰ元素含有のａ−３ｉＣ層を形成する
場合、第１調整弁（９）、第２調整弁（１０）、第３調
整弁（１１）及び第５調整弁（１３）を開いてＳｉＨ４
、Ｃ２ｔｌｚ、ＰＨｚ、Ｈｚの各々のガスを放出し、そ
の放出量をマスフローコントローラ（１４）　（１５）
　（１６）　（１Ｂ）により制御し、各々のガスは混合
されて主管（１９）を介して反応管（２２）へ流入され
る。そして、反応管内部の真空状態、基板温度、電極印
加用高周波電力をそれぞれ所定の条件に設定するとグロ
ー放電が発生し、ガスの分解に伴ってＰ元素含有のａ−
５ｉＣ膜が基板上に高速に形成される。

上述した通りの薄膜形成方法によりａ−５ｉＣ層が形成
されると、次に有機光半導体層を形成する。

有機光半導体層は浸漬塗工方法又はコーティング法によ
り形成され、前者は感光材が溶媒中に分散された塗工液
の中に浸漬し、次いで、一定な速度で引上げ、そして、
自然乾燥及び熱エージング（約１５０℃、約１時間）を
行うという方法であり、また、後者のコーティング法に
よれば、コーター（塗機）を用いて、溶媒に分散された
感光材を塗布し、次いで熱風乾燥を行う。

〔実施例〕

次に本発明の実施例を述べる。

（例１） 第２図のグロー放電分解装置を用いて、５ｉＨａガスを
２００ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガスを２７０ｓｅｃｍの
流量で、そして、Ｃ２１１□ガスの流量を変化させ、ま
た、ガス圧を０．６Ｔｏｒｒ　、高周波電力を１５０Ｗ
、基板温度を２５０℃に設定し、グロー放電によってａ
−５ｉＣ膜（膜要約１μｍ）を形成した。

このようにしてａ−５ｉＣ膜のカーボン含有比率を変え
、そして、膜中のカーボン量をＸＭＡ法により測定し、
また、光導電率及び暗導電率を測定したところ、第３図
に示す通りの結果が得られた。

第３図中、横軸はカーボン含有比率、即ちＳｉ。

ｘＣｘのＸ値であり、縦軸は導電率を表わし、○印は発
光波長５５０ｎｍ　（光量５０μＷ／ｃｍ２）の光に対
する光導電率のプロットであり、・印は暗導電率のプロ
ットであり、また、ａ、ｂはそれぞれの特性曲線である
。

更に上記各ａ−３ｉＣ膜について、その水素含有量を赤
外吸収測定法により求めたところ、第４図に示す通りの
結果が得られた。

第４図中、横軸はＳ＋１−ｘ　Ｃｘのｙ値であり、縦軸
は水素含有量、即ち（Ｓｉ＋−ｘ　Ｃｘ　〕＋−ｙ　）
ｌ　ｙのｙ値であり、○印はＳｉ原子に結合した水素量
のプロットであり、・印はＣ原子に結合した水素量のプ
ロットであり、また、ｃ、ｄはそれぞれの特性曲線であ
る。

第４図より明らかな通り、本例のａ−ＳｉＣ膜はいずれ
もｙ値が０．３〜０．４の範囲内にあることが判る。

また、第３図譲り明らかな通り、カーボン含有比率Ｘが
Ｏ＜　Ｘ　＜　０．５の範囲内であれば、高い光導電率
が得られるとともに光導電率と暗導電率の比率が顕著に
大きくなり、優れた光感度が得られることが判る。

（例２） 次に本例においては、ＳｉＨ４ガスを２００ｓｅｃｍの
流量で、ＣＪｉガスを２０ｓｅｃｍの流量で、Ｈ２ガス
を０〜１０１０００ｓｅの流量で導入し、そして、高周
波電力を５０〜３００Ｗ、ガス圧を０．３〜１．２Ｔｏ
ｒｒに設定し、グロー放電によりａ−ＳｉＣ膜（膜要約
１μｍ　）を形成した。

かくして、カーボン含有比率Ｘを０．３に設定し、そし
て、水素含有量ｙを変化させた種々のａ−３ｉＣ膜を形
成し、各々の膜について光導電率及び暗導電率を測定し
たところ、第５図に示す通りの結果が得られた。

第５図中、横軸は水素含有量、即ち、（Ｓｉ＋−ＸＣＸ
）　＋−ｙ　Ｈ，ｙのｙ値であり、縦軸は導電率を表わ
し、○印は発光波長５５０ｎｍ　（光量５０１１　Ｗ／
ｃｍ”）の光に対する光導電率のプロットであり、・印
は暗導電率のプロットであり、また、ｅ、ｆはそれぞれ
の特性曲線である。

第５図より明らかな通り、ｙ値が０．２を超えた場合、
高い光導電率並びに低い暗導電率が得られることが判る
。

（例３） グロー放電分解装置の反応管内部に表面研摩したアルミ
ニウム製平板（２５ｍｍ　ｘ　５０ｍｍ）を設置し、そ
の平板の上に第１表に示す成膜条件により順次筒１の層
領域（２ａ）と第２の層領域（２ｂ）を形成する。次い
で、真空蒸着法により円板状（３ｏ＋ｍφ）のアルミニ
ウム電極を形成し、第１３図に示す通りの光導電部材を
作製した。尚、同図中、（２９）及び（３０）はそれぞ
れ平板及びアルミニウム電極である。

（以下余白〕 このようにして成膜した第１の層領域（２ａ）及び第２
ＯＮＢ域（２ｂ）についてそれぞれのカーボン量をＸＭ
Ａ法により、また、Ｂ元素最大含有量を二次イオン質量
分析計により測定したところ、第２表に示す通りの結果
が得られた。

第２表 かくして得られたａ−ＳｉＣ光導電部材を第１３図に示
す通り、アルミニウム電極（３０）側に電圧を印加し、
平板（２９）をアース側に導通させ、これによって電圧
−電流特性を測定したところ、第１４図に示す通りの結
果が得られた。

また、本例においては、第１のｒｖＪ領域を形成するに
当たってＢＺＨ＆ガスを導入せず、その他は本例と全く
同じ成膜条件に設定し、これにより、Ｂ元素を含有しな
いａ−５ｉＣ光導電部材を製作し、これを比較例とし、
その電圧−電流特性も測定した。

第１４図中、横軸はアルミニウム電極（３０）に印加さ
れる電圧であり、縦軸は電流値であり、○印は本発明に
係るａ−ＳｉＣ光導電部材の測定プロット、・印は比較
例のａ−３ｉＣ光導電部材の測定プロットであり、ｇ、
ｈはそれぞれの特性曲線である。

第１４図より明らかな通り、本発明に係るａ−５ｉＣ光
導電部材によれば、アルミニウム電極（３０）に正の電
圧が印加されても電流がほとんど流れないが、その電極
（３０）に負の電圧が印加された場合には著しく大きな
電流が流れる。

（例４） （例３）と同じａ−ＳｉＣ光導電層をアルミニウム基板
上に形成し、次いで、２゜４．７−　トリニトロフルオ
レノンを主成分とする有機光半導体Ｎ（膜要約１５μｍ
　）を形成し、電子写真感光体とした。

かくして得られた電子写真感光体の特性評価を電子写真
特性測定装置により測定したところ、優れた光感度及び
表面電位が得られ、しかも、低い残留電位が得られた。

（例５） 上記（例４）の電子写真感光体を製作するに当たって、
（例３）の比較例をａ−５ｉＣ光導電層とし、更に同じ
有機光半導体層を形成して成る電子写真感光体を製作し
た。

この電子写真感光体の光感度を測定したところ、（例４
）の電子写真感光体に比べて約１５χ低下しており、ま
た、残留電位は約６χ大きくなっていた。

（例６） また本発明者等は（例４）の電子写真感光体を製作する
に当たって、Ｂ２Ｈ＆最大ガス流量とＰＨ，ガス流量を
変化させ、これにより、第３表に示す通りに第１のＦ！
層領域Ｂ元素最大含有量並びに第２の１！領域のＰ元素
含有量を変えた１５種類の電子写真感光体（感光体Ａ〜
０）を製作した。

これらの電子写真感光体の光感度、表面電位並びに残留
電位を測定したところ、第３表に示す通りの結果が得ら
れた。

同表中、光感度は相対評価により◎印、○印及びΔ印の
三段階に区分され、◎印は最も優れた光感度が得られた
場合であり、○印は幾分価れた光感度が得られた場合で
あり、Δ印は他に比べてわずかに劣る光感度になった場
合である。

表面電位の特性評価も◎印、○印及びΔ印の三段階に区
分され、◎印は最も高い表面電位が得られた場合であり
、○印は幾分高い表面電位が得られた場合であり、Δ印
は他に比べて高い表面電位が認められなかった場合であ
る。

また、残留電位についても三段階に相対評価しており、
◎印は在留電位が最も小さくなった場合であり、Ｏ印は
残留電位の低下が幾分認められた場合であり、Δ印は他
に比べて残留電位の低減が認められなかった場合である
。

〔以下余白〕

第３表 ＊印の感光体は本発明の範囲外のものである。

第３表より明らかな通り、感光体Ｄ−Ｍは優れた光感度
が得られ、しかも、表面電位が高く、残留電位の低減が
認められ、また、感光体Ｂ、Ｃは光感度及び残留電位の
点で優位性が認められた。

然るに感光体Ａは光感度及び表面電位が劣り、また、感
光体Ｎ及び感光体０は光感度、表面電位並びに残留電位
のいずれの特性も改善されていないことが判る。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明の電子写真感光体によれば、ａ−Ｓ
ｉＣ光導電層の内部にＩＩＩａ族元素とＶａ族元素を所
定の範囲内で含有された各層領域を形成したことにより
優れた光感度が得られ、表面電位を高め、しかも、残留
電位を低減させることができた。

また、この電子写真感光体によれば、ａ−５ｉＣ光導電
層が基板に対して非オーミツク接触であり、これにより
、整流機能が高められ、高い表面電位並びに低い残留電
位の正帯電用電子写真感光体が提供できた。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明電子写真感光体の層構成を表わす断面図
、第２図は実施例に用いられるグロー放電分解装置の概
略図、第３図はカーボン含有比率と導電率の関係を示す
線図、第４図はカーボン含有比率と水素含有量の関係を
示す線図、第５図は水素含有量と導電率の関係を示す線
図であり、また、第６図、第７図、第８図、第９図、第
１０図及び第１１図はアモルファスシリコンカーバイド
光導電層の層厚方向に亘るカーボン含有量を表わす線図
である。そして、第１２図は本発明電子写真感光体の他
の層構成を表わす断面図、第１３図は光導電部材の電圧
−電流特性を測定するための説明図、第１４図は電圧−
電流特性を示す線図、また、第１５図、第１６図、第１
７図、第１８図、第１９図及び第２０図はアモルファス
シリコンカーバイド光導電層の層厚方向に亘るＩＩＩａ
族元素含有量及びＶａ族元素含有量を表わす線図である
。 ■・・・導電性基板 ２・・・アモルファスシリコンカーバイド光導電層 ２ａ・・・第１の層領域 ２ｂ・・・第２の層領域 ３　・・・有機光半導体層 特許出願人　（６６３）京セラ株式会社代表者安城欽寿 同　　　河村孝夫

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 導電性基板上にアモルファスシリコンカーバイド光導電
   層と有機光半導体層が順次積層された電子写真感光体に
   おいて、前記アモルファスシリコンカーバイド光導電層
   が第１の層領域並びに第２の層領域が順次形成された層
   構成であり、第１の層領域に最大含有量が１〜１０００
   ０ｐｐｍになるように且つ基板から感光体表面へ向かっ
   て漸次減少するように周期律表第IIIａ族元素を含有さ
   せ、更に第２の層領域に周期律表第Ｖａ族元素を０〜５
   ００ｐｐｍ含有させたことを特徴とする電子写真感光体
   。